JPH0722073B2 - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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- JPH0722073B2 JPH0722073B2 JP16742385A JP16742385A JPH0722073B2 JP H0722073 B2 JPH0722073 B2 JP H0722073B2 JP 16742385 A JP16742385 A JP 16742385A JP 16742385 A JP16742385 A JP 16742385A JP H0722073 B2 JPH0722073 B2 JP H0722073B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電導性低分子又高分子化合物を固体電解質と
して用いた性能の良好な固体電解コンデンサに関する。
して用いた性能の良好な固体電解コンデンサに関する。
従来の技術 従来の固体電解コンデンサ、例えばアルミニウム電解コ
ンデンサは、エッチング処理した比表面積の大きい多孔
質アルミ箔の上に誘電体である酸化アルミニウム層を設
け、陰極箔との間の電解紙に液状の電解液を含浸させた
構造からなっていることはよく知られている通りである
が、電解液が液状であることは液漏れ等の問題を惹起し
好ましいものではなく、従って、この電導層を固体電解
質で代替する試みがなされている。かかる固体電解コン
デンサは、陽極酸化皮膜を有するアルミニウム、タンタ
ルなどの被膜形成金属に固体電解質を付着せしめた構造
を有するものであり、この種の固体コンデンサの固体電
解質としては、主に硝酸マンガンの熱分解によって形成
される二酸化マンガンが用いられている。しかし、この
熱分解の際に要する高熱と発生するNOxガスの酸化作用
などによって、誘電体であるアルミニウム、タンタルな
どの金属酸化皮膜の損傷があり、そのため耐電圧が低下
し、漏れ電流が大きくなり、誘電特性を劣化させるなど
の極めて大きな欠点がある。また、このような固体電解
コンデンサでは、再化成という工程も必要となるという
欠点もある。
ンデンサは、エッチング処理した比表面積の大きい多孔
質アルミ箔の上に誘電体である酸化アルミニウム層を設
け、陰極箔との間の電解紙に液状の電解液を含浸させた
構造からなっていることはよく知られている通りである
が、電解液が液状であることは液漏れ等の問題を惹起し
好ましいものではなく、従って、この電導層を固体電解
質で代替する試みがなされている。かかる固体電解コン
デンサは、陽極酸化皮膜を有するアルミニウム、タンタ
ルなどの被膜形成金属に固体電解質を付着せしめた構造
を有するものであり、この種の固体コンデンサの固体電
解質としては、主に硝酸マンガンの熱分解によって形成
される二酸化マンガンが用いられている。しかし、この
熱分解の際に要する高熱と発生するNOxガスの酸化作用
などによって、誘電体であるアルミニウム、タンタルな
どの金属酸化皮膜の損傷があり、そのため耐電圧が低下
し、漏れ電流が大きくなり、誘電特性を劣化させるなど
の極めて大きな欠点がある。また、このような固体電解
コンデンサでは、再化成という工程も必要となるという
欠点もある。
これらの欠点を補うため、高熱を付加せずに固体電解質
層を形成する方法、つまり高電導性の有機半導体材料を
固体電解質とする方法が提案されている。例えば特開昭
52−79255号公報、特開昭58−17609号公報に、7,7,8,8
−テトラシアノキシジメタン（以下、TCNQと略す）を主
成分とする固体電解コンデンサが記載されている。また
Ｎ−ｎ−プロピルイソキノリンと7,7,8,8−テトラシア
ノキノジメタンからなる錯塩を用いた固体電解コンデン
サが知られている。
層を形成する方法、つまり高電導性の有機半導体材料を
固体電解質とする方法が提案されている。例えば特開昭
52−79255号公報、特開昭58−17609号公報に、7,7,8,8
−テトラシアノキシジメタン（以下、TCNQと略す）を主
成分とする固体電解コンデンサが記載されている。また
Ｎ−ｎ−プロピルイソキノリンと7,7,8,8−テトラシア
ノキノジメタンからなる錯塩を用いた固体電解コンデン
サが知られている。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、これらTCNQ錯塩化合物は陽極酸化皮膜と
の付着性に劣り、電導度も10-3〜10-2Ｓ・cm-1と不十分
であるため、これを用いた固体電解コンデンサはコンデ
ンサの容量値が小さく、誘電損失も大きいという問題が
あり、また熱的経時的な安定性も劣り信頼性が低いとい
