KR970004302A - 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로 - Google Patents
반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970004302A KR970004302A KR1019950017542A KR19950017542A KR970004302A KR 970004302 A KR970004302 A KR 970004302A KR 1019950017542 A KR1019950017542 A KR 1019950017542A KR 19950017542 A KR19950017542 A KR 19950017542A KR 970004302 A KR970004302 A KR 970004302A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- zapping
- circuit
- value
- output
- input
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/0802—Resistors only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
본 발명은 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로에 관한 것으로, 특히 일정 전류를 흘러주면 녹는 소자인 재핑(ZAPPING)소자를 이용하여 저항등의 수동소자 값을 사용자가 원하는 특정한 값으로 조정하는 회로소자값 조정회로에 관한것이다.
본 발명의 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로는 재핑을 실행하기 위한 재핑인에이블신호EN, 재핑데이타를 입력하기위한 다수의 입력신호 A1~An, 입력된 재핑데이타에 따라 재핑을 실행하는 다수의 재핑회로(100,200,300), 재핑실행후재핑이 정상적으로 실행된 경우 더 이상의 재핑이 실행되지 않도록 입력된 데이타를 차단하고 재핑의 정상여부를 알 수있는 모니터출력신호 MONB를 출력하는 입력신호차단회로(400), 다수의 재핑회로(100,200,300)로부터 출력되는 다수의제1제어신호들에 따라 X단과 Y단 사이에 사용자가 원하는 최적의 임피던스를 갖기 위하여 수동소자인 다수의 저항 R1~Rn과 각각의 저항에 병렬로 연결된 다수의 스윙칭수단S21~S2n으로 구성된 임피던스조정회로(500)로 구성되어 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로이다.
Claims (16)
- 전류가 흐르면 녹는 소자인 다수의 재핑소자를 이용하여 두 단자 사이에 결정된 회로소자값을 특정한 값으로 조정하기 위한 회로에 있어서, 입력신호를 반전시킨 신호를 수신하여 입력신호의 데이타값에 따라 상기의 재핑소자에전류를 흘려주어 재핑소자를 퓨징시키거나 전류를 흘려주지 않아 재핑소자가 퓨징되지 않게 하여 상기의 두 단자 사이의회로소자값을 조정하기 위한 제어신호를 출력하고, 상기의 재핑소자를 퓨징하고자 하는 경우 정상적으로 퓨징이 수행되었는지의 여부를 나타내는 재핑신호를 출력하는 적어도 한쌍의 재핑회로들; 상기의 제어신호들에 따라 상기의 두 단자 사이의 회로소자값을 조정할 수 있는 임피던스조정수단; 및 상기의 재핑신호들에 따라 상기의 재핑회로들의 입력신호들을 차단하는 모니터출력신호를 출력하는 입력신호차단수단을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제1항에 있어서, 상기의 재핑회로는 입력신호에 따라 재핑소자의 퓨징여부를 제어하는 제1스위칭제어수단;상기의 제1스위칭제어수단의 출력이 로우일 때 재핑소자가 퓨징되어 로우논리값을 출력하고 하이일 때 재핑소자가 퓨징되지 않아 하이 논리값을 출력하는 재핑블록; 입력신호를 반전시킨 신호와 상기의 모니터출력신호를 부정논리곱하는 제1낸드게이트수단; 상기의 재핑블록의 출력 및 상기의 제1낸드게이트수단의 출력을 수신하여 임피던스조정수단의 회로소자값을 특정한 임피던스값을 갖도록 제어하기 위한 상기의 제어신호들을 출력하는 제2스위칭제어수단; 상기의 재핑블록의 출력 및 상기의 제1낸드게이트수단의 출력을 수신하여 재핑소자의 퓨징여부가 정상적으로 수행될 때에는 로우논리값을 출력하고 비정상적으로 수행될 때에는 하이논리값을 출력하는 배타논리곱수단을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제2항에 있어서, 상기의 재핑블록은 상기의 제1스위칭제어수단의 출력이 로우일 때 단락되어 재핑소자에전류를 흘려주어 재핑소자를 퓨징시키고 하이일 때 개방되어 재핑소자가 퓨징되지 않도록 하는 제1스위칭수단; 재핑소자가 퓨징될 때 전압을 풀업(PULL-UP)하기 위한 풀업저항; 재핑소자가 퓨징될 때 로우논리값을 출력하고 퓨징되지 않을 때하이논리값을 출력하는 인버터수단을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제3항에 있어서, 상기의 재핑블록은 상기의 제1스위칭수단이 단락될 때 더 높은 전류를 재핑소자에 흐르게해 주는 바이폴라트랜지스터를 더 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제2항에 있어서, 상기의 제1스위칭제어수단은 부정논리곱수단으로 구성되고 부정논리곱수단의 제1입력은 재핑인에이블신호가 입력되고 제2입력은 입력신호를 반전시킨 신호가 입력되고 제3입력은 상기의 모니터출력신호가 입력되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제2항에 있어서, 상기의 제2스위칭제어수단은 논리곱수단으로 구성되고 논리곱수단의 제1입력은 상기의 재핑블록의 출력과 연결되고 제2입력은 상기의 부정논리곱수단의 출력과 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제3항에 있어서, 상기의 제1스위칭수단은 피모스트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제3항에 있어서, 상기의 제1스위칭수단은 씨모스전송게이트로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제1항에 있어서, 상기의 임피던스조정수단은 상기의 제어신호들에 따라 온 또는 오프 되는 제2스위칭수단들; 및 상기의 각각의 제2스위칭수단들과 병렬로 연결된 수동소자인 저항들로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제1항에 있어서, 상기의 임피던스조정수단은 상기의 제어신호들의 논리값에 따라 온 또는 오프 되는 제2스위칭수단들; 및 상기의 각각의 제2스위칭수단들과 병렬로 연결된 수동소자인 캐패시터들로 구성된 것을 특징으로 하는반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제1항에 있어서, 상기의 입력신호차단수단은 상기의 재핑신호들에 따라 재핑소자의 퓨징여부를 제어하는제3스위칭제어수단; 및 상기의 제3스위칭제어수단의 출력이 로우일 때 재핑소자가 퓨징되어 로우논리값을 출력하고 하이일 때 재핑소자가 퓨징되지 않아 하이 논리값을 출력하는 재핑블록을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제11항에 있어서, 상기의 재핑블록은 상기의 제3스위칭제어수단의 출력이 로우일 때 단락되어 재핑소자에전류를 흘려주어 재핑소자를 퓨징시키고 하이일 때 개방되어 재핑소자가 퓨징되지 않도록 하는 제3스위칭수단; 재핑소자가 퓨징될 때 전압을 풀업(PULL-UP)하기 위한 풀업저항; 재핑소자가 퓨징될 때 로우논리값을 출력하고 퓨징되지 않을 때 하이논리값을 출력하는 인버터수단을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제12항에 있어서, 상기의 재핑블록은 상기의 제3스위칭수단이 단락될 때 더 높은 재핑소자에 흐르게 해주는 바이폴라트랜지스터를 더 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제11항에 있어서, 상기의 제3스위칭제어수단은 상기의 재핑신호들을 수신하여 이들을 부정논리합하는 부정논리합수단; 및 상기의 부정논리합수단의 출력과 상기의 재핑인에이블신호가 입력되어 이들을 부정논리곱하는 제2낸드게이트로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제12항에 있어서, 상기의 제3스위칭수단은 피모스트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.
