KR950001967A - 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로 및 방법 - Google Patents
반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로 및 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950001967A KR950001967A KR1019930010634A KR930010634A KR950001967A KR 950001967 A KR950001967 A KR 950001967A KR 1019930010634 A KR1019930010634 A KR 1019930010634A KR 930010634 A KR930010634 A KR 930010634A KR 950001967 A KR950001967 A KR 950001967A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- circuit
- signal
- circuit element
- element value
- opening
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 13
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims 4
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0207—Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/0802—Resistors only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 집적회로 내부의 회로소자값 조정회로와 방법에 관한 것으로, 소작개폐수단들과 개폐고정수단들을 구비하여 특정 회로소자값을 형성하기 위해 회로소자들을 제어신호에 따라 각각 개폐한 후 회로소자개폐수단들을 조합하여 두단자 사이의 특정 회로소자값 형성 후 상기 회로소자개폐수단들의 개폐를 고정하는 것으로, 각 회로소자를 고정하기 전에 정확하게 특정값과의 비교가 가능하고, 회로소자에 전기적인 충격을 가하지 않고 회로소자의 조정 및 고정을 가능하게 하여 회로소자의 열화를 막음으로써, 오차없이 정확하게 특정값과 일치하는 회로소자의 고정이 가능한 효과와 회로소자값 고정 후 사용자의 실수 및 정정기등의 전기적인 충격과 외부신호에 무관하고, 신호제어수단에 의해 회로소자의 조정 및 고정이 가능하게 하겨 손쉬운 회로소자값의 조정 및 고정이 가능하다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 반도체 집적회로의 회로소자값 조성회로도이다, 제4도는 회로소자값 고정 후 외부신호와 무관하게 동작하는 본 발명의 반도체 집적회로의 회로소자값 조성회로도이다.
Claims (31)
- 두 단자 사이에 결정된 특정 회로소자값을 형성하기 위해 적어도 한쌍의 회로소자를 구비하여 각 회로소자의 조합을 이용하는 회로에 있어서, 상기 회로소자들을 제어신호에 따라 각각 개폐하기 위한 소자개폐수단들; 및 상기 소자개폐수단들을 조합하여 두단자 사이의 특정회로소자값 형성 후 상기 소사개폐수단들의 개폐를 고정하는 방법으로, 각회로소자의 개폐를 고정하기 위한 개폐고정수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제1항에 있어서, 상기 각 회로소자개폐수단은 상기 각 회로소자와 병렬 접속되어 접속된 회로소자를 각각오픈 및 단락하는 스위칭수단; 상기 각 회로소자의 개폐신호에 따라 스위칭수단들을 개폐하는 스위칭 제어수단; 및 상기스위칭수단들이 "오프"될 때, 전압을 풀업하기 위한 제1풀업저항을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제2항에 있어서, 상기 스위칭수단은 씨모스 전송게이트로 구성 가능한 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제2항에 있어서, 상기 스위칭 제어수단은 모스트랜지스터로 구성 가능한 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제2항에 있어서, 상기 스위칭 제어수단은 바이폴라 트랜지스터로 구성 가능한 것을 특징으로 하는 반도체집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제1항에 있어서, 상기 각 개폐고정수단은 상기 각 스위칭수단 가운데 "온"으로 결정된 스위칭수단을 "온"으로고정하기 위한 소자고정신호를 발생하는 고정신호 발생수단; 및 상기 발새된 각 소자고정신호에 따라 오픈되어 온시키는신호를 연속적으로 공급하여 스위칭수단을 "온"으로 고정하기 위한 "온"신호 고정수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제6항에 있어서, 상기 고정신호 발생수단은, 일방이 전원과 접속되어 회로소자고정신호 발생에 따라 타방으로 회로소자고정을 위한 신호로 발생하여 공급하는 제2스위칭수단; 및 상기 소자고정신호와 소자개폐신호를 입력으로하여 상기 개폐신호가 개일 때 상기 제2스위칭수단을 구동하는 부정논리곱수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제7항에 있어서, 상기 제2스위칭수단은 씨모스 전송게이트로 구성 가능한 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제6항에 있어서, 상기 각" 온"신호 고정수단은 상기 제2스위칭수단에 의해 공급되는 전원에 의해 오픈되어접지와 차단하는 제1프로그램수단; 상기 제1프로그램수단들의 오픈에 따라 상기 전압을 풀업하기 위한 제2풀업저항; 상기제2풀업저항들에 의해 공급되는 전압을 파형정형하여 출력하는 파형정형수단; 및 상기 파형정형수단의 출력신호에 따라구동되어 일방의 단자와 접속된 접지와 타방단자로 경로를 형성하는 방법으로 스위칭수단을 "온"하는 신호를 공급하는 "온"신호 공급수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제9항에 있어서, 상기 제1프로그램수단은 전기적으로 프로그램되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제9항에 있어서, 상기 제1프로그램수단은 메탈로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제9항에 있어서, 상기 제1프로그램수단은 제너다이오드로 구성가능한 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제9항에 있어서, 상기 파형정형수단은 직렬접속되는 두개의 인버터를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제9항에 있어서, 상기 "온"신호 공급수단은 모스트랜지스터로 구성 가능한 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제9항에 있어서, 상기 "온"신호 공급수단은 바이폴라 트랜지스터로 구성 가능한 것을 특징으로 하는 반도체집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제1항에 있어서, 상기 본 발명의 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로는 특정값의 조정 및 고정이 요구되는 반도체 집적회로의 특정저항값의 조정 및 고정이 가능한 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제1항에 있어서, 상기 본 발명의 반도체 집적회로의 회로소자값 조성회로는 특정값의 조정 및 고정이 요구되는 반도체 집적회로의 특정 커패시터값의 조정 및 고정이 가능한 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값조정회로.
- 두 단자 사이에 결정된 특정 회로소자값을 형성하기 위해 적어도 한쌍의 회로소자를 구비하여 각 회로소자의 조합을 이용하는 회로의 회로소자들을 제어신호에 따라 각각 개폐하기 위한 소자개폐수단을, 및 상기 소자개폐수단들을 조합하여 두단자 사이의 특정회로소자값 형성 후 상기 소자개폐수단들의 개폐를 고정하는 방법으로, 각 회로소자의개폐를 고정하기 위한 개폐고정수단들을 구비하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로에 있어서, 상기 회로소자 고정후 모든 전기적인 신호를 차단하기 위한 신호차단수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값조정회로.
- 제18항에 있어서, 상기 신호차단수단은 신호차단을 위한 신호차단 제어신호 발생시 구동되어 일방의 전원을 타방단자로 공급하기 위한 제3스위칭수단; 상기 제3스위칭수단에 의해 공급되는 전원에 의해 오픈되어 접지와 차단되는 제2프로그램수단; 상기 제2프로그램수단의 오픈에 따라 상기 전압을 풀업하기 위한 제3풀업저항; 상기 풀업된 전압을신호차단신호로 형성하기 위한 제1인버터; 및 상기 신호차단신호와 개폐신호를 입력으로 하여 신호차단신호 발생시 개폐신호에 무관한 신호를 발생하여 상기 부정논리곱수단들의 개폐신호 입력단자로 공급하는 논리곱수단들을 구비하는 것을특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제19항에 있어서, 상기 제3스위칭수단은 씨모스 전송게이트로 구성 가능한 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제19항에 있어서, 상기 제3스위칭수단은 상기 신호차단신호를 반전하여 출력하는 제2인버터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제19항에 있어서, 상기 제2프로그램 수단은 전기적으로 프로그램되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제19항에 있어서, 상기 제2프로그램수단은 메탈로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제19항에 있어서, 상기 제2프로그램수단은 제너다이오드로 구성가능한 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 두 단자 사이에 결정된 특정 화로소자값을 형성하기 위해 적어도 한쌍의 회로소자를 구비하여 각 회로소자의 조합을 이용하는 회로의 회로소자들을 제어신호에 따라 각각 개폐하기 위한 소자개폐수단들, 상기 소자개폐수단들을조합하여 두단자 사이의 특정 회로소자값 형성 후 상기 소자개폐수단들의 개폐를 고정하는 방법으로, 각 회로소자의 개폐를 고정하기 위한 개페고정수단들, 및 상기 회로소자 고정 후 모든 전기적인 신호를 차단하기 위한 신호차단수단을 구비하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로에 있어서, 상기 두 단자 사이의 회로소자값의 조정 및 고정을 위한 신호를제어하기 위한 신호제어수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제25항에 있어서, 상기 신호제어수단은 반도체 집적회로 외부에서 각 회로소자의 개폐를 제어하여 특정회로소자값을 구하기 위한 신호를 제어하는 마이컴; 및 상기 마이컴으로부터 직렬입력되는 각 회로소자의 개폐신호를 입력으로 하여 개폐신호에 대응하는 스위칭수단을 병렬 제어하기 위한 신호변환수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 반도체 집적회로 내의 두 단자 사이에 결정된 특정회로소자값을 형성하기 위해 적어도 하나 이상의 회로소자를 이용하는 회로의 회로소자들을 제어신호에 따라 각각 개폐하기 위한 회로소자 개폐수단들, 상기 회로소자 개폐수단들을 조합하여 두단자 사이의 특정 회로소자값 형성 후 상기 회로소자 개폐수단들의 개폐를 고정하는 방법으로 각 회로소자의 개폐를 고정하기 위한 개폐고정수단들, 회로소자 고정 후 모든 전기적인 신호를 차단하기 위한 신호차단수단, 및상기 두 단자 사이의 회로소자값의 조성 및 고정을 위한 신호를 제어하기 위한 신호제어수단을 구비하는 반도체 집적회로내부의 회로소자값 조성 및 고정방법에 있어서, 특정값으로 설정되어야 하는 두 단자 사이의 특정 회로소자값을 입력하는특정값 입력단계; 상기 회로소자 개폐신호를 이용하여 각 회로소자를 개폐하는 방법으로 회로소자의 값을 조합하면서 상기 두 단자 사이에 변동하는 회로소자의 값을 특정값과 비교하여 상기 특정값과 동일한 값을 형성하는 회로소자값 형성단계; 상기 형성된 회로소자값에 대응하는 회로소자들을 개폐하는 신호를 발생하는 회로소자 제어신호발생단계; 상기 신호발생에 따라 각 회로소자 개폐 후 회로소자 개폐를 고정하기 위한 회로소자고정 제어신호 발생단계; 및 상기 회로소자 고정 후 신호를 차단하기 위한 신호차단 제어신호 발생단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값조정방법.
- 제27항에 있어서, 상기 회로소자값 형성단계는 각 회로소자를 조합하기 위한 신호를 출력하는 조합신호출력단계; 싱기 출력된 조합신호에 따라 두 단자 사이에 형성되는 회로소자값을 입력하는 회로소자값 입력단계; 및 상기두 단계의 반복에 의해 실행되는 회로소자 조합의 종료를 판단하기 위한 조합종료 판단단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정방법.
- 두단자 사이에 결합된 적어도 한쌍의 회로소자 및 프로그램수단을 포함하며 상기 각 프로그램수단의 온/오프 프로그램에 따라 상기 두단자 사이의 회로소자값을 원하는 값으로 조정하기 위한 회로소자값 조정회로에 있어서, 적어도 한 비트이상의 데이타신호를 게이트신호에 따라 각 비트별로 게이트하기 위한 적어도 하나 이상의 게이트수단들; 조정모드에서는 상기 데이타신호를 통과시키고 조정완료 제어신호에 응답하여 제1프로그램소자를 프로그램하여 상기 데이타신호를 차단시키도록 상기 게이트신호를 발생하는 제1프로그램 회로수단; 상기 조정모드의 소자값 세팅시에는 세팅제어신호와 상기 각 게이트수단을 통과한 데이타신호에 응답하여 제2프로그램소자를 프로그램하여 세팅신호를 발생하는 적어도하나이상의 제2프로그램 회로수단들; 상기 각 게이트수단을 통과한 데이타신호와 상기 제2프로그램 회로수단에서 발생된세팅신호에 응답하여 스위치 구동신호를 발생하는 적어도 하나이상의 스위치구동수단들; 및 상기 각 스위구동수단에서 발생되는 스위치 구동신호에 응답하여 스위치 온/오프 동작되고 상기 적어도 하나이상의 회로소자와 쌍을 이루는 적어도 하나이상의 스위칭수단들을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조성회로.
