JPH02198030A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、特に垂直磁気記録方式に適した磁気記録媒体
の製造方法に関するものである。

（従来の技術） 垂直磁気記録方式は、高密度磁気記録に適した方式とし
て注目されており、この方式に適した磁気記録媒体の研
究開発が盛んに行われている。

この垂直磁気記録方式に用いられる磁気記録媒体は、情
報の記録が膜面に垂直に磁化されて行われるものである
。よって、この磁気記録媒体は、膜面に垂直方向の磁気
異方性を持つものでなければならず、しかも、その垂直
方向の磁気異方性が強いものでなければならない。

特に、浮上式のリング型ヘッドを用いて記録再生するタ
イプのリジッドディスクの場合にあっては、垂直方向の
磁気異方性の強い条件がより一層必要とされている。

そして、このような垂直磁気異方性を強くして高密度記
録を達成するためには、Ｃ軸分散角Δθ５ｏを小さくす
ることが必須用件であると言われている。

このＣ軸分散角Δθ５ｏが小さな磁気記録媒体を得るた
めに、従来より、様々な研究開発が行われている。その
内の一つの大きな流れとして、磁性膜の下地膜に対する
研究がある。

磁性膜の垂直磁気異方性は、磁性膜の成長具合（結晶配
向性）によって大きく左右され、その成長具合は、磁性
膜が成長するベースとなる下地膜の表面形態によって大
きく左右されるであろうと考えられている。それで、磁
性膜の下地膜に対する研究が、盛んに行われてきたので
ある。

このような研究の結果、磁性膜の下地膜として、例えば
Ｔｉ膜が提案（小林和雄他、東北大通研シンポジウム［
垂直磁気記録Ｊ　１９８２年３月、１７７〜１８７頁）
されたり、Ｔａ膜が提案（Ｈ，Ｓ、Ｇ１１ｌ　ｅｔ　ａ
ｌ。

ＩＥＥＥ　ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ　ＯＮ　ＨＡＧＮ
ＥＴＩＣ３，Ｖｏｌ、ＨＡＧ−２０゜Ｎｏ、５，５ｅｐ
ｔ、１９８４　、　７７６〜７７８頁）されたり、ある
いは、Ｇｅ膜が提案（本多幸雄他、電子通信学会論文誌
、８６／１シｏ１．Ｊ　６９−ＣＮｃ　ｔ、８５〜９２
頁）されたりしている。

（発明が解決しようとする課題） しかし、これらの提案による磁気記録媒体にあっても、
そのＣ軸分散角Δθ５ｏが５　ｄｅｇ程度であり、充分
に小さなものであるとは言えなかった。

さらに、下地膜を設けるためには専用の成膜源（スパッ
タリングの場合はターゲット）が必要であり、成膜装置
や製造工程の複雑化を招いていた。

（課題を解決するための手段） そこで、上記課題を解決するために本発明は、基板を約
２０Å以上エツチングする工程と、そのエツチングが行
われた面を、水及び有機溶剤のどちらか一方で湿らせた
繊維素材を用いて、所定の圧力でラッピングし、その後
乾燥させる工程と、 そのラッピングが行われた面にＣＯ系磁性膜を成膜する
工程とより成る磁気記録媒体の製造方法を提供するもの
である。

（実　施　例） 本発明は、基板上に下地膜を設けることなく、磁性膜の
Ｃ軸分散角Δθ５ｏ（以下Δθ５ｏと記すこともある）
を非常に小さくできる、磁気記録媒体の製造方法である
。

以下に、この発明を実施例によって詳細に説明する。第
１図は、本発明になる磁気記録媒体の製造方法の一実施
例を示す図である０本実施例の製造工程は（イ）→（ロ
）→（ハ）である。

（イ）プラズマエツチング工程（後述の表１中での略号
Ｅ） ガラス基板（ＣＯＲＮＩＮＧ　＃０３１７）のエツチン
グを、ＡｒガスによるＲＦスパッタエツチングで行う０
条件は以下の通りである。

Ａ「ガス圧：　５〜１０１１ＴＯｒｒ 電力密度：　　０．４Ｗ　（ＩＩＦ）／−時　　間：５
分（エツチング量約３００人）なお、プラズマエツチン
グは、上記方法以外にも、反応性プラズマエツチング、
イオン・ボンバード等のグロー放電を利用したエツチン
グであればよい。

また、エツチング量は３００人でなくても、２０Å以上
であればよい、（既に、実験で確められている。） （ロ）ラッピング工程　（略号Ｒ） 工程（イ）を終了したエツチング面を、次に示す溶液の
内の１つを用いてラッピングする。

■　超純水　　　　　　　　　　　（略号Ｗ）■　イソ
プロピルアルコール（有機溶剤）（略号１） ■　フロリナート（フロン系溶剤）　（略号ｆ）■　メ
タクリア、　ＣＬ５５１３　（界面活性剤）（略号ｍ） これらの溶液を、それぞれ別々のカーゼ（旭化成、ベン
コツト）につけ、０゜１ｋｇ／−以上の圧力で、エツチ
ングの終了した基板面をこする。溶液として■、■を用
いた場合は、こすった後、そのまま乾燥させ、溶液とし
て■、■を用いた場合は、超純水ですすいだ後、乾燥さ
せる。なお、溶液を浸すものは、カーゼ以外に、基板を
傷付けない繊維質の紙や布でもよい。

（ハ）スパッタリング工程 ＤＣマグネトロンスパッタにより、工程（ロ）終了後の
基板上に、ＣｏＣｒ　（磁性膜）を０．５μＩ成膜する
０条件は以下の通りである。

ターゲット：　ＣｏＣｒ１７ｗｔ％含Ｃｒ１７ｗｔ％ｒ
ガス圧：　　２．５〜３．Ｏ１′１Ｔｏｒｒ投入電カニ
１日 スパッタレート：０．１１μｌ／分 基板温度：２００℃ なお、成膜方法は、スパッタリングでなくとも、真空蒸
着、イオンブレーティングなどのドライプロセスによる
成膜法であればよい。また、成膜物質もＣ０Ｃｒニ限定
されるもノテなく　、ＣｏＶ　、　Ｃｏｃｏ。

ＣｏＷ　、　ＣｏＲｕ等のｈｃｐ構造を有するＣＯ系物
質であればよい。

次に、比較例の製造方法の工程（ニ）について説明する
。

（ニ）超音波洗浄工程　（略号Ｕ） 工程（イ）終了後のエツチング面を、前述の工程（ロ）
に示した各溶液■〜■中で、１０分間超音波洗浄を行う
、溶液■、■を使用した場合は、洗浄後、そのまま乾燥
させ、溶液■、■を使用した場合は、超純水ですすいで
から乾燥させる。

この比較例は、工程（イ）→工程（ニ）→工程（ハ）よ
り成る。

上述の実施例及び比較例の製造方法によって作製した各
磁気記録媒体のＣ軸分散角Δθ５゜を調べたので、その
結果を表１に示す、Δθ５ｏが小さいほど、その磁性膜
の結晶配向性は良好であり、垂直磁気異方性が強い、Ｃ
軸分散角Δθ５０の測定は、Ｘ線回折装置によりＣｏｆ
ＯＱ２）面からの反射によるロッキングカーブを測り、
その半値幅を求めることによって行った。

また、表中の製造工程欄の記号は、前述の製造工程の説
明文中に略号として記載した記号と一致させである０例
えば、“ＥｗＲ”は、プラズマエ・ｙチング工程Ｅ後に
、水Ｗを用いたラッピング工程Ｒを経て、磁気記録媒体
が製造されたことを示す。

さらに、表中に、他の比較例として、基板を無処理のま
ま磁性膜を成膜させたもの、基板をプラズマエツチング
処理のみして磁性膜を成膜させたもの、基板をエツチン
グせずラッピング処理のみして磁性膜を成膜させたもの
の値も示した。

（以下余白） 表　　１ 本印は、プラズマエツチング後、５日間放置してから、
後処理を行ったことを示す０本印のないものは、放置は
１日以内。

この表１かられかるように、実施例の製造方法（プラズ
マエツチング後の放置は１日以内）によれば、Ｃ軸分散
角へ〇５ｏが約３　ｄｅｌ；ｌと小さな値の磁気記録媒
体が得られる。これに対して、比較例の製造方法による
磁気記録媒体は、Δθ５ｏが大きく、垂直磁気異方性の
弱いものとなっている。

ここで、この実施例の製造方法が、Δθ５ｏを改善した
理由について述べる。

無処理の基板表面には多量の汚染物質が付着しており、
この汚染物質が従来のＣｏＣｒ磁性膜の結晶配向性を乱
していた（Δθ５ｏを大きくしていた）と考える。そこ
で、まずプラズマエツチング工程（イ）を設けて、その
汚染物質を除去する。しかし、この工程（イ）において
は、同時に、基板ホルダ等からスパッタされた物質が、
基板表面に再付着する虞があり、工程（イ）だけでは、
汚染物質を除去しきれないことがあった。そこで、さら
にラッピング工程（ロ）を設けて、基板表面上に再付着
した汚染物質を完全に除去する。こうして得た付着物の
ないクリーンな基板表面上に、磁性膜を成膜することに
より、磁性膜の結晶配向性が改善され、Ｃ軸分散角Δθ
５ｏが小さくなったと考える。

次に、本発明者が先に出願した特願昭６１−９４６３６
号「磁気記録媒体」　（以下先願と記す）に示したΔθ
５ｏの値と、本願の比較例（表１の製造工程Ｅ）に示し
たΔθ５ｏの値との相違について説明する。

先願の磁気記録媒体は、本願でのプラズマエツチング工
程（イ）＋スパッタリング工程（ハ）によって製造した
ものである。先願では、上記工程によって得た磁気記録
媒体のΔθ５ｏは約３　ｄｅｏ前後であった。一方、本
願の表１に示した、先願と同一工程によって得た磁気記
録媒体のΔθ５ｏは、先願よりも大きく、４　ｄｅｏ以
上（表１の製造工程Ｅ参照）であった、この違いは、先
願と本願とで、磁性膜成膜時のスパッタ条件が異なって
いるために発生したものである。同じ表面処理を施した
基板を用いても、スパッタ条件が異なれば、得られるΔ
θ５ｏの値も当然違ってくる。今回、先願とスパッタ条
件を変えたのは、磁性膜の保磁力（Ｈｃ）を高くするな
めである。以下の表２にスパッタ条件の違いをまとめて
みる。

表　　２ このような磁性膜の保磁力を高くするための条件の変更
は、一般的にΔθ５ｏを大きくしてしまう。

このため、本願の比較例に示したΔθ５ｏの値の方が、
先願に示した値よりも大きくなっている。

しかし、本願の実施例により得た磁気記録媒体のΔθ　
は、先願で得た磁気記録媒体のΔθ５ｏと同程度に小さ
い、さらに、この実施例で得た磁気記録媒体は、前述し
たように、保磁力が優れており、先願の磁気記録媒体よ
りも、記録再生特性が総合的に上回っている。

（発明の効果） 以上の通り、本発明になる磁気記録媒体の製造方法は、
基板表面のエツチング工程後に、さらに基板表面をラッ
ピングする工程を設けたので、その基板表面に付着して
いる汚染物質をほぼ完全に除去できる。よって、磁性膜
の結晶配向性が良好となり、Ｃ軸分散角Δθ５ｏが十分
に小な値となる。

従って、垂直磁気異方性が強力になり、高密度記録に好
適な磁気記録媒体が得られる。

さらに、この発明によれば、Ｃ軸分散角Δθ５゜を犠牲
にすることなく、磁性膜のの保磁力をより高くできるの
で、従来のもの以上に記録再生特性に優れた磁気記録媒
体が得られる。

また、この発明は、下地膜を成膜する工程を省けるので
、成膜装置及び成膜工程の簡略化が計れる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明になる磁気記録媒体の製造方法の一実施
例を示す図である。 ↑ 特許出願人　　日本ビクター株式会社 代表者　垣本邦夫

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 基板を約２０Å以上エッチングする工程と、そのエッチ
   ングが行われた面を、水及び有機溶剤のどちらか一方で
   湿らせた繊維素材を用いて、所定の圧力でラッピングし
   、その後乾燥させる工程と、 そのラッピングが行われた面にＣｏ系磁性膜を成膜する
   工程とより成る磁気記録媒体の製造方法。