JPS6229124A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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- JPS6229124A JPS6229124A JP16742385A JP16742385A JPS6229124A JP S6229124 A JPS6229124 A JP S6229124A JP 16742385 A JP16742385 A JP 16742385A JP 16742385 A JP16742385 A JP 16742385A JP S6229124 A JPS6229124 A JP S6229124A
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- carbon atoms
- less carbon
- electrolytic capacitor
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- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電導性低分子又高分子化合物を固体電解質と
して用いた性能の良好な固体電解コンデンサに関する。
して用いた性能の良好な固体電解コンデンサに関する。
従来の技術
従来の固体電解コンデンサ、例えばアルミニウム電解コ
ンデンサは、エツチング処理した比表面積の大きい多孔
質アルミ箔の上に誘電体である酸化アルミニウム層を設
け、陰極箔との間の電解紙に液状の電解液を含浸させた
構造からなっていることはよく知られている通りである
が、電解液が液状であることは液漏れ等の問題を惹起し
好ましいものではなく、従って、この電導層を固体電解
質で代替する試みがなされている。かかる固体電解コン
デンサは、陽極酸化皮膜を有するアルミニウム、タンタ
ルなどの被膜形成全屈に固体電解質を付着せしめた構造
を有するものであり、この種の固体コンデンサの固体電
解質としては、主に硝酸マンガンの熱分解によって形成
される二酸化マンガンが用いられている。しかし、この
熱分解の際に要する高熱と発生するＮｏ、ガスの酸化作
用などによって、誘電体であるアルミニウム、タンタル
などの金屈酸化皮股のｔｌ傷があり、そのため耐電圧が
低下し、漏れ電流が大きくなり、誘電特性を劣化させる
などの極めて大きな欠点がある。
ンデンサは、エツチング処理した比表面積の大きい多孔
質アルミ箔の上に誘電体である酸化アルミニウム層を設
け、陰極箔との間の電解紙に液状の電解液を含浸させた
構造からなっていることはよく知られている通りである
が、電解液が液状であることは液漏れ等の問題を惹起し
好ましいものではなく、従って、この電導層を固体電解
質で代替する試みがなされている。かかる固体電解コン
デンサは、陽極酸化皮膜を有するアルミニウム、タンタ
ルなどの被膜形成全屈に固体電解質を付着せしめた構造
を有するものであり、この種の固体コンデンサの固体電
解質としては、主に硝酸マンガンの熱分解によって形成
される二酸化マンガンが用いられている。しかし、この
熱分解の際に要する高熱と発生するＮｏ、ガスの酸化作
用などによって、誘電体であるアルミニウム、タンタル
などの金屈酸化皮股のｔｌ傷があり、そのため耐電圧が
低下し、漏れ電流が大きくなり、誘電特性を劣化させる
などの極めて大きな欠点がある。
また、このような固体電解コンデンサでは、再化成とい
う工程も必要となるという欠点もある。
う工程も必要となるという欠点もある。
これらの欠点を補うため、高熱を付加せずに固体電解質
層を形成する方法、つまり高電導性の有機半導体材料を
固体電解質とする方法が提案されている。例えば特開昭
５２−７９２５５号公報、特開昭５８−１７６０９号公
報に、７，７．８．８−テトラシアノキノジメタン（以
下、ＴＣＮＱと略す）を主成分とする固体電解コンデン
サが記載されている。またＮ−ｎ−プロピルイソキノリ
ンと７．７，８．８−テトラシアノキノジメタンからな
る錯塩を用いた固体電解コンデンサが知られている。
層を形成する方法、つまり高電導性の有機半導体材料を
固体電解質とする方法が提案されている。例えば特開昭
５２−７９２５５号公報、特開昭５８−１７６０９号公
報に、７，７．８．８−テトラシアノキノジメタン（以
下、ＴＣＮＱと略す）を主成分とする固体電解コンデン
サが記載されている。またＮ−ｎ−プロピルイソキノリ
ンと７．７，８．８−テトラシアノキノジメタンからな
る錯塩を用いた固体電解コンデンサが知られている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、これらＴＣＮＱＣＮ化合物は陽極酸化皮
膜との付着性に劣り、電導層も１０−３〜１０−２３−
ｃｍ−’と不十分であるため、これを用いた固体電解コ
ンデンサはコンデンサの容量値が小さく、誘電損失も大
きいという問題があり、また熱的経時的な安定性も劣り
信頼性が低いという問題がある。従って、本発明の目的
はこれらの従来技術の問題点を解決し、電導層が高く誘
電体皮膜との付着性のよい有機半導体を固体電解質に用
いた固体電解コンデンサを提供することにある。
膜との付着性に劣り、電導層も１０−３〜１０−２３−
ｃｍ−’と不十分であるため、これを用いた固体電解コ
ンデンサはコンデンサの容量値が小さく、誘電損失も大
