JPH0355887B2 - - Google Patents
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- JPH0355887B2 JPH0355887B2 JP57047672A JP4767282A JPH0355887B2 JP H0355887 B2 JPH0355887 B2 JP H0355887B2 JP 57047672 A JP57047672 A JP 57047672A JP 4767282 A JP4767282 A JP 4767282A JP H0355887 B2 JPH0355887 B2 JP H0355887B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本発明は、磁気記録媒体の製造方法に係り、磁
気記録媒体を配置した真空容器内にホウ素含有ガ
ス及び窒素含有ガスを導入し、プラズマCVD法
を用いて磁気記録媒体の強磁性層上に窒化ホウ素
を主成分とする保護膜を形成することにより、ヘ
ツドクラツシユ防止効果が極めて大きく、耐久性
の優れた磁気記録媒体を、能率良く製造し得る製
造方法を提供できるようにしたものである。
気記録媒体を配置した真空容器内にホウ素含有ガ
ス及び窒素含有ガスを導入し、プラズマCVD法
を用いて磁気記録媒体の強磁性層上に窒化ホウ素
を主成分とする保護膜を形成することにより、ヘ
ツドクラツシユ防止効果が極めて大きく、耐久性
の優れた磁気記録媒体を、能率良く製造し得る製
造方法を提供できるようにしたものである。
＜従来の技術＞
近年、従来の塗布型磁気記録媒体とは異なり、
スパツタ、蒸着等のように、非磁性基体上に直接
強磁性層を形成する方法により、磁気記録媒体を
製造する方法が検討されている。このようにして
得られた磁気記録媒体、例えば磁気デイスクは、
従来の塗布型の磁気デイスクとは比較にならない
程の高記録密度（50KBPI以上）を達成すること
が可能である。しかし、この種の磁気デイスクに
おいては、磁気記録媒体と磁気ヘツドとの接触に
より磁性膜が破壊される、所謂ヘツドクラツシユ
の問題が塗布型の磁気デイスクに比べて生じ易
く、商品化上の一つの問題になつている。
スパツタ、蒸着等のように、非磁性基体上に直接
強磁性層を形成する方法により、磁気記録媒体を
製造する方法が検討されている。このようにして
得られた磁気記録媒体、例えば磁気デイスクは、
従来の塗布型の磁気デイスクとは比較にならない
程の高記録密度（50KBPI以上）を達成すること
が可能である。しかし、この種の磁気デイスクに
おいては、磁気記録媒体と磁気ヘツドとの接触に
より磁性膜が破壊される、所謂ヘツドクラツシユ
の問題が塗布型の磁気デイスクに比べて生じ易
く、商品化上の一つの問題になつている。
また、記録密度が高くなる程、磁気記録媒体と
磁気ヘツドとの間のスペーシングを小さくする必
要があるが、一方では、スペーシングが小さくな
るにつれてヘツドクラツシユの問題が生じ易くな
る。従つて、ヘツドクラツシユの問題を解決する
ことは、今後、磁気記録媒体の記録密度を高める
上で非常に重要なことである。
磁気ヘツドとの間のスペーシングを小さくする必
要があるが、一方では、スペーシングが小さくな
るにつれてヘツドクラツシユの問題が生じ易くな
る。従つて、ヘツドクラツシユの問題を解決する
ことは、今後、磁気記録媒体の記録密度を高める
上で非常に重要なことである。
上記のヘツドクラツシユの問題を解決するた
め、例えばSiO2、TiO2、Si3N4、WC、TiC、
SiC、B4C等の硬度の高い物質で成る保護膜を磁
性層の上に形成する方法（特公昭54−34602号、
特公昭55−39047号、特開昭53−21901号、特開昭
53−21902号等）が提案されている。
め、例えばSiO2、TiO2、Si3N4、WC、TiC、
SiC、B4C等の硬度の高い物質で成る保護膜を磁
性層の上に形成する方法（特公昭54−34602号、
特公昭55−39047号、特開昭53−21901号、特開昭
53−21902号等）が提案されている。
