KR910011476A - 서어멀 헤드 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

서어멀 헤드 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 서어멀 헤드의 사시도.
제4도는 본 발명의 일실시예인 서어멀 헤드의 중요부분 평면도.

Claims (16)

  1. 고저항 기판상 위에 직선상으로 배열된 복수개의 발열 저항체층 패턴과; 상기 발열 저항체층 패턴의 일단에 적층 접속된 공통 배선과 소정 간격을 두고 타단에 적층 접속된 개별 배선으로 이루어진 적층배선 도체층과; 적어도 상기 적층 배선 도체층 상 및 상기 배선 도체층이 형성되지 않는 상기 발열 저항체 층 패턴의 노출부 상에 형성된 내열성 절연층과; 적어도 상기 발열 저항체층 패턴의 노출부 상에 상기 내열성 절연층을 끼워서 설치한 내 마모부호층과; 상기 개별 배선상의 내열 절연층에 관통 구멍을 설치하여 형성한 구동 ICs 접속용의 땜납 접속부와; 상기 땜납 접속부에 구동 ICs가 납땜 접속되고 탑재되어 구성된 서어멀 헤드에 있어서, 상기 적층 배선 도체층이 복수의 도체층으로 구성되고, 그 제1도체층이 상기 발열 저항체층에 대하여 접착성이 양호하고, 또 땜납의 흐름을 방지하는 납땜곤란한 성징을 갖는 도체층으로, 제2층이 납땜 양호하고, 더구나 알루미늄 보다도 부식되지 않는 도체층으로 순차 적층하여 구성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 적층 배선 도체층이 상기 제1층과 제2층으로 구성됨과 동시에, 상기 개별 배선상의 내열성 절연층에 상기 관통 구멍을 설치하여 형성된 구동 ICs 접속용의 땜납 접속부의 상기 제 2도체층의 노출부 둘레에, 상기 제1도체층이 노출되는 홈부를 설치하고, 상기 제1도체층의 노출부가 땜납접속시의 땜납의 흐름 방지부로서 구성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 적층 배선 도체층의 제2층상에, 또한 제3층을 적층하여 3층 구조 배선 도체층으로함과 동시에, 상기 개별 배선상의 내열성 절연층에 관통 구멍을 설치하여 형성된 구동 ICs 접속용의 땜납 접속부에 있어서의 상기 제3층을 선택적으로 제거하고 상기 제2층을 노출시켜 땜납 접속부로서 구성함을 특징으로 하는 서어멀 헤드.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 제1층과 제3층이 동일 금속의 도체층으로 구성하여 형성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드.
  5. 제 1,2,3 또는 4항에 있어서, 상기 제1층이 크롬, 티탄, 몰리브덴 및 텅스텐의 군으로부터 선택된 단체 금속 또는 상기 금속의 합금으로 형성되고, 상기 제2층이 동 또는 동 합금으로 형성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 내열성 절연층이 이산화 규소로 형성되고, 상기 내마모 보호층이 질화 규소로 구성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드.
  7. 고저항 기판상 위에 직선상으로 배열된 복수개의 발열 저항체층 패턴을 형성하는 공정과; 상기 발열 저항체층 패턴상에, 적어도 제1, 제2의 2층으로 구성된 적층 배선도체층을 형성하는 공정과; 상기 발열 저항체 층 패턴의 일단상의 상기 배선도체층을 공통 배선층으로 남기고, 또 상기 발열 저항체 층의 타단의 상기 배선 도체층을 개별 배선층으로서 남기며, 상기 양 배선층간의 상기 발열 저항체층 패턴의 주된면을 노출시키는 배선 패턴의 선택에칭을 행하는 발열 저항체를 형성화는 고정과; 적어도 상기 배선 패턴상 및 상기 배선 패턴의 선택에칭 공정에 의하여 노출된 상기 발열 저항체 층 패턴상에 내열성 형성하는 공정과; 상기 개별 배선층상의 내열성 절연층에 관통 구멍을 설치하여 구동ICs 접속용의 땜납 접속부를 형성하는 공정과; 상기 발열 저항체의 상부 영역에 상기 내열성 절연층을 끼워서 내마모 보호층을 형성하는 공정으로 이루어지고; 상기 배선 도체층의 상기 제1층이 크롬, 티탄 , 몰리브덴 및 텅스텐의 군으로 부터 선택된 단체 금속 또는 상기 금속의 합금으로 형성되고, 상기 제 2층이 동 또는 동합금으로 형성됨을 특징으로 하는 제 1항의 서어멀 헤드의 제조방법.
  8. 고저항 기판 위에 직선상으로 배열된 복수개의 발열 저항체층 패턴을 형성하는 공정과; 상기 발열 저항체층 패턴 상에, 제1, 제2 및 제3의 3층으로 구성된 적층 배선 도체층을 형성하는 공정과; 상기 발열 저항체 층 패턴의 일단상의 상기 배선도체층을 공통 배선층으로 남기고, 또 상기 발열 저항체층 패턴의 타단상의 상기 배선 도체층을 개별 배선층으로서 남기며, 상기 양 배선층간의 상기 발열 저항체층 패턴의 주된면을 노출시키는 배선 패턴의 선택에칭을 행하는 발열 저항체를 형성화는 공정과; 적어도 상기 배선 패턴상 및 상기 배선 패턴의 선택에칭 공정에 의하여 노출된 상기 발열 저항체 층 패턴상에 내열성 절연층을 형성하는 공정과; 상기 개별 배선층 상의 내열성 절연층에 관통 구멍을 설치하여 상기 제3의 배선도체층을 선택에칭하여 상기 제2의 배선도체층을 노출시켜 구동ICs 접속용의 땜납 접속부를 형성하는 공정과; 상기 발열 저항체의 상부 영역에 상기 내열성 절연층을 끼워서 내마모 보호층을 형성하는 공정으로 이루어지고; 상기 배선 도체층의 상기 제1층이 크롬, 티탄 , 몰리브덴 및 텅스텐의 군으로 부터 선택된 단체 금속 또는 상기 금속의 합금으로 형성되고, 상기 제 2층이 동 또는 동합금으로 형성됨을 특징으로 하는 제 3항의 서어멀 헤드의 제조방법.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 배선 도체층이 동일 금속으로 형성됨을 특징으로하는 서어멀 헤드의 제조방법.
  10. 제 7,8 또는 9항에 있어서, 상기 적층 배선 도체층이 스퍼터링에 의해서 연속적으로 형성됨을 특징으로하는 서어멀 헤드의 제조방법.
  11. 제 7,8,9 또는 10항에 있어서, 상기 내열성 절연층이 이산화 규소로 구성되고, 스퍼터링에 의해서 4㎛미만의 두께로 형성됨과 동시에, 상기 내마모 보호층이 질화 규소로 구성되고, 플라즈마 CVD에 의해서 형성됨을 특징으로하는 서어멀 헤드의 제조방법.
  12. 고저항 기판 위에 직선상으로 배열된 복수개의 발열 저항체층 패턴을 형성하는 공정과; 상기 발열 저항체층 패턴상에, 적어도 제1, 제2의 2층으로 구성된 적층 배선 도체층을 형성하는 공정과; 상기 발열 저항체층 패턴의 일단상의 상기 배선도체층을 공통 배선층으로 남기고, 상기 발열 저항체층의 패턴의 타단상의 상기 배선 도체층을 개별 배선층으로 남기며, 상기 배선층간의 상기 발열 저항체층 패턴의 주된면을 노출시키는 배선 패턴의 선택에칭을 행하는 발열 저항체를 형성화는 공정과; 적어도 상기 배선 패턴상 및 상기 배선 패턴의 선택에칭 공정에 의해서 노출된 상기 발열 저항체 층 패턴상에 절연층을 형성하는 공정과; 상기 개별 배선층상의 내열성 절연층에 관통 구멍을 설치하여 구동ICs 접속용의 땜납 접속부를 형성하는 공정과; 상기 발열 저항체의 상부영역에서 상기 내열성 절연층을 끼워서 내마모 보호층을 형성하는 공정으로 이루어지고; 상기 배선 도체층의 상기 제1층이 크롬, 티탄 , 몰리브덴 및 텅스텐의 군으로 부터 선택된 단체 금속 또는 상기 금속 합금으로 형성되고, 상기 제 2층이 동 또는 동합금으로 형성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드의 제조방법.
  13. 고저항 기판 위에 직선상으로 배열된 복수개의 발열 저항체층 패턴을 형성하는 공정과; 상기 발열 저항체층 패턴상에, 제1, 제2 및 제3의 3층으로 구성된 적층 배선 도체층을 형성하는 공정과; 상기 발열 저항체 층 패턴의 일단의 상기 배선 도체층을 공통 배선층으로서 남기고, 상기 발열 저항체층의 타단의 상기 배선도체층을 개별 배선층으로서 남기며, 상기 양배선층간의 상기 발열 저항체층 패턴의 주된면을 노출시키는 배선 패턴의 선택에칭을 행하는 발열 저항체를 형성화는 공정과; 적어도 상기 배선 패턴상 및 상기 배선 패턴의 선택에칭 공정에 의해서 노출된 상기 발열 저항체 층 패턴상에 내열성 절열층을 형성하는 공정과; 상기 개별 배선층상의 내열성 절연층에 관통 구멍을 설치하여 상기 제3의 배선 도체층을 선택에칭하여 상기 제2의 배선 도체층을 노출시켜 구동ICs 접속용의 땜납 접속부를 형성하는 공정과; 상기 발열 저항체의 상부 영역에서 상기 내열성 절연층을 끼워서 내마모 보호층을 형성하는 공정으로 이루어지고; 상기 배선 도체층의 상기 제1층이 크롬, 티탄 , 몰리브덴 및 텅스텐의 군으로 부터 선택된 단체 금속 또는 상기 금속 합금으로 형성되고, 상기 제 2층이 동 또는 동합금으로 형성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드의 제조방법.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 제1, 제3의 배선도체층이 동일 금속으로 형성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드의 제조방법.
  15. 제12, 13 또는 14항에 있어서, 상기 적층 배선도체층이 스퍼터링에 의해서 연속적으로 형성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드의 제조방법.
  16. 제12, 13, 14 또는 15항에 있어서, 상기 내열성 절연층이 이산화규소로 구성되고, 스퍼티링에 의해서 4㎛미만의 두께로 형성됨과 동시에, 상기 내마모 보호층이 질화규소로 구성되고, 플라즈마 CVD법에 의해서 형성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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