きいという問題があり、また熱的経時的な安定性も劣り
信頼性が低いという問題がある。従って、本発明の目的
はこれらの従来技術の問題点を解決し、電導層が高く誘
電体皮膜との付着性のよい有機半導体を固体電解質に用
いた固体電解コンデンサを提供することにある。
また前記した従来の固体電解コンデンサは、ＴＣＮＱが
値段的に高いため全体の固体電解コンデンサの製造コス
トが高くつくという問題もあった。従って、本発明の別
の目的は、製造コストが低くて性能の良好な電導性高分
子化合物を固体電解質とする固体電解コンデンサを提供
することである。
値段的に高いため全体の固体電解コンデンサの製造コス
トが高くつくという問題もあった。従って、本発明の別
の目的は、製造コストが低くて性能の良好な電導性高分
子化合物を固体電解質とする固体電解コンデンサを提供
することである。
問題点を解決するだめの手段一
本発明に従えば、一般式（Ｉ）
（式中、、Ｒ１−Ｒ８はそれぞれ独立に水素、ハロゲン
、アミン基、フェニル基、炭素数が６以下のアルキル基
、炭素数が６以下のアルコキシ基又は炭素数が６以下の
アルケニル基を示し、Ｚはキノン類、テトラシアノエチ
レン、７，７，８．８−テトラシアノキシジメタン又は
了り−ルスルホン酸イオンを示す）で表わされる繰返し
単位を有する電導性高分子化合物又はオリゴマー、一般
式（ｎ）（式中、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立に水素、
ハロゲン、アミン基、フェニル基、ニトロ基、炭素数６
以下のアルキル基、炭素数６以下のアルコキシ基又は炭
素数６以下のアルケニル基を示す）で表わされるアニリ
ン系化合物の重合体又はそれとクロラニル、テトラシア
ノエチレンもしくは７，７゜８．８−テトラシアノキノ
ジメタンとの塩、又は一般式（Ｉ［Ｉ） 〔式中、Ｒ９〜Ｒ１′＋はそれぞれ独立に水素、ハロゲ
ン、アミノ基、フェニル基、ニトロ基、炭素数６以下の
アルキル基、炭素数６以下のアルコキシ基もしくは炭素
数６以下のアルケニル基を示し、Ｚｌ及びＺ２のいずれ
か１つは窒素であり、残りは炭素である（但し、Ｚｌが
窒素のときＲは無く、Ｚ２が窒素のときＲが無い）〕で
表わされるアミノピリジン系化合物の重合体を固体電解
質として成る前記問題を解決した固体電解コンデンサが
提供される。
、アミン基、フェニル基、炭素数が６以下のアルキル基
、炭素数が６以下のアルコキシ基又は炭素数が６以下の
アルケニル基を示し、Ｚはキノン類、テトラシアノエチ
レン、７，７，８．８−テトラシアノキシジメタン又は
了り−ルスルホン酸イオンを示す）で表わされる繰返し
単位を有する電導性高分子化合物又はオリゴマー、一般
式（ｎ）（式中、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立に水素、
ハロゲン、アミン基、フェニル基、ニトロ基、炭素数６
以下のアルキル基、炭素数６以下のアルコキシ基又は炭
素数６以下のアルケニル基を示す）で表わされるアニリ
ン系化合物の重合体又はそれとクロラニル、テトラシア
ノエチレンもしくは７，７゜８．８−テトラシアノキノ
ジメタンとの塩、又は一般式（Ｉ［Ｉ） 〔式中、Ｒ９〜Ｒ１′＋はそれぞれ独立に水素、ハロゲ
ン、アミノ基、フェニル基、ニトロ基、炭素数６以下の
アルキル基、炭素数６以下のアルコキシ基もしくは炭素
数６以下のアルケニル基を示し、Ｚｌ及びＺ２のいずれ
か１つは窒素であり、残りは炭素である（但し、Ｚｌが
窒素のときＲは無く、Ｚ２が窒素のときＲが無い）〕で
表わされるアミノピリジン系化合物の重合体を固体電解
質として成る前記問題を解決した固体電解コンデンサが
提供される。
発明の作用及び効果
本発明の固体電解コンデンサは、たとえば第１図に示す
ような構造をもつ。即ち、アルミニウム、タンタル、ニ
オブ等の弁金属表面（陽極）２に電解酸化された多孔質
誘電体酸化被膜３を設け、これに前記した特定の電導性
化合物の被膜６が接触していて前記電導性化合物の一部
が細孔内に入っている。さらにアルミ等の金属箔の陰極
４を設けた後、樹脂７で封口されている。なお第１図に
おいて、１は陽極リード線、５は陰極リード線を示す。
ような構造をもつ。即ち、アルミニウム、タンタル、ニ
オブ等の弁金属表面（陽極）２に電解酸化された多孔質
誘電体酸化被膜３を設け、これに前記した特定の電導性
化合物の被膜６が接触していて前記電導性化合物の一部
が細孔内に入っている。さらにアルミ等の金属箔の陰極
４を設けた後、樹脂７で封口されている。なお第１図に
おいて、１は陽極リード線、５は陰極リード線を示す。
本発明において（Ｉ）式の繰り返し単位を有する電導性
高分子化合物の重合度には特に限定はないが、一般には
４〜１００程度であり、その代表例としては、例えばポ
リ−Ｎ−フェニルアニリンのクロラニル塩、ポリ−Ｎ−
フェニルアニリンのＴＣＮＱ塩、ポリ−２−メトキシア
ニリンのクロラニル塩、ポリ−２−メトキシアニリンの
ＴＣＮＱ塩、ポリ−２−エトキシアニリンのクロラニル
塩、ポリ−２−エトキシアニリンのＴＣＮＱ塩、ポリ−
２−エトキシアニリンのテトラシアノエチレン塩、゛ポ
リー２．５−ジメトキアニリンのクロラニル塩、ポリ−
２，５−ジメトキアニリンのＴＣＮＱ塩等があげられる
。これらの電導性高分子化合物の製造方法には特に限定
はないが、例えばポリ−Ｎ−フェニルアニリンのクロラ
ニル塩の場合、ポリ−Ｎ−フェニルアニリン沃化水素酸
塩のメタノール溶液にクロラニルを投入反応させること
によって得られる。このようにして得た電導性高分子化
合物は、それ自身１０ 〜１０２Ｓ／■の電導性を示ず
。
高分子化合物の重合度には特に限定はないが、一般には
４〜１００程度であり、その代表例としては、例えばポ
リ−Ｎ−フェニルアニリンのクロラニル塩、ポリ−Ｎ−
フェニルアニリンのＴＣＮＱ塩、ポリ−２−メトキシア
ニリンのクロラニル塩、ポリ−２−メトキシアニリンの
ＴＣＮＱ塩、ポリ−２−エトキシアニリンのクロラニル
塩、ポリ−２−エトキシアニリンのＴＣＮＱ塩、ポリ−
２−エトキシアニリンのテトラシアノエチレン塩、゛ポ
リー２．５−ジメトキアニリンのクロラニル塩、ポリ−
２，５−ジメトキアニリンのＴＣＮＱ塩等があげられる
。これらの電導性高分子化合物の製造方法には特に限定
はないが、例えばポリ−Ｎ−フェニルアニリンのクロラ
ニル塩の場合、ポリ−Ｎ−フェニルアニリン沃化水素酸
塩のメタノール溶液にクロラニルを投入反応させること
によって得られる。このようにして得た電導性高分子化
合物は、それ自身１０ 〜１０２Ｓ／■の電導性を示ず
。
本発明において使用されるアリールスルフォン酸イオン
の例として、たとえばトルエンスルフォン酸イオン、ベ
ンゼンスルフォン酸イオン等がある。
の例として、たとえばトルエンスルフォン酸イオン、ベ
ンゼンスルフォン酸イオン等がある。
本発明において使用する前記Ｎ）式の繰り返し単位で表
わされる電導性高分子化合物の例としてポリアニリンの
トルエンスルフォン酸塩、ポリアニリンのベンゼンスル
フォン酸塩、ポリメチルアニリンのトルエンスルフォン
酸塩、ポリメチルアニリンのベンゼンスルフォン酸塩、
ポリメトキシアニリンの１−ルエンスルフォン酸塩、ポ
リメトキシアニリンのベンゼンスルフォン酸塩、ポリク
ロルアニリンのトルエンスルフォン酸塩、ポリクロルア
ニリンのベンゼンスルフォン酸塩があげられる。これら
の電導性高分子化合物の製造方法は特に限定されるもの
ではないが、たとえばポリアニリンのトルエンスルフォ
ン酸塩の場合、アニリンとトルエンスルフォン酸の水溶
液中で過硫酸アンモニウムのような適当な酸化剤でもっ
て重合することによって得られる。このようにして得た
電導性高分子化合物の電導度は１０ 〜１０２Ｓ −ｃ
ｍ −’を示す。
わされる電導性高分子化合物の例としてポリアニリンの
トルエンスルフォン酸塩、ポリアニリンのベンゼンスル
フォン酸塩、ポリメチルアニリンのトルエンスルフォン
酸塩、ポリメチルアニリンのベンゼンスルフォン酸塩、
ポリメトキシアニリンの１−ルエンスルフォン酸塩、ポ
リメトキシアニリンのベンゼンスルフォン酸塩、ポリク
ロルアニリンのトルエンスルフォン酸塩、ポリクロルア
ニリンのベンゼンスルフォン酸塩があげられる。これら
の電導性高分子化合物の製造方法は特に限定されるもの
ではないが、たとえばポリアニリンのトルエンスルフォ
ン酸塩の場合、アニリンとトルエンスルフォン酸の水溶
液中で過硫酸アンモニウムのような適当な酸化剤でもっ
て重合することによって得られる。このようにして得た
電導性高分子化合物の電導度は１０ 〜１０２Ｓ −ｃ
ｍ −’を示す。
本発明において使用する前記式（ｎ）で表される２−ア
ミノピリミジンの重合体の製造方法には限定はないが、
たとえば特願昭５９−２０６１４１号公報に記載の方法
を適用することができる。このよう′にして得た重合体
は、それ自身的１０−１０−２Ｓ−’の電導度を示すが
、さらに公知のドーパントをドープして使用しても良い
。
ミノピリミジンの重合体の製造方法には限定はないが、
たとえば特願昭５９−２０６１４１号公報に記載の方法
を適用することができる。このよう′にして得た重合体
は、それ自身的１０−１０−２Ｓ−’の電導度を示すが
、さらに公知のドーパントをドープして使用しても良い
。
前記一般式（Ｉ）で表わされるアニリン系化合物のオリ
ゴマーとして、例えば重合度８のロイコエメラルディン
、エメラルディン、ニグラニリン、バーニグラニリン、
重合度４のウィルステツタ−ブルーイミド、ウィルステ
ツタ−レッドイミド、重合度８のＮ−メチルアニリンオ
リゴマー等がある。また、これらのオリゴマーとクロラ
ニル、テトラシアノエチレンまたはＴＣＮＱとの塩の製
造方法には特に限定はなく、公知の方法を用いることが
できる。例えばエメラルディンＴＣＮＱ塩の場合、アニ
リンの沃化水素酸水溶液にＮａＣｌＯ３処理して得たオ
リゴマーとＴＣＮＱとを酢酸中で反応させることによっ
て得られる。このようにして得た塩はそれ自身１０−２
〜１０２１０２Ｓ−’の電導性を示す。
ゴマーとして、例えば重合度８のロイコエメラルディン
、エメラルディン、ニグラニリン、バーニグラニリン、
重合度４のウィルステツタ−ブルーイミド、ウィルステ
ツタ−レッドイミド、重合度８のＮ−メチルアニリンオ
リゴマー等がある。また、これらのオリゴマーとクロラ
ニル、テトラシアノエチレンまたはＴＣＮＱとの塩の製
造方法には特に限定はなく、公知の方法を用いることが
できる。例えばエメラルディンＴＣＮＱ塩の場合、アニ
リンの沃化水素酸水溶液にＮａＣｌＯ３処理して得たオ
リゴマーとＴＣＮＱとを酢酸中で反応させることによっ
て得られる。このようにして得た塩はそれ自身１０−２
〜１０２１０２Ｓ−’の電導性を示す。
本発明において用いられる前記式（Ｉ［［）のアミノピ
リジン系化合物の代表例として、２−アミノピリジン、
３−アミノピリジン、Ｎ−メチルアミノピリジン、Ｎ−
エチルアミノピリジンが挙げられるが、２−アミノピリ
ジンが電導性の高いバラ開裂重合体を与えるので好まし
い。これらのアミノピリジン系化合物の重合体の製造方
法には特に限定はないが、たとえば特願昭５９−２０６
１４２号公報に記載の方法を用いることができる。この
ようにして得た重合体は、それ自身ｌＯ〜１０２５−ｃ
ｍ −’の電導度を示すが、さらに公知のドーパントを
ドープして使用しても良い。
リジン系化合物の代表例として、２−アミノピリジン、
３−アミノピリジン、Ｎ−メチルアミノピリジン、Ｎ−
エチルアミノピリジンが挙げられるが、２−アミノピリ
ジンが電導性の高いバラ開裂重合体を与えるので好まし
い。これらのアミノピリジン系化合物の重合体の製造方
法には特に限定はないが、たとえば特願昭５９−２０６
１４２号公報に記載の方法を用いることができる。この
ようにして得た重合体は、それ自身ｌＯ〜１０２５−ｃ
ｍ −’の電導度を示すが、さらに公知のドーパントを
ドープして使用しても良い。
本発明において電導性高分子化合物を誘電体薄層に付着
せしめるには、たとえば電導性高分子化合物をアセトン
等の溶媒に熔かして誘電体薄層に塗布する方法、電導性
高分子化合物を融解させて付着せしめる方法によること
ができる。また、これらの電導性低分子又は高分子化合
物に公知のドーパント（例えばＮｏ２８Ｆ４．５０３）
をドープして使用しても良い。
せしめるには、たとえば電導性高分子化合物をアセトン
等の溶媒に熔かして誘電体薄層に塗布する方法、電導性
高分子化合物を融解させて付着せしめる方法によること
ができる。また、これらの電導性低分子又は高分子化合
物に公知のドーパント（例えばＮｏ２８Ｆ４．５０３）
をドープして使用しても良い。
本発明における固体コンデンサの陽極には、アルミニウ
ム、タンタル、ニオブ等の金属箔又はこれらの金属粉の
焼結体が用いられる。金属箔の場合には表面をエツチン
グして細孔をもたせる。金属箔、又は焼結体は、例えば
ホウ酸アンモニウムの液中で電極酸化され、金属箔又は
焼結体上に誘電体の薄層が形成される。本発明における
電導性低分子又は高分子化合物は、この誘電体の薄層と
接触し、一部が細孔の中まで進入する。
ム、タンタル、ニオブ等の金属箔又はこれらの金属粉の
焼結体が用いられる。金属箔の場合には表面をエツチン
グして細孔をもたせる。金属箔、又は焼結体は、例えば
ホウ酸アンモニウムの液中で電極酸化され、金属箔又は
焼結体上に誘電体の薄層が形成される。本発明における
電導性低分子又は高分子化合物は、この誘電体の薄層と
接触し、一部が細孔の中まで進入する。
発明の効果
本発明の固体電解コンデンサは、従来公知の固体電解コ
ンデンサに比較して下記の利点を有する極めて実用性の
高いものである。
ンデンサに比較して下記の利点を有する極めて実用性の
高いものである。
■ 高温加熱することなしに電解質層を形成できるので
陽極の酸化皮膜の損傷がなく、補修のための陽極酸化（
再化成）を行なう必要がなく、そのため、定格電圧を従
来の数倍にでき、同容量、同定格電圧のコンデンサを得
るのに、形状を小型化することができる。
陽極の酸化皮膜の損傷がなく、補修のための陽極酸化（
再化成）を行なう必要がなく、そのため、定格電圧を従
来の数倍にでき、同容量、同定格電圧のコンデンサを得
るのに、形状を小型化することができる。
■ 電導性化合物が誘電体皮膜との付着性が良いため、
（ｉ）漏れ電流が小さい、（ｉｉ）高耐圧のコンデンサ
を製作できる。
（ｉ）漏れ電流が小さい、（ｉｉ）高耐圧のコンデンサ
を製作できる。
■ 電解質の電導度が１０ 〜１０２１０２Ｓ−’と十
分に高いため、グラファイトなどの導電層を設ける必要
がなく、そのため工程が簡略化され、コスト的にも有利
となる。
分に高いため、グラファイトなどの導電層を設ける必要
がなく、そのため工程が簡略化され、コスト的にも有利
となる。
■ 高周波数特性が良い。
実施例
以下実施例を示し、本発明の詳細な説明するが、本発明
の技術的範囲をこれらの実施例に限定するものでないこ
とはいうまでもない。
の技術的範囲をこれらの実施例に限定するものでないこ
とはいうまでもない。
実施例１
厚さ１００μｍのアルミニウム箔（純度９９．９９％）
を陽極とし、これに直流及び交流を交互に使用して箔の
表面を電気化学的にエツチングし、平均細孔径が２μｍ
で、比表面積が１２ｍ／ｇの多孔質アルミニウム箔を得
た。次いでこのエツチング処理したアルミニウム箔をホ
ウ酸アンモニウムの液中に？＋？Ｍし、液中で電気化学
的にアルミニウム箔の上に誘電体の薄層を形成した。
を陽極とし、これに直流及び交流を交互に使用して箔の
表面を電気化学的にエツチングし、平均細孔径が２μｍ
で、比表面積が１２ｍ／ｇの多孔質アルミニウム箔を得
た。次いでこのエツチング処理したアルミニウム箔をホ
ウ酸アンモニウムの液中に？＋？Ｍし、液中で電気化学
的にアルミニウム箔の上に誘電体の薄層を形成した。
一方、ジフェニルアミンのよう化水素酸塩を酸化正合し
て得たポリ−Ｎ−フェニルアニリンよう化水素酸塩０．
１モルをアセトン５０ｄにとかし、クロラニル０１１モ
ルのアセトン溶液５０ｍｆｆを混合し、６０℃で１０時
間反応させた。生じたポリ−Ｎ−フェニルアニリンのク
ロラニル塩を減圧乾燥した。この電導性高分子化合物の
電導度は０．ＯＩＳ−ｃｍ−’であった。
て得たポリ−Ｎ−フェニルアニリンよう化水素酸塩０．
１モルをアセトン５０ｄにとかし、クロラニル０１１モ
ルのアセトン溶液５０ｍｆｆを混合し、６０℃で１０時