う問題がある。従って、本発明の目的はこれらの従来技
術の問題点を解決し、電導度が高く誘電体皮膜との付着
性のよい有機半導体を固体電解質に用いた固体電解コン
デンサを提供することにある。
の付着性に劣り、電導度も10-3〜10-2Ｓ・cm-1と不十分
であるため、これを用いた固体電解コンデンサはコンデ
ンサの容量値が小さく、誘電損失も大きいという問題が
あり、また熱的経時的な安定性も劣り信頼性が低いとい
う問題がある。従って、本発明の目的はこれらの従来技
術の問題点を解決し、電導度が高く誘電体皮膜との付着
性のよい有機半導体を固体電解質に用いた固体電解コン
デンサを提供することにある。
また前記した従来の固体電解コンデンサは、TCNQが値段
的に高いため全体の固体電解コンデンサの製造コストが
高くつくという問題もあった。従って、本発明の別の目
的は、製造コストが低くて性能の良好な電導性高分子化
合物を固体電解質とする固体電解コンデンサを提供する
ことである。
的に高いため全体の固体電解コンデンサの製造コストが
高くつくという問題もあった。従って、本発明の別の目
的は、製造コストが低くて性能の良好な電導性高分子化
合物を固体電解質とする固体電解コンデンサを提供する
ことである。
問題点を解決するための手段 本発明に従えば、一般式（Ｉ） （式中、R1〜R6はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、アミ
ノ基、フェニル基、炭素数が６以下のアルキル基、炭素
数が６以下のアルコキシ基又は炭素数が６以下のアルケ
ニル基を示し、Ｚはキノン類、テトラシアノエチレン、
7,7,8,8−テトラシアノキシジメタン又はアリールスル
ホン酸イオンを示す）で表わされる繰返し単位を有する
電導性高分子化合物又はオリゴマー、一般式（II） （式中、R7〜R8はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、アミ
ノ基、フェニル基、ニトロ基、炭素数６以下のアルキル
基、炭素数６以下のアルコキシ基又は炭素数６以下のア
ルケニル基を示す）で表わされるアミノピリミジン系化
合物の重合体又はそれとクロラニル、テトラシアノエチ
レンもしくは7,7,8,8−テトラシアノキノジメタンとの
塩、又は一般式（III） 〔式中、R9〜R14はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ア
ミノ基、フェニル基、ニトロ基、炭素数６以下のアルキ
ル基、炭素数６以下のアルコキシ基もしくは炭素数６以
下のアルケニル基を示し、Z1及びZ2のいずれか１つは窒
素であり、残りは炭素である（但し、Z1が窒素のときR
13は無く、Z2が窒素のときR14が無い）〕で表わされる
アミノピリジン系化合物の重合体を固体電解質として成
る前記問題を解決した固体電解コンデンサが提供され
る。
ノ基、フェニル基、炭素数が６以下のアルキル基、炭素
数が６以下のアルコキシ基又は炭素数が６以下のアルケ
ニル基を示し、Ｚはキノン類、テトラシアノエチレン、
7,7,8,8−テトラシアノキシジメタン又はアリールスル
ホン酸イオンを示す）で表わされる繰返し単位を有する
電導性高分子化合物又はオリゴマー、一般式（II） （式中、R7〜R8はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、アミ
ノ基、フェニル基、ニトロ基、炭素数６以下のアルキル
基、炭素数６以下のアルコキシ基又は炭素数６以下のア
ルケニル基を示す）で表わされるアミノピリミジン系化
合物の重合体又はそれとクロラニル、テトラシアノエチ
レンもしくは7,7,8,8−テトラシアノキノジメタンとの
塩、又は一般式（III） 〔式中、R9〜R14はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ア
ミノ基、フェニル基、ニトロ基、炭素数６以下のアルキ
ル基、炭素数６以下のアルコキシ基もしくは炭素数６以
下のアルケニル基を示し、Z1及びZ2のいずれか１つは窒
素であり、残りは炭素である（但し、Z1が窒素のときR
13は無く、Z2が窒素のときR14が無い）〕で表わされる
アミノピリジン系化合物の重合体を固体電解質として成
る前記問題を解決した固体電解コンデンサが提供され
る。
発明の作用及び効果 本発明の固体電解コンデンサは、たとえば第１図に示す
ような構造をもつ。即ち、アルミニウム、タンタル、ニ
オブ等の弁金属表面（陽極）２に電解酸化された多孔質
誘電体酸化被膜３を設け、これに前記した特定の電導性
化合物の被膜６が接触していて前記電導性化合物の一部
が細孔内に入っている。さらにアルミ等の金属箔の陰極
４を設けた後、樹脂７で封口されている。なお第１図に
おいて、１は陽極リード線、５は陰極リード線を示す。
ような構造をもつ。即ち、アルミニウム、タンタル、ニ
オブ等の弁金属表面（陽極）２に電解酸化された多孔質
誘電体酸化被膜３を設け、これに前記した特定の電導性
化合物の被膜６が接触していて前記電導性化合物の一部
が細孔内に入っている。さらにアルミ等の金属箔の陰極
４を設けた後、樹脂７で封口されている。なお第１図に
おいて、１は陽極リード線、５は陰極リード線を示す。
本発明において（Ｉ）式の繰り返し単位を有する電導性
高分子化合物の重合度には特に限定はないが、一般には
４〜100程度であり、その代表例としては、例えばポリ
−Ｎ−フェニルアニリンのクロラニル塩、ポリ−Ｎ−フ
ェニルアニリンのTCNQ塩、ポリ−２−メトキシアニリン
のクロラニル塩、ポリ−２−メトキシアニリンのTCNQ
塩、ポリ−２−エトキシアニリンのクロラニル塩、ポリ
−２−エトキシアニリンのTCNQ塩、ポリ−２−エトキシ
アニリンのテトラシアノエチレン塩、ポリ−2,5−ジメ
トキアニリンのクロラニル塩、ポリ−2,5−ジメトキア
ニリンのTCNQ塩等があげられる。これらの電導性高分子
化合物の製造方法には特に限定はないが、例えばポリ−
Ｎ−フェニルアニリンのクロラニル塩の場合、ポリ−Ｎ
−フェニルアニリン沃化水素酸塩のメタノール溶液のク
ロラニルを投入反応させることによって得られる。この
ようにして得た電導性高分子化合物は、それ自身10-2〜
102S/cmの電導性を示す。
高分子化合物の重合度には特に限定はないが、一般には
４〜100程度であり、その代表例としては、例えばポリ
−Ｎ−フェニルアニリンのクロラニル塩、ポリ−Ｎ−フ
ェニルアニリンのTCNQ塩、ポリ−２−メトキシアニリン
のクロラニル塩、ポリ−２−メトキシアニリンのTCNQ
塩、ポリ−２−エトキシアニリンのクロラニル塩、ポリ
−２−エトキシアニリンのTCNQ塩、ポリ−２−エトキシ
アニリンのテトラシアノエチレン塩、ポリ−2,5−ジメ
トキアニリンのクロラニル塩、ポリ−2,5−ジメトキア
ニリンのTCNQ塩等があげられる。これらの電導性高分子
化合物の製造方法には特に限定はないが、例えばポリ−
Ｎ−フェニルアニリンのクロラニル塩の場合、ポリ−Ｎ
−フェニルアニリン沃化水素酸塩のメタノール溶液のク
ロラニルを投入反応させることによって得られる。この
ようにして得た電導性高分子化合物は、それ自身10-2〜
102S/cmの電導性を示す。
本発明において使用されるアリールスルフォン酸イオン
の例として、たとえばトルエンスルフォン酸イオン、ベ
ンゼンスルフォン酸イオン等がある。
の例として、たとえばトルエンスルフォン酸イオン、ベ
ンゼンスルフォン酸イオン等がある。
本発明において使用する前記（Ｉ）式の繰り返し単位で
表わされ、Ｚをアリールスルフォン酸イオンとする電導
性高分子化合物の例としてポリアニリンのトルエンスル
フォン酸塩、ポリアニリンのベンンゼンスルフォン酸
塩、ポリメチルアニリンのトルエンスルフォン酸塩、ポ
リメチルアニリンのベンゼンスルフォン酸塩、ポリメト
キシアニリンのトルエンスルフォン酸塩、ポリメトキシ
アニリンのベンゼンスルフォン酸塩、ポリクロルアニリ
ンのトルエンスルフォン酸塩、ポリクロルアニリンのベ
ンゼンスルフォン酸塩があげられる。これらの電導性高
分子化合物の製造方法は特に限定されるものではない
が、たとえばポリアニリンのトルエンスルフォン酸塩の
場合、アニリンとトルエンスルフォン酸の水溶液中で過
硫酸アンモニウムのような適当な酸化剤でもって重合す
ることによって得られる。このようにして得た電導性高
分子化合物の電導度は10-2〜102S・cm-1を示す。
表わされ、Ｚをアリールスルフォン酸イオンとする電導
性高分子化合物の例としてポリアニリンのトルエンスル
フォン酸塩、ポリアニリンのベンンゼンスルフォン酸
塩、ポリメチルアニリンのトルエンスルフォン酸塩、ポ
リメチルアニリンのベンゼンスルフォン酸塩、ポリメト
キシアニリンのトルエンスルフォン酸塩、ポリメトキシ
アニリンのベンゼンスルフォン酸塩、ポリクロルアニリ
ンのトルエンスルフォン酸塩、ポリクロルアニリンのベ
ンゼンスルフォン酸塩があげられる。これらの電導性高
分子化合物の製造方法は特に限定されるものではない
が、たとえばポリアニリンのトルエンスルフォン酸塩の
場合、アニリンとトルエンスルフォン酸の水溶液中で過
硫酸アンモニウムのような適当な酸化剤でもって重合す
ることによって得られる。このようにして得た電導性高
分子化合物の電導度は10-2〜102S・cm-1を示す。
本発明において使用する前記式（II）で表される２−ア
ミノピリミジン系化合物の重合体の製造方法には限定は
