KR900006977A - 반도체기억장치 - Google Patents

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KR900006977A
KR900006977A KR1019890015296A KR890015296A KR900006977A KR 900006977 A KR900006977 A KR 900006977A KR 1019890015296 A KR1019890015296 A KR 1019890015296A KR 890015296 A KR890015296 A KR 890015296A KR 900006977 A KR900006977 A KR 900006977A
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요우이찌 도비다
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시기 모리야
미쓰비시 뎅끼 가부시끼가이샤
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    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1048—Data bus control circuits, e.g. precharging, presetting, equalising
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
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    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이 발명의 일 실시예인 DRAM의 일부를 표시하는 회로구성도.
제2도는 그 실시예에 있어서 전원전압(Vcc)과 일출력전위(V10)의 전위변화를 표시한 그래프.
제2도~제5도는 이 발명의 다른 실시예의 DRAM의 일부를 표시하는 회로구성도.

Claims (3)

  1. 메모리셀과 정보의 수수를 행하는 데이타선대와 상기 데이타선대에 접속되어 상기 데이타선대의 전위차를 증폭하여 판독데이타를 출력하는 데이타출력회로와, 한쪽 전극이 제1의 전원에 다른쪽 전극이 상기 데이타선대에 접속된 제1의 도전형의 제1의 트랜지스터를 포함하고 이 제1의 트랜지스터가 온하는 것에 의하여 상기 데이타선대의 전위설정을 행하는 제1의 전위설정수단과, 한쪽 전극이 제2의 전원에 다른쪽 전극이 상기 데이타선대에 접속된 제2의 도전형의 제2의 트랜지스터를 포함하고 이 제2의 트랜지스터가 온하는 것에 의하여 상기 데이타선대의 전위설정을 행하는 제2의 전위설정수단과, 상기 제1의 전위설정수단에 의한 설정전위보다도 상기 제2의 트랜지스터의 스레시홀드전압정보, 상기 제2의 전원축에 시프트시킨 전위를 상기 제2의 트랜지스터의 게이트에 부여하는 게이트전위 제어수단과 외부로부터 부여되는 행어드레스신호를 받는 행어드레스입력수단과 상기 행어드레스입력수단으로부터의 행어드레스신호에 응답하여 상기 메모미셀어레이를 선택하는 행선택수단과, 외부에서 부여되는 열어드레스신호를 받는 열어드레스입력수단과 상기 열어드레스입력수단으로부터의 열어드레스신호에 응답하여 상기 비트선대를 선택하는 열선택수단과, 상기 메모리셀의 판독데이타를 전달하는 적어도 1개의 데이타전달선대와, 상기 열선택수단에 의하여 상기 복수의 비트선대중의 적어도 1쌍과 상기 적어도 1쌍의 데이타전달선과를 결합하는 결합수단과, 상기 데이타전달선대에 결합하여 상기 데이타전달선대의 전위차를 증폭하는 증폭수단과, 제1의 전원과 상기 데이타전달선대의 사이에 설치되어 상기 데이타전달선대를 충전하기 위한 충전수단과, 제2의 전원과 상기 데이타전달선대의 사이에 설치되어 상기 데이타전달선대를 방전하기 위한 스위칭소자수단과, 상기 스위칭소자수단의 제어전극의 전위와 상기 데이타전달선의 전위와의 사이에서 상기 스위칭소자수단의 스레시홀드전압정도의 차이를 갖는 전압을 부여하는 전압공급수단과를 구비한 반도체 기억장치.
  2. 행 및 열상으로 배열되는 복수의 메모리셀로서 이루어지는 메모리셀어레이와, 상기 메모리셀어레이를 선택하기 위한 복수의 워드선과 상기 메모리셀어레이와 데이타의 전달을 하기 위한 복수의 비트선대를 구비한 반도체기억장치에 있어서 외부로부터 부여되는 행어드레스신호를 받는 행어드레스입력수단과, 상기 행어드레스입력수단으로부터의 행어드레스신호에 응답하여 상기 메모리셀어레이를 선택하는 행선택수단과, 외부에서 부여되는 열어드레스신호를 받는 열어드레스입력수단과, 상기 열어드레스입력수단으로부터의 열어드레스신오에 응답하여 상기 비트선대를 선택하는 열선택수단과 상기 메모리셀의 판독데이타를 전달하는 적어도 1개의 데이타전달선대와, 상기 열선택수단에 의하여 상기 복수의 비트선대중의 적어도 1쌍과 상기 적어도 1쌍의 데이타전달선대를 결합하는 결합수단과, 상기 데이타전달선대에 결합하여 상기 데이타전달선대의 전위차를 증폭하는 증폭수단과, 제1의 전원과 상기 데이타전달선대의 사이에 설치되어 상기 데이타전달선대를 충전하기 위한 충전수단과, 제2의 전원과 상기 데이타전달선대의 사이에 설치되어 상기 데이타전달선대를 방전하기 위한 스위칭소자수단과, 상기 스위칭소자수단의 제어전극의 전위와 상기 데이타전달선의 전위와의 사이에서 상기 스위칭소자수단의 스레시홀드전압정도의 차이를 갖는 전압을 부여하는 전압공급수단을 구비한 반도체기억장치.
  3. 메모리셀의 판독데이타를 전달하는 적어도 1개의 데이타전달선대와, 상기 열선택수단에 의하여 상기 복수의 비트선대중의 적어도 1쌍과 상기 적어도 1쌍의 데이타전달선대를 결합하는 결합수단과, 상기 데이타전달선대에 결합하여 상기 데이타전달선대의 전위차를 증폭하는 증폭수단과, 제1의 전원과 상기 데이타전달선대의 사이에 설치되어 상기 데이타전달선대를 충전하기 위한 충전수단과, 제2의 전원과 상기 데이타전달선대의 사이에 설치되어 상기 데이타전달선대를 방전하기 위한 스위칭소자수단과, 상기 스위칭소자수단의 제어전극의 전위와 상기 데이타전달선의 전위와의 사이에서 장기 스위칭소자수단의 스레시홀드전압정도의 차이를 갖는 전압을 부여하는 전압공급수단을 구비한 반도체기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890015296A 1988-10-24 1989-10-24 반도체 기억장치 KR930000763B1 (ko)

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JP63-267388 1988-10-24
JP63267388A JPH0817034B2 (ja) 1988-10-24 1988-10-24 半導体記憶装置

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KR930000763B1 KR930000763B1 (ko) 1993-02-01

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