- 제12항에 있어서, 상기의 제3스위칭수단은 씨모스전송게이트로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950017542A KR0146203B1 (ko) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로 |
US08/671,146 US5767732A (en) | 1995-06-26 | 1996-06-24 | Circuit for permanently adjusting a circuit element value in a semiconductor integrated circuit using fuse elements |
JP16487496A JP3633110B2 (ja) | 1995-06-26 | 1996-06-25 | 半導体集積回路の回路素子値調整回路 |
CN96111021A CN1106693C (zh) | 1995-06-26 | 1996-06-26 | 半导体集成电路中调整电路元件值的电路和方法 |
DE19625661A DE19625661B4 (de) | 1995-06-26 | 1996-06-26 | Integrierte Halbleiterschaltung zum Einstellen eines Schaltungselementwerts |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950017542A KR0146203B1 (ko) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970004302A true KR970004302A (ko) | 1997-01-29 |
KR0146203B1 KR0146203B1 (ko) | 1998-12-01 |
Family
ID=19418362
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950017542A KR0146203B1 (ko) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5767732A (ko) |
JP (1) | JP3633110B2 (ko) |
KR (1) | KR0146203B1 (ko) |
CN (1) | CN1106693C (ko) |
DE (1) | DE19625661B4 (ko) |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2329289A (en) * | 1997-08-27 | 1999-03-17 | Ericsson Telefon Ab L M | Antifuse-controlled analogue circuit trimming with security locking antifuse |
KR100247937B1 (ko) * | 1997-11-12 | 2000-03-15 | 윤종용 | 퓨징 장치 |
KR100287541B1 (ko) | 1998-05-29 | 2001-04-16 | 윤종용 | 반도체 메모리 장치의 리던던시 디코더 인에이블회로 |
US6175261B1 (en) * | 1999-01-07 | 2001-01-16 | Texas Instruments Incorporated | Fuse cell for on-chip trimming |
US6346427B1 (en) | 1999-08-18 | 2002-02-12 | Utmc Microelectronic Systems Inc. | Parameter adjustment in a MOS integrated circuit |
US6388853B1 (en) * | 1999-09-28 | 2002-05-14 | Power Integrations, Inc. | Method and apparatus providing final test and trimming for a power supply controller |
KR100318432B1 (ko) * | 1999-10-30 | 2001-12-24 | 박종섭 | 집적 회로 카드에서 테스트 핀 및 퓨즈 핀을 공유하기 위한 공유 회로 |
JP4743938B2 (ja) * | 2000-06-12 | 2011-08-10 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置 |
US7459956B2 (en) * | 2004-05-05 | 2008-12-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Storing information with electrical fuse for device trimming |
US7505739B2 (en) * | 2004-11-12 | 2009-03-17 | Atheros Technology Ltd. | Automatic mode setting and power ramp compensator for system power on conditions |
US7375579B1 (en) * | 2005-08-04 | 2008-05-20 | National Semiconductor Corporation | Programming of fuse-based memories using snapback devices |
KR100743994B1 (ko) * | 2005-09-14 | 2007-08-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 내부 전압 제어 장치 |
US7443227B2 (en) * | 2006-08-30 | 2008-10-28 | Phison Electronics Corp. | Adjusting circuit |
GB2444740A (en) * | 2006-12-14 | 2008-06-18 | Cambridge Semiconductor Ltd | Trimming integrated circuits |
US8305829B2 (en) * | 2009-02-23 | 2012-11-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Memory power gating circuit for controlling internal voltage of a memory array, system and method for controlling the same |
US8305790B2 (en) * | 2009-03-16 | 2012-11-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Electrical anti-fuse and related applications |
US8957482B2 (en) * | 2009-03-31 | 2015-02-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Electrical fuse and related applications |
US8912602B2 (en) * | 2009-04-14 | 2014-12-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | FinFETs and methods for forming the same |
US8461015B2 (en) * | 2009-07-08 | 2013-06-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | STI structure and method of forming bottom void in same |
US9484462B2 (en) | 2009-09-24 | 2016-11-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Fin structure of fin field effect transistor |
US8298925B2 (en) | 2010-11-08 | 2012-10-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Mechanisms for forming ultra shallow junction |
US8759943B2 (en) | 2010-10-08 | 2014-06-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Transistor having notched fin structure and method of making the same |
US8264021B2 (en) * | 2009-10-01 | 2012-09-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Finfets and methods for forming the same |
US8980719B2 (en) | 2010-04-28 | 2015-03-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods for doping fin field-effect transistors |
US8264032B2 (en) * | 2009-09-01 | 2012-09-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Accumulation type FinFET, circuits and fabrication method thereof |
US8482073B2 (en) * | 2010-03-25 | 2013-07-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Integrated circuit including FINFETs and methods for forming the same |
US8629478B2 (en) * | 2009-07-31 | 2014-01-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Fin structure for high mobility multiple-gate transistor |
US8623728B2 (en) * | 2009-07-28 | 2014-01-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for forming high germanium concentration SiGe stressor |
US8472227B2 (en) * | 2010-01-27 | 2013-06-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Integrated circuits and methods for forming the same |
US8440517B2 (en) | 2010-10-13 | 2013-05-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | FinFET and method of fabricating the same |
US8497528B2 (en) | 2010-05-06 | 2013-07-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for fabricating a strained structure |
US20110097867A1 (en) * | 2009-10-22 | 2011-04-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of controlling gate thicknesses in forming fusi gates |
US9040393B2 (en) | 2010-01-14 | 2015-05-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of forming semiconductor structure |
CN102163604B (zh) * | 2010-02-23 | 2012-05-23 | 上海贝岭股份有限公司 | 一种电阻修正电路 |
US8179189B2 (en) * | 2010-03-11 | 2012-05-15 | Himax Analogic, Inc. | Trimming circuit |
TWI393235B (zh) * | 2010-03-25 | 2013-04-11 | Himax Analogic Inc | 調整電路 |
US8603924B2 (en) | 2010-10-19 | 2013-12-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods of forming gate dielectric material |
US9048181B2 (en) | 2010-11-08 | 2015-06-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Mechanisms for forming ultra shallow junction |
US8769446B2 (en) | 2010-11-12 | 2014-07-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and device for increasing fin device density for unaligned fins |
US8592915B2 (en) | 2011-01-25 | 2013-11-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Doped oxide for shallow trench isolation (STI) |
US8877602B2 (en) | 2011-01-25 | 2014-11-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Mechanisms of doping oxide for forming shallow trench isolation |
US8431453B2 (en) | 2011-03-31 | 2013-04-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Plasma doping to reduce dielectric loss during removal of dummy layers in a gate structure |
