KR940008111A - 역행 n웰 캐소드 쇼트키 트랜지스터 및 이를 제조하는 방법 - Google Patents

역행 n웰 캐소드 쇼트키 트랜지스터 및 이를 제조하는 방법 Download PDF

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KR940008111A
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제이. 로빈슨 머레이
씨. 조이스 크리스토퍼
룩 팀와
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존 엠. 클락 3세
내쇼날 세미컨덕터 코포레이션
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Abstract

바이폴라 트랜지스터 구조(7) 및 쇼트키 다이오드 구조(8)를 포함하는 개선된 쇼트키 트랜지스터 구조(6)는 쇼트키 다이오드 구조용 기판으로서 국부화된 역행다이오드웰(9)을 형성하도록 비교적 빠르게 확산하는 원자를 역행 확산시킴으로써 형성된다. 비교적 느리게 확산하는 원자로 형성된 확장된 매몰 콜렉터층(11)은 역행 다이오드웰(9) 및 바이폴라 트랜지스터 구조(7)의 베이스 콜렉터 영역하부에 놓인다. 다이오드 접합(10)은 상기 역행 다이오드웰 표면을 포함하도록 바이폴라 트랜지스터 구조의 베이스 접점을 확장시킴으로써 형성된다. 바람직하게는, 상기 다이오드 접합이 플래티늄-실리사이드 접합이다. 개선된 쇼트키 트랜지스터 구조는 바이폴라 접합트랜지스터 제조공정 또는 BICMOS 집적회로 제조공정의 일부로서 형성될 수 있는데, 이 경우에 매몰된 다이오드층은 바이폴라 트랜지스터 구조의 매몰된 콜렉터층과 동시에 형성될 수 있으며 역행 다이오드웰은 바이폴라 트랜지스터 구조의 기판-에미터 콜렉터 영역과 동시에 형성될 수 있다. 매몰된 콜렉터층 한정 마스크는 또한 매몰된 다이오드층 한정 마스크이며, 기판-에미터 콜렉터 영역 한정 마스크는 또한 역행 다이오드웰 한정 마스크이고, 바이폴라 접점 한정 마스크는 또한 다이오드 접합 접점 한정 마스크이다.

Description

역행 N웰 캐소드 쇼트키 트랜지스터 및 이를 제조하는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 바람직한 실시예에 기술된 쇼트키 트랜지스터 구조의 다이오드 구조용 새로운 역행 다이오드 웰한정 개구부 및 바이폴라 트랜지스터 기판-에미터 콜렉터 영역 개구부를 지니는 새로운 2.0기판-에미터 콜렉트 한정 마스크를 보여주는 바이폴라 트랜지스터 제조공정의 2.0마스크, 에칭 및 주입 시퀀스를 간략하게 도시한 개략적인 입면도.
제3A도는 기판-에미터 콜렉터 영역이 매몰된 콜렉터층상에 형성되어 있지 않은 경우에 제3도에 예시된 2.0 마스크를 간략하게 도시한 개략적인 입면도.
제4도는 새로운 쇼트키 트랜지스터의 역행 다이오드 웰 및 기판-에미터 콜렉터 영역의 상부 확산을 보여주는, 바이폴라-트랜지스터 제조공정의 5.0 콜렉크 싱크(sink) 영역 한정마스크, 에칭 및 주입 시퀀스를 간략하게 도시한 개략적인 입면도.
제5도는 새로운 쇼트키 다이오드 구조용 새로운 다이오드 접합 한정 개구부 및 바이폴라 트랜지스터 구조의 접점 영역을 지니는 새로운 10.0 접점 영역 마스크를 보여주는, 바이폴라 트랜지스터 제조공정의 10.0 접점 영역 한정 마스크 및 에칭 시퀀스를 간략하게 도시한 개략적인 입면도.
제9도는 데포지트된 금속 2를 지니는 금속 2한정 마스크를 간략하게 도시한 개략적인 입면도.

Claims (1)

  1. 제1도전형태의 반도체 재료기판 및 상기 기판상에 데포지트된 제2도전 형태의 반도체 재료 에피색셜층을 지니는 쇼트키 트랜지스터 구조에 있어서, a.상기 에피택셜층 표면에 형성된 제1도전형태의 반도체 재료로 형성된 콜렉터 영역, b.상기 에피택셜층 표면에 형성되어 있으며 표면상에 베이스 접점을 포함하는 베이스영역, c.상기 베이스 영역표면에 형성된 제1도전형태의 반도체 재료로 형성된 에미터 영역, d. 상기 기판표면에 형성되어 있으며 상기 콜렉터 영역 및 상기 베이스 영역하부에 놓여있는 제1도전형태의 반도체 재료로 형성된 매몰콜렉터층, 및e.다이오드 접합 및 상기 다이오드 접합하부에 놓여있는 역행 다이오드웰을 포함하며, 상기 역행 다이오드웰이 상기 에피택셜층 표면에서 제1도전형태의 반도체 재료로 형성되어 있고 상기 기판으로 부터 상향으로 역행 확산하는 형태로 분포되어 있는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드를 포함하는 쇼트키 트랜지스터 구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930019112A 1992-09-22 1993-09-21 역행n웰캐소드쇼트키트랜지스터및이를제조하는방법 KR100303701B1 (ko)

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