- 제29항에 있어서, 상기 제1 및 제2프로그램소자들은 전기적으로 프로그램되는 것을 특징으로 하는 반도체집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 두단자 사이에 결합된 적어도 한쌍의 회로소자 및 프로그램수단을 포함하며 상기 프로그램수단은 온/오프프로그램에 따라 상기 두 단자사이의 회로소자값을 원하는 값으로 조정하기 위한 회로소자 조정방법에 있어서, 상기 두단자 사이의 회로소자값이 원하는 값이 될때까지 외부 데이타신호를 변화시켜서 상기 두단자 사이의 회로소자값을 조정하는단계; 상기 조정단계에서 원하는 값으로 상기 프로구램수단들의 조정이 완료되면 외부 세팅신호를 상기 프로그램수단들에인가하여 상기 각 회로소자와 쌍을 이루는 제1프로그램소자들을 동시에 프로그램해서 원하는 값을 세팅하는 단계; 및 상기 세팅단계가 완료되면 외부 조정완료신호를 인가해서 제2프로그램소자를 프로그램하여상기 외부 데이타신호가 상기 프로그램수단에 공급되지 않도록 차단하는 조정완료단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930010634A KR960011261B1 (ko) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | 반도체집적회로의회로소자값조정회로및방법 |
US08/258,103 US5450030A (en) | 1993-06-11 | 1994-06-10 | Circuit for adjusting a circuit parameter of a circuit |
JP12929294A JP3502442B2 (ja) | 1993-06-11 | 1994-06-10 | 半導体集積回路の回路素子値調整回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930010634A KR960011261B1 (ko) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | 반도체집적회로의회로소자값조정회로및방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950001967A true KR950001967A (ko) | 1995-01-04 |
KR960011261B1 KR960011261B1 (ko) | 1996-08-21 |
Family
ID=19357240
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019930010634A KR960011261B1 (ko) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | 반도체집적회로의회로소자값조정회로및방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5450030A (ko) |
JP (1) | JP3502442B2 (ko) |
KR (1) | KR960011261B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000063492A (ko) * | 2000-07-18 | 2000-11-06 | 김병출 | 챠콜(숯) 파스 |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0738408A (ja) * | 1993-07-19 | 1995-02-07 | Sharp Corp | バッファ回路 |
US5793247A (en) * | 1994-12-16 | 1998-08-11 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Constant current source with reduced sensitivity to supply voltage and process variation |
US5581209A (en) * | 1994-12-20 | 1996-12-03 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Adjustable current source |
US5589794A (en) * | 1994-12-20 | 1996-12-31 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Dynamically controlled voltage reference circuit |
KR0146203B1 (ko) * | 1995-06-26 | 1998-12-01 | 김광호 | 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로 |
KR100188104B1 (ko) * | 1995-11-30 | 1999-06-01 | 김광호 | 퓨징시스템을 이용한 주파수변조신호 출력회로 |
KR0172346B1 (ko) * | 1995-12-20 | 1999-03-30 | 김광호 | 반도체 장치의 전압클램프회로 |
US5672994A (en) * | 1995-12-21 | 1997-09-30 | International Business Machines Corporation | Antifuse circuit using standard MOSFET devices |
JP3163031B2 (ja) * | 1997-03-28 | 2001-05-08 | 三洋電機株式会社 | トリミング回路 |
US6108804A (en) | 1997-09-11 | 2000-08-22 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for testing adjustment of a circuit parameter |
DE19755384C2 (de) * | 1997-12-12 | 2000-05-04 | Siemens Ag | System zum Trimmen elektronischer Bauelemente oder Sensoren |
DE19825159A1 (de) * | 1998-06-05 | 1999-12-09 | Bosch Gmbh Robert | Elektronische Schaltung |
EP0986105B1 (en) * | 1998-09-07 | 2005-11-30 | STMicroelectronics S.r.l. | Electronic circuit for trimming integrated circuits |
US6346427B1 (en) | 1999-08-18 | 2002-02-12 | Utmc Microelectronic Systems Inc. | Parameter adjustment in a MOS integrated circuit |
EP1120828B1 (en) * | 2000-01-28 | 2005-04-06 | STMicroelectronics S.r.l. | Method and circuit to perform a trimming phase on electronic circuits |
JP4743938B2 (ja) * | 2000-06-12 | 2011-08-10 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置 |
JP4629192B2 (ja) * | 2000-07-07 | 2011-02-09 | 富士通セミコンダクター株式会社 | トリミング回路、調整回路及び半導体装置 |
JP4869483B2 (ja) * | 2001-01-19 | 2012-02-08 | オーツー マイクロ, インコーポレーテッド | 集積回路をトリミングするための回路および方法 |
US6535735B2 (en) * | 2001-03-22 | 2003-03-18 | Skyworks Solutions, Inc. | Critical path adaptive power control |
FR2842917B1 (fr) * | 2002-07-29 | 2005-02-11 | St Microelectronics Sa | Dispositif et procede d'ajustement d'un parametre de fonctionnement d'un circuit electronique analogique |
US6703885B1 (en) * | 2002-09-18 | 2004-03-09 | Richtek Technology Corp. | Trimmer method and device for circuits |
US7173489B1 (en) | 2003-08-25 | 2007-02-06 | Marvell Semiconductor, Inc. | Programmable gain voltage buffer |
JP4596848B2 (ja) * | 2004-08-04 | 2010-12-15 | 三洋電機株式会社 | 周波数補正回路 |
KR100743994B1 (ko) * | 2005-09-14 | 2007-08-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 내부 전압 제어 장치 |
US7443227B2 (en) * | 2006-08-30 | 2008-10-28 | Phison Electronics Corp. | Adjusting circuit |
US7446612B2 (en) * | 2006-09-08 | 2008-11-04 | Skyworks Solutions, Inc. | Amplifier feedback and bias configuration |
US7696826B2 (en) * | 2006-12-04 | 2010-04-13 | Skyworks Solutions, Inc. | Temperature compensation of collector-voltage control RF amplifiers |
KR100855983B1 (ko) * | 2007-02-27 | 2008-09-02 | 삼성전자주식회사 | 수직하게 적층된 캐패시터층들을 구비한 반도체 소자의캐패시턴스 트리밍회로 |
JP6822027B2 (ja) * | 2016-09-15 | 2021-01-27 | 富士電機株式会社 | トリミング装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5047664A (en) * | 1989-07-21 | 1991-09-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Trimming circuit |
US5361001A (en) * | 1993-12-03 | 1994-11-01 | Motorola, Inc. | Circuit and method of previewing analog trimming |
-
1993
- 1993-06-11 KR KR1019930010634A patent/KR960011261B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-06-10 JP JP12929294A patent/JP3502442B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-06-10 US US08/258,103 patent/US5450030A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000063492A (ko) * | 2000-07-18 | 2000-11-06 | 김병출 | 챠콜(숯) 파스 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5450030A (en) | 1995-09-12 |
JPH07142678A (ja) | 1995-06-02 |
KR960011261B1 (ko) | 1996-08-21 |
JP3502442B2 (ja) | 2004-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR950001967A (ko) | 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로 및 방법 | |
US5111081A (en) | Process compensated input switching threshold of a CMOS receiver | |
US7378878B2 (en) | Driver circuit having programmable slew rate | |
US6593795B2 (en) | Level adjustment circuit and data output circuit thereof | |
KR900005455A (ko) | 레벨 변환 기능을 갖는 출력버퍼회로 | |
KR970004302A (ko) | 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로 | |
KR920008742A (ko) | 저항 회로 분기용 다증 데이타 출력을 갖는 집적 회로 | |
US6531914B2 (en) | Internal voltage generation circuit | |
US3995232A (en) | Integrated circuit oscillator | |
KR0132781B1 (ko) | 최소한 하나의 푸쉬-풀 단을 갖는 집적회로 | |
US6914467B2 (en) | Dual edge programmable delay unit | |
US6982582B1 (en) | Simplified comparator with digitally controllable hysteresis and bandwidth | |
KR100338337B1 (ko) | 모드 설정 확정 신호 발생 회로 | |
US6542004B1 (en) | Output buffer method and apparatus with on resistance and skew control | |
JP3963421B2 (ja) | 制御発振システムとその方法 | |
US5473278A (en) | Filter circuit including a switch circuit inserted between input terminal and RC filter | |
US6121803A (en) | Pulse generator | |
KR970701948A (ko) | 신호 수신 및 신호 처리 유니트(signal peceiving and signal processing unit) | |
KR20000029074A (ko) | 듀티 사이클 제어 특성을 갖는 인버터 회로 | |
SU1762379A1 (ru) | Кварцевый генератор | |
KR100472729B1 (ko) | 데이터 출력버퍼 | |
KR960005319B1 (ko) | 프로그램어블 가변저항기 및 조정방법 | |
SU834841A1 (ru) | Генератор импульсов | |
KR970029748A (ko) | 반도체 장치의 기준전압 발생회로 | |
KR20000045278A (ko) | 프리세트기능을 갖는 출력버퍼회로 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080729 Year of fee payment: 13 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |