KR100441854B1 - 고체 전해질 콘덴서 제조 방법 - Google Patents

고체 전해질 콘덴서 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100441854B1
KR100441854B1 KR10-2001-0035769A KR20010035769A KR100441854B1 KR 100441854 B1 KR100441854 B1 KR 100441854B1 KR 20010035769 A KR20010035769 A KR 20010035769A KR 100441854 B1 KR100441854 B1 KR 100441854B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sol
capacitor
solid electrolyte
oxide film
forming
Prior art date
Application number
KR10-2001-0035769A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20030000111A (ko
Inventor
김재근
민혜경
Original Assignee
파츠닉(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 파츠닉(주) filed Critical 파츠닉(주)
Priority to KR10-2001-0035769A priority Critical patent/KR100441854B1/ko
Publication of KR20030000111A publication Critical patent/KR20030000111A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100441854B1 publication Critical patent/KR100441854B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/022Electrolytes; Absorbents
    • H01G9/025Solid electrolytes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/15Solid electrolytic capacitors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

본 발명은 고체 전해질 콘덴서 제조시 졸겔 공정을 수행함으로서 탄탈 소자의 표면에 전도성 고분자층을 형성시켜 기존의 화성 공정을 수행하여 산화 피막을 형성시키는 종래의 공정에 비해 전력 소모를 줄일 수 있도록 한 전해질 콘덴서 제조 방법에 관한 것으로서, 성형 과정, 소결 과정, 화성 과정, 소성 공정, 조립 공정, 외장 공정, 에이징 공정, 마킹 공정으로 구성되는 전해 콘덴서의 제조 방법에 있어서, 성형 공정과 소결 공정을 수행한 콘덴서 소자를 졸겔 용액에 함침시켜 표면에 산화 피막을 형성하는 것을 특징으로 한다.

Description

고체 전해질 콘덴서 제조 방법{Making method of capacitor by using solid electrolyte}
본 발명은 고체 전해질 콘덴서 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 고체 전해질 콘덴서 제조시 졸겔 공정을 수행함으로서 탄탈 소자의 표면에 전도성 고분자층을 형성시켜 기존의 화성 공정을 수행하여 산화 피막을 형성시키는 종래의 공정에 비해 전력 소모를 줄일 수 있도록 한 전해질 콘덴서 제조 방법에 관한 것이다.
도 1에는 탄탈 전해 콘덴서의 제조 방법이 플로우 차트로 도시되어 있다. 도면을 참조하여 탄탈 전해 콘덴서의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.
탄탈 분말에 결합체 역할을 하는 용제를 혼합한 후, 용제를 건조 제거시킨 후 형태를 형성하고, 리드선을 삽입시키는 성형 과정(ST1), 성형된 소자를 진공 소결로에서 가열하여 바인더 제거와 소결을 하는 소결 과정(ST2), 상기 소결 과정(ST2)이 끝난 소자를 화성액에 넣은 후, 직류 전압을 인가하여 탄탈 금속의 표면에 산화피막(Ta2O5)을 형성하는 화성 과정(ST3), 화성 과정(ST3)에서 생성된 산화 피막(Ta2O5)에 이산화망간(MnO2)층을 형성하는 소성 공정(ST4), 이산화망간(MnO2)층이 형성된 탄탈 소자에 카본 도포, 은 페이스트 도포, 리드 용접을 하는 조립 공정(ST5), 탄탈 전해 콘덴서의 외부 형태를 만드는 외장 공정(ST6), 완성된 콘덴서의 시효 경화를 위한 에이징 공정(ST7), 절연관을 끼우거나 용량값 등을 표시하는 마킹 공정(ST8)으로 구성된다.
상기와 같은 소성 공정을 수행하여 소자의 표면에 전도성 고분자층을 형성하기 위해서는 다음과 같이 작업이 진행되어야 한다.
0.1 내지 2 몰의 농도를 갖는 산화제에 콘덴서 소자를 30분간 함침후 건조시키고, 0.1 내지 3 몰의 피롤 모노머(pyrrole monomer) 용액에 30분간 함침시키는 산화 중합 방법을 수행한다. 산화 중합 방법의 1회 수행만으로는 전도성 고분자층의 형성 상태가 미흡하므로 산화 중합 방법을 수회 반복하거나 전해 중합을 실시하여 전도성 고분자층을 형성한다.
상기와 같이 산화 중합 방법을 수회 수행하거나 산화 중합 방법 수행 후 전해 중합 방법을 수행하는 것은 콘덴서 제조시 공정을 증가시키는 문제점이 있다.
상기와 같이 화성 공정을 수행하여 산화 피막이 형성된 후에 산화 피막층 상부에 전도성 고분자층을 형성하려고 할 경우에는 많은 전력이 소모되어 생산 원가가 증가되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 소결 공정을 수행한 탄탈 캐패시터 소자를 졸겔 용액에 함침시켜 콘덴서 소자의 표면에 산화 피막을 형성시킨 후 소성 공정의 수행에 의해 전도성 고분자층을 형성시키도록 하여 콘덴서 제조 공정에서 소모되는 전력량을 줄이도록 한 고체 전해질 콘덴서 제조 방법을 제공한다.
도 1은 종래의 기술에 의한 탄탈 전해 콘덴서의 제조 방법을 설명하는 도면.
도 2는 본 발명에 의한 탄탈 전해 콘덴서의 제조 방법을 설명하는 도면.
본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
전해 콘덴서 제조를 위해 성형 공정(ST10), 소결 공정(ST20)을 수행하는 방법은 종래의 기술과 동일하므로 상세한 설명을 생략한다.
성형 공정과 소결 공정을 차례로 수행한 콘덴서 소자는 졸겔 공정(ST30)을 이용하여 산화 피막이 형성되도록 한다.
졸겔 공정을 이용한 산화 피막의 형성시에는 다음과 같은 실시예가 있다.
[실시예 1]
졸겔 공정에 의해 콘덴서 소자 표면에 Na2O5의 산화 피막을 형성시키기 위한 실시예에 의하면, 산화 피막을 형성시키기 위해 니오븀에톡시드, 희석제(에탄올), 촉매(초산), 안정화제(디에탄올아민), 가수분해제(물)를 1:100 ~ 500:0.01 ~ 1:0.3 ~ 3:0.5 ~ 5 의 비율로 혼합된 졸겔 용액을 제조하고, 졸겔 용액에 콘덴서 소자를 함침시켜 졸겔 공정을 수행한다.
[실시예 2]
졸겔 공정에 의해 콘덴서 소자 표면에 TiO2의 산화 피막을 형성시키기 위한 실시예에 의하면, 산화 피막을 형성시키기 위해 티타늄 이소프로폭시드:희석제(이소프로필알콜):촉매(염산):가수 분해제(물)를 1:10 ~ 500:0.01 ~ 1:0.01 ~ 1의 비율로 혼합된 졸겔 용액을 제조하고, 졸겔 용액에 콘덴서 소자를 함침시켜 졸겔 공정을 수행한다.
[실시예 3]
졸겔 공정에 의해 콘덴서 소자 표면에 ZrO2의 산화 피막을 형성시키기 위한 실시예에 의하면, 산화 피막을 형성시키기 위해 지르코늄 프로팍시드: 희석제(에탄올):촉매(질산):안정화제(디에탄올 아민 또는 아세틸 아세톤):가수분해제(물)를 1:10 ~ 500:0.01 ~ 1:0.5~5의 비율로 혼합된 졸겔 용액을 제조하고, 졸겔 용액에 콘덴서 소자를 함침시켜 졸겔 공정을 수행한다.
[실시예 4]
졸겔 공정에 의해 콘덴서 소자 표면에 Ta2O5의 산화 피막을 형성시키기 위한 실시예에 의하면, 산화 피막을 형성시키기 위해 티타늄 부톡시드: 희석제(에탄올): 촉매(초산): 안정화제(디에탄올아민 또는 아세틸아세톤): 가수분해제(물)를 1:10 ~ 500:0.01 ~ 1:0.3~3: 0.5~5 의 비율로 혼합된 졸겔 용액을 제조하고, 졸겔 용액에 콘덴서 소자를 함침시켜 졸겔 공정을 수행한다.
함침이 완료된 후 콘덴서 소자는 건조와 열처리 공정을 수행하여 산화 피막의 형성이 완료되도록 한다.
콘덴서 소자 표면에 형성되는 산화 피막 형성 물질의 유전율은 [표 1]에 도시되어 있는 바와 같다.
[표 1]
TiO2 Ta2O5 ZrO2 Na2O5
유전율 31~114 25 20~22 41
전도성 고분자층이 형성된 콘덴서 소자는 종래의 콘덴서 제조 공정과 같이 조립 공정, 외장 공정, 에이징 공정, 마킹 공정을 차례대로 수행하여 콘덴서 완성품을 얻도록 한다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 의하면 졸겔 공정을 사용하여 전해 콘덴서의 콘덴서 소자의 표면에 전도성 고분자층을 형성함으로서 동일 용량의 콘덴서에 비하여 작은 크기의 콘덴서를 제작할 수 있다. 또한, 얻고자 하는 유전율에 따라 집전체 물질을 다양하게 선택할 수 있어 제조 원가가 절약되는 효과를 갖는다.

Claims (5)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 성형 과정, 소결 과정, 화성 과정, 소성 공정, 조립 공정, 외장 공정, 에이징 공정, 마킹 공정으로 구성되는 전해 콘덴서의 제조 방법에 있어서,
    성형 공정과 소결 공정을 수행한 콘덴서 소자를 티타늄이소프로폭시드:희석제(이소프로필알콜):촉매(염산):가수 분해제(물)를 1:10 ~ 500:0.01 ~ 1:0.01 ~ 1의 비율로 혼합되어 형성된 졸겔 용액에 함침시켜 표면에 산화 피막을 형성하는 것을 특징으로 하는 고체 전해질 콘덴서 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 졸겔 용액은 지르코늄 프로팍시드: 희석제(에탄올):촉매(질산):안정화제(디에탄올 아민 또는 아세틸 아세톤):가수분해제(물)를 1:10 ~ 500:0.01 ~ 1:0.5~5 의 비율로 혼합되어 형성되는 것을 특징으로 하는 고체 전해질 콘덴서 제조 방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 졸겔 용액은 티타늄 부톡시드: 희석제(에탄올): 촉매(초산): 안정화제(디에탄올아민 또는 아세틸아세톤): 가수분해제(물)를 1:10 ~ 500:0.01 ~ 1:0.3~3: 0.5~5 의 비율로 혼합되어 형성되는 것을 특징으로 하는 고체 전해질 콘덴서 제조 방법.
KR10-2001-0035769A 2001-06-22 2001-06-22 고체 전해질 콘덴서 제조 방법 KR100441854B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0035769A KR100441854B1 (ko) 2001-06-22 2001-06-22 고체 전해질 콘덴서 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0035769A KR100441854B1 (ko) 2001-06-22 2001-06-22 고체 전해질 콘덴서 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030000111A KR20030000111A (ko) 2003-01-06
KR100441854B1 true KR100441854B1 (ko) 2004-07-27

Family

ID=27710586

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0035769A KR100441854B1 (ko) 2001-06-22 2001-06-22 고체 전해질 콘덴서 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100441854B1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6419710A (en) * 1987-07-15 1989-01-23 Showa Denko Kk Manufacture of solid electrolytic capacitor
KR20000014156A (ko) * 1998-08-18 2000-03-06 권호택 전해캐패시터용 포일의 유전체층 형성방법
KR20000019855A (ko) * 1998-09-16 2000-04-15 권호택 알루미늄 전해 캐패시터용 알루미늄 박막
KR20000030983A (ko) * 1998-11-02 2000-06-05 권호택 이중 유전체층을 갖는 알루미늄 전해 캐패시터용 알루미늄 박막
KR20000039583A (ko) * 1998-12-15 2000-07-05 권호택 알루미늄 전해 캐패시터 제작용 sol 용액

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6419710A (en) * 1987-07-15 1989-01-23 Showa Denko Kk Manufacture of solid electrolytic capacitor
KR20000014156A (ko) * 1998-08-18 2000-03-06 권호택 전해캐패시터용 포일의 유전체층 형성방법
KR20000019855A (ko) * 1998-09-16 2000-04-15 권호택 알루미늄 전해 캐패시터용 알루미늄 박막
KR20000030983A (ko) * 1998-11-02 2000-06-05 권호택 이중 유전체층을 갖는 알루미늄 전해 캐패시터용 알루미늄 박막
KR20000039583A (ko) * 1998-12-15 2000-07-05 권호택 알루미늄 전해 캐패시터 제작용 sol 용액

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030000111A (ko) 2003-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2007020458A1 (en) Polymer based solid state capacitors and a method of manufacturing them
JP3296727B2 (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
KR20020087402A (ko) 티탄 산화 피막의 형성 방법 및 티탄 전해 콘덴서
KR100441854B1 (ko) 고체 전해질 콘덴서 제조 방법
JP3748851B2 (ja) 固体電解コンデンサに使用するコンデンサ素子の製造方法
JPH11150041A (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
JP2694670B2 (ja) タンタル固体電解コンデンサの製造方法
RU2463679C1 (ru) Способ получения катодной обкладки конденсатора и оксидно-полупроводниковый конденсатор
JP4554063B2 (ja) チタン酸化被膜の形成方法およびチタン電解コンデンサ
KR100654998B1 (ko) 전도성 고분자를 이용한 캐패시터 제조 방법
JP2002033247A (ja) 固体電解コンデンサ及びその製造方法
KR20030000110A (ko) 고체 전해질 콘덴서 제조 방법
JP2833383B2 (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
KR100434215B1 (ko) 니오븀 전해 캐패시터의 제조 방법
KR20020084961A (ko) 계면 활성제가 포함된 탄탈 전해 캐패시터의 전해액 제조 방법
KR100434216B1 (ko) 고체 전해질 콘덴서 제조용 알루미늄 호일 제조 방법
KR100339754B1 (ko) 알루미늄 전해 콘덴서 제조방법
JP2964090B2 (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
KR200368997Y1 (ko) 콘덴서 제조용 함침조
JP3315714B2 (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
KR20000024691A (ko) 폴리아닐린 유전체층을 포함한 탄탈 캐패시터제조방법
JPH11274009A (ja) 固体電解コンデンサおよびその製造方法
JP3454733B2 (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
JP2000252169A (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
KR970001382B1 (ko) 탄탈 고체 전해 콘덴서 제조용 소성 함침용액

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20070713

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee