KR970003458A - 미세 콘택홀의 형성방법 - Google Patents
미세 콘택홀의 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 미세 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판상의 제1절연막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계; 콘택홀이 형성된 상기의 절연막의 콘택홀 내부 및 주연부에 감광막을 도포하여 감광막으로 콘택홀을 매립하는 단계; 콘택홀을 매립하고 있는 감광막 부분중 일부분을 선택적으로 식각하여 제거하는 단계; 감광막이 제거되어 블랭크 상태로 있는 콘택홀의 부분에 제2절연막을 증착하는 단계; 제1절연막의 상부표면보다 높은 위치에 있는 감광막 및 제2절연막을 식각하여 제거하는 단계; 및 콘택홀 내에 여전히 매립되어 있는 잔류 감광막을 식각에 의해 제거하여 미세 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하여, 감소된 직경을 갖는 미세 콘택홀의 형성이 가능하므로 소자의 집적도의 증가가 가능해진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 (가) 내지 (마)는 본 발명의 일실시예에 따른 콘택홀의 형성 방법을 순차적으로 설명하기 위한 각제조공정에 있어서의 반도체소자의 요부 단면도.
Claims (6)
- 반도체소자에서 콘택홀을 형성하는 방법에 있어서, (가) 반도체기판상의 제1절연막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계; (나) 콘택홀이 형성된 상기의 절연막의 콘택홀 내부 및 주변부에 감광막을 도포하여 감광막으로 콘택홀을 매립하는 단계; (다) 콘택홀을 매립하고 있는 감광막 부분중 일부분을 선택적으로 식각하여 제거하는 단계; (라) 감광막이 제거되어 블랭크 상태로 있는 콘택홀의 부분에 제2절연막을 증착하는 단계; (마) 제1절연막의 상부표면보다 높은 위치에 있는 감광막 및 제2절연막을 식각하여 제거하는 단계; 및 (바) 콘택홀내에 여전히 매립되어 있는 잔류 감광막을 식각에 의해 제거하여 미세 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 콘택홀의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 형성된 미세 콘택홀의 직경이 0.35㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 미세 콘택홀의 형성방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 단계 (라)에서 제2절연막의 증착이 200℃ 이하의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 미세 콘택홀의 형성방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 단계 (마)에서 식각이 화학 기계적 연마법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 미세 콘택홀의 형성방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 단계 (바)에서 식각이 플라즈마 식각법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 미세 콘택홀의 형성방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 단계 (바)에서 식각이 케미컬 습식 식각법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 미세 콘택홀의 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950015176A KR100191709B1 (ko) | 1995-06-09 | 1995-06-09 | 미세 콘택홀의 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950015176A KR100191709B1 (ko) | 1995-06-09 | 1995-06-09 | 미세 콘택홀의 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003458A true KR970003458A (ko) | 1997-01-28 |
| KR100191709B1 KR100191709B1 (ko) | 1999-06-15 |
Family
ID=19416727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950015176A KR100191709B1 (ko) | 1995-06-09 | 1995-06-09 | 미세 콘택홀의 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100191709B1 (ko) |
-
1995
- 1995-06-09 KR KR1019950015176A patent/KR100191709B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100191709B1 (ko) | 1999-06-15 |
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