KR940012848A - 모스(mos) 전계 효과 트랜지스터를 구동하기 위한 회로 - Google Patents

모스(mos) 전계 효과 트랜지스터를 구동하기 위한 회로 Download PDF

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KR940012848A
KR940012848A KR1019930023182A KR930023182A KR940012848A KR 940012848 A KR940012848 A KR 940012848A KR 1019930023182 A KR1019930023182 A KR 1019930023182A KR 930023182 A KR930023182 A KR 930023182A KR 940012848 A KR940012848 A KR 940012848A
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바이엘 에릭
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윌리엄 이. 힐러
텍사스 인스트루먼츠 도이취랜드 게엠베하
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Abstract

MOS 전계 효과 트랜지스터 (TO)를 게이트 제어하기 위한 회로가 방전 회로 (12)를 포함하고 이 회로를 통해 게이트-소스 캐패시턴스 (CGS)에 저장된 전하가 시정수에 따라 방전될 수 있고 시정수의 값이 상기 방전 회로 (12)의 내부 임피던스에 좌우된다. 이 방전 회로(12)는 큰 내부 임피던스 및 작은 내부 임피던스 각각에 의해 결정되는 두 상태 사이에서 스위치될 수 있고 게이트-소스 전압(UGS)가 소정의 값 이하로 강하하자마자 작은 내부 임피던스에 의해 정해지는 상태를 취한다.

Description

모스(MOS) 전계 효과 트랜지스터를 구동하기 위한 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터를 게이트 제어하기 위한 회로의 회로원리를 도시한 도면.

Claims (12)

  1. MOS 전계 효과 트랜지스터 (TO)의 게이트 전극 (G)와 소스 전극 (S)사이에 스위치 가능한 방전 회로 (12) 를 포함하는 금속 산화물 반도체 MOS 전계 효과 트랜지스터, 특히 전력 MOS 전계 효과 트랜지스터를 게이트 제어하는 것으로서, 상기스위치 가능한 방전회로 (12)를 통해 게이트-소스 캐패시턴스 (CGS)에서 유지되는 전하가 시정수 (t)에 따라 방전될 수 있고 이 시정수의 값이 상기 방전 회로 (12)의 내부 임피던스 (Zl)에 좌우되는 회로에 있어서, 상기 방전 회로 (12) 가 큰 내부 임피던스와 작은 내부 임피던스 (Zl)에 의해 결정되는 두 상태 사이에서 스위치가 가능하고, 게이트-소스 전압 (UGS)가 소정의 한계값 (UGSB) 이하로 강하하자마자 상기 방전회로가 상기 작은 내부 임피던스에 의해 결정되는 상태를 취하는 것을 특징으로 하는 MOS 전계 효과 트랜지스터를 게이트 제어하기 위한 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 방전 회로 (12)의 상기 내부 임피던스 (Zl)이 상기 게이트-소스 전압 (UGS)가 상기 소정의 한계값 (UGSB)이하인 경우에 제로영역에서의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 MOS 전계 효과 트랜지스터를 게이트 제어하기 위한 회로.
  3. 제1항 또는 제2항에 잇어서, 상기 게이트-소스 전압 (UGS)의 상기 소정의 제한 값(UGSB) 가 선택되어 상기 한계값 (UGSB)에 대승하는 트레인 전류 (ID)가 제로영역에서의 값을 취하는 것을 특징으로 하는 MOS 전계 효과 트랜지스터를 게이트 제어하기 위한 회로.
  4. 상기 항들 중 어느 한 항에 있어서, 상기 방전 회로 (12)가 병렬 회로로 된 2개의 전류 경로 (14, 16) 에 의해 형성되고, 상기 회로들 중 한 전류 경로 (14)는 상기 높은 임피던스 값을 나타내며, 작은 임피던스 값을 나타내는 상기 전류 경로 (16) 은 게이트-소스 전압 (UGS)가 상기 소정의 한계값 (UGSB)를 초과하자 마자 바이패스될 수 있는 것을 특징으로 하는 MOS 전계 효과 트랜지스터를 게이트 제어하기 위한 회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 방전 회로 (12)의 상기 작은 내부 임피던스를 결정하는 상기 전류 경로 (16)이 상기 게이트-소스 전압 (UGS)의 기능으로서 제어되는 전자 스위치 (N4)를 통해 폐쇄될 수 있는 것을 특징으로 하는 MOS 전계 효과 트랜지스터를 게이트 제어하기 위한 회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 전자 스위치 (N4)가 스위칭 트랜지스터 (N3)을 통해 제어될 수 있고, 상기 게이트 전극은 상기 큰 내부 임피던스를 결정하는 상기 전류경로 (14)의 분압기 (R1-R3)에서 탭될 수 있는 제어 전압 (Ust)를 수신하는 것을 특징으로 하는 MOS 전계 효과 트랜지스터를 게이트 제어하기 위한 회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기 스위칭 트랜지스터 (N3)을 통해 다른 전자 스위치 (N5)가 제어될 수 있고, 상기 전자 스위치를 통해 상기 분압기 (R1-R3)에 할당된 저항기 (R3)이 상기 분압기 (R1-R3)에 인가된 게이트-소스 전압 (UGS)가 상기 소정의 한계값 (UGSB) 이하로 강하하자마자 상기 제어 전압 (Ust)를 감소시키도록 바이패스될 수 있는 것을 특징으로 하는 MOS 전계 효과 트랜지스터를 게이트 제어하기 위한 회로.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 스위칭 트랜지스터(N3)이 정전류원 (18)에 접속되는 것을 특징으로 하는 MOS 전계 효과 트랜지스터를 게이트 제어하기 위한 회로.
  9. 상기 항들 중 어느 한 항에 있어서, 상기 방전 회로(12)가 방전 신호 (SE)의 기능으로서 제어될 수 있는 1개 이상의 전자 스위치 (N1, N2) 를 통해 상기 MOS전계 효과 트랜지스터(TO)에 할당될 수 있는 것을 특징으로 하는 MOS 전계 효과 트랜지스터를 게이트 제어하기 위한 회로.
  10. 제9항에 있어서, 상기 방전 회로(12)의 상기 2개의 병렬 회로로 된 전류 경로 (14, 16)의 각 경로에서 전자 스위치 (N1, N2) 각각이 상기 방전 신호(SE)를 통해 제어되도록 배열되는 것을 특징으로 하는 MOS 전계 효과 트랜지스터를 게이트 제어하기 위한 회로.
  11. 상기 항들 중 어느 한 항에 있어서, 상기 MOS전계 효과 트랜지스터(TO)의 상기 게이트 전극 (G)가 충전 저항기 (Rt)을 포함하는 충전 회로(20) 에 할당될 수 있는 것을 특징으로 하는 MOS 전계 효과 트랜지스터를 게이트 제어하기 위한 회로.
  12. 제11항에 있어서, 상기 충전회로(20)이, 상기 충전 신호(SL)의 기능으로서 제어될 수 있고 상기 충전 저항기 (Rl)과 직렬인 전자 스위치 (N6)을 통해 상기 MOS전계 효과 트랜지스터(TO)에 할당될 수 있는 것을 특징으로 하는 MOS 전계 효과 트랜지스터를 게이트 제어하기 위한 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930023182A 1992-11-03 1993-11-03 모스(mos) 전계 효과 트랜지스터를 구동하기 위한 회로 KR940012848A (ko)

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