ないが、たとえば特願昭59−206141号公報に記載の方法
を適用することができる。このようにして得た重合体
は、それ自身約10-2S・cm-1の電導度を示すが、さらに
公知のドーパントをドープして使用しても良い。
ミノピリミジン系化合物の重合体の製造方法には限定は
ないが、たとえば特願昭59−206141号公報に記載の方法
を適用することができる。このようにして得た重合体
は、それ自身約10-2S・cm-1の電導度を示すが、さらに
公知のドーパントをドープして使用しても良い。
前記一般式（Ｉ）で表わされるアニリン系化合物のオリ
ゴマーとして、例えば重合度８のロイコエメラルディ
ン、エメラルディン、ニグラニリン、パーニグラニリ
ン、重合度４のウィルステッターブルーイミド、ウィル
ステッターレッドイミド、重合度の８のＮ−メチルアニ
リンオリゴマー等がある。また、これらのオリゴマーと
クロラニル、テトラシアノエチレンまたはTCNQとの塩の
製造方法には特に限定はなく、公知の方法を用いること
ができる。例えばエメラルディンTCNQ塩の場合、アニリ
ンの沃化水素酸水溶液にNaClO3処理して得たオリゴマー
とTCNQとを酢酸中で反応させることによって得られる。
このようにして得た塩はそれ自身10-2〜102S・cm-1の電
導性を示す。
ゴマーとして、例えば重合度８のロイコエメラルディ
ン、エメラルディン、ニグラニリン、パーニグラニリ
ン、重合度４のウィルステッターブルーイミド、ウィル
ステッターレッドイミド、重合度の８のＮ−メチルアニ
リンオリゴマー等がある。また、これらのオリゴマーと
クロラニル、テトラシアノエチレンまたはTCNQとの塩の
製造方法には特に限定はなく、公知の方法を用いること
ができる。例えばエメラルディンTCNQ塩の場合、アニリ
ンの沃化水素酸水溶液にNaClO3処理して得たオリゴマー
とTCNQとを酢酸中で反応させることによって得られる。
このようにして得た塩はそれ自身10-2〜102S・cm-1の電
導性を示す。
本発明において用いられる前記式（III）のアミノピリ
ジン系化合物の代表例として、２−アミノピリジン、３
−アミノピリジン、Ｎ−メチルアミノピリジン、Ｎ−エ
チルアミノピリジンが挙げられるが、２−アミノピリジ
ンが電導性の高いパラ開裂重合体を与えるので好まし
い。これらのアミノピリジン系化合物の重合体の製造方
法には特に限定はないが、たとえば特願昭59−206142号
公報に記載の方法を用いることができる。このようにし
て得た重合体は、それ自身10-2〜102S・cm-1の電導度を
示すが、さらに公知のドーパントをドープして使用して
も良い。
ジン系化合物の代表例として、２−アミノピリジン、３
−アミノピリジン、Ｎ−メチルアミノピリジン、Ｎ−エ
チルアミノピリジンが挙げられるが、２−アミノピリジ
ンが電導性の高いパラ開裂重合体を与えるので好まし
い。これらのアミノピリジン系化合物の重合体の製造方
法には特に限定はないが、たとえば特願昭59−206142号
公報に記載の方法を用いることができる。このようにし
て得た重合体は、それ自身10-2〜102S・cm-1の電導度を
示すが、さらに公知のドーパントをドープして使用して
も良い。
本発明において電導性高分子化合物を誘電体薄層に付着
せしめるには、たとえば電導性高分子化合物をアセトン
等の溶媒に溶かして誘電体薄層に塗布する方法、電導性
高分子化合物を融解させて付着せしめる方法によること
ができる。また、これらの電導性低分子又は高分子化合
物に公知のドーパント（例えばNO2BF4、SO3）をドープ
して使用してもよい。
せしめるには、たとえば電導性高分子化合物をアセトン
等の溶媒に溶かして誘電体薄層に塗布する方法、電導性
高分子化合物を融解させて付着せしめる方法によること
ができる。また、これらの電導性低分子又は高分子化合
物に公知のドーパント（例えばNO2BF4、SO3）をドープ
して使用してもよい。
本発明における固体コンデンサの陽極には、アルミニウ
ム、タンタル、ニオブ等の金属箔又はこれらの金属粉の
焼結体が用いられる。金属箔の場合には表面をエッチン
グして細孔をもたせる。金属箔、又は焼結体は、例えば
ホウ酸アンモニウムの液中で電極酸化され、金属箔又は
焼結体上に誘電体の薄層が形成される。本発明における
電導性低分子又は高分子化合物は、この誘電体の薄層と
接触し、一部が細孔の中まで進入する。
ム、タンタル、ニオブ等の金属箔又はこれらの金属粉の
焼結体が用いられる。金属箔の場合には表面をエッチン
グして細孔をもたせる。金属箔、又は焼結体は、例えば
ホウ酸アンモニウムの液中で電極酸化され、金属箔又は
焼結体上に誘電体の薄層が形成される。本発明における
電導性低分子又は高分子化合物は、この誘電体の薄層と
接触し、一部が細孔の中まで進入する。
発明の効果 本発明の固体電解コンデンサは、従来公知の固体電解コ
ンデンサに比較して下記の利点を有する極めて実用性の
高いものである。
ンデンサに比較して下記の利点を有する極めて実用性の
高いものである。
高温加熱することなしに電解質層を形成できるので陽
極の酸化皮膜の損傷がなく、補修のための陽極酸化（再
化成）を行なう必要がなく、そのため、定格電圧を従来
の数倍にでき、同容量、同定格電圧のコンデンサを得る
のに、形状を小型化することができる。
極の酸化皮膜の損傷がなく、補修のための陽極酸化（再
化成）を行なう必要がなく、そのため、定格電圧を従来
の数倍にでき、同容量、同定格電圧のコンデンサを得る
のに、形状を小型化することができる。
電導性化合物が誘電体皮膜との付着性が良いため、
（ｉ）漏れ電流が小さい、（ii）高耐圧のコンデンサを
製作できる。
（ｉ）漏れ電流が小さい、（ii）高耐圧のコンデンサを
製作できる。
電解質の電導度が10-2〜102S・cm-1と十分に高いた
め、グラファイトなどの導電層を設ける必要がなく、そ
のため工程が簡略化され、コスト的にも有利となる。
め、グラファイトなどの導電層を設ける必要がなく、そ
のため工程が簡略化され、コスト的にも有利となる。
高周波数特性が良い。
実施例 以下実施例を示し、本発明を詳細に説明するが、本発明
の技術的範囲をこれらの実施例に限定するものでないこ
とはいうまでもない。
の技術的範囲をこれらの実施例に限定するものでないこ
とはいうまでもない。
実施例１ 厚さ100μｍのアルミニウム箔（純度99.99％）を陽極と
し、これに直流及び交流を交互に使用して箔の表面を電
気化学的にエッチングし、平均細孔径が２μｍで、比表
面積が12m2/gの多孔質アルミニウム箔を得た。次いでこ
のエッチング処理したアルミニウム箔をホウ酸アンモニ
ウムの液中に浸漬し、液中で電気化学的にアルミニウム
箔の上に誘電体の薄層を形成した。
し、これに直流及び交流を交互に使用して箔の表面を電
気化学的にエッチングし、平均細孔径が２μｍで、比表
面積が12m2/gの多孔質アルミニウム箔を得た。次いでこ
のエッチング処理したアルミニウム箔をホウ酸アンモニ
ウムの液中に浸漬し、液中で電気化学的にアルミニウム
箔の上に誘電体の薄層を形成した。
一方、ジフェニルアミンのよう化水素酸塩を酸化重合し
て得たポリ−Ｎ−フェニルアニリンよう化水素酸塩0.1
モルをアセトン50mlにとかし、クロラニル0.1モルのア
セトン溶液50mlを混合し、60℃で10時間反応させた。生
じたポリ−Ｎ−フェニルアニリンのクロラニル塩を減圧
乾燥した。この電導性高分子化合物の電導度は0.01S・c
m-1であった。
て得たポリ−Ｎ−フェニルアニリンよう化水素酸塩0.1
モルをアセトン50mlにとかし、クロラニル0.1モルのア
セトン溶液50mlを混合し、60℃で10時間反応させた。生
じたポリ−Ｎ−フェニルアニリンのクロラニル塩を減圧
乾燥した。この電導性高分子化合物の電導度は0.01S・c
m-1であった。
前記した誘電体薄層へ約270℃の温度で融解させた電導
性高分子化合物を入れ、陰極にアルミニウム箔を使用し
樹脂封口して固体電解コンデンサを作成した。
性高分子化合物を入れ、陰極にアルミニウム箔を使用し
樹脂封口して固体電解コンデンサを作成した。
実施例２ 実施例１でポリ−Ｎ−フェニルアニリンのクロラニル塩
のかわりにポリ−2,5−ジメトキシアニリンのTCNQ塩を
使用した以外は実施例１と同様にして固体コンデンサを
作成した。尚、この電導性高分子化合物の電導度は0.02
S・cm-1であった。
のかわりにポリ−2,5−ジメトキシアニリンのTCNQ塩を
使用した以外は実施例１と同様にして固体コンデンサを
作成した。尚、この電導性高分子化合物の電導度は0.02
S・cm-1であった。
実施例３ 厚さ100μｍのアルミニウム箔（純度99.99％）を陽極と
し、直流及び交流を交互使用そて、箔の表面を電気化学
的にエッチングして平均細孔径２μｍで、比表面積が12
m2/gとした。次いでこのエッチング処理したアルミニウ
ム箔をホウ酸アンモニウムの液中で電気化学的に誘電体
の薄層を形成した。
し、直流及び交流を交互使用そて、箔の表面を電気化学
的にエッチングして平均細孔径２μｍで、比表面積が12
m2/gとした。次いでこのエッチング処理したアルミニウ
ム箔をホウ酸アンモニウムの液中で電気化学的に誘電体
の薄層を形成した。
一方、トルエンスルフォン酸の飽和水溶液100mlにアニ
リン0.2モルをとかした溶液に前記したアルミニウム箔
をつけ減圧下に過硫酸アンモニウム0.1モルの水溶液を
一度に入れ室温で１時間重合させた。アルミニウム箔を
乾燥した後、陰極にアルミニウム箔を使用し、樹脂封口
して固体電解コンデンサを作成した。尚、固体電解質の
電導度は0.04S・cm-1であった。
リン0.2モルをとかした溶液に前記したアルミニウム箔
をつけ減圧下に過硫酸アンモニウム0.1モルの水溶液を
一度に入れ室温で１時間重合させた。アルミニウム箔を
乾燥した後、陰極にアルミニウム箔を使用し、樹脂封口
して固体電解コンデンサを作成した。尚、固体電解質の
電導度は0.04S・cm-1であった。
実施例４ 実施例３でアニリンのかわりに、２−メトキシアニリン
をトルエンスルフォン酸のかわりにベンゼンスルフォン
酸を使用した以外は実施例３と同様にして固体電解コン
デンサを作成した。尚、固体電解質の電導度は0.02S・c
m-1であった。
をトルエンスルフォン酸のかわりにベンゼンスルフォン
酸を使用した以外は実施例３と同様にして固体電解コン
デンサを作成した。尚、固体電解質の電導度は0.02S・c
m-1であった。
実施例５ 実施例３でアニリンのかわりに２−メチルアニリンを使
用した以外は実施例３と同様にして固体電解コンデンサ
を作成した。尚、固体電解質の電導度は0.05S・cm-1で
あった。
用した以外は実施例３と同様にして固体電解コンデンサ
を作成した。尚、固体電解質の電導度は0.05S・cm-1で
あった。
上記各例で得られた固体電解コンデンサの特性値は第１
表に示す通りであった。
表に示す通りであった。
実施例６ 厚さ100μｍのアルミニウム箔（純度99.99％）を陽極と
し、直流及び交流の交互使用して、箔の表面を電気化学
的にエッチングして平均細孔径２μｍで、比表面積が12
m2/gとした。次いでこのエッチング処理したアルミニウ
ム箔にホウ酸アンモニウムの液中で電気化学的に誘電体
の薄層を形成した。
し、直流及び交流の交互使用して、箔の表面を電気化学
的にエッチングして平均細孔径２μｍで、比表面積が12
m2/gとした。次いでこのエッチング処理したアルミニウ
ム箔にホウ酸アンモニウムの液中で電気化学的に誘電体
の薄層を形成した。
一方、トルエンスルフォン酸の飽和水溶液100mlに２−
アミノピリミジン0.2モルをとかした溶液に前記したア
ルミニウム箔をつけ減圧下に過硫酸アンモニウム0.1モ
ルの水溶液を一度に入れ室温で１時間重合させた。アル
ミニウム箔を乾燥した後、陰極にアルミニウム箔を使用
し、樹脂封口して固体電解コンデンサを作成した。尚、
固体電解質の電導度は0.05S・cm-1であった。
アミノピリミジン0.2モルをとかした溶液に前記したア
ルミニウム箔をつけ減圧下に過硫酸アンモニウム0.1モ
ルの水溶液を一度に入れ室温で１時間重合させた。アル
ミニウム箔を乾燥した後、陰極にアルミニウム箔を使用
し、樹脂封口して固体電解コンデンサを作成した。尚、
固体電解質の電導度は0.05S・cm-1であった。
実施例７ トルエンスルフォン酸のかわりにベンゼンスルフォン酸
を使用した以外は実施例６と同様にして固体電解コンデ
ンサを作成した。尚、固体電解質の電解度は0.03S・cm
-1であった。
を使用した以外は実施例６と同様にして固体電解コンデ
ンサを作成した。尚、固体電解質の電解度は0.03S・cm
-1であった。
実施例８ 実施例６と同様な誘電体薄層のついたアルミ箔を三塩化
鉄の飽和水溶液につけ乾燥した後、２−アミノピリミジ
ンの沸点での蒸気を導入し気相重合した。この重合体の
電導度は0.06S・cm-1であった。その後実施例６と同様
にし陰極をとり、固体電解コンデンサを作成した。
鉄の飽和水溶液につけ乾燥した後、２−アミノピリミジ
ンの沸点での蒸気を導入し気相重合した。この重合体の
電導度は0.06S・cm-1であった。その後実施例６と同様
にし陰極をとり、固体電解コンデンサを作成した。
上記各例で限られた固体電解コンデンサの特性値は第２
表に示す通りであった。
表に示す通りであった。
実施例９ 厚さ100μｍのアルミニウム箔（純度99.99％）を陽極と
し、直流及び交流を交互使用して、箔の表面を電気化学
的にエッチングして平均細孔径２μｍで、比表面積が12
m2/gの多孔質アルミニウム箔とした。次いで、このエッ
チング処理したアルミニウム箔をホウ酸アンモニウムの
液中に浸漬し、液中で電気化学的にアルミニウム箔の上
に誘電体の薄層を形成した。
し、直流及び交流を交互使用して、箔の表面を電気化学
的にエッチングして平均細孔径２μｍで、比表面積が12
m2/gの多孔質アルミニウム箔とした。次いで、このエッ
チング処理したアルミニウム箔をホウ酸アンモニウムの
液中に浸漬し、液中で電気化学的にアルミニウム箔の上
に誘電体の薄層を形成した。
一方、パラアミノジフェニルアミンのよう化水素酸水溶
液に三塩化鉄を加えて得たウィルステッターブル−イミ
ドとクロラニルをアセトン中で反応させウィルステッタ
ーブルーイミドのクロラニル塩を得た。この塩の電導度
は、10-2・cm-1でありエチルアルコールに可溶であっ
た。
液に三塩化鉄を加えて得たウィルステッターブル−イミ
ドとクロラニルをアセトン中で反応させウィルステッタ
ーブルーイミドのクロラニル塩を得た。この塩の電導度
は、10-2・cm-1でありエチルアルコールに可溶であっ
た。
前記した誘電体層へ約290℃の温度で融解させた塩を入
れ、陰極にアルミニウム箔を使用し樹脂封口して固体電
解コンデンサを作成した。
れ、陰極にアルミニウム箔を使用し樹脂封口して固体電
解コンデンサを作成した。
実施例10 実施例９でウィルステッターブルーイミドのクロラニル
塩の代わりに、アニリンのよう化水素酸水溶液をNaClO3
処理して得たエメラルディンと、TCNQとの反応物である
エメラルディンTCNQ塩を使用した以外は実施例９と同様
にして固体電解コンデンサを作成した。
塩の代わりに、アニリンのよう化水素酸水溶液をNaClO3
処理して得たエメラルディンと、TCNQとの反応物である
エメラルディンTCNQ塩を使用した以外は実施例９と同様
にして固体電解コンデンサを作成した。
比較例１ 実施例９と同じ誘電体層をもったアルミニウム箔従来の
二酸化マンガンを固体電解質、陰極をアルミニウム箔と
した固体電解コンデンサを作成した。
二酸化マンガンを固体電解質、陰極をアルミニウム箔と
した固体電解コンデンサを作成した。
上記各例で得られた固体電解コンデンサの特性値を第３
表に示す。
表に示す。
第３表から明らかなように、本発明による固体電解コン
デンサは従来の二酸化マンガンを電解質とする固体電解
コンデンサに比して誘電損失もれ電流が小さく、高耐電
圧の固体電解コンデンサを作成することができる。ま
た、本発明による固体電解コンデンサの容量×定格電圧
の値は二酸化マンガンを用いた固体電解コンデンサに比
して、大きく、同じ形状ならば大容量を得ることができ
る。
デンサは従来の二酸化マンガンを電解質とする固体電解
コンデンサに比して誘電損失もれ電流が小さく、高耐電
圧の固体電解コンデンサを作成することができる。ま
た、本発明による固体電解コンデンサの容量×定格電圧
の値は二酸化マンガンを用いた固体電解コンデンサに比
して、大きく、同じ形状ならば大容量を得ることができ
る。
実施例11 厚さ100μｍのアルミニウム箔（純度99.99％）を陽極と
し、直流及び交流の交互使用して、箔の表面を電気化学
的にエッチングして平均細孔径が２μｍで、比表面積が
12m2/gとした。次いでこのエッチング処理したアルミニ
ウム箔にホウ酸アンモニウムの液中で電気化学的に誘電
体の薄層を形成した。
し、直流及び交流の交互使用して、箔の表面を電気化学
的にエッチングして平均細孔径が２μｍで、比表面積が
12m2/gとした。次いでこのエッチング処理したアルミニ
ウム箔にホウ酸アンモニウムの液中で電気化学的に誘電
体の薄層を形成した。
一方、トルエンスルフォン酸の飽和水溶液100mlに２−
アミノアニリン0.2モルをとかした溶液に前記したアル
ミニウム箔をつけ減圧下に過硫酸アンモニウム0.1モル
の水溶液を一度に入れ室温で１時間重合させた。アルミ
ニウム箔を乾燥した後、陰極にアルミニウム箔を使用
し、樹脂封口して固体電解コンデンサを作成した。尚、
固体電解質の電導度は0.01S・cm-1であった。
アミノアニリン0.2モルをとかした溶液に前記したアル
ミニウム箔をつけ減圧下に過硫酸アンモニウム0.1モル
の水溶液を一度に入れ室温で１時間重合させた。アルミ
ニウム箔を乾燥した後、陰極にアルミニウム箔を使用
し、樹脂封口して固体電解コンデンサを作成した。尚、
固体電解質の電導度は0.01S・cm-1であった。
実施例12 実施例11でトルエンスルフォン酸のかわりにベンゼンス
ルフォン酸を使用した以外は実施例11と同様にして固体
電解コンデンサを作成した。尚、固体電解質の電導度は
0.02S・cm-1であった。
ルフォン酸を使用した以外は実施例11と同様にして固体
電解コンデンサを作成した。尚、固体電解質の電導度は
0.02S・cm-1であった。
実施例13 実施例11と同様な誘電体薄層のついたアルミ箔を三塩化
鉄の飽和水溶液につけ乾燥した後、２−アミノピリジン
の沸点での蒸気を導入し気相重合した。この重合体の電
導度は0.04S・cm-1であった。その後実施例11と同様に
し陰極をとり、固体コンデンサを作成した。
鉄の飽和水溶液につけ乾燥した後、２−アミノピリジン
の沸点での蒸気を導入し気相重合した。この重合体の電
導度は0.04S・cm-1であった。その後実施例11と同様に
し陰極をとり、固体コンデンサを作成した。
上記各例で得られた固体電解コンデンサの特性値を第４
表に示す。
表に示す。
第１図は、本発明による固体電解コンデンサの一具体例
を示す断面図である。 １…陽極リード線、２…陽極、３…酸化皮膜、４…陰
極、５…陰極リード線、６…電導性低分子又は高分子化
合物
を示す断面図である。 １…陽極リード線、２…陽極、３…酸化皮膜、４…陰
極、５…陰極リード線、６…電導性低分子又は高分子化
合物
Claims (1)
- 【請求項１】一般式（Ｉ） （式中、R1〜R6はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、アミ
ノ基、フェニル基、炭素数が６以下のアルキル基、炭素
数が６以下のアルコキシ基又は炭素数が６以下のアルケ
ニル基を示し、Ｚはキノン類、テトラシアノエチレン、
7,7,8,8−テトラシアノキシジメタン又はアリールスル
ホン酸イオンを示す）で表わされる繰返し単位を有する
電導性高分子化合物又はオリゴマー、一般式（II） （式中、R7及びR8はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ア
ミノ基、フェニル基、ニトロ基、炭素数６以下のアルキ
ル基、炭素数６以下のアルコキシ基又は炭素数６以下の
アルケニル基を示す）で表わされるアミノピリミジン系
化合物の重合体又はそれとクロラニル、テトラシアノエ
チレンもしくは7,7,8,8−テトラシアノキノジメタンと
の塩、又は一般式（III） （式中、R9〜R14はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ア
ミノ基、フェニル基、ニトロ基、炭素数６以下のアルキ
ル基、炭素数６以下のアルコキシ基もしくは炭素数６以
下のアルケニル基を示し、Z1及びZ2のいずれか１つは窒
素であり、残りは炭素である（但し、Z1が窒素のときR
13は無く、Z2が窒素のときR14が無い））で表わされる
アミノピリジン系化合物の重合体を固体電解質として成
る固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16742385A JPH0722073B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16742385A JPH0722073B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 固体電解コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6229124A JPS6229124A (ja) | 1987-02-07 |
| JPH0722073B2 true JPH0722073B2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=15849423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16742385A Expired - Lifetime JPH0722073B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722073B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2580980B2 (ja) * | 1993-10-20 | 1997-02-12 | 日本電気株式会社 | タンタル固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2536458B2 (ja) * | 1994-08-16 | 1996-09-18 | 日本電気株式会社 | ジスルホン酸化合物、それをド―パントとする導電性高分子、導電材およびそれを用いた固体電解コンデンサ |
| JPH08143771A (ja) * | 1994-11-25 | 1996-06-04 | Nec Corp | 耐熱性ポリアニリンあるいはその誘導体及び固体電解コ ンデンサ並びにそれらの製造方法 |
| CN1194358C (zh) * | 1999-04-30 | 2005-03-23 | 昭和电工株式会社 | 固体电解电容器及其制造方法 |
-
1985
- 1985-07-31 JP JP16742385A patent/JPH0722073B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6229124A (ja) | 1987-02-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |