KR950001780A - 리던던시 장치를 가지는 반도체 메모리장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 노멀 메모리셀의 결함 메모리셀을 대체하기 위한 리던던트 메모리셀과 연결된 리던던트 워드라인 선택 구동 회로에 있어서, 게이트로 결함 메모리셀을 감지하는 어드레스 신호가 인가되는 트랜지스터 그리고 상기 트랜지스터와 직렬로 연결되어 있는 휴즈 회로 및 상기 휴즈 회로와 연결된 프리아차지 노드를 가지는 감지 회로와, 소정의 프리차아지 제어 신호에 응답하여 상기 프리차아지 노드에 프리차아지 전압을 공급하는 프리차아지 제어 회로와, 상기 플리차아지 노드와 상기 프리차아지 제어 수단 사이에 위치하는 스위칭 회로와, 상기 플리차아지 노드와 연결되며 리던던트 워드라인 구동 신호를 입력하여 상기 리던던트 워드라인을 구동하기 위한 구동회로을 구비함을 특징으로 하는 리던던트 워드라인 선택 구동 회로를 개시하고 있다. 본 발명에 의하여 리페어 효율이 향상되고, 반도체 메모리장치의 동작 속도가 향상되는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3 도는 제 2 도에 따른 각 신호의 인가 상태를 보이는 타이밍도, 제 4 도는 본 발명에 따른 리던던트 워드라인 선택 구동 회로를 보이는 도면.
Claims (7)
- 노멀 메모리셀의 결함 메모리셀을 대체하기 위한 리던던트 메모리셀과 연결된 리던던트 워드라인 선택구동 회로에 있어서, 게이트로 결함 메모리셀을 감지하는 어드레스 신호가 인가되는 트랜지스터, 상기 트랜지스터와 직렬로 연결되어 있는 휴즈, 회로 및 휴즈 회로와 연결된 프리차아지 노드를 가지는 감지 수단과, 소정의 프리차아지 제어 신호에 응답하여 상기 프리차아지 노드에 프리차아지 전압을 공급하는 프리차아지 제어수단과, 상기 프리차아지 노드와 상기 프리차아지 제어 수단 사이에 위치하는 스위칭 수단과, 상기 프리차아지 노드와 연결되며 리던던트 워드라인 구동 신호를 입력하여 상기 리던던트 워드라인을 구동하기 위한 구동 수단을 구비함을 특징으로 하는 리던던트 워드라인 선택 구동 회로.
- 제 1 항에 있어서, 선택된 리던던트 메모리셀에 결함이 있는 경우, 상기 스위칭수단을 차단하여 상기 리던던트 워드라인을 비활성화시키고, 다른 노멀 리던던트 메모리셀과 연결된 리던던트 워드라인을 활성화시킴을 특징으로 하는 리던던트 워드라인 선택 구동 회로.
- 제 2 항에 있어서, 상기 스위칭 수단을 폴리실리콘으로 만들어지는 퓨즈 회로임을 특징으로 하는 리던던트 워드라인 선택 구동 회로.
- 반도체 메모리 장치에 있어서, 복수개의 노멀 메모리셀을 가지는 노멀 메모리셀 어레이와, 상기 노멀메모리셀 어레이에 결함 메모리셀이 있는 경우 상기 결함 메모리셀을 대체하기 위한 복수개의 리던던트 메모리셀을 가지는 리던던트 메모리셀 어레이와, 상기 노멀 메모리셀 어레이의 노멀 메모리셀과 연결된 워드라인을 선택하고 구동하기 위한 제 1 워드라인 선택 구동 회로와, 상기 리던던트 메모리셀 어레이의 소정의 리던던트 메모리셀과 연결된 리던던트 워드라인을 선택하고 구동하기 위한 제 2 워드라인 선택 구동 회로와, 상기 리던던트 메모리셀 어레이에 결함 메모리셀이 있는 경우 상기 제 2 워드라인 선택 구동 회로를 비활성화하기 위한 회로를 구비하여, 선택된 리던던트 메모리셀에 결함이 있는 경우, 상기 제 2 워드라인 선택 구동 회로를 비활성하여 상기 리던던트 워드라인을 비활성화시키고, 다른 노멀 리던던트 메모리셀과 연결된 리던던트 워드라인을 활성화시킴을 특징으로 반도체 메모리장치.
- 제 4 항에 있어서, 상기 제 2 워드라인 선택 구동 회로는 게이트로 결함 메모리셀을 감지하는 어드레스신호가 인가되는 트랜지스터, 상기 트랜지스터와 직렬로 연결되어 있는 휴즈 회로 및 상기 휴즈 회로와 연결된 프리차아지 노드를 가지는 감지 수단과, 상기 프리차아지 노드와 연결되며 소정의 프리차아지 제어 신호와 전원전압을 입력하여 상기 프리차아지 노드의 전위를 제어하기 위한 프리차아지 제어수단과, 상기 프리차아지 노드와 연결되며 리던던트 워드라인 구동신호를 입력하여 상기 리던던트 워드라인을 구동하기 위한 구동 수단을 구비함을 특징으로 하는 리던던트 워드라인 선택 구동 회로.
- 제 5 항에 있어서, 상기 제 2 워드라인 선택 구동 회로를 비활성화하기 위한 수단은 상기 프리차아지 노드와 상기 프리차아지 제어 수단 사이에 위치함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제 5 항 또는 제 6 항의 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 워드라인 선택 구동 회로를 비활성화하기 위한 회로는 폴리실리콘으로 만들어지는 퓨즈회로임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930010142A KR960003404B1 (ko) | 1993-06-05 | 1993-06-05 | 리던던시 장치를 가지는 반도체 메모리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930010142A KR960003404B1 (ko) | 1993-06-05 | 1993-06-05 | 리던던시 장치를 가지는 반도체 메모리 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950001780A true KR950001780A (ko) | 1995-01-03 |
| KR960003404B1 KR960003404B1 (ko) | 1996-03-09 |
Family
ID=19356839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930010142A KR960003404B1 (ko) | 1993-06-05 | 1993-06-05 | 리던던시 장치를 가지는 반도체 메모리 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960003404B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100557712B1 (ko) * | 2004-11-10 | 2006-03-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리의 리페어 방법 및 장치 |
| KR100671597B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2007-01-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 워드라인 리페어 회로 |
-
1993
- 1993-06-05 KR KR1019930010142A patent/KR960003404B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100671597B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2007-01-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 워드라인 리페어 회로 |
| KR100557712B1 (ko) * | 2004-11-10 | 2006-03-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리의 리페어 방법 및 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960003404B1 (ko) | 1996-03-09 |
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