KR950004518A - 반도체집적회로장치 및 그 전원공급방법 - Google Patents

반도체집적회로장치 및 그 전원공급방법 Download PDF

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류지 시바따
요시노부 나까고메
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오야 유이찌로
가부시끼가이샤 히다찌마이컴시스템
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Abstract

반도체집적회로장치와 그 전원공급방법에 관한 것으로서, 프로세스편차와 온도변화에 대해서 실질적으로 저소비전력으로 하기 위해, 전원공급회로를 내장하고, 이 전원공급회로에 의해서 내부회로의 동작속도에 알맞는 동작전압이 형성된다.
이러한 것에 의해, 내부회로에 요구되는 동작속도에 따라서 동작전압이 설정되므로, 프로세스편차나 온도변화에 대해서 필요최소한의 전압으로 내부회로가 동작하는 것으로 되므로 합리적인 전원공급이 가능하게 된다.

Description

반도체집적회로장치 및 그 전원공급방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관한 반도체집적회로장치의 1실시예를 도시한 개략 블럭도, 제3도는 본 발명에 관한 반도체집적회로장치에 내장되는 전원회로의 1실시예를 도시한 블럭도

Claims (20)

1개의 반도체칩에 형성된 반도체집적회로장치에 있어서, 외부전원전압을 받기 위한 외부전원단자, 여러개의 MOSFET를 포함하는 내부회로 및 상기 외부전원단자에 결합되고, 상기 내부회로에 요구되는 동작속도에 대응한 전원전압을 상기 외부전원전압에서 형성하고, 형성된 전원전압을 상기 내부회로에 공급하는 전원수단을 포함하는 반도체집적회로장치.
제1항에 있어서, 상기 전원수단을 상기 MOSFET의 임계값전압에 따른 전압을 상기 외부전원전압에서 형성하고, 상기 전원전압으로써 출력하는 수단을 포함하는 반도체집적회로장치.
제2항에 있어서, 상기 전원수단은 형성되는 상기 전원전압에 대해서 정의 온도의존성을 부여하는 수단을 포함하는 반도체집적회로장치.
제1항에 있어서, 상기 전원수단은 형성되는 상기 전원전압에 대해서 정의 온도의존성을 부여하는 수단을 포함하는 반도체집적회로장치.
제1항에 있어서, 상기 전원수단은 상기 전원전압에 의해 동작하는 내부회로의 지연시간이 소정의 값으로 되도록 상기 전원전압을 변화시키는 조정수단을 포함하는 반도체집적회로장치.
제5항에 있어서, 상기 조정수단은 소정의 주파수의 신호를 받고, 상기 전원전압에 의해서 동작하는 게이트회로, 상기 게이트회로로부터의 출력신호와 상기 소정의 주파수의 신호의 위상차에 대응한 제어전압을 형성하는 제어전압형성수단 및 상기 제어전압에 따라서 상기 전원전압의 전압값을 변화시키는 수단을 포함하는 반도체집적회로장치.
제5항에 있어서, 상기 조정수단의 상기 전원전압에 의해서 동작하는 링발진기 및 상기 링발진기의 발진주파수가 소정의 주파수로 되도록 상기 전원전압의 전압값을 변화시키는 수단을 포함하는 반도체집적회로장치.
제1항에 있어서, 상기 외부전원단자에 결합되고, 타이밍펄스에 의해 상기 외부전압을 선택적으로 승압 또는 강압하는 전압변화회로 및 상기 내부회로에 공급되는 부하전류에 따라서 상기 타이밍펄스의 주파수를 변경하는 수단을 또 포함하며, 상기 외부전압은 전지에 의해 형성되는 반도체집적회로장치.
제1항에 있어서, 상기 내부회로는 상기 외부전원전압에 의해서 동작하는 레벨변환회로 및 상기 전원수단에 의해 형성된 전원전압에 의해서 동작하는 회로를 포함하는 반도체집적회로장치.
1개의 반도체칩에 형성된 반도체집적회로장치에 있어서, 외부전원으로써 전지가 결합되는 외부전원단자, 여러개의 MOSFET를 포함하는 내부회로 및 상기 외부전원단자에 결합되고, 상기 외부전원에서 상기 내부회로에 공급되어야할 동작전압을 형성하는 내부전원수단을 포함하고, 상기 내부전원수단은 상기 외부전원단자에 결합되고, 상기 전지의 전압을 검출하는 검출수단, 상기 전지의 전압에 대해서 승압동작과 강압동작을 선택적으로 실행하는 전압변환수단, 상기 전압변환수단에서 출력된 전압에 따른 전압을 상기 동작전압으로써 상기 내부회로에 공급하는 공급수단, 상기 전압변환수단에 공급되는 클릭신호를 형성하는 클릭신호 형성수단 및 상기 클릭신호형성수단에 결합되고, 상기 공급수단에서 출력되는 상기 동작전압이 상기 내부회로에 요구되는 동작속도에 대응하는 전압으로 되도록 상기 형성되는 클릭신호의 주파수를 제어하는 제어수단을 포함하며, 상기 전압변환수단은 상기 검출수단으로부터의 검출출력에 따라서 상기 승압동작 및 강압동작중 하나를 선택하는 선택기능 및 선택된 동작을 클럭신호에 따라서 실행하는 변환실행기능을 포함하는 반도체집적회로장치.
제10항에 있어서, 상기 제어수단은 기준전압을 발생하는 기준전압발생수단 및 상기 기준전압과 상기 전압변환수단에서 출력되는 전압의 전위차에 따라서 상기 클릭신호형성수단에 의해 형성되는 클럭신호의 주파수를 변화시키는 수단을 포함하는 반도체집적회로장치.
제11항에 있어서, 상기 기준전압발생수단은 여러개의 MOSFET를 포함하고, 상기 MOSFET의 임계값전압에 따라서 상기 전지의 전압에서 상기 기준전압을 형성하는 반도체집적회로장치.
제11항에 있어서, 상기 기준전압발생수단은 상기 전지의 전압에서 정의 온도의존성을 갖는 전압을 형성하고, 상기 기준전압으로써 출력하는 반도체집적회로장치.
제10항에 있어서, 상기 제어수단은 소정의 주파수의 신호를 받고, 상기 공급수단에서 출력되는 동작전압에 의해서 동작하는 게이트회로 및 상기 게이트회로의 출력신호와 상기 소정의 주파수의 신호의 위상치에 따라서 상기 클럭신호형성수단에 의해 형성되는 클럭신호의 주파수를 변화시키는 수단을 포함하는 반도체집적회로장치.
제10항에 있어서, 상기 제어수단은 상기 공급수단에서 출력되는 동작전압에 의해서 동작하는 발진회로 및 상기 발진회로의 출력신호와 소정의 주파수의 신호의 위상차에 따라서 상기 클럭신호형성수단에 의해 형성되는 클럭신호의 주파수를 변화시키는 수단을 포함하는 반도체집적회로장치.
제10항에 있어서, 상기 공급수단은 상기 전압변환수단에서 출력된 전압을 받고, 상기 동작전압을 출력하는 전압폴로워회로를 포함하는 반도체집적회로장치.
제10항에 있어서, 상기 공급수단은 상기 전압변환수단에서 출력된 전압을 받고, 상기 동작전압을 출력하는 전압클램프회로를 포함하는 반도체집적회로장치.
제11항에 있어서, 상기 공급수단은 상기 기준전압발생수단에 의해 형성된 기준전압에 따른 전압으로 상기 전압변환수단에서 출력된 전압을 클램프하는 전압클램프회로를 포함하는 반도체집적회로장치.
요구되는 동작속도에 대응한 전원전압을 내부회로의 동작전압으로써 공급하는 반도체집적회로장치의 전원공급방법.
제19항에 있어서, 상기 동작전압은 상기 내부회로의 프로세스편차 및 상기 내부회로의 온도특성중 적어도 어느 하나를 보상하는 방법을 포함하는 반도체집적회로장치의 전원공급방법.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940014853A 1993-07-02 1994-06-27 반도체집적회로장치 및 그 전원공급방법 KR950004518A (ko)

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