KR940016727A - 콘택홀에 선택적인 금속층 형성방법 - Google Patents
콘택홀에 선택적인 금속층 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 고집적반도체 소자의 콘택홀에 선택적인 금속층 형성방법에 관한것으로, 실리콘기판의 예정된 콘택영역에 접합층(Junction layer)을 형성하고 이 접합층에 선택적으로 제 1 금속층을 증착시키고, 절연막을 도포하고 제 1 금속층이 노출되는 콘택홀을 형성한 후 다시 선택적으로 제 2 금속층을 콘택홀에서 과도식각되는 문제와 금속층이 성장할 때 일어날 수 있는 실리콘소모를 효과적으로 해결할 수 있도록 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도 내지 제 4 도는 본 발명에 의해 예정된 콘택영역에 접합층을 형성하고, 접합층에만 선택적으로 제 1 금속층을 형성한 후 콘택홀을 형성하여 선택적으로 제 2 금속층을 증착하는 단계를 도시한 단면도.
Claims (3)
- 실리콘기판상부에 절연층을 도포하고, 절연층의 일정부분을 제거하여 하부 실리콘기판이 노출되는 다수의 콘택홀을 형성하고, 노출된 실리콘기판에 선택적으로 금속층을 증착시키는 방법에 있어서, 콘택홀의 크기와 깊이가 각각 다른 콘택홀에서 콘택홀 저부의 세척이 불량하거나 과도식각으로 하부실리콘기판이 손상되는 것을 방지하기 위하여, 실리콘기판의 예정된 콘택영역이 오픈된 감광막 패턴을 이용하여 접합층을 형성하고, 그 접합층에 선택적으로 제 1 금속층을 증착하는 단계다. 전체구조 상부에 절연층을 도포하고, 절연층의 일정부분을 식각하여 하부의 제 1 금속층이 노출된 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 노출된 제 1 금속층 상부에 선택적으로 제 2 금속층을 증착하는 단계로 이루어져 콘택홀을 금속층으로 매립하는 것을 특징으로 하는 콘택홀에 선택적으로 금속층 형성방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 금속층은 텅스텐막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 콘택홀에 선택적으로 금속층 형성방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 접합층을 형성한 다음, 염소 또는 불소가 함유된 개스 또는 액체로 세척하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 콘택홀에 선택적으로 금속층 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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1992
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| KR960010064B1 (ko) | 1996-07-25 |
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