間反応させた。生じたポリ−Ｎ−フェニルアニリンのク
ロラニル塩を減圧乾燥した。この電導性高分子化合物の
電導度は０．ＯＩＳ−ｃｍ−’であった。
前記した誘電体薄層へ約２７０℃の温度で融解させた電
導性高分子化合物を入れ、陰極にアルミニウム箔を使用
し樹脂封口して固体電解コンデンサを作成した。
導性高分子化合物を入れ、陰極にアルミニウム箔を使用
し樹脂封口して固体電解コンデンサを作成した。
火籏ｆ、＋１２
実施例１でポリ−Ｎ−フェニルアニリンのクロラニル塩
のかわりにポリ−２，５−ジメトキシアニリンのＴＣＮ
Ｑ塩を使用した以外は実施例１と同様にして固体コンデ
ンサを作成した。尚、この電導性高分子化合物の電導度
は０．０２５−ｃｒｓ−’であった。
のかわりにポリ−２，５−ジメトキシアニリンのＴＣＮ
Ｑ塩を使用した以外は実施例１と同様にして固体コンデ
ンサを作成した。尚、この電導性高分子化合物の電導度
は０．０２５−ｃｒｓ−’であった。
実施例３
厚さ１００μｍのアルミニウム箔（純度９９．９９％）
を陽極とし、直流及び交流の交互使用して、箔の表面を
電気化学的にエツチングして平均細孔径２μｍで、比表
面積が１２ｍ／ｇとした。次いでこのエツチング処理し
たアルミニウム箔にホウ酸アンモニウムの液中で電気化
学的に誘電体の薄層を形成した。
を陽極とし、直流及び交流の交互使用して、箔の表面を
電気化学的にエツチングして平均細孔径２μｍで、比表
面積が１２ｍ／ｇとした。次いでこのエツチング処理し
たアルミニウム箔にホウ酸アンモニウムの液中で電気化
学的に誘電体の薄層を形成した。
一方、トルエンスルフォン酸の飽和水ｉ液１００ｄにア
ニリン０．２モルをとかした溶液に前記したアルミニウ
ム箔をつけ減圧下に過硫酸アンモニウム０．１モルの水
溶液を一度に入れ室温で１時間重合させた。アルミニウ
ム箔を乾燥した後、陰極にアルミニウム箔を使用し、樹
脂封口して固体電解コンデンサを作成した。尚、固体電
解質の電導度は０．０４Ｓ−ｃｍ−’であった。
ニリン０．２モルをとかした溶液に前記したアルミニウ
ム箔をつけ減圧下に過硫酸アンモニウム０．１モルの水
溶液を一度に入れ室温で１時間重合させた。アルミニウ
ム箔を乾燥した後、陰極にアルミニウム箔を使用し、樹
脂封口して固体電解コンデンサを作成した。尚、固体電
解質の電導度は０．０４Ｓ−ｃｍ−’であった。
実施例４
実施例３でアニリンのかわりに、２−メトキシアニリン
をトルエンスルフォン酸のかワリにベンゼンスルフォン
酸を使用した以外は実施例３と同様にして固体電解コン
デンサを作成した。尚、固体電解質の電導度は０．０２
Ｓ−ｃｍ−’であった。
をトルエンスルフォン酸のかワリにベンゼンスルフォン
酸を使用した以外は実施例３と同様にして固体電解コン
デンサを作成した。尚、固体電解質の電導度は０．０２
Ｓ−ｃｍ−’であった。
実施例５
実施例３でアニリンのかわりに２−メチルアニリンを使
用した以外は実施例３と同様にして固体電解コンデンサ
を作成した。尚、固体電解質の電導度は０．０５５−ｃ
ｍ−１であった。
用した以外は実施例３と同様にして固体電解コンデンサ
を作成した。尚、固体電解質の電導度は０．０５５−ｃ
ｍ−１であった。
上記各側で得られた固体電解コンデンサの特１生値は第
２表に示す通りであった。
２表に示す通りであった。
（以下余白）
第 ２ 表
実施例 容 量 ｔａｎδ＊ もれ電流＊＊ 逆耐
電圧１！ｌ（μ Ｆ） （％） （μ
Ａ） （Ｖ）実施例３ ２．０
０．８ ０．５ １００以上実施例４
２．１ ０．９ ０．５ １００以上
実施例５ １．７ ０．８ ０．５
１００以上＊１００ＫＨｚの値 ＊＊５０Ｖの値 実施例６ 厚さ１００μｍのアルミニウム箔（純度９９．９９％）
を陽極とし、直流及び交流の交互使用して、箔の表面を
電気化学的にエツチングして平均細孔径２μｍで、比表
面積が１２ｎ？／ｇとした。次いでこのエツチング処理
したアルミニウム箔にホウ酸アンモニウムの液中で電気
化学的に誘電体の薄層を形成した。
電圧１！ｌ（μ Ｆ） （％） （μ
Ａ） （Ｖ）実施例３ ２．０
０．８ ０．５ １００以上実施例４
２．１ ０．９ ０．５ １００以上
実施例５ １．７ ０．８ ０．５
１００以上＊１００ＫＨｚの値 ＊＊５０Ｖの値 実施例６ 厚さ１００μｍのアルミニウム箔（純度９９．９９％）
を陽極とし、直流及び交流の交互使用して、箔の表面を
電気化学的にエツチングして平均細孔径２μｍで、比表
面積が１２ｎ？／ｇとした。次いでこのエツチング処理
したアルミニウム箔にホウ酸アンモニウムの液中で電気
化学的に誘電体の薄層を形成した。
一方、トルエンスルフォン酸の飽和水溶？＆］ＯＯ−に
２−アミノピリミジン０．２モルをとかした溶液に前記
したアルミニウム箔をつけ減圧下に過硫酸アンモニウム
０．１モルの水溶液を一度に入れ室温で１時間重合させ
た。アルミニウム箔を乾燥した後、陰極にアルミニウム
箔を使用し、樹脂封口して固体電解コンデンサを作成し
た。尚、固体電解質の電導度は０．０５Ｓ−ｃｍ−’で
あった。
２−アミノピリミジン０．２モルをとかした溶液に前記
したアルミニウム箔をつけ減圧下に過硫酸アンモニウム
０．１モルの水溶液を一度に入れ室温で１時間重合させ
た。アルミニウム箔を乾燥した後、陰極にアルミニウム
箔を使用し、樹脂封口して固体電解コンデンサを作成し
た。尚、固体電解質の電導度は０．０５Ｓ−ｃｍ−’で
あった。
実施例７
トルエンスルフォン酸のかわりにベンゼンスルフォン酸
を使用した以外は実施例６と同様にして固体電解コンデ
ンサを作成した。尚、固体電解質の電導度は０．０３ｓ
−Ｃｍ−１であった。
を使用した以外は実施例６と同様にして固体電解コンデ
ンサを作成した。尚、固体電解質の電導度は０．０３ｓ
−Ｃｍ−１であった。
実施例８
実施例６と同様な誘電体薄層のついたアルミ箔を三塩化
鉄の飽和水／８液につけ乾燥した後、２−アミノピリミ
ジンの沸点での蒸気を４入し気相重合した。この重合体
の電導度ば０．０６Ｓ・Ｃｍ−’であった。その後実施
例６と同様にし陰極をとり、固体電解コンデンサを作成
した。
鉄の飽和水／８液につけ乾燥した後、２−アミノピリミ
ジンの沸点での蒸気を４入し気相重合した。この重合体
の電導度ば０．０６Ｓ・Ｃｍ−’であった。その後実施
例６と同様にし陰極をとり、固体電解コンデンサを作成
した。
上記各側で得られた固体電解コンデンサの特性値は第３
表に示す通りであった。
表に示す通りであった。
第３表
実施例 容 量 ｔａｎδ＊ もれ電流＊＊ 逆耐
電圧隘 （μＦ） （％） （μＡ）
（Ｖ）実施例６ ２．１ ０．９
０．５ １００以上実施例？ ２．１
１．２ ０．５ １００以上実施例８ １
．８ １．３ ０．５ １００以上＊
１００Ｋ）！ｚの値 ＊＊５ＱＶの値 実施例９ 厚さ１００μｍのアルミニウム箔（純度９９．９９％）
を陽極とし、直流及び交流を交互使用して、箔の表面を
電気化学的にエツチングして平均細孔径２μｍで、比表
面積が１２＋ｙ？／ｇの多孔質アルミニウム箔とした。
電圧隘 （μＦ） （％） （μＡ）
（Ｖ）実施例６ ２．１ ０．９
０．５ １００以上実施例？ ２．１
１．２ ０．５ １００以上実施例８ １
．８ １．３ ０．５ １００以上＊
１００Ｋ）！ｚの値 ＊＊５ＱＶの値 実施例９ 厚さ１００μｍのアルミニウム箔（純度９９．９９％）
を陽極とし、直流及び交流を交互使用して、箔の表面を
電気化学的にエツチングして平均細孔径２μｍで、比表
面積が１２＋ｙ？／ｇの多孔質アルミニウム箔とした。
次いで、このエツチング処理したアルミニウム箔をホウ
酸アンモニウムの液中に浸漬し、液中で電気化学的にア
ルミニウム箔の上に誘電体の薄層を形成した。
酸アンモニウムの液中に浸漬し、液中で電気化学的にア
ルミニウム箔の上に誘電体の薄層を形成した。
一方、バラアミノジフェニルアミンのよう化水累酸水？
′ｇ液に三塩化鉄を加えて得たウィルステツタ−ブルー
イミドとクロラニルをアセトン中で反応させウィルステ
ツタ−ブルーイミドのクロラニル塩を得た。この塩の電
導度は、１０Ｓ１０Ｓ−’でありエチルアルコールに可
溶であった。
′ｇ液に三塩化鉄を加えて得たウィルステツタ−ブルー
イミドとクロラニルをアセトン中で反応させウィルステ
ツタ−ブルーイミドのクロラニル塩を得た。この塩の電
導度は、１０Ｓ１０Ｓ−’でありエチルアルコールに可
溶であった。
前記した誘電体層へ約２９０℃の温度で融解させた塩を
入れ、陰極にアルミニウム箔を使用し樹脂封口して固体
電解コンデンサを作成した。
入れ、陰極にアルミニウム箔を使用し樹脂封口して固体
電解コンデンサを作成した。
実施例１０
実施例９でウィルステツタ−ブルーイミドのクロラニル
塩の代わりに、アニリンのよう化水素酸水溶液をＮａＣ
ｌＯ３処理して得たエメラルディンと、ＴＣＮＱとの反
応物であるエメラルディンＴＣＮＱ塩を使用した以外は
実施例９と同様にして固体電解コンデンサを作成した。
塩の代わりに、アニリンのよう化水素酸水溶液をＮａＣ
ｌＯ３処理して得たエメラルディンと、ＴＣＮＱとの反
応物であるエメラルディンＴＣＮＱ塩を使用した以外は
実施例９と同様にして固体電解コンデンサを作成した。
比較例１
実施例１と同じ誘電体層をもったアルミニウム箔従来の
二酸化マンガンを固体電解質、陰極をアルミニウム箔と
した固体電解コンデンサを作成した。
二酸化マンガンを固体電解質、陰極をアルミニウム箔と
した固体電解コンデンサを作成した。
比較例２
実施例９と同じ誘電体層をもったアルミニウム箔従来の
二酸化マンガンを固体電解質、陰極をアルミニウム箔と
した固体電解コンデンサを作成した。
二酸化マンガンを固体電解質、陰極をアルミニウム箔と
した固体電解コンデンサを作成した。
上記各側で得られた固体電解コンデンサの特性値を第４
表に示す。
表に示す。
（以下余白）
第 ４ 表
実施例 容 量 ｔａｎδ＊ もれ電流＊＊ 逆耐
電圧隘 （μＦ） （％） （μＡ）
（Ｖ）実施例９ １．９７ ０．８
０．５０ １００以上実施例１０ ２．０１
０．９ ０．５０ １００以上比較例２ ２
．０２ ３．３ ９２ ６０以上＊１０
０ Ｋ Ｈｚの値 ＊＊５０Ｖの値 第４表から明らかなように、本発明による固体電解コン
デンサは従来の二酸化マンガンを電解質とする固体電解
コンデンサに比して誘電損失もれ電流が小さく、高耐電
圧の固体電解コンデンサを作成することができる。また
、本発明による固体電解コンデンサの容量×定格電圧の
値は二酸化マンガンを用いた固体電解コンデンサに比し
て、大きく、同じ形状ならば大容量を得ることができる
。
電圧隘 （μＦ） （％） （μＡ）
（Ｖ）実施例９ １．９７ ０．８
０．５０ １００以上実施例１０ ２．０１
０．９ ０．５０ １００以上比較例２ ２
．０２ ３．３ ９２ ６０以上＊１０
０ Ｋ Ｈｚの値 ＊＊５０Ｖの値 第４表から明らかなように、本発明による固体電解コン
デンサは従来の二酸化マンガンを電解質とする固体電解
コンデンサに比して誘電損失もれ電流が小さく、高耐電
圧の固体電解コンデンサを作成することができる。また
、本発明による固体電解コンデンサの容量×定格電圧の
値は二酸化マンガンを用いた固体電解コンデンサに比し
て、大きく、同じ形状ならば大容量を得ることができる
。
実施例１１
厚さ１００μｍのアルミニウムＴ３（純度９９．９９％
）を陽極とし、直流及び交流の交互使用して、箔の表面
を電気化学的にエツチングして平均細孔径２μｍで、比
表面積が１２ｒ＋（／ｇとした。次いでこのエツチング
処理したアルミニウム箔にホウ酸アンモニウ、ムの液中
で電気化学的に誘電体の薄層を形成した。
）を陽極とし、直流及び交流の交互使用して、箔の表面
を電気化学的にエツチングして平均細孔径２μｍで、比
表面積が１２ｒ＋（／ｇとした。次いでこのエツチング
処理したアルミニウム箔にホウ酸アンモニウ、ムの液中
で電気化学的に誘電体の薄層を形成した。
一方、トルエンスルフォン酸の飽［７ｋＪ液１００−に
２−アミノアニリン０．２モルをとかした溶液に前記し
たアルミニウム箔をつけ減圧下に過硫酸アンモニウム０
．１モルの水Ｇ ？ｐｉを一度に入れ室温で１時間重合
させた。アルミニウム箔を乾燥した後、陰極にアルミニ
ウム箔を使用し、樹脂封口して固体電解コンデンサを作
成した。尚、固体電解質の電導度は０．ＯＩＳ−ａｍ−
’であった。
２−アミノアニリン０．２モルをとかした溶液に前記し
たアルミニウム箔をつけ減圧下に過硫酸アンモニウム０
．１モルの水Ｇ ？ｐｉを一度に入れ室温で１時間重合
させた。アルミニウム箔を乾燥した後、陰極にアルミニ
ウム箔を使用し、樹脂封口して固体電解コンデンサを作
成した。尚、固体電解質の電導度は０．ＯＩＳ−ａｍ−
’であった。
実施例１ａ
実施例１１でトルエンスルフォン酸のかわりにヘンゼン
スルフォン酸を使用した以外は実施例１１と同様にして
固体電解コンデンサを作成した。尚、固体電解質の電導
度は０．０２Ｓ−ｃｍ−’であった。
スルフォン酸を使用した以外は実施例１１と同様にして
固体電解コンデンサを作成した。尚、固体電解質の電導
度は０．０２Ｓ−ｃｍ−’であった。
実施例１３
実施例１１と同様な誘電体薄層のついたアルミ箔を三塩
化鉄の飽和水溶液につけ乾燥した後、２−アミノピリジ
ンの沸点での芸気を導入し気相重合した。この重合体の
電導度は０．Ｏ４５−Ｃｍ−’であった。その後実施例
１１と同様にし陰極をとり、固体コンデンサを作成した
。
化鉄の飽和水溶液につけ乾燥した後、２−アミノピリジ
ンの沸点での芸気を導入し気相重合した。この重合体の
電導度は０．Ｏ４５−Ｃｍ−’であった。その後実施例
１１と同様にし陰極をとり、固体コンデンサを作成した
。
上記各側で得られた固体電解コンデンサの特性値を第５
表に示す。
表に示す。
（以下余白）
第５表
実施例 容 量 ｔａｎδ＊ もれ電流＊＊ 逆耐
電Ｉ；患 （μＦ） （％） （μＡ）
（Ｖ）実施例１１ ２．２ １．０
０．５ １００以−１実施例１２ ２．０
０．９ ０．５ １００以」実施例１
３ １．９ ０．９ ０．５ １００
以１＊ １００ＫＨｚの値 ＊＊５０Ｖの値
電Ｉ；患 （μＦ） （％） （μＡ）
（Ｖ）実施例１１ ２．２ １．０
０．５ １００以−１実施例１２ ２．０
０．９ ０．５ １００以」実施例１
３ １．９ ０．９ ０．５ １００
以１＊ １００ＫＨｚの値 ＊＊５０Ｖの値
第１図は、本発明による固体電解コンデンサの一具体例
を示す断面図である。 １・・・陽極リード線、２・・・陽極、３・・・酸化皮
膜、４・・・陰極、５・・・陰極リード線、６・・・電
導性低分子又は高分子化合物 ７・・・樹脂 手続補正部（自発） 昭和６０年１２月４ 日 特許庁長官 宇 賀 辺 部 殿 １、事件の表示 昭和６０年特許願第１６７４２３号 ２、 発明の名称 同体電解コンデンサ ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （２００）昭和電工株式会社 ４、代理人 住所 〒１０５東京都港区虎ノ門−丁目８番１０号５、
補正の対象 図面（第１図） ６、補正の内容 図面（第１図）を別紙の通り補正する。 ７、 添付書類の目録
を示す断面図である。 １・・・陽極リード線、２・・・陽極、３・・・酸化皮
膜、４・・・陰極、５・・・陰極リード線、６・・・電
導性低分子又は高分子化合物 ７・・・樹脂 手続補正部（自発） 昭和６０年１２月４ 日 特許庁長官 宇 賀 辺 部 殿 １、事件の表示 昭和６０年特許願第１６７４２３号 ２、 発明の名称 同体電解コンデンサ ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （２００）昭和電工株式会社 ４、代理人 住所 〒１０５東京都港区虎ノ門−丁目８番１０号５、
補正の対象 図面（第１図） ６、補正の内容 図面（第１図）を別紙の通り補正する。 ７、 添付書類の目録
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一般式（Ｉ） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｉ） （式中、Ｒ＾１〜Ｒ＾６はそれぞれ独立に水素、ハロゲ
ン、アミノ基、フェニル基、炭素数が６以下のアルキル
基、炭素数が６以下のアルコキシ基又は炭素数が６以下
のアルケニル基を示し、Ｚはキノン類、テトラシアノエ
チレン、７、７、８、８−テトラシアノキシジメタン又
はアリールスルホン酸イオンを示す）で表わされる繰返
し単位を有する電導性高分子化合物又はオリゴマー、一
般式（II）▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、Ｒ＾７及びＲ＾８はそれぞれ独立に水素、ハロ
ゲン、アミノ基、フェニル基、ニトロ基、炭素数６以下
のアルキル基、炭素数６以下のアルコキシ基又は炭素数
６以下のアルケニル基を示す）で表わされるアニリン系
化合物の重合体又はそれとクロラニル、テトラシアノエ
チレンもしくは７、７、８、８−テトラシアノキノジメ
タンとの塩、又は一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） 〔式中、Ｒ＾９〜Ｒはそれぞれ独立に水素、ハロゲン、
アミノ基、フェニル基、ニトロ基、炭素数６以下のアル
キル基、炭素数６以下のアルコキシ基もしくは炭素数６
以下のアルケニル基を示し、Ｚ＾１及びＺ＾２のいずれ
か１つは窒素であり、残りは炭素である（但し、Ｚ＾１
が窒素のときＲ＾１＾３は無く、Ｚ＾２が窒素のときＲ
＾１＾４が無い）〕で表わされるアミノピリジン系化合
物の重合体を固体電解質として成る固体電解コンデンサ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16742385A JPH0722073B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16742385A JPH0722073B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 固体電解コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6229124A true JPS6229124A (ja) | 1987-02-07 |
| JPH0722073B2 JPH0722073B2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=15849423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16742385A Expired - Lifetime JPH0722073B2 (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722073B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5455736A (en) * | 1993-10-20 | 1995-10-03 | Nec Corporation | Tantalum solid-state electrolytic capacitor and fabrication process therefor |
| US5586001A (en) * | 1994-08-16 | 1996-12-17 | Nec Corporation | Solid electrolyte capacitor using polyaniline doped with disulfonic acid |
| US5959832A (en) * | 1994-11-25 | 1999-09-28 | Nec Corporation | Solid electrolytic capacitor with heat resisting polyaniline and method of manufacturing same |
| JP4623404B2 (ja) * | 1999-04-30 | 2011-02-02 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-07-31 JP JP16742385A patent/JPH0722073B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5455736A (en) * | 1993-10-20 | 1995-10-03 | Nec Corporation | Tantalum solid-state electrolytic capacitor and fabrication process therefor |
| US5586001A (en) * | 1994-08-16 | 1996-12-17 | Nec Corporation | Solid electrolyte capacitor using polyaniline doped with disulfonic acid |
| US5959832A (en) * | 1994-11-25 | 1999-09-28 | Nec Corporation | Solid electrolytic capacitor with heat resisting polyaniline and method of manufacturing same |
| JP4623404B2 (ja) * | 1999-04-30 | 2011-02-02 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0722073B2 (ja) | 1995-03-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |