KR20020084961A - 계면 활성제가 포함된 탄탈 전해 캐패시터의 전해액 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 탄탈 캐패시터의 제조 공정중 화성 공정에 있어 화성액에 계면 활성제를 추가하여 탄탈 소자와 전해질 용액의 친화성을 증가시켜 함침율을 증가시키고 손실을 감소시키는 계면 활성제가 포함된 탄탈 전해 캐패시터의 화성액 제조 방법에 관한 것으로서, 탄탈 전해 캐패시터의 제조 공정중 소결 공정이 끝난 소자를 화성액에 넣은 후, 직류 전압을 인가하여 탄탈 금속의 표면에 산화피막(Ta2O5)을 형성하는 화성 공정에 있어서, 화성 공정에서 사용하는 폴리 아닐린 용액에 계면 활성제인 N-lauryl-beta-aminopropinonic acid 를 0.1 ~ 1 wt% 의 첨가비율로 첨가하여 화성 공정을 수행하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 탄탈 전해 캐패시터에 관한 것으로, 특히 탄탈 캐패시터의 제조 공정중 화성 공정에 있어 화성액에 계면 활성제를 추가하여 탄탈 소자와 전해질 용액의 친화성을 증가시켜 함침율을 증가시키고 손실을 감소시키는 계면 활성제가 포함된 탄탈 전해 캐패시터의 화성액 제조 방법에 관한 것이다.
도 1에는 탄탈 전해 콘덴서의 제조 방법이 플로우 차트로 도시되어 있다. 도면을 참조하여 탄탈 전해 콘덴서의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.
탄탈 분말에 결합체 역할을 하는 용제를 혼합한 후, 용제를 건조 제거시킨 후 형태를 형성하고, 리드선을 삽입시키는 성형 과정(ST1), 성형된 소자를 진공 소결로에서 가열하여 바인더 제거와 소결을 하는 소결 과정(ST2), 상기 소결 과정(ST2)이 끝난 소자를 화성액에 넣은 후, 직류 전압을 인가하여 탄탈 금속의 표면에 산화피막(Ta2O5)을 형성하는 화성 과정(ST3), 화성 과정(ST3)에서 생성된 산화 피막(Ta2O5)에 이산화망간(MnO2)층을 형성하는 소성 공정(ST4), 이산화망간(MnO2)층이 형성된 탄탈 소자에 카본 도포, 은 페이스트 도포, 리드 용접을 하는 조립 공정(ST5), 탄탈 전해 콘덴서의 외부 형태를 만드는 외장 공정(ST6), 완성된 콘덴서의 시효 경화를 위한 에이징 공정(ST7), 절연관을 끼우거나 용량값 등을 표시하는 마킹 공정(ST8)으로 구성된다.
상기한 바와 같은 일반적인 탄탈 전해 캐패시터의 제조 방법에 있어, 화성 공정에서 화성액으로서 폴리 아닐린 용액을 사용하게 되는데, 폴리 아닐린 용액은 쉽게 건조되어 탄탈 캐패시터 소자 내부로의 침투가 완전히 이루어지지 않는다. 따라서 완성된 탄탈 전해 캐패시터의 특성이 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 탄탈 전해 캐패시터 소자의 화성 공정시 사용하는 폴리 아닐린 용액의 침투성을 향상시켜 폴리 아닐린 용액이 캐패시터 소자 내부의 미세한 공극까지 함침될 수 있도록 한 계면 활성제가 포함된 탄탈 전해 캐패시터의 화성액 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 전해 캐패시터의 제조 방법을 나타내는 순서도.
본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
탄탈 전해 캐패시터의 제조 공정중 화성 공정에 있어서, 화성액으로 사용되는 폴리 아닐린 용액에 폴리 아닐린 용액과 구조적 친화성을 갖고 있고 수소 결합을 증가시킬 수 있는 계면 활성제인 N-lauryl-beta-aminopropinonic acid 를 첨가한다. 이때 계면 활성제인 N-lauryl-beta-aminopropinonic acid 의 첨가비율은 0.1 ~ 1 wt% 이다.
폴리 아닐린 용액에 계면 활성제를 첨가하게 되면 전해질 용액의 점도가 낮아져 침투성이 증가하게 되므로, 탄탈 캐패시터 소자의 공극 내부로의 화성액의 함침이 증가하게 된다. 상기한 화성액을 사용하여 완성된 탄탈 전해 캐패시터는 기존의 기술로 제조된 탄탈 전해 캐패시터에 비해 정전 용량의 증가, 손실값 감소의 효과를 얻을 수 있다.
계면 활성제가 첨가된 화성액을 사용하여 화성 공정을 수행한 이후의 공정은 종래의 기술과 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 의하면 화성 공정시 화성액에 계면 활성제를 추가하여 화성액의 점도를 낮춤으로서 화성액이 탄탈 소자를 구성하는 분말의 공극 으로의 침투가 용이하도록 하여, 완성된 탄탈 캐패시터의 손실을 감소시키는 효과를 갖는다.
Claims (1)
- 탄탈 전해 캐패시터의 제조 공정중 소결 공정이 끝난 소자를 화성액에 넣은 후, 직류 전압을 인가하여 탄탈 금속의 표면에 산화피막(Ta2O5)을 형성하는 화성 공정에 있어서, 화성 공정에서 사용하는 폴리 아닐린 용액에 계면 활성제인 N-lauryl-beta-aminopropinonic acid 를 0.1 ~ 1 wt% 의 첨가비율로 첨가하여 화성 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 계면 활성제가 포함된 탄탈 전해 캐패시터의 화성액 제조 방법.
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