KR940016598A - 폴리이미드를 이용한 비아콘택 형성방법 - Google Patents
폴리이미드를 이용한 비아콘택 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR940016598A KR940016598A KR1019920027063A KR920027063A KR940016598A KR 940016598 A KR940016598 A KR 940016598A KR 1019920027063 A KR1019920027063 A KR 1019920027063A KR 920027063 A KR920027063 A KR 920027063A KR 940016598 A KR940016598 A KR 940016598A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- via contact
- polyimide
- metal layer
- layer
- polyimide layer
- Prior art date
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 제조공정의 웨이퍼 상부에 제 1 금속층을 형성하고, 전체적으로 폴리이미드층을 도포한 다음, 콘택마스크를 이용하여 폴리이미드층을 제거하여 제 1 금속층이 노출된 비아콘택홀을 형성하는 단계와, 폴리이미드층을 큐어링하여 비아콘택홀 상부측벽이 라운드되게 한후, 제 2 금속층을 증착하여 제 1 금속층에 비아콘택 시키는 단계로 이루어지는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1E도는 종래기술에 의해 제 2 금속층을 제 1 금속층에 비아콘택시키는 단계를 도시한 단면도, 제2A도 내지 제2D도는 본 발명에 의해 제 2 금속층을 제 1 금속층에 비아콘택시키는 단계를 도시한 단면도.
Claims (2)
- 비아콘택 형성방법에 있어서, 웨이퍼 상부에 제 1금속층을 형성하고, 전체적으로 폴리이미드층을 도포한 다음, 콘택마스크를 이용하여 폴리이미드층을 제거하여 제 1 금속층이 노출된 비아콘택홀을 형성하는 단계와, 폴리이미드층을 큐어링하여 비아콘택홀 상부측벽이 라운드되게 한후, 제 2 금속층을 증착하여 제 1 속층에 비아콘택 시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리이미드를 이용한 비아콘택 형성방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 폴리이미드층을 큐어링하는 온도는 약 350℃인 것을 특징으로 하는 폴리이미드를 이용한 비아콘택 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920027063A KR940016598A (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 폴리이미드를 이용한 비아콘택 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920027063A KR940016598A (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 폴리이미드를 이용한 비아콘택 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940016598A true KR940016598A (ko) | 1994-07-23 |
Family
ID=67220036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920027063A KR940016598A (ko) | 1992-12-31 | 1992-12-31 | 폴리이미드를 이용한 비아콘택 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940016598A (ko) |
-
1992
- 1992-12-31 KR KR1019920027063A patent/KR940016598A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940016598A (ko) | 폴리이미드를 이용한 비아콘택 형성방법 | |
| KR890001168A (ko) | 반도체 장치에서의 절연산화물 형성방법 및 그 방법에 따라 제조된 반도체 장치 | |
| JPS5717148A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| DE69025939D1 (de) | Apparat und verfahren zur herstellung einer speicherzelle mit schwebendem gate und doppelter dielektrikumschicht | |
| KR970052878A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR970003458A (ko) | 미세 콘택홀의 형성방법 | |
| KR930024106A (ko) | 반도체 소자의 콘택형성방법 | |
| KR890017774A (ko) | 리프트 오프공정을 이용한 반도체장치의 제조방법 | |
| JPH04196152A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR900002449A (ko) | 반도체 소자의 콘택 배선방법 | |
| JPS5575241A (en) | Method of fabricating semiconductor device | |
| KR960026240A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 방법 | |
| JPS6471152A (en) | Formation of insulating film | |
| KR970052306A (ko) | 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 | |
| KR950001925A (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
| KR880007257A (ko) | 의사 스테인드 그라스 장식물과 그 제조방법 | |
| JPS63278349A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR890007384A (ko) | 반도체 다층 배선장치의 제조방법 | |
| KR960026159A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR970013023A (ko) | 반도체 장치의 콘택 홀 형성방법 | |
| KR960026372A (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
| KR970052621A (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
| KR970077495A (ko) | 트렌치 식각 공정을 적용한 필드 산화막의 형성 방법 | |
| KR900002418A (ko) | 접속창 채움방법 | |
| KR870006671A (ko) | 바이플러 더블메탈 공정에서의 제이금속층에 슬릿홀의 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |