KR940012848A - 모스(mos) 전계 효과 트랜지스터를 구동하기 위한 회로 - Google Patents
모스(mos) 전계 효과 트랜지스터를 구동하기 위한 회로 Download PDFInfo
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Abstract
MOS 전계 효과 트랜지스터 (TO)를 게이트 제어하기 위한 회로가 방전 회로 (12)를 포함하고 이 회로를 통해 게이트-소스 캐패시턴스 (CGS)에 저장된 전하가 시정수에 따라 방전될 수 있고 시정수의 값이 상기 방전 회로 (12)의 내부 임피던스에 좌우된다. 이 방전 회로(12)는 큰 내부 임피던스 및 작은 내부 임피던스 각각에 의해 결정되는 두 상태 사이에서 스위치될 수 있고 게이트-소스 전압(UGS)가 소정의 값 이하로 강하하자마자 작은 내부 임피던스에 의해 정해지는 상태를 취한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터를 게이트 제어하기 위한 회로의 회로원리를 도시한 도면.
Claims (12)
- MOS 전계 효과 트랜지스터 (TO)의 게이트 전극 (G)와 소스 전극 (S)사이에 스위치 가능한 방전 회로 (12) 를 포함하는 금속 산화물 반도체 MOS 전계 효과 트랜지스터, 특히 전력 MOS 전계 효과 트랜지스터를 게이트 제어하는 것으로서, 상기스위치 가능한 방전회로 (12)를 통해 게이트-소스 캐패시턴스 (CGS)에서 유지되는 전하가 시정수 (t)에 따라 방전될 수 있고 이 시정수의 값이 상기 방전 회로 (12)의 내부 임피던스 (Zl)에 좌우되는 회로에 있어서, 상기 방전 회로 (12) 가 큰 내부 임피던스와 작은 내부 임피던스 (Zl)에 의해 결정되는 두 상태 사이에서 스위치가 가능하고, 게이트-소스 전압 (UGS)가 소정의 한계값 (UGSB) 이하로 강하하자마자 상기 방전회로가 상기 작은 내부 임피던스에 의해 결정되는 상태를 취하는 것을 특징으로 하는 MOS 전계 효과 트랜지스터를 게이트 제어하기 위한 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 방전 회로 (12)의 상기 내부 임피던스 (Zl)이 상기 게이트-소스 전압 (UGS)가 상기 소정의 한계값 (UGSB)이하인 경우에 제로영역에서의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 MOS 전계 효과 트랜지스터를 게이트 제어하기 위한 회로.
- 제1항 또는 제2항에 잇어서, 상기 게이트-소스 전압 (UGS)의 상기 소정의 제한 값(UGSB) 가 선택되어 상기 한계값 (UGSB)에 대승하는 트레인 전류 (ID)가 제로영역에서의 값을 취하는 것을 특징으로 하는 MOS 전계 효과 트랜지스터를 게이트 제어하기 위한 회로.
- 상기 항들 중 어느 한 항에 있어서, 상기 방전 회로 (12)가 병렬 회로로 된 2개의 전류 경로 (14, 16) 에 의해 형성되고, 상기 회로들 중 한 전류 경로 (14)는 상기 높은 임피던스 값을 나타내며, 작은 임피던스 값을 나타내는 상기 전류 경로 (16) 은 게이트-소스 전압 (UGS)가 상기 소정의 한계값 (UGSB)를 초과하자 마자 바이패스될 수 있는 것을 특징으로 하는 MOS 전계 효과 트랜지스터를 게이트 제어하기 위한 회로.
- 제4항에 있어서, 상기 방전 회로 (12)의 상기 작은 내부 임피던스를 결정하는 상기 전류 경로 (16)이 상기 게이트-소스 전압 (UGS)의 기능으로서 제어되는 전자 스위치 (N4)를 통해 폐쇄될 수 있는 것을 특징으로 하는 MOS 전계 효과 트랜지스터를 게이트 제어하기 위한 회로.
- 제5항에 있어서, 상기 전자 스위치 (N4)가 스위칭 트랜지스터 (N3)을 통해 제어될 수 있고, 상기 게이트 전극은 상기 큰 내부 임피던스를 결정하는 상기 전류경로 (14)의 분압기 (R1-R3)에서 탭될 수 있는 제어 전압 (Ust)를 수신하는 것을 특징으로 하는 MOS 전계 효과 트랜지스터를 게이트 제어하기 위한 회로.
- 제6항에 있어서, 상기 스위칭 트랜지스터 (N3)을 통해 다른 전자 스위치 (N5)가 제어될 수 있고, 상기 전자 스위치를 통해 상기 분압기 (R1-R3)에 할당된 저항기 (R3)이 상기 분압기 (R1-R3)에 인가된 게이트-소스 전압 (UGS)가 상기 소정의 한계값 (UGSB) 이하로 강하하자마자 상기 제어 전압 (Ust)를 감소시키도록 바이패스될 수 있는 것을 특징으로 하는 MOS 전계 효과 트랜지스터를 게이트 제어하기 위한 회로.
- 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 스위칭 트랜지스터(N3)이 정전류원 (18)에 접속되는 것을 특징으로 하는 MOS 전계 효과 트랜지스터를 게이트 제어하기 위한 회로.
- 상기 항들 중 어느 한 항에 있어서, 상기 방전 회로(12)가 방전 신호 (SE)의 기능으로서 제어될 수 있는 1개 이상의 전자 스위치 (N1, N2) 를 통해 상기 MOS전계 효과 트랜지스터(TO)에 할당될 수 있는 것을 특징으로 하는 MOS 전계 효과 트랜지스터를 게이트 제어하기 위한 회로.
- 제9항에 있어서, 상기 방전 회로(12)의 상기 2개의 병렬 회로로 된 전류 경로 (14, 16)의 각 경로에서 전자 스위치 (N1, N2) 각각이 상기 방전 신호(SE)를 통해 제어되도록 배열되는 것을 특징으로 하는 MOS 전계 효과 트랜지스터를 게이트 제어하기 위한 회로.
- 상기 항들 중 어느 한 항에 있어서, 상기 MOS전계 효과 트랜지스터(TO)의 상기 게이트 전극 (G)가 충전 저항기 (Rt)을 포함하는 충전 회로(20) 에 할당될 수 있는 것을 특징으로 하는 MOS 전계 효과 트랜지스터를 게이트 제어하기 위한 회로.
- 제11항에 있어서, 상기 충전회로(20)이, 상기 충전 신호(SL)의 기능으로서 제어될 수 있고 상기 충전 저항기 (Rl)과 직렬인 전자 스위치 (N6)을 통해 상기 MOS전계 효과 트랜지스터(TO)에 할당될 수 있는 것을 특징으로 하는 MOS 전계 효과 트랜지스터를 게이트 제어하기 위한 회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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