KR950012079A - 집적 비교기 회로 - Google Patents

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KR950012079A
KR950012079A KR1019940026787A KR19940026787A KR950012079A KR 950012079 A KR950012079 A KR 950012079A KR 1019940026787 A KR1019940026787 A KR 1019940026787A KR 19940026787 A KR19940026787 A KR 19940026787A KR 950012079 A KR950012079 A KR 950012079A
Authority
KR
South Korea
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fet
terminal
comparator circuit
m0sfets
mosfet
Prior art date
Application number
KR1019940026787A
Other languages
English (en)
Inventor
홀거 하일
요제프-마티아스 간티올러
라인알트 잔더
Original Assignee
발도르프, 옴케
지멘스 악티엔게젤샤프트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 발도르프, 옴케, 지멘스 악티엔게젤샤프트 filed Critical 발도르프, 옴케
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/165—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/30—Modifications for providing a predetermined threshold before switching
    • H03K17/302—Modifications for providing a predetermined threshold before switching in field-effect transistor switches

Abstract

비교기는 제1디플리션 FET(3) 및 제1인핸스먼트 FET(4)를 갖춘 인버터 및 제2디플리션 FET(1) 및 제2인핸스먼트 FET(2)로 된 직렬회로를 포함한다. 모든 FET는 동일한 채널타입이다. 제2인핸스먼드 FET와 제2디플리션 FET 사이의 노드점(10)은 제1인핸스먼트 FET의 게이트 단자에 접속된다. 비교되는 전압(Ue)은 제2인핸스먼트 FET와 접지사이에 놓인다. 제2인핸스먼드 FET(2)의 전달 특성 곡선(Ucs/ID)이 제1인핸스먼트 FET(4)의 그것보다 더 급경사이다. 접속점(S)은 2개의 인핸스먼트 FET의 전달특성곡선의 메칭에 의해 정해진다.

Description

집적 비교기 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명에 따른 회로의 바람직한 실시예,
제 2 도는 본 발명에 따른 회로의 동작을 설명하기 위한 다이어그램.

Claims (4)

  1. 제1 및 제2M0SFET(1,22)로 된 하나의 직렬회로, 제3 및 세4M0SFET(3,4)를 갖춘 인버터단, 및 한편으로는 제1 및 제2M0SFET 사이의 노드점(10)과 다른 한편으로는 제4M0SFET의 게이트 단자 사이의 접속점을 포함하고, 상기 제2M0SFET는 동작 진압용 제1단자(5)와 제1입력단자(8) 사이에 접속되며, 상기 제4M0SFET는 동작 전압용 제1단자(5) 및 제2단자(6)사이에 접속되고, 상기 제2M0SFET(2)의 전달특성곡선은 제4M0SFET(4)의 전달특성곡선보다 더 급경사이며, 제2 및 제4MOSFET가 하나의 인핸스먼트 M0SFET이도록 구성된, 집적 비교기회로에 있어서, a) 제1 및 제3MOSFET(L3)가 디플리션M0SFET이고, b) 모든 M0SFET가 동일한 채널타입인 것을 특징으로 하는 집적 비교기 회로.
  2. 제1항에 있어서, 제2M0SFET(2)가 M0S 다이오드로 접속되는 것을 특징으로 하는 짐적 비교기 회로.
  3. 제 1항 또는 2항에 있어서, 모든 M0SFET의 기판 단자가 제2단자(6)에 접속되는 것을 특징으로 하는 집적 비교기 회로.
  4. 제 1항 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서, 각각의 디플리션 FET(1, 3)의 게이트 단자가 그것의 소오스단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 집적 비교기 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940026787A 1993-10-29 1994-10-20 집적 비교기 회로 KR950012079A (ko)

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DEP4337086.1 1993-10-29

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EP (1) EP0651506B1 (ko)
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19530481C1 (de) * 1995-08-18 1997-03-27 Siemens Ag Integrierbare Komparatorschaltung mit einstellbarer Ansprechschwelle
DE19902456A1 (de) 1999-01-22 2000-08-10 Boerge Carlstroem Verfahren zur Herstellung eines glasfaserverstärkten Kunststoffrohres sowie einer Kupplung
US6198312B1 (en) * 1999-11-19 2001-03-06 Impala Linear Corporation Low level input voltage comparator
KR100500928B1 (ko) * 2002-06-29 2005-07-14 주식회사 하이닉스반도체 스위칭포인트 감지회로 및 그를 이용한 반도체 장치
US6894529B1 (en) 2003-07-09 2005-05-17 Integrated Device Technology, Inc. Impedance-matched output driver circuits having linear characteristics and enhanced coarse and fine tuning control
EP2782251A1 (en) * 2013-03-22 2014-09-24 Technische Universität Darmstadt Inverter based comparator

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3823332A (en) * 1970-01-30 1974-07-09 Rca Corp Mos fet reference voltage supply
JPS5211199B1 (ko) * 1970-05-27 1977-03-29
JPS5373340A (en) * 1976-12-11 1978-06-29 Toshiba Corp Abnormal voltage detection circuit
GB1592800A (en) * 1977-12-30 1981-07-08 Philips Electronic Associated Linear amplifier
US4262221A (en) * 1979-03-09 1981-04-14 Rca Corporation Voltage comparator
US4328434A (en) * 1979-11-16 1982-05-04 Gte Laboratories Incorporated Comparator circuit with offset correction
US4539495A (en) * 1984-05-24 1985-09-03 General Electric Company Voltage comparator
DE3582802D1 (de) * 1985-10-15 1991-06-13 Ibm Leseverstaerker zur verstaerkung von signalen auf einer vorgespannten leitung.
JPS63169816A (ja) * 1987-01-07 1988-07-13 Nec Corp 電圧比較回路
US4812681A (en) * 1987-05-11 1989-03-14 Hewlett-Packard Company NMOS analog voltage comparator
JPH0740050B2 (ja) * 1987-05-20 1995-05-01 松下電器産業株式会社 電圧検知回路
JPS6422107A (en) * 1987-07-17 1989-01-25 Oki Electric Ind Co Ltd Voltage level detecting circuit
US4800301A (en) * 1987-12-02 1989-01-24 American Telephone And Telegraph Company Method and apparatus for sensing signals
US4808848A (en) * 1988-03-07 1989-02-28 Motorola, Inc. Comparator circuit
DE4138860C1 (ko) * 1991-11-26 1993-06-03 Siemens Ag, 8000 Muenchen, De
JPH05218872A (ja) * 1992-01-20 1993-08-27 Nec Corp コンパレータ回路とその駆動方法

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Publication number Publication date
EP0651506A3 (de) 1996-12-18
JPH07191065A (ja) 1995-07-28
DE59409022D1 (de) 2000-01-27
US6057712A (en) 2000-05-02
EP0651506B1 (de) 1999-12-22
EP0651506A2 (de) 1995-05-03

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