KR940010320A - 정확한 특성시험을 행하는 반도체 장치 - Google Patents

정확한 특성시험을 행하는 반도체 장치 Download PDF

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Abstract

외부 제어 신호(/RAS,/CAS,/WE,Ai)에 응답하여, 제1타이밍 검출회로(112)와 고전압 검출 회로(111)는 시그너쳐 모드의 설정을 검출하고 그너터쳐 로드 신호(SIGE)를 제2타이밍 검출회로(12)에 출력한다.
제2타이밍 검출 회로(12)는 출력 버퍼 활성화 신호(IVE)를 외부 제어 신호(/RAS,/CAS,/WE)에 응답하여 출력버퍼(2)에 출력한다.
출력버퍼 활성과 신호(IVE)에 응답하여 출력퍼(2)는 내부 전원(IVcc)를 검출하고 이를 외부핀(PD)에 출력한다.

Description

정확한 특성시험을 행하는 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 장치의 모니터부의 구성을 나타내는 블록도,
제2도는 제1도에서 보여지는 고전압 검출 회로의 한예의 구성을 나타내는 개략도,
제3도는 제1도에서 보여지는 출력 버퍼의 한예의 구성을 나타내는 개략도,
제4도는 제1도에서 보여지는 상태 검출 회로의 시그너쳐 모드 설정 타이밍을 나타내는 타이밍 챠트,
제5도는 제1도에서 보여지는 상태 검출 회로의 시그너쳐 모드 설정 타이밍을 나타내는 타이밍 챠트,
제6도는 제1도에서 보여지는 상태 검출 회로의 제1내부 전압 모니터 타이밍을 나타내는 타이밍 챠트,
제7도는 제1도에서 보여지는 사기 검출 회로의 제2내부 전압 모니터 타이밍을 나타내는 타이밍 챠트,
제8도는 제1도에서 보여지는 고전압 검출 회로의 둘째예의 구성을 나타내는 개략도,
제9도는 제1도에서 보여지는 출력 버퍼의 둘째예의 구성을 나타내는 개략도.

Claims (20)

  1. 소정의 모드에서 소정의 내부 노드의 전위(IVcc,Vpp,VL)를 외부 단자(PD)에 출력하는 반도체 장치로서, 제1외부 제어 신호(/RAS,/CAS,/WE,AI,Al-Am)에 응답하여 상기 소정 모드를 지령하는 제1지령 신호(SIGE)를 출력하는 제1지령 신호 출력 수단(11,31,112,41-4m,15,9)과 제2외부 제어 신호(/RAS,/CAS,/WE,Al-Am)와 상기 제1지령 신호(SIGE)에 응답하여 소정의 내부 노드의 전위(IVcc,Vpp,VL)의 출력을 지령하는 제2지령 신호(IVE,IVE1-IVEn)를 출력하는 제2지령 신호 출력 수단(12,15,16)과, 상기 제2지령 신호(IVE,IVE1-IVEn)에 응답하여, 상기 외부단자(PD)에 상기 소정의 내부 노드의 전위 (IVcc,Vpp,VL)를 출력하기 위한 출력수단(2,21-2n)과를 포함하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1외부 제어 신호(/RAS,/CAS,/WE,Ai)가 통상의 입력 고전위보다 높은 전위를 가지는 고전위 신호(Ai)를 포함하고, 상기 제1지령 신호 출력 수단(11)이 고전위 신호(Ai)에 응답하여 고전위 검출 신호(SHV)를 출력하기 위한 고전위 검출수단(111)을 포함하고, 상기 고전위 신호(Ai)를 제외하고 상기 제1외부 제어신호(/RAS,/CAS,/WE)와 상기 고전위 검출 신호(SHV)에 응답하여 상기 제1지령 신호(SIGE)를 출력하기 위한 타이밍 검출 수단(112)을 포함하는 반도체 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 반도체 장치가 다이나믹 랜덤 액세스 메모리이며, 상기 제1외부 제어 신호(/RAS,/CAS,/WE,Ai)가 로우 어드레스 스트로브 신호(/RAS), 칼럼 어드레스 스트로브 신호(/CAS), 라이트 이네이블 신호(/WE)와 어드레스 신호(Ai)를 포함하고, 상기 고전위 신호(Ai)가 어드레스 신호(Ai)인 반도체 장치.
  4. 제3항에 있어서, 활성화 상태의 상기 라이트 이네이블 신호(/WE)와 상기 칼럼 어드레스 스트로브 신호(/CAS)가 입력되는 경우, 활성화 상태의 상기 로우 어드레스 스트로브 신호(/RAS)가 입력되고 그뒤 활성화 상태의 상기 고전압 검출 신호(SHV)가 입력되며, 상기 제1타이밍 검출 회로(112)가 상기 로우 어드레스 스트로브 신호(/RAS)의 활성화 상태에서 비활성화 상태로의 변화의 타이밍에 응답하여 제1지령 신호(SIGE)를 설정하는 반도체 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 라이트 이네이블 신호(/WE)와 상기 칼럼 어드레스 스트로브 신호(/CAS)가 비활성화 상태이며, 상기 제1타이밍 검출 회로(112)가 상기 로우 어드레스 스트로브 신호(/RAS)의 활성화 상태에서 비활성화 상태로의 변화의 타이밍에 응답하여 상기 제1지령 신호(SIGE)를 재설정하는 반도체 장치.
  6. 제3항에 있어서, 상기 라이트 이네이블 신호(/WE)가 비활성화 상태이며, 활성화 상태의 상기 컬럼 어드레스 스트로브 신호(/CAS)가 입력되는 경우, 상기 제1타이밍 검출 회로(112)가 로우 어드레스 스트로브 신호(/RAS)의 활성화 상태에서 비활성화 상태로의 변화의 타이밍에 응답하여 상기 제1지령 신호(SIGE)를 재설정하는 반도체 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제2외부 제어 신호(/RAS,/CAS,/WE)가 상기 제1지형 신호를 재설정하는 신호와는 다른 반도체 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 반도체 장치가 다이나믹 랜덤 액세스 메모리이고, 상기 제2외부 제어 신호(/RAS,/CAS,/WE)가 로우 어드레스 스트로브 신호(/RAS), 칼럼 어드레스 스트로브 신호(/CAS)와 라이트 이네이블 신호(/WE)와를 포함하는 반도체 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1지령 신호 출력 수단(11)이 상기 제1외부 제어 신호(/RAS,/CAS,/WE)에 응답하여 카운팅 동작을 제어하기 위한 카운팅 동작 제어 신호(ΦA,ΦB)를 출력하는 카운팅 동작 제어 수단(311)과, 상기 카운팅 제어 신호(ΦA,ΦB)에 응답하여 상기 제1외부 제어 신호(/CAS)의 상태의 변화를 카운팅하고, 카운트된 값이 소정의 값인경우, 상기 제1지령 신호를 출력하는 카운팅 수단(312)과를 포함하는 반도체 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 반도체 장치가 다이나믹 랜덤 엑세스 메모리이고, 상기 제1외부 제어 신호(/RAS,/CAS,/WE,Ai)가 로우 어드레스 스트로브 신호(/RAS), 칼럼 어드레스 스트로브 신호(/CAS)와, 라이트 이네이블 신호(/WE)를 포함하는 반도체 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 카운팅 동작 제어 수단(311)이, 활성화 상태의 상기 라이트 이네이블 신호(/WE)와 상기 칼럼 어드레스 스트로브 신호(/CAS)가 입력된후, 상기 로우 어드레스 스트로브 신호(RAS)의 비활성화 상태에서 활성화 상태로의 변화의 타이밍에 응답하여 상기 카운팅 수단(312)에 카운팅 동작의 시작을 지령하는 카운팅 동작 시작 신호(ΦA)를 출력하고, 상기 카운팅 수단(312)이 상기 카운팅 동작 시작 신호(ΦA)에 응답하여 상기 칼럼 어드레스 스트롭 신호(/CAS)의 상태 변활르 카운터하는 반도체 장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 카운팅 동작 제어 수단(311)이, 상기 칼럼 어드레스 스트로브 신호(/CAS)가 활성화 상태이고, 상기 라이트 이네이블 신호(/WE)가 비활성화 상태인 경우, 로우 어드레스 스트로브 신호(/RAS)의 비활성화 상태에서 활성화 상태로의 변화의 타이밍에 응답하여 상기 카운팅 수단(312)에 제1지령 신호의 재설정을 지령하는 재설정 신호(ΦB)를 출력하고, 상기 카운팅 수단(312)이 상기 재설정 신호(ΦB6)에 응답하여 상기 제1지령 신호를 재설정하는 반도체 장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 제2지령 신호 출력 수단(12,15,16,41-4M)이, 상기 소정의 내부 노드를 선택하기 위한 제3외부 제어신호(A1∼Am)에 기초하여 상기 소정의 내부 노드를 선택하기 위한 선택수단(15,16,41-4m)을 포함하고, 상기 선택수단에 의하여 선택된 내부 노드의 전위의 출력을 지령하는 제3지령신호(Fa1-Fan)를 출력하고, 상기 출력 수단(21∼2n)이 상기 제2, 제3의 지령신호에 응답하여 상기 선택된 소정의 내부 노드의 전위(IVcc,Vpp,VL)를 상기 외부 단자(PD)에 출력하는 반도체 장치.
  14. 제1항에 있어서, 상기 제1외부 제어 신호(/RAS,/CAS,/WE,Al-Am)가 통상입력 고전위보다 높은 전위를 가지는 복수의 고전위 신호(Al-Am)을 포함하고, 상기 고전위 신호(Al-Am)가 상기 소정의 내부 노드를 선택하는 선택 신호(Al-Am)이고, 상기 제1지령 신호 출력 수단(112,15,41-4m)이, 상기 복수의 고전위 신호(Al-Am)에 응답하여 복수의 제1고전위 검출 신호(SHV1-SHVm)를 출력하는 복수의 고전위 검출수단(41-4m)과, 상기 복수의 제1고전위 검출 신호(SHV1-SHVm)에 응답하여 제2고전위 검출 신호(SHV)를 출력하는 제2고전위 검출수단(15)과, 상기 고전위 신호(Al-Am)를 제외하고 상기 제1외부 제어신호(/RAS,/CAS,/WE)와 상기 제2고전위 검출 신호(SHV)에 응답하여 상기 제1지령 신호 (SIGE)를 출력하는 제1타이밍 검출 수단(112)과를 포함하고, 상기 제2지령 신호 검출 수단(12,15,16)이, 상기 제1지령 신호(SIGE)와 상기 제2외부 제어신호(/RAS,/CAS,/WE)에 응답하여 내부 노드의 전위의 출력을 지령하는 전위 출력 지령 신호(IVE)를 출력하는 제2타이 밍 검출 수단(12)과, 상기 제1고전위 검출 신호(SHV1∼SRVm)에 응답하여 상기 소정의 내부 노드를 선택하는 내부 로드 선택 신호(Fa1-Fan)을 출력하기 위한 내부 노드 선택 수단(15)과, 상기 전위 출력 지령 신호(IVE)와 상기 내부 노드 선택 신호(Fa1-Fan)에 응답하여 상기 내부 노드 선택 수단(15)에 의하여 선택된 내부 노드의 전위(IVcc,Vpp,VL)의 출력을 지령하는 복수의 제2지령 신호(IVE1-IVE2)를 출력하는 선택 수단(16)과를 포함하고, 상기 출력 수단(21-2n)이, 상기 복수의 제2지령 신호(IVE1-IVE2)에 응답하여 지령된 내부 노드의 전위(IVcc,Vpp,VL)를 출력하는 복수의 전위 출력 수단(21-2n)을 포함하는 반도체 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 반도체 장치가 다이나믹 랜덤 엑세스 메모리이고, 상기 제1외부 제어 신호(/RAS,/CAS,/WE,Ai)가 로우 어드레스 스트로브 신호(/RAS), 칼럼 어드레스 스트로브 신호(/CAS), 라이트 이네이판 신호(/WE)와 어드레스 신호(Al-Am)가 포함하고, 상기 고전위 신호(Al-Am)가 어드레스 신호(Al-Am)를 포함하고, 상기 제2외부 제어 신호(/RAS,/CAS,/WE)가 로우 어드레스 스트로브 신호(/RAS), 칼럼 어드레스 스트로브 신호(/CAS)와 라이트 이네이블 신호(/WE)와를 포함하는 반도체 장치.
  16. 제1항에 있어서, 제1외부 제어 신호(/RAS,/CAS,/WE,Ai)가 통상의 입력 고전위보다 높은 전위를 가지는 고전위 신호(Ai)를 포함하고, 상기 제1지령 신호 출력 수단(9)이, 상기 고전위 신호(Ai)를 제외하고 상기 제1외부 제어 신호(/RAS,/CAS,/WE)에 응답하여 고전위 검출 동작을 제어하는 검출 동작 제어 신호(B)를 출력하는 검출 동작 제어 수단(823)과, 상기 검출 동작 제어 신호(B)와 상기 고전위 신호(Ai)에 응답하여 고전위 검출 신호(SHV)를 출력하는 고전위 검출수단(81)과, 상기 고전위 신호(Ai)를 제외하고 상기 제1외부 제어신호(/RAS,/CAS,/WE)와 상기 고전위 검출 신호(SHV)에 응답하여 상기 제1지령 신호(SIGE)를 출력하는 타이밍 검출 회로(112)를 포함하고, 상기 고전위 검출 수단(81)이, 상기 고전위 신호(Ai)를 제1전압만큼 강압하는 것에 의하여 제2전위 신호로 변환하는 강압수단(Q601-Q60x)고, 상기 제2전위의 신호의 전위가 제3전위보다 높은 경우, 상기 고전위 검출 신호(SHV)를 출력하는 검출 수단(602,Q621,Q622,Q701,Q702,Q711-Q71m)과, 상기 제1전압 혹은 제3전위를 조정하는 조정수단(Q611-Q61m,611-61m,G621-G62m,G631-G63m,Q721-Q72m)을 포함하는 반도체 장치.
  17. 제1전위를 가지는 외부 입력 신호(Ai)를 제2전압만큼 강압하는것에 의하여 제3전위를 가지는 신호로 변환하는 강압수단(Q601-60x)과, 제3전위의 신호의 전위가 제4전위보다 높은 경우, 소정의 제1전위 검출 신호(SHV)를 출력하는 검출수단(602,Q621,Q511,Q701,Q702, Q711-Q71m)과, 상기 제2전압 혹은 제4전위를 조정하는 조정수단(Q611-Q61m, 611-61m, G621-G62m, G631-G63m, Q721-Q72m)을 포함하는 반도체 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 강압수단(Q601-160x)이 제1전위의 외부 입력 신호(Ai)를 받고, 직렬로 접속된 복수의 다이오드 접속 n형 트랜지스지터(Q601-Q60x)를 포함하고, 상기 검출수단(602,Q621,Q622)이, 제어 신호(B)에 응답하여 부스트 전위의 제1부스트 신호(C)를 출력하는 제1부스트 전압 발생 수단(602)과, 상기 제1n형 트랜지스터 그룹(Q601-Q60x)에 접속되고 상기 제1부스트 신호(C)를 게이트에서 받는 제1n형 트랜지스터(Q621)와, 상기 제1n형 트랜지스터(Q621)와 접지 전위사이에 접속되어 게이트에서 전원 전압IVcc를 받는 제2n형 트랜지스터(Q622)와를 포함하고, 상기 제2전압을 조정하는 조정수단(611-61m, G621-G62m,G631-G63m)이 조정시호(An+1-An+m)에 응답하여 부스트 전위의 제2부스트 신호를 출력하는 상기 제2전압을 조정하는 제2부스트 전압 발생 수단(611-61m, G621-G62m, G631-G63m)과, 상기 제1n형 트랜지스터 그룹(Q621-Q60x)의 부분에 병렬로 접속되어 게이트에서 상기 제2부스트신호를 받는 제2n형 트랜지스터 그룹(Q611-Q61m)을 포함하는 반도체 장치.
  19. 제17항에 있어서, 상기 강압수단(Q601-Q160x)이 제1전위의 외부 입력 신호(Ai)를 입력하고, 직렬로 접속된 복수의 다이오드 접속 n형 트랜지스터(Q601-Q60x)를 포함하는 제1n형 트랜지스터 그룹(Q601-Q60x)을 포함하며, 상기 검출수단(602,Q621,Q622,Q701,Q702,Q711-Q71m)이, 제어 신호(B)에 응답하여 부스트 전위의 제1부스트 신호(C)를 출력하는 제1부스트 전압 발생 수단과, 상기 제1n형 트랜지스터 그룹(Q601-Q60x)에 접속되어 게이트에서 상기 제1부스트 신호(C)를 받는 제1n형 트랜지스터(Q621)와, 전원 전압(IVcc)에 접속되어 게이트에서 접지 전위를 받는 p형 트랜지스터(Q701)와, 상기 p형 트랜지스터(Q701)에 접속되고 직렬로 접속된 복수의 다이오드 접속 n형 트랜지스터(Q702,Q701-Q71m)을 포함하는 제2n형 트랜지스터 그룹(Q702,Q701-Q71m)과, 상기 제1m헝 트랜지스터(Q621)와 접지 전위 사이에 접속되어 게이트에서 p형 트랜지스터(Q701)와 제2n형 트랜지스터 그룹(Q702,Q711-Q71m)간이 접속 노드로부터의 출력을 받는 제2n헝 트랜지스터(Q622)를 포함하고, 제4전위를 조정하는 상기 조정수단(Q721-Q72m)이 상기 제2n형 트랜지스터 그룹(Q702,Q711-Q71m)의 부분과 병렬로 접속되어 게이트에서 상기 제4전위를 조정하는 조정신호(An+1-An+m)를 받는 제3n형 트랜지스터(Q721-Q72m)와를 포함하는 반도체 장치.
  20. 제1항에 있어서, 외부로부터 공급된 전압(Vcc)을 강압하는것에 의하여 얻어진 강압(IVcc)을 발생시키는 강압 발생 수단(60)을 포함하는 반도체 장치에 있어서, 상기 소정의내부 노드에 전위(IVcc)가 상기 강압(IVcc)인 반도체장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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