＜発明が解決しようとする課題＞
しかし、本発明者等が検討した結果では、上記
公知技術で開示された物質は硬度は高いが潤滑性
が良くないため、保護膜上に僅かでも突起がある
と、この突起により磁気記録媒体と磁気ヘツドと
の間で引掛りを生じ、そこから保護膜が剥離し、
延いてはそこから磁性層までも破壊されてしまう
ことが多かつた。
公知技術で開示された物質は硬度は高いが潤滑性
が良くないため、保護膜上に僅かでも突起がある
と、この突起により磁気記録媒体と磁気ヘツドと
の間で引掛りを生じ、そこから保護膜が剥離し、
延いてはそこから磁性層までも破壊されてしまう
ことが多かつた。
そこで、本発明の課題は、上述する従来の問題
点を解決し、潤滑性に優れ、ヘツドクラツシユ防
止効果が極めて大きく、耐久性の優れた磁気記録
媒体を、能率良く製造し得る製造方法を提供する
ことである。
点を解決し、潤滑性に優れ、ヘツドクラツシユ防
止効果が極めて大きく、耐久性の優れた磁気記録
媒体を、能率良く製造し得る製造方法を提供する
ことである。
＜課題を解決するための手段＞
上述した課題解決のため、本発明は、非磁性基
体上に強磁性層を設けた磁気記録媒体を、真空容
器内に配置し、 前記真空容器内にホウ素含有ガス及び窒素含有
ガスを導入し、 プラズマCVD法を用いて前記真空容器内の前
記磁気記録媒体の前記強磁性層上に窒化ホウ素を
主成分とする保護膜を形成すること を特徴とする。
体上に強磁性層を設けた磁気記録媒体を、真空容
器内に配置し、 前記真空容器内にホウ素含有ガス及び窒素含有
ガスを導入し、 プラズマCVD法を用いて前記真空容器内の前
記磁気記録媒体の前記強磁性層上に窒化ホウ素を
主成分とする保護膜を形成すること を特徴とする。
＜作用＞
本発明者等は上述する従来の問題点を解決すべ
く鋭意検討を重ねた結果、保護膜を形成する物質
の硬度が高いと言うことよりも、潤滑性に優れて
いることが、ヘツドクラツシユを防止する上でよ
り重要であることを見出し、本発明をなすに至つ
た。
く鋭意検討を重ねた結果、保護膜を形成する物質
の硬度が高いと言うことよりも、潤滑性に優れて
いることが、ヘツドクラツシユを防止する上でよ
り重要であることを見出し、本発明をなすに至つ
た。
強磁性層の上に形成される窒化ホウ素BNxを
主成分とする保護膜は、硬度が高いことは勿論で
あるが、潤滑性が特に優れている。このため、磁
気記録媒体と磁気ヘツドとの接触が非常に滑らか
に行なわれ、ヘツドクラツシユによる保護膜及び
磁性層の剥離、破壊等が非常に効果的に防止され
ることとなる。
主成分とする保護膜は、硬度が高いことは勿論で
あるが、潤滑性が特に優れている。このため、磁
気記録媒体と磁気ヘツドとの接触が非常に滑らか
に行なわれ、ヘツドクラツシユによる保護膜及び
磁性層の剥離、破壊等が非常に効果的に防止され
ることとなる。
窒化ホウ素BNxによる保護膜は、磁気記録媒
体を配置した真空容器内にホウ素含有ガス及び窒
素含有ガスを導入し、プラズマCVD法を用いて
形成する。プラズマCVD法は乾式プロセスであ
り、窒化ホウ素BNxによる保護膜を、能率よく、
簡単に形成できるから、工業的量産性に優れてい
る。
体を配置した真空容器内にホウ素含有ガス及び窒
素含有ガスを導入し、プラズマCVD法を用いて
形成する。プラズマCVD法は乾式プロセスであ
り、窒化ホウ素BNxによる保護膜を、能率よく、
簡単に形成できるから、工業的量産性に優れてい
る。
保護膜の形成方法としては、蒸着法、スパツタ
法またはCVD法等も考えられる。しかし、蒸着
法やスパツタ法の場合は、一旦、窒化ホウ素
BNxの母体を作成しなければならず、生産コス
トが割高になる欠点がある。また、CVD法の場
合は、被形成面を約1000℃程度まで加熱しなけれ
ばならず、その過程で磁気記録媒体の磁性層の結
晶粒が変形したりするため、不適当である。これ
に対し、プラズマCVD法は、室温〜300℃程度ま
での比較的低温の温度範囲で保護膜を形成するこ
とが可能であるから、生産性及び生産コストの両
面から大きなメリツトが得られる。
法またはCVD法等も考えられる。しかし、蒸着
法やスパツタ法の場合は、一旦、窒化ホウ素
BNxの母体を作成しなければならず、生産コス
トが割高になる欠点がある。また、CVD法の場
合は、被形成面を約1000℃程度まで加熱しなけれ
ばならず、その過程で磁気記録媒体の磁性層の結
晶粒が変形したりするため、不適当である。これ
に対し、プラズマCVD法は、室温〜300℃程度ま
での比較的低温の温度範囲で保護膜を形成するこ
とが可能であるから、生産性及び生産コストの両
面から大きなメリツトが得られる。
窒化ホウ素BNxにおけるｘは、プラズマCVD
法における原料ガスの比率、例えばB2H6とNH3
とを使用する場合にはB2H6とNH3との比率によ
り調整される。このｘの範囲が0.5〜1.5の範囲で
良好な潤滑性を示し、保護膜として使用すること
ができる。ｘ＝0.8〜1.2の範囲では特に良好な潤
滑性を示し、ヘツドクラツシユ防止効果が極めて
大きいため、この範囲に調整することが望まし
い。
法における原料ガスの比率、例えばB2H6とNH3
とを使用する場合にはB2H6とNH3との比率によ
り調整される。このｘの範囲が0.5〜1.5の範囲で
良好な潤滑性を示し、保護膜として使用すること
ができる。ｘ＝0.8〜1.2の範囲では特に良好な潤
滑性を示し、ヘツドクラツシユ防止効果が極めて
大きいため、この範囲に調整することが望まし
い。
また、保護膜の硬度を調節するために、Si、
Ｃ、Al、Ｐ等を、保護膜の潤滑性が損なわれな
い程度に加えても、本発明の効果は失われない。
Ｃ、Al、Ｐ等を、保護膜の潤滑性が損なわれな
い程度に加えても、本発明の効果は失われない。
以下実施例に基づき、本発明を更に具体的に説
明する。
明する。
実施例 １
第１図において、非磁性基体上にスパツタ法に
よりCo−Cr垂直磁化膜を0.5μｍの厚さで形成し
た磁気デイスク１を、真空容器２内の電極３上に
配置する。電極３はヒータ４により100℃程度に
加熱しておく。真空容器２内にはボンベ５から
H2ガスを、またボンベ６及び７からはミキサ８
を介してB2H6ガス及びNH3ガスをそれぞれ導入
してある。B2H6ガスとNH3ガスの混合ガスは電
極９に設けられた穴１０より真空容器２内に吹出
される。次いで、RF電源１１により電極３及び
電極９の間に13.56MHzの高周波を印加してプラ
ズマ放電を生じさせ、磁気デイスク１上に窒化ホ
ウ素BNxの保護膜を形成する。この保護膜の厚
さは500Åになるように調整する。
よりCo−Cr垂直磁化膜を0.5μｍの厚さで形成し
た磁気デイスク１を、真空容器２内の電極３上に
配置する。電極３はヒータ４により100℃程度に
加熱しておく。真空容器２内にはボンベ５から
H2ガスを、またボンベ６及び７からはミキサ８
を介してB2H6ガス及びNH3ガスをそれぞれ導入
してある。B2H6ガスとNH3ガスの混合ガスは電
極９に設けられた穴１０より真空容器２内に吹出
される。次いで、RF電源１１により電極３及び
電極９の間に13.56MHzの高周波を印加してプラ
ズマ放電を生じさせ、磁気デイスク１上に窒化ホ
ウ素BNxの保護膜を形成する。この保護膜の厚
さは500Åになるように調整する。
上記の手順に従つて、窒化ホウ素BNxのｘが
ｘ＝0.5〜1.5の範囲となるように、B2H6ガスと
NHガスの混合比率を変えながら、強磁性層の上
に窒化ホウ素BNxの保護膜を有する磁気デイス
ク１を作成した。そしてこの磁気デイスク１につ
いて８インチフロツピーデイスク用ドロツプアウ
ト試験機により1000万回パスまでの耐久性テスト
を行なつた。その結果を第２図に示す。第２図に
おいて、横軸は1000万回までのパス回数、縦軸は
ドロツプアウトの無いセクターの数を示す。な
お、最初の状態は27セクターである。
ｘ＝0.5〜1.5の範囲となるように、B2H6ガスと
NHガスの混合比率を変えながら、強磁性層の上
に窒化ホウ素BNxの保護膜を有する磁気デイス
ク１を作成した。そしてこの磁気デイスク１につ
いて８インチフロツピーデイスク用ドロツプアウ
ト試験機により1000万回パスまでの耐久性テスト
を行なつた。その結果を第２図に示す。第２図に
おいて、横軸は1000万回までのパス回数、縦軸は
ドロツプアウトの無いセクターの数を示す。な
お、最初の状態は27セクターである。
ｘ＝0.8〜1.2の範囲にある窒化ホウ素BNxの保
護膜を有する磁気デイスクについては、第２図の
線L1で示すように、1000万回パスまでドロツプ
アウトは見られなかつた。また、 0.5＜ｘ＜0.8の範囲及び 1.2＜ｘ≦1.5の範囲にある窒化ホウ素BNxの保
護膜を有する磁気デイスクについては、第２図の
線L2で示すように、100万回パス以上でドロツプ
アウトのあるセクターが１個または２個生じた。
護膜を有する磁気デイスクについては、第２図の
線L1で示すように、1000万回パスまでドロツプ
アウトは見られなかつた。また、 0.5＜ｘ＜0.8の範囲及び 1.2＜ｘ≦1.5の範囲にある窒化ホウ素BNxの保
護膜を有する磁気デイスクについては、第２図の
線L2で示すように、100万回パス以上でドロツプ
アウトのあるセクターが１個または２個生じた。
比較例 １
B2H6ガスをSiH4ガスに変えた以外は実施例１
と同じようにして、磁気デイスク１にSi3H4の保
護膜を形成し、実施例１と同様の耐久性テストを
行なつた。その結果を第２図の線L3で示す。こ
の結果から明らかなように、比較例１の場合は
1000回パス以上でドロツプアウトのあるセクター
が生じ始め、保護膜の耐久性が実施例１より劣る
ことがわかる。
と同じようにして、磁気デイスク１にSi3H4の保
護膜を形成し、実施例１と同様の耐久性テストを
行なつた。その結果を第２図の線L3で示す。こ
の結果から明らかなように、比較例１の場合は
1000回パス以上でドロツプアウトのあるセクター
が生じ始め、保護膜の耐久性が実施例１より劣る
ことがわかる。
比較例 ２
保護膜を持たない磁気デイスクについて上記と
同様の耐久性テストを行なつた。結果は第２図の
線L4で示すように、10回程度のパス回数で、ド
ロツプアウトの無いセクターの数は初期数27個の
半分以下に減少し、１万回パスに達する以前に全
てのセクターでドロツプアウトが見られるように
なつた。
同様の耐久性テストを行なつた。結果は第２図の
線L4で示すように、10回程度のパス回数で、ド
ロツプアウトの無いセクターの数は初期数27個の
半分以下に減少し、１万回パスに達する以前に全
てのセクターでドロツプアウトが見られるように
なつた。
＜発明の効果＞
以上述べたように、本発明は、非磁性基体上に
強磁性層を設けた磁気記録媒体を真空容器内に配
置し、真空容器内にホウ素含有ガス及び窒素含有
ガスを導入し、プラズマCVD法を用いて真空容
器内の磁気記録媒体の強磁性層上に窒化ホウ素を
主成分とする保護膜を形成するようにしたから、
強磁性層の上に、硬度が高く、かつ潤滑性の非常
に優れた保護膜を有し、ヘツドクラツシユ防止効
果が極めて大きく、耐久性の優れた磁気記録媒体
を、能率良く、簡単に製造し得る製造方法を提供
できる。
強磁性層を設けた磁気記録媒体を真空容器内に配
置し、真空容器内にホウ素含有ガス及び窒素含有
ガスを導入し、プラズマCVD法を用いて真空容
器内の磁気記録媒体の強磁性層上に窒化ホウ素を
主成分とする保護膜を形成するようにしたから、
強磁性層の上に、硬度が高く、かつ潤滑性の非常
に優れた保護膜を有し、ヘツドクラツシユ防止効
果が極めて大きく、耐久性の優れた磁気記録媒体
を、能率良く、簡単に製造し得る製造方法を提供
できる。
第１図は本発明に係る磁気記録媒体を製造する
プラズマCVD装置を示す図、第２図は磁気記録
媒体の耐久性テストの結果を示す図である。
プラズマCVD装置を示す図、第２図は磁気記録
媒体の耐久性テストの結果を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非磁性基体上に強磁性層を設けた磁気記録媒
体を、真空容器内に配置し、 前記真空容器内にホウ素含有ガス及び窒素含有
ガスを導入し、 プラズマCVD法を用いて前記真空容器内の前
記磁気記録媒体の前記強磁性層上に窒化ホウ素を
主成分とする保護膜を形成すること を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 ２ 前記ホウ素含有ガス及び前記窒素含有ガス
は、前記窒化ホウ素の化学式をBNxとしたとき、
ｘ＝0.5〜1.5の範囲となるように、その混合比率
を制御すること を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の磁気
記録媒体の製造方法。 ３ 前記ホウ素含有ガス及び前記窒素含有ガス
は、前記窒化ホウ素の化学式をBNxとしたとき、
ｘ＝0.8〜1.2の範囲となるように、その混合比率
を制御すること を特徴とする特許請求の範囲第２項に記載の磁気
記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57047672A JPS58164030A (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57047672A JPS58164030A (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34107390A Division JPH03259417A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58164030A JPS58164030A (ja) | 1983-09-28 |
| JPH0355887B2 true JPH0355887B2 (ja) | 1991-08-26 |
Family
ID=12781752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57047672A Granted JPS58164030A (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58164030A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4777068A (en) * | 1984-08-10 | 1988-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical recording medium |
| EP0369226B1 (en) * | 1984-10-22 | 1995-01-11 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium |
| US5268799A (en) * | 1989-02-27 | 1993-12-07 | Tdk Corporation | Magnetic recording and reproducing apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57181428A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-08 | Hitachi Maxell Ltd | Magnetic recording medium and its manufacture |
-
1982
- 1982-03-25 JP JP57047672A patent/JPS58164030A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57181428A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-08 | Hitachi Maxell Ltd | Magnetic recording medium and its manufacture |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58164030A (ja) | 1983-09-28 |
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