JP6822027B2 (ja) * | 2016-09-15 | 2021-01-27 | 富士電機株式会社 | トリミング装置 |
CN110967619B (zh) * | 2019-04-30 | 2021-10-22 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 检测电路、电路检测及控制方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62200804A (ja) * | 1986-02-27 | 1987-09-04 | Ricoh Co Ltd | プログラム可能なアナログ量素子をもつ半導体集積回路装置 |
US4935645A (en) * | 1988-03-02 | 1990-06-19 | Dallas Semiconductor Corporation | Fusing and detection circuit |
US4937465A (en) * | 1988-12-08 | 1990-06-26 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor fuse blowing and verifying method and apparatus |
US5327024A (en) * | 1992-07-02 | 1994-07-05 | Quicklogic Corporation | Field programmable antifuse device and programming method therefor |
KR950004858B1 (ko) * | 1992-03-17 | 1995-05-15 | 삼성전자 주식회사 | 내부전원전압 발생회로 |
KR960011261B1 (ko) * | 1993-06-11 | 1996-08-21 | 삼성전자 주식회사 | 반도체집적회로의회로소자값조정회로및방법 |
US5404049A (en) * | 1993-11-02 | 1995-04-04 | International Business Machines Corporation | Fuse blow circuit |
US5517455A (en) * | 1994-03-31 | 1996-05-14 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Integrated circuit with fuse circuitry simulating fuse blowing |
-
1995
- 1995-06-26 KR KR1019950017542A patent/KR0146203B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-06-24 US US08/671,146 patent/US5767732A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-25 JP JP16487496A patent/JP3633110B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-06-26 DE DE19625661A patent/DE19625661B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-06-26 CN CN96111021A patent/CN1106693C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR0146203B1 (ko) | 1998-12-01 |
JP3633110B2 (ja) | 2005-03-30 |
CN1147696A (zh) | 1997-04-16 |
DE19625661A1 (de) | 1997-01-02 |
DE19625661B4 (de) | 2008-11-20 |
US5767732A (en) | 1998-06-16 |
CN1106693C (zh) | 2003-04-23 |
JPH0951039A (ja) | 1997-02-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR970004302A (ko) | 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로 | |
US6459322B1 (en) | Level adjustment circuit and data output circuit thereof | |
US6147520A (en) | Integrated circuit having controlled impedance | |
US7378878B2 (en) | Driver circuit having programmable slew rate | |
US6087853A (en) | Controlled output impedance buffer using CMOS technology | |
US7528646B2 (en) | Electrically programmable fuse sense circuit | |
KR920008742A (ko) | 저항 회로 분기용 다증 데이타 출력을 갖는 집적 회로 | |
US20070103209A1 (en) | Apparatus and method for outputting data of semiconductor memory apparatus | |
US7254080B2 (en) | Fuse circuit and electronic circuit | |
US20100264970A1 (en) | Edge rate control for i2c bus applications | |
KR101497998B1 (ko) | 안티―퓨즈들을 프로그래밍하기 위한 방법 및 디바이스 | |
US6411159B1 (en) | Circuit for controlling current levels in differential logic circuitry | |
US7088150B2 (en) | Driver-side current clamping with non-persistent charge boost | |
US20040000944A1 (en) | Switching point detection circuit and semiconductor device using the same | |
KR100191880B1 (ko) | 거닝 트랜시버 논리의 출력 회로 | |
US7154318B2 (en) | Input/output block with programmable hysteresis | |
US7064595B2 (en) | Differential input receiver | |
KR970055534A (ko) | 제어되는 전이 시간 구동 회로를 포함한 집적 회로 | |
US7888967B2 (en) | Level translator circuit | |
JP3620975B2 (ja) | 半導体装置 | |
US6498510B2 (en) | Adaptive threshold logic circuit | |
KR20000021893A (ko) | 반도체 장치의 퓨징 회로 | |
JPH0522110A (ja) | 出力回路 | |
GB2329289A (en) | Antifuse-controlled analogue circuit trimming with security locking antifuse | |
JPH07146343A (ja) | 誤動作防止テスト回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120430 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130430 Year of fee payment: 16 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |