KR950004119A - 자기기록매체 및 그의 제조방법과 자기기록 시스템 - Google Patents

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도모오 야마모또
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아끼라 오사끼
요시끼 가또
준 후미오까
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가나이 쯔또무
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Abstract

고밀도 자기기록에 적합한 자기기록매체, 그의 제조방법 및 그를 사용하는 자기기록 시스템에 관한 것으로, 고리드백 효율을 갖는 MR 헤드에 적합하고, 큰 폭의 사이드라이트 밴드 및 높은 S/N를 부여하는 자기기록매체를 제공하기 위해, 기록 방향으로 결정된 자성층의 잔류자속밀도Br1과 그의 전체 층의 두께δ와의 곱의 값 Br1δ은 5G㎛ 이상 180G㎛ 이하이고, 기판 평면에 평행한 방향과 기록 방향에 수직인 방향으로 결정된 잔류자속밀도 Br1대 Br2비 Br1/Br2는 1.3 이상 3 이하인 자기기록매체를 구비한다.
이러한 자기기록매체를 이용하는 것에 의해, 기판표면상에 텍스처 사이즈가 작아지므로, 높은 리드백 효율을 갖는 GMR 헤드용으로 채택되고 높은 S/N비를 부여하며 0.1㎛ 이하인 주행높이에서 GMR 헤드를 주행가능하게 하는 자기기록매체 및 그의 제조방법과 매체를 사용하는 소형 및 대용량의 자기기록 시스템을 제공할 수 있다는 효과가 얻어진다.

Description

자기기록매체 및 그의 제조방법과 자기기록 시스템
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 따른 박막 자기기록매체의 구조를 도시한 단면도, 제2도는 헤드주행방향에 수직인 방향의 1㎛의 거리에서 박막 자기기록매체의 기판표면상에 1nm~50nm의 깊이를 갖는 홈의 평균밀도 N과 잔류자속밀도의 헤드주행방향의 지향비 Br1/Br2와의 관계를 도시한 도면, 제3도는 박막 자기기록매체에 있어서의 잔류자속밀도의 헤드주행방향의 지향비 Br1/Br2와 MR헤드를 사용하는 것에 의해 결정되는 S/N과의 관계를 도시한 도면.

Claims (46)

  1. 비자성 기판과 상기 비자성 기판 상에 마련된 적어도 하나의 자성층을 포함하는 자기기록매체로서, 기록 방향으로 결정된 자성층의 잔류자속밀도 Br1과 그의 전체 층의 두께δ와의 곱의 값 Br1δ은 5G㎛ 이상 180G㎛ 이하이고, 상기 기판 평면에 평행한 방향과 기록 방향에 수직인 방향으로 결정된 잔류자속밀도 Br1대 Br2비 Br1/Br2는 1.3 이상 3 이하인 자기기록매체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 자성층의 전체 층의 두께 δ는 5nm 이상 60nm 이하이고, 그의 포화보자력은 1800 Oe 이상 3500 Oe 이하인 자기기록매체.
  3. 제1항에 있어서, 상기 자성층 상에 마련된 적어도 하나의 보호층을 또 포함하는 자기기록매체.
  4. 제3항에 있어서, 상기 기록 방향에 수직인 방향으로 결정된 상기 보호층의 표면상의 평균 거칠음 계수 Ra는 0.3nm 이상 3nm 이하인 자기기록매체.
  5. 제3항에 있어서, 상기 보호층의 표면은 상기 자성층의 표면보다 표면 거칠음이 큰 자기기록매체.
  6. 제1항에 있어서, 상기 기록 방향에 수직인 방향으로 결정된 상기 자성층의 표면상의 평균 거칠음 계수 Ra는 0.3nm 이상 1.9nm 이하인 자기기록매체.
  7. 제1항에 있어서, 상기 비자성 기판은 기록 방향에 따른 표면상에 마련된 1nm 이상 50nm 이하의 깊이의 홈을 갖는 자기기록매체.
  8. 제7항에 있어서, 1㎛의 기록 방향에 수직인 방향의 거리에 있어서 홈의 평균밀도의 값 N은 0.3 이상 100 이하인 자기기록매체.
  9. 제1항에 있어서, 적어도 상기 자성층에 인접한 자성층과 비자성 기판 사이에 금속 하층이 마련되는 자기기록매체.
  10. 제9항에 있어서, 상기 금속 하층은 Cr,Mo,W,Nb 및 Ta 또는 이들 금속의 적어도 하나를 포함하는 합금으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 하나의 금속을 포함하고, 5nm 이상 500nm 이하의 두께를 갖는 자기기록매체.
  11. 제9항에 있어서, 상기 금속 하층은 적어도 2층막으로 구성되고, 상기 기판 측의 막은 Zr,Si,Ti,Sc,Al,C,Ge,Sb,Ga,Ru,Pd,V,Nb,Hf,Rh,Ni-P 및 Ni-B 또는 이들 금속의 적어도 하나를 포함하는 합금으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 하나의 금속을 포함하는 자기기록매체.
  12. 제11항에 있어서, 상기 2층막의 상기 자성층 측의 막은 Cr,Mo,W,Nb 및 Ta 또는 이들 금속의 적어도 하나를 포함하는 합금으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 하나의 금속을 포함하는 자기기록매체.
  13. 제1항에 있어서, 상기 자성층은 여러개의 막으로 구성되고, 각각의 2개의 막의 사이에는 Cr,Mo,W,V,Ta,Nb,Zr,Ti,B,Be,C,Ni-P 및 Ni-B으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 하나의 금속을 포함하는 비자성 중간층이 마련되고, 상기 중간층은 0.5nm 이상 5nm 이하인 막 두께를 갖는 자기기록매체.
  14. 제1항에 있어서, 상기 자성층의 자화용이축은 대략 기판 평면 방향으로 지향하는 자기기록매체.
  15. 제14항에 있어서, 상기 자성층은 육방구조를 가지며, 그 자화용이축은 c축인 자기기록매체.
  16. 제1항에 있어서, 상기 자성층은 Co-Cr-Ta합금, Co-Cr-Ni합금, Co-Cr-Pt합금, Co-Ni-Zr합금, Co-Ni-Pt합금 또는 Co-Cr-Pt-Si합금을 포함하는 자기기록매체.
  17. 비자성 기판을 준비하는 제1의 스텝, 아르곤 가스를 사용하여 상기 바자성 기판을 플라즈마 에칭하는 제2의 스텝과 상기 비자성 기판 상에 자성층을 형성하는 제3의 스텝을 포함하는 청구범위 제1항의 자기기록매체의 제조방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 제2의 스텝은 30mW/㎠ 이상 1000mW/㎠ 이하의 플라즈마 출력 밀도의 조건 하에서 실행되는 자기기록매체의 제조방법.
  19. 제17항에 있어서, 상기 제2의 스텝은 고주파 플라즈마를 사용하여 실행되는 자기기록매체의 제조방법.
  20. 제17항에 있어서, 상기 제3의 스텝은 상기 비자성 기판에 10V 이상 500V 이하의 역 바이어스 전압을 인가하는 조건 하에서 실행되는 자기기록매체의 제조방법.
  21. 제17항에 있어서, 상기 제2의 스텝은 실행후 및 상기 제3의 스텝의 실행 전에 상기 비자성 기판 상에 금속 하층을 형성하는 스텝을 또 포함하는 자기기록매체의 제조방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 금속 하층의 형성 스텝은 상기 비자성 기판에 10V 이상 500V 이하의 역 바이어스 전압을 인가하는 조건 하에서 실행되는 자기기록매체의 제조방법.
  23. 적어도 하나의 자기기록매체, 자기기록매체를 구동하는 자기기록매체 구동부, 신호를 상기 기록매체에 기록, 또는 상기 자기기록매체에서 재생하는 적어도 하나의 자기헤드, 상기 자기헤드를 구동하는 적어도 하나의 자기헤드 구동부 및 리드/라이트 신호처리 시스템을 포함하는 자기기록 시스템으로서, 상기 자기헤드는 자기저항 리드부를 갖고, 상기 자기기록매체 구동부는 자기헤드의 특성에 따라 0.02㎛ 이상 0.1㎛ 이하의 범위 내로 자기헤드의 주행높이를 제어하는 구동부이고, 상기 자기기록매체는 청구범위 제1항에 따른 자기기록매체인 자기기록 시스템.
  24. 제23항에 있어서, 상기 리드/라이트 신호처리 시스템은 100kBPI 이상 300kBPI 이하의 범위 내로 상기 자기기록매체의 선형기록밀도를 제어하는 처리 시스템인 자기기록 시스템.
  25. 제24항에 있어서, 상기 리드/라이트 신호처리 시스템은 3.5kTPI 이상 30kTPI 이하의 범위 내로 상기 자기기록매체의 기록트랙밀도를 제어하는 처리 시스템인 자기기록 시스템.
  26. 비자성 디스크 기판과 그 사이에 배치된 적어도 하나의 하층을 거쳐서 상기 비자성 기판 상에 형성된 적어도 하나의 자성층을 포함하는 자기기록매체로서, 기록 방향으로 결정된 자성층의 잔류자속밀도Br과 상기 자성층의 전체 층 두께δ와의 곱의 값 Brδ은 5G㎛ 이상 80G㎛ 이하이고, 상기 매체의 이방성 자계 Hk의 값은 7kOe 이상 20kOe 이하인 자기기록매체.
  27. 제26항에 있어서, 상기 Brδ은 5G㎛ 이상 30G㎛ 이하인 자기기록매체.
  28. 제26항에 있어서, 보자력은 1000 Oe 이상 3500 Oe 이하인 자기기록매체.
  29. 제26항에 있어서, 상기 자성층 결정의 입자경계 폭은 0.5nm 이상 5nm 이하인 자기기록매체.
  30. 제26항에 있어서, 상기 자성층은 대략 육방결정 구조를 가지며, 상기 자성층의 c축은 대략 기판 평면 방향으로 지향하고, 상기 육방 시스템의 격자정수c의 길이 대 a의 길이의 비 c/a의 값은 1.3 이상 1.6 이하인 자기기록매체.
  31. 제26항에 있어서, 상기 자성층은 대략 육방결정 구조를 가지며, 상기 자성층 결정에서 면심입방격자를 형성하는 적층결함의 밀도는 5% 이하인 자기기록매체.
  32. 제26항에 있어서, Ar,Xe 및 Kr에서 선택된 적어도 하나의 원소는 상기 자성층 또는 상기 하층 내에 0.01% 이상 5% 이하의 원자농도로 존재하는 자기기록매체.
  33. 제26항에 있어서, 상기 자성층은 Cr,Mo,W,V,Ta,Nb,Zr,Ti,B,Be,C,Ni-P 및 Ni-B으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 하나의 부재를 포함하는 비자성 중간층을 거쳐서 2층 이상의 자성막인 다층 구조로 구성되고, 상기 중간층은 각각의 2층 사이에 배치되고 0.5nm 이상 5nm 이하의 층 두께를 갖는 자기기록매체.
  34. 제26항에 있어서, 상기 기록 방향에 수직인 방향으로 결정된 상기 자성층의 표면의 평균 거칠음 계수 Ra는 0.3nm 이상 1.9nm 이하인 자기기록매체.
  35. 제26항에 있어서, 상기 기록 방향에 수직인 방향으로 결정된 상기 보호층의 표면상의 평균 거칠음 계수 Ra는 0.3nm 이상 3nm 이하인 자기기록매체.
  36. 제26항에 있어서, 상기 기록 방향에 수직인 방향으로 결정된 상기 보호층의 표면상의 평균 거칠음 계수 Ra는 0.3nm 이상 3nm 이하인 자기기록매체.
  37. 제26항에 있어서, Cr,Mo,W,Nb 및 Ta를 포함하고 Ti,Pt,Pd,Si,Fe,V,Ru,P 및 B에서 선택된 적어도 하나의 원소를 부가하여 된 합금 하층은 상기 자성층에 인접한 자성층과 상기 비자성 기판 사이에 형성되고, 상기 하층은 5nm 이상 500nm 이하의 두께를 갖는 자기기록매체.
  38. 제26항에 있어서, 상기 하층은 적어도 2개의 비자성층으로 구성되고, 상기 기판 측의 하층은 Zr,Si,Ti,Sc,Al,C,Ge,Sb,Ga,Ru,Pd,V,Nb,Ta,Hf,Rh,Ni-P 및 Ni-B 또는 이들 금속의 적어도 하나를 포함하는 합금으로 형성되는 자기기록매체.
  39. 제26항에 있어서, 상기 자성층은 Co-Cr-Ta합금, Co-Cr-Ni합금, 또는 Co-Cr-Pt합금을 포함하는 자기기록매체.
  40. 제26항에 있어서, 상기 기판은 Al-Mg합금, 화학강화글라스, 유기 수지, Ti,Si, 카본 또는 TiO2및 SiC등의 세라믹을 포함하는 자기기록매체.
  41. 스퍼터링 수단에 의해 비자성 디스크 기판 상에 자성층을 형성하는 스텝을 포함하는 청구범위 제26항의 자기기록매체의 제조방법으로서, 상기 스텝에서 10V 이상 500V 이하의 역 바이어스 전압이 상기 비자성 디스크 기판에 인가되는 자기기록매체의 제조방법.
  42. 스퍼터링 수단에 의해 비자성 디스크 기판 상에 비자성 물질을 포함하는 하층을 형성하는 제1의 스텝, 스퍼터링 수단에 의해 상기 스텝에서 형성된 하층 상에 자성층을 형성하는 제2의 스텝을 포함하는 청구범위 제26항의 자기기록매체의 제조방법으로서, 상기 제1의 스텝 및 제2의 스텝에서 10V 이상 500V 이하의 역 바이어스 전압이 상기 비자성 기판에 인가되는 자기기록매체의 제조방법.
  43. 적어도 하나의 자기기록매체, 자기기록매체 구동수단, 리드 수단으로서 거대 자기저항 효과 센서를 갖는 적어도 하나의 자기헤드, 적어도 하나의 자기헤드 구동수단 및 적어도 하나의 리드/라이트 신호처리 수단에 포함하는 자기기록 시스템으로서, 자기헤드의 주행높이는 0.1㎛ 이하이고, 기록 방향으로 결정된 상기 자기기록매체 내의 자성층의 잔류자속밀도Br과 상기 자성층의 전체 층의 두께δ와의 곱의 값 Brδ은 5G㎛ 이상 80G㎛ 이하이고, 상기 기록매체의 이방성 자계Hk의 값은 7kOe 이상 20kOe 이하인 자기기록 시스템.
  44. 제43항에 있어서, 상기 자기기록매체의 선형기록밀도는 150kBPI 이하인 자기기록 시스템.
  45. 제43항에 있어서, 상기 자기기록매체의 기록트랙밀도는 10kTPI 이하인 자기기록 시스템.
  46. 청구범위 제26항에 따른 자기기록매체, 자기기록매체 구동수단, 자기기록재생부를 갖는 적어도 하나의 자기헤드, 적어도 하나의 자기헤드 구동수단 및 적어도 하나의 리드/라이트 신호처리 수단을 포함하는 자기기록 시스템.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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