KR950004552A - 화상 메모리 - Google Patents

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KR950004552A
KR950004552A KR1019940017609A KR19940017609A KR950004552A KR 950004552 A KR950004552 A KR 950004552A KR 1019940017609 A KR1019940017609 A KR 1019940017609A KR 19940017609 A KR19940017609 A KR 19940017609A KR 950004552 A KR950004552 A KR 950004552A
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lines
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KR1019940017609A
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Inventor
하루키 도다
Original Assignee
사토 후미오
가부시키가이샤 도시바
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    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1075—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers for multiport memories each having random access ports and serial ports, e.g. video RAM
    • G—PHYSICS
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    • G11C5/02—Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
    • G11C5/025—Geometric lay-out considerations of storage- and peripheral-blocks in a semiconductor storage device
    • G—PHYSICS
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    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/18—Bit line organisation; Bit line lay-out

Abstract

본 발명은 소비전력이 적고, 각종의 전송모드에 대응할 수 있는 고집적도 화상 메모리를 제공한다.
본 발명에 의하며, 랜덤 액세스 메모리를 구성하는 메모리셀 어레이의 메모리셀 열에 대하여 설치된 메모리셀 열선이 랜덤 액세스시에 선택된 행에 대응하여 메모리셀의 데이터가 센스되는 복수의 부분열선(COL11∼14,COL21∼24)으로 분할되어 있고, 메모리셀 열선의 인접하는 2열에 대하여 그 양단부에 각 1개의 시리얼 액세스 메모리의 레지스터(SRL,SRR)가 설치되며, 이 레지스터는 랜덤 액세스 메모리와 시리얼 액세스 메모리의 데이터전송을 위한 게이트소자를 매개로 상기 2열의 메모리셀 열선과 접속되어 있다. 게이트류를 선택적으로 제어함으로써, 4분할된 부분열선을 비활성 상태인 경우에는 전송로로 사용하기 때문에, 전력소비를 억제하여 집적화를 높일 수 있고, 또 각종모드에 대응할 수 있다.

Description

화상 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명에 관련된 4분할 센스동작이 가능한 DPVRAM의 RAM과 SAM의 인터페이스부분의 구성을 나타낸 모식도, 제 2 도는 제 1 도에 도시한 본 발명의 구성을 이용하여 얻어진 메모리칩의 레이아웃을 나타낸 평면도.

Claims (6)

  1. 행방향 및 열방향으로 셀이 매트릭스형상으로 배치된 메모리셀 어레이로 이루어진 랜덤 액세스 메모리(1∼16)와, 상기 행방향으로 상기 각 열에 대응하여 배열된 레지스터로 이루어진 시리얼 액세스 메모리(SAM)를 갖춘 화상 메모리에 있어서, 상기 메모리셀 어레이의 메모리셀 열에 대하여 설치된 메모리셀 열선이, 랜덤 액세스시에 선택된 행에 대응하여 메모리셀의 데이터가 센스되는 복수의 부분열선(COL11∼COL14,COL21∼COL24)으로 분할되고, 상기 메모리셀 열선의 인접하는 2열에 대하여 그 양단부에 각 1개의 시리얼 액세스 메모리의 레지스터(SRL,SRR)가 배설되고, 이 레지스터는 랜덤 액세스 메모리와 시리얼 액세스 메모리의 데이터전송을 위한 게이트소자(TRG1L, TRG1R,TRG2L, TRG2R)를 매개로 상기 2열의 메모리셀 열선과 접속된 것을 특징으로 하는 화상 메모리.
  2. 제 1 항에 있어서, 선택된 부분열선(COL11∼COL14,COL21∼COL24)과 시리얼 액세스 메모리(SAM)의 레지스터(SRL,SRR) 사이의 데이터전송이, 상기 메모리셀 열선중의 비선택의 부분열선을 데이터전송경로로 하여 행해지는 것을 특징으로 하는 화상 메모리.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 메모리셀 열선의 양단부에 설치된 2개의 시리얼 액세스 메모리(SAM)의 레지스터(SRL,SRR)가, 시리얼 액세스 메모리를 그 시리얼 액세스의 전반과 후반의 2개의 부분으로 나누어 각각의 부분에서 독립적으로 랜덤 액세스 메모리(1∼16)와 데이터전송을 하는 스플리트 전송방식에서의 전반과 후반에 댕응하는 2개의 부분 시리얼레지스터로서 이용되고, 시리얼 액세스의 전반에서의 데이터전송과 후반에서의 데이터전송에서 상기 인접하는 2열의 대응하는 부분열선으로부터의 데이터전송동작이 행해지는 것을 특징으로 하는 화상 메모리.
  4. 제1항에 있어서, 상기 메모리셀 열선의 4분할된 부분열선(COL11∼COL14,COL21∼COL24)중 1번째와 2번째의 사이 및 3번째와 4번째 사이에 각 부분열선과 게이트소자(G11∼G14,G21∼G24)를 매개로 접속된 센스앰프(SA1L,SA1R,SA2L,SA2R)가 배설된 것을 특징으로 하는 화상 메모리.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 4분할된 부분열선(COL11∼COL14,COL21∼COL24)중 2번째와 3번째의 사이에 데이터전송게이트(TRGIM,TRG2M)가 배설된 것을 특징으로 하는 화상 메모리.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 인접하는 메모리셀 열선에서의 대응하는 센스앰프(SA1L,SA1R,SA2L,SA2R)가, 데이터선(IOL,IOR)에 대하여 서로 반대측의 위치에 배설되어 있는 것을 특징으로 하는 화상 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940017609A 1993-07-21 1994-07-21 화상 메모리 KR0143042B1 (ko)

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JP5180440A JPH0736778A (ja) 1993-07-21 1993-07-21 画像メモリ
JP93-180440 1993-07-21

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KR950004552A true KR950004552A (ko) 1995-02-18
KR0143042B1 KR0143042B1 (ko) 1998-08-17

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US5687351A (en) 1997-11-11
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