KR920020741A - Smd-레지스터 - Google Patents

Smd-레지스터 Download PDF

Info

Publication number
KR920020741A
KR920020741A KR1019920006250A KR920006250A KR920020741A KR 920020741 A KR920020741 A KR 920020741A KR 1019920006250 A KR1019920006250 A KR 1019920006250A KR 920006250 A KR920006250 A KR 920006250A KR 920020741 A KR920020741 A KR 920020741A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
smd
register
base layer
layer
sio
Prior art date
Application number
KR1019920006250A
Other languages
English (en)
Inventor
렌쩨 샤트 브랄트
Original Assignee
프레데릭 얀 스미트
엔.브이.필립스 글로아이람펜파브리켄
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 프레데릭 얀 스미트, 엔.브이.필립스 글로아이람펜파브리켄 filed Critical 프레데릭 얀 스미트
Publication of KR920020741A publication Critical patent/KR920020741A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H01C1/144—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals or tapping points being welded or soldered
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/006—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for manufacturing resistor chips

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

SMD-레지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 SMD-레지스터의 사시도
제2도는 제1도에 따른 SMD-레지스터의 단면도.
제3a도 내지 제3c도는 본 발명에 따른 방법의 서로 다른 단계에 있는 기판의 평면도.
제4도는 본 발명에 따른 방법에 사용되는 기판부의 사시도.

Claims (6)

  1. 두개의 주면, 두개의 측면 및 두개의 단부면 갖는 세라믹 기층과, 상기 단부면에 인접한 주면의 양단부에 가해지는 두개의 접촉층과, 상기 주면에 가해지고 양접촉층에 전기 접속되는 저항층 및, 상기 기층의 단부면을 에워싸고 상기 접촉층에 전기 접속되는 두개의 단부 접점을 포함하는 SMD-레지스터에 있어서, 상기 단부면은 입간 분할면인 것을 특징으로 하는 SMD-레지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 세라믹 기층은 SiO2와 Mo(여기서, M은 Ca, Sr 및/또는 Ba를 의미)를 포함하는 알루미나 기층이며, SiO2/Mo의 몰비는 1 내지 6 사이의 범위인 것을 특징으로 하는 SMD-레지스터.
  3. 제2항에 있어서, 상기 기층의 제2상의 함량은 6 내지 10mo1%인 것을 특징으로 하는 SMD-레지스터.
  4. 제1군의 평행 분할 홈과 이 홈에 수직하게 연장한 제2군의 평행 분할 홈이 제공되어 있는 세라믹 기층판에 접촉층과 저항층을 가한후, 깨트림 동작으로 형성된 분할면 상에 단부 접점이 제공되어 있는 바아를 형성하도록 제1군의 분할 홈을 따라 상기 기층판을 깨트리고, 개별적인 SMD-레지스터를 형성하도록 제2군의 분할 홈을 따라 상기 바아를 깨트리는 SMD-레지스터의 제조 방법에 있어서, 상기 기층판을 바아로 깨트리는 공정중에 입간 분할면이 형성되는 것을 특징으로 하는 SMD-레지스터의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 세라믹 알루미나 기층판으로 SiO2와 Mo(여기서, M은 Ca, Sr 및/또는 Ba를 의미)를 포함하며, SiO2/Mo의 몰비는 1 내지 6사이의 범위인 것이 사용되는 것을 특징으로 하는 SMD-레지스터의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 기층의 제2상의 함량은 6 내지 10mo1%인 것을 특징으로 하는 SMD-레지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920006250A 1991-04-16 1992-04-15 Smd-레지스터 KR920020741A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP91200892.7 1991-04-16
EP91200892 1991-04-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR920020741A true KR920020741A (ko) 1992-11-21

Family

ID=8207612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920006250A KR920020741A (ko) 1991-04-16 1992-04-15 Smd-레지스터

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5258738A (ko)
EP (1) EP0509582B1 (ko)
JP (1) JPH05121202A (ko)
KR (1) KR920020741A (ko)
DE (1) DE69213296T2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100400653B1 (ko) * 2000-05-30 2003-10-08 알프스 덴키 가부시키가이샤 면설치형 전자회로유닛

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5699035A (en) * 1991-12-13 1997-12-16 Symetrix Corporation ZnO thin-film varistors and method of making the same
US5852397A (en) * 1992-07-09 1998-12-22 Raychem Corporation Electrical devices
US5379016A (en) * 1993-06-03 1995-01-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Chip resistor
DE4339551C1 (de) * 1993-11-19 1994-10-13 Heusler Isabellenhuette Widerstand in SMD-Bauweise und Verfahren zu seiner Herstellung sowie Leiterplatte mit solchem Widerstand
CA2190361A1 (en) 1994-05-16 1995-11-23 Michael Zhang Electrical devices comprising a ptc resistive element
CN1113369C (zh) * 1994-06-09 2003-07-02 雷伊化学公司 包含正温度系数导电聚合物元件的电路保护器件和制造该器件的方法
DE19534056A1 (de) * 1995-09-14 1997-03-20 Braun Ag Schaltungsanordnung zur Erkennung einer Übertemperatur aufgrund eines fließenden Stromes
US5929746A (en) * 1995-10-13 1999-07-27 International Resistive Company, Inc. Surface mounted thin film voltage divider
JP3307533B2 (ja) * 1996-05-14 2002-07-24 アルプス電気株式会社 チップ電子部品とその製造方法、およびサージアブソーバとその製造方法
JP2000500295A (ja) * 1996-09-13 2000-01-11 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 薄膜抵抗及び薄膜抵抗用の抵抗材料
IT1291779B1 (it) 1997-02-17 1999-01-21 Magnetek Spa Procedimento per la realizzazione di circuiti stampati e circuiti stampati cosi'ottenuti
TW340976B (en) * 1997-02-26 1998-09-21 Philips Electronics Nv Thick film chip resistor and its manufacture
US6100815A (en) * 1997-12-24 2000-08-08 Electro Scientific Industries, Inc. Compound switching matrix for probing and interconnecting devices under test to measurement equipment
JPH11195505A (ja) * 1997-12-26 1999-07-21 E I Du Pont De Nemours & Co 厚膜抵抗体及びその製造方法
US5999085A (en) * 1998-02-13 1999-12-07 Vishay Dale Electronics, Inc. Surface mounted four terminal resistor
JP2000164402A (ja) * 1998-11-27 2000-06-16 Rohm Co Ltd チップ抵抗器の構造
DE19903500A1 (de) * 1999-01-29 2000-08-03 Philips Corp Intellectual Pty Dünnschichtschaltkreis mit Bauteil
US6640420B1 (en) 1999-09-14 2003-11-04 Tyco Electronics Corporation Process for manufacturing a composite polymeric circuit protection device
US6854176B2 (en) 1999-09-14 2005-02-15 Tyco Electronics Corporation Process for manufacturing a composite polymeric circuit protection device
JP2002260901A (ja) * 2001-03-01 2002-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 抵抗器
CN1243735C (zh) * 2001-04-19 2006-03-01 卫材株式会社 2－亚氨基吡咯烷衍生物
DE10203813A1 (de) * 2002-01-31 2003-08-21 Diehl Ako Stiftung Gmbh & Co Schaltungsanordnung zur Messung und Begrenzung von Strömen
US7258922B2 (en) 2003-03-31 2007-08-21 Thi International, Inc. Compositions, methods and devices for enhancing landscaping or marker materials
US20040085180A1 (en) * 2002-10-30 2004-05-06 Cyntec Co., Ltd. Current sensor, its production substrate, and its production process
JP4311421B2 (ja) * 2006-08-25 2009-08-12 株式会社日立製作所 抵抗調整方法
DE102006060387A1 (de) * 2006-12-20 2008-06-26 Isabellenhütte Heusler Gmbh & Co. Kg Widerstand, insbesondere SMD-Widerstand, und zugehöriges Herstellungsverfahren
US7965169B2 (en) * 2008-02-22 2011-06-21 Joseph Szwarc Surface mounted chip resistor with flexible leads
KR101089840B1 (ko) * 2009-04-01 2011-12-05 삼성전기주식회사 회로 기판 모듈 및 그의 제조 방법
JP6373723B2 (ja) * 2014-10-31 2018-08-15 Koa株式会社 チップ抵抗器
KR20180057831A (ko) * 2016-11-23 2018-05-31 삼성전기주식회사 저항 소자
KR20200037511A (ko) * 2018-10-01 2020-04-09 삼성전기주식회사 바리스터
CN110111960B (zh) * 2019-06-04 2022-04-19 广州金陶电子有限公司 一种贴片型热敏电阻及其生产方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3104419C2 (de) * 1981-02-09 1983-06-09 Draloric Electronic GmbH, 8672 Selb Verfahren zur Herstellung von Chipwiderständen
SE443485B (sv) * 1982-09-17 1986-02-24 Ericsson Telefon Ab L M Sett att framstella elektroniska komponenter
US4785276A (en) * 1986-09-26 1988-11-15 General Electric Company Voltage multiplier varistor
DE3823698A1 (de) * 1988-07-13 1990-01-18 Philips Patentverwaltung Nichtlinearer spannungsabhaengiger widerstand
JPH02164002A (ja) * 1988-12-19 1990-06-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd チップ抵抗器とその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100400653B1 (ko) * 2000-05-30 2003-10-08 알프스 덴키 가부시키가이샤 면설치형 전자회로유닛

Also Published As

Publication number Publication date
US5258738A (en) 1993-11-02
EP0509582A3 (en) 1993-05-12
DE69213296T2 (de) 1997-03-20
EP0509582A2 (en) 1992-10-21
JPH05121202A (ja) 1993-05-18
EP0509582B1 (en) 1996-09-04
DE69213296D1 (de) 1996-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920020741A (ko) Smd-레지스터
NO20003004D0 (no) Substrat
KR980005658A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
KR950023239A (ko) 세라믹스 회로기판
EP1191600A3 (en) Insulated gate semiconductor device
EP0357088A3 (en) Multilayer wiring substrate
KR870008395A (ko) 절연게이트 전계효과 트랜지스터
KR880011882A (ko) 목축용 씨디 바아(CD Bar)의 제조방법
KR860003331A (ko) 더어멀 헤드 및 그의 제조방법
KR890002974A (ko) 탭 선형 집적 저항기
EP0852059A1 (en) Asymmetric resistor terminal
KR900002321A (ko) 고저항층을 가지는 반도체장치
KR930020590A (ko) 알루미늄을 주성분으로 하는 금속박막의 에칭방법 및 박막트랜지스터의 제조방법
KR880014660A (ko) 반도체 소자 제조방법
KR910011476A (ko) 서어멀 헤드 및 그 제조방법
KR920015650A (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR910016072A (ko) 반도체장치
KR880700616A (ko) 다층 프린트 기판
JPH0632650Y2 (ja) 抵抗器用基板
KR920014629A (ko) 감열식 프린트 헤드
KR890003012A (ko) n(n≥3)층의 배선층을 가지는 반도체 장치
KR900019218A (ko) 후막소자
KR900010985A (ko) 반도체 장치
KR900001025A (ko) 반도체장치
KR870001655A (ko) 반도체장치의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application