KR950011931B1

KR950011931B1 - 서어멀 헤드 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR950011931B1
Application number: KR1019900021201A
Authority: KR
Inventors: 쥬이찌 기시다; 히로유끼 오오따; 히로이 나까야마
Original assignee: 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼; 미따 가쓰시게
Priority date: 1989-12-20
Filing date: 1990-12-20
Publication date: 1995-10-12
Also published as: EP0433865B1; EP0433865A3; KR910011476A; JP2839600B2; US5229789A; EP0433865A2; JPH03189170A; DE69020517D1

Abstract

내용 없음.

Description

서어멀 헤드 및 그 제조방법

제1도는 서어멀 헤드의 사시도.

제2도는 종래 서어멀 헤드의 중요부분 평면도.

제3도는 제2도의 A-A'선 단면도.

제4도는 본 발명의 일실시예인 서어멀 헤드의 중요부분 평면도.

제5도는 제4도의 B-B'선 단면도.

제6도는 본 발명의 다른 일실시예인 서어멀 헤드의 중요부분 평면도.

제7도는 제6도의 C-C'선 단면도.

제8도는 제3도에 나타낸 종래 서어멀 헤드의 특성과 제5도에 나타낸 본 발명 서어멀 헤드의 특성의 차이를 나타내는 그래프.

제9도는 박막 구조의 차이로 인하여 도체와 구동 ICs간의 접속 강도가 제3도에 나타낸 종래의 서어멀 헤드와 제5도에 나타낸 본 발명 서어멀헤드 사이에서 다름을 나타내는 그래프.

제10도 내지 12도는 각각 본 발명에 따른 서어멀 헤드의 제조방법의 다른 실시예를 나타낸 공정도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

10 : 고저항 기판 21 : 발열저항체층

30 : 배선 40 : 보호층

60 : 땜납접속부 71 : 내마모충

81 : 레지스트 마스크

본 발명은 팩시밀리, 프린터 등의 기록부에 사용되는 박막형 서어멀헤드(thermal printing head) 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 발열 저항체에 접속되는 배선구조, 납땜법에 의하여 외부 회로와 전기적 접속을 행하는 땜납 접속부의 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다.

종래의 서어멀 헤드의 구조를, 제1도 내지 제3도를 사용하여 하기에 설명한다.

제1도는 종래 서어멀 헤드의 사시도이다. 히트 싱크(heat sink)(80)에 접착된 서어멀 헤드 기판(100)에는, 구동 ICs(110)와 플렉시블 프린트보드(120)의 일단이 땜납 접속되고, 또한 플렉시블 프린트 보드(120)의 타단에는 커넥터(130)가 납땜되어 있다. 헤드를 구동하는 외부 신호는, 커넥터(130)를 통하여 서어멀 헤드에 입력되고, 구동 ICs(110)를 제어함에 의해서 발열 저항체(도시하지 않음)를 구동하고 있다.

제2도는 종래의 서어멀 기판(100)의 중요부분 평면도이다. 고 저항기판(10)상에 형성된 발열 저항체(20)는, 공동 배선(50)과 개별 배선(30)에 전기적으로 접속되고, 또한 구동 ICs(110)의 전극을 접속하는 땜납 접속부(61) 및 플렉시블 프린트 보드(120)의 한쪽의 전극 단자를 접속하는 땜납접속부(62)에서, 플렉시블 프린트 보드(120)를 통하여 외부회로(도시하지 않음)와 접속된다.

제3도는 제2도의 A-A'선 단면도이다. 세라믹층(11), 글레이즈 층(12), 5산화 탄탈층(13)의 3층으로 이루어진 고저항 기판(10)상에, 크롬과 규소의 합금으로 구성된 발열 저항체층(21)을 스퍼터링에 의해서 형성하고, 그 위에 막 두께 0.1㎛의 크롬층(31)과 0.8㎛ 알루미늄 층(34)으로 구성되는 배선(30)을, 스퍼터링에 의해서 순차형성한다. 그다음, 포토리소그래픽 수법에 의하여 배선(30)과 발열 저항체 층(21)의 불필요부를 에칭함으로써 발열 저항체(20)가 형성된다.

다음, 발열 저항체(20)와 배선(30)을 보호하기 위하여, 제1층으로서 막 두께 4.0㎛의 이산화규소층(41)을 스퍼터링에 의하여 형성하고, 포토리소그래픽 수법에 의하여 관통구멍(through-holes)을 형성한 후, 제2층으로서 막두께 3.5㎛의 폴리이미드층(42)을 도포법에 의하여 형성하고, 동일하게 포토리소그래픽 수법에 의하여 관통구멍을 형성하여, 이들 2층으로 구성된 보호층(40)을 형성한다. 이어서 크롬층(51), 동층(copper layer)(52), 금층(gold layer)(53)의 3층으로 구성된 공동배선(50) 및 땜납 접속부(60)를, 각각 스퍼터링과 포토리소그랙픽법에 의해서 동시에 형성한 후, 공통 배선(50)상과 발열 저항체(20)상의 양 영역에 선택적으로 예를 들면 질화 규소로된 내마모 보호층(71)을 플라즈마 CVD법에 의해서 형성하고 있다.

상술한 서어멀 헤드를 감열 기록 방법에 적용할 수 있다. 이 경우, 감열 기록지가 제3도에서 기술한 지면(paper)에 수직으로 우로부터 좌방향으로 플래른 롤러(platen roller)(도시하지 않음)에 의해서 발열 저항체상에 억눌러지면서 이동한다. 때문에 기록지의 찌꺼기(less)(91)가, 공통배선(50)의 숄더(shoulder)에 남고, 기록지와 발열 저항체 상부의 열 전달부의 접촉을 악화시키므로, 헤드를 표준적으로 사용할 경우 한달에 한번 정도 헤드의 청소가 필요하다.

상술한 종래의 서어멀 헤드에 있어서는, 배선(30)에 사용되는 알루미늄(34)이 고부식성 금속이므로, 신뢰도를 확보하기 위하여 보호층(40)을 이산화규소층(41)과 폴리이미드층(42)의 2층으로 하고 있다. 특히, 이산화 규소층(41)와 막두꼐는 중요하지 않으며, 알루미늄층(34)의 부식을 방지하기 위하여는, 4.0㎛이상의 두꼐로 하여야한다. 이산화 규소층(41)은 발열 저항체(20)상에도 형성되므로, 그의 막두께는 기록특성에도 크게 영향을 준다. 알루미늄(34)을 배선 금속으로서 사용하는 경우에는, 이산화 규소층(41)의 막 두께 때문에 기록에너지레벨을 높여야 한다. 또한, 구동 ICs탑재시에 전극 접속 땜납의 응력이, 하지의 글레이즈층(12)에 전파되어 글레이즈 크랙(glaze crack)을 발생시키는 것을 방지하기 위하여 응력 완화막으로서 폴리이미드층(42)이 사용된다.

상술한 종래의 서어멀 헤드에서 사용한 배선을 2층 이상으로 하는 막 구성에 관하여는, 예를 들면 특개소 61-43449에 기재된 바와 같이 하부 크롬층과 상부 알루미늄층으로 함으로써, 경제성이 양호한 배선기판을 형성함이 밝혀지고 있다. 그러나 통상 이용되고 있는 땜납은 알루미늄과 합금 속을 만들지 않으므로, 알루미늄층 상에 별개의 납땜 접속용 금속층을 형성할 필요가 있다.

상술한 종래의 서어멀 헤드에 사용되는 땜납 접속부(60)의 기능은, 동층(52)에 땜납이 접속되고, 금층(53)은 동층(52)의 표면 산화를 방지하는 기능을 가지며, 크롬층(51)은 땜납 접속부(60)를 하층에 접착하는 기능을 갖는다.

또, 특개소 63-28665는, 배선 금속으로서 동, 땜납 접속 금속으로서 니켈과 동의 합금을 사용하는 서어멀 헤드를 기술하고 있다. 니켈과 동의 합금은, 땜납접속성이 양호하지만, 서어멀 헤드에 있어서의 금속층수를 증가시키고, 제조 프로세스가 복잡하게 된다. 더욱이 배선 금속변경에 의한 보호층의 두께변경에 관하여는 어떠한 고려도 없다.

상술한 바와 같이, 종래의 서어멀 헤드에 있어서는, 기록지의 찌꺼기(91)가 공통 배선의 숄더에 쉽게 쌓여, 헤드의 번잡한 청소를 하여야할 필요가 있었다. 또한, 배선 금속으로서 알루미늄을 사용할 경우, 보호층의 막을 두껍게 하여야 하며, 서어멀 헤드의 저 전력화의 방해가 되었다. 또한, 배선 금속으로서 알루미늄을 사용할 경우에는, 납땜 공정에 의해서 외부 회로와 전기 접속을 행하기 위하여 배선과는 다른 땜납 접속 금속을 형성할 필요가 있었다.

상술한 바와 같이, 종래의 서어멀 헤드는, 배선금속으로서 알루미늄을 사용하기 때문에, 보호층의 막을 두껍게 하여야 하고, 기록 에너지 준위를 높여야 하며, 또 배선부의 금속, 땜납 접속부, 공통배선의 금속이 별개이므로 전체구성이 복잡하게 되고, 번잡한 청소가 필요함과 동시에 비경제적인 단점이 있었다.

본 발명의 목적은, 이러한 종래의 문제점을 감안하여, 기록 에너지를 적게 소요하고, 고신뢰도의 접속을 확보하며, 또한 번잡한 청소를 요하지 않고 경제성이 양호한 서어멀 헤드 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.

상기 목적의 서어멀 헤드는, 배선과 땜납 접속에 공통금속을 사용하고, 배선을 구성하는 적어도 2층중 1층을 알루미늄 보다 부식되지 않는 땜납 접속 금속으로 하고, 다른 1층을 땜납 접속이 떨어지는 금속으로 하여 땜납의 흐름 방지에 사용함에 의해 달성할 수 있다.

본 발명의 일 양태에 따른 서어멀 헤드는 : 고저항 기판상 위에 직선상으로 배열된 복수개의 발열 저항체층 패턴과 : 상기 발열 저항체 층 패턴의 일단에 접속된 공통배선과 발열 저항체 층 패턴의 타단에 접속되고, 소정 간격으로 공통 배선과 분리되어 있는 개별 배선으로 구성된 적층 배선도체층과 : 적어도 상기 적층 배선 도체층상 및 이 배선도체층이 형성되지 않은 상기 발열 저항체층 패턴의 노출부상에 형성된 내열성 절연층과, 적어도 발열 저항체층 패턴의 노출부상에 상기 내열성 절연층을 끼워서 설치된 내마모 보호층과 : 상기 개별 배선상의 내열성 절연층에 관통구멍을 설치하여 형성된 구동 ICs접속용의 땜납접속부와 : 상기 땜납 접속부에 구동 ICs가 땜납 접속되고 탑재되어 구성되어 있으며, 상기 적층배선도체층은, 복수의 도체층으로 구성되고, 그 제1층이 상기 발열 저항체층에 대하여 접착성 양호하고, 또 땜납의 흐름을 방지하는 납땜 곤란한 성질을 갖는 도체층으로 형성되고, 제2층이 납땜이 양호하고, 또 알루미늄 보다도 부식되기 어려운 도체층으로 순차 적층하여 구성된다.

본 발명의 바람직한 한 형태에 있어서는, 상기 적층 배선 도체층을 제1 및 제2층으로 구성함과 동시에, 상기 개별 배선상의 내역성 절연층에 관통구멍을 설치하여 형성된 구동 ICs접속용의 납땜접속부의 상기 제2도체층의 노출부 둘레에, 상기 제1도체층이 노출하는 홈부(groove)를 설치한다. 상기 제1도체층의 노출부는 땜납 접속시 땜납 흐름 방지부로 된다.

본 발명의 바람직한 다른 형태는, 상기 적층 배선도체층의 제2층상에, 또한 제3층을 적층하여 3층 구조배선 도체층으로 함과, 동시에 상기 개별 배선상의 내열성 절연층에 관통구멍을 설치하여 형성된 ICs접속용의 땜납접속부에 있어서의 상기 제3층을 선택적으로 제거하여 상기 제2층을 노출시켜서 땜납접속부로 한다.

그 경우, 제1 및 제3층은 동일 금속으로 할 수 있다. 또 상기 제1층을 크롬, 티탄, 몰리브덴, 텅스텐의 군으로부터 선택된 단일금속 또는 합금으로, 상기 제2층을 동 또는 동 합금으로 구성할 수 있다.

상기 내열성 절연층을 이산화 규소로, 내마모성 보호층을 질화규소로 형성할 수 있다.

본 발명의 다른 양태에 따른 서어멀 헤드의 제조방법은 : 고저항기판 위에 직선상으로 배열된 복수개의 발열 저항체층 패턴을 형성하는 공정과 : 상기 발열저항체층 패턴상에 적어도 제1, 제2의 2층으로 구성되는 적층 배선 도체층을 형성하는 공정과 : 상기 발열 저항체층 패턴의 일단상의 상기 배선도체층을 공통배선층으로 남기고, 상기 발열 저항체층 패턴의 타단상의 상기 배선도체층을 개별 배선중으로서 남기며, 이들 양 배선층간의 발열 저항체층 패턴의 주면을 노출시키는 배선 패턴을 형성하기 위하여 선택에칭을 행함에 의해서 발열 저항체를 형성하는 공정과 : 적어도 상기 배선 패턴상 및 상기 배선 패턴의 선택에칭 공정에 의해서 노출된 상기 발열 저항체층 패턴상에 내열성 절연층을 형성하는 공정과 : 상기 개별 배선층상의 상기 내열성 절연층에 관통구멍을 설치하여 구동 ICs 접속용의 땜납 접속부를 형성하는 공정과 상기 발열 저항체의 상부 영역에 상기 내열성 절연층을 끼워서 내마모 보호층을 형성하는 공정으로 이루어지고, 상기 제1의 배선도체층을 크롬, 티탄, 몰리브덴 및 텅스텐의 군으로 부터 선택된 단일 금속 또는 합금속으로 형성하고, 상기 제2층을 동 또는 동 합금으로 형성한다.

본 발명의 다른 양태에 따른 서어멀 헤드의 제조방법은 : 고저항기판 위에 직선상으로 배열된 복수개의 발열 저항체층 패턴을 형성하는 공정과 : 상기 발열 저항체층 패턴상에, 제1, 제2 및 제3의 3층으로 구성된 적층 배선 도체층을 형성하는 공정과 : 상기 발열 저항체 층 패턴의 일단상의 상기 배선도체층을 공통배선층으로 남기고, 상기 발열 저항체층 패턴의 타단상의 배선도체층을 개별 배선층으로 남기며, 이들 양 배선간의 상기 발열 저항 체증 페턴의 주된면을 노출시키는 배선 패턴을 형성하기 위하여 선택 에칭을 행함에 의해서 발열 저항체를 형성하는 공정과 : 적어도 상기 배선 패턴상 및 상기 배선 패턴의 선택 에칭 공정에 의해서 노출된 발열 저항체층 패턴상에 내열성, 절연층을 형성하는 공정과 : 상기 개별 배선층상의 내열성 절연층에 관통구멍을 설치하고, 상기 제3의 배선도체층을 선택에칭하여 상기 제2의 배선도체층을 노출시켜 구동 ICs접속용의 땜납 접속부를 형성하는 공정과 : 상기 발열 저항체의 상부 영역에 상기 내열성 절연층을 끼워서 내 마모보호층을 형성하는 공정으로 이루어지고, 상기 제1의 배선도체층을 크롬, 티탄, 몰리브덴 및 텅스텐의 군으로부터 선택된 단일 금속 또는 합금층으로 형성하고, 상기 제2층을 동 또는 동합금층으로 형성한다.

상기 제1 및 제3의 배선도체층을 동일 금속으로 형성한다.상기 적층배선도체층의 형성을 스퍼터링에 의해서 연속적으로 형성하여 구성한다.

상기 내열성 절연층을 이산화규소로 구성하고, 스퍼터링에 의해서 4㎛미만의 두께로 형성함과 동시에, 내마모 보호층을 질화규소로 구성하고 플라즈마 CVD법에 의해서 형성한다.

본 발명에 의하면, 배선부와 땜납 접속부를 공통 금속으로 하여도 신뢰성을 유지할수 있다. 또한 제조 공정의 단순화가 가능하고, 경제적인 서어멀 헤드를 만들 수 있다. 또한, 배선금속의 보호층의 두께를 저감할 수 있으므로, 공급된 기록 에너지 준위를 저감할 수 있다. 더욱이, 종이 찌꺼기의 부착이 적으므로, 서어멀 헤드의 청소번잡을 줄이수 있다.

[실시예]

이하, 본 발명의 실시예를 제4 내지 12도를 사용하여 설명한다.

[실시예 1]

제4도는 본 발명 일실시예인 서어멀 헤드의 중요부분 평면도, 그리고 제5도는 제4도의 B-B'선 단면도이다.

제4도 및 제5도에 있어서, 제2 및 제3도와 동일 부분에 대하여는, 동일부호를 사용하고 있다. 제2도에 나타낸 구조의 경우에, 고저항 기판(10)상에 형성된 발열 저항체(20)는, 공통 배선(50)과 개별배선(30)에 전기적으로 접속되고, 구동 ICs(110)의 전극을 접소하는 땜납 접속부(61) 및 플렉시블 프린트보드(120)의 한쪽의 단자를 접속하는 땜납 접속부(62)를 통하여 외부 회로와 접속한다. 그러나, 제2도의 경우에는, 공통 배선(50)을 땜납 접속부(60)의 형성공정과 동시에 형성하고 있는 것에 대하여, 본 실시예에서는, 개별배선(30)의 형성공정과 동시에 형성하는 구성으로 하고 있다.

이점을 제5도에 의하여 보다 구체적으로 설명한다.

세라믹 기판(11), 글레이즈층(12) 및 5산화탄탈층(15)으로 구성된 고저항 기판(10)상에, 크롬과 규소의 합금속으로 만들어진 발열 저항체층(21)을 스퍼터링에 의하여 20 내지 30㎛의 두께로 형성한 후, 발열 저항체층(21)상에 배선(30)의 제1층으로서 크롬층(31), 제2층으로서 동층(32), 제3층으로서 크롬층(33)을 각각 0.15㎛, 2.5㎛, 0.03㎛의 두께로 스퍼터링법에 의해서 형성한다. 다음에, 소정의 마스크를 사용하여 크롬층(33)의 불필요 부분을 포토리소그래픽법에 의하여 제거하고, 동일양태로 동층(32), 크롬층(31), 발열저항체층(21)의 불필요 부분을 제거하여 상기 발열 저항체(20)와 땜납 접속부(60)를 형성한다. 발열 저항체(20)는, 배선(30)에 의해서 구성된 상기 공통 배선부(50)와 상기 개별 배선부(30)에 접속되고, 이 개별 배선부(30)상의 크롬층(33)에 관통 구멍을 설치하여 형성된 땜납 접속부(60)의 패턴을 형성하고, 이어서, 발열 저항체(20)와 배선(30)의 보호층으로서, 2.0㎛ 두께의 이산화 규소막(41)을 스퍼터링에 의해 형성한다. 또한, 내마모 보호층으로서 1.5㎛ 두께의 질화 규소막(71)을 플라즈마 CVD법에 의하여 이산화 규소 보호막(41)상의 공통 배선과 발열 저항체(20)의 상부 영역에 부분적으로 형성하고, 또한 포토리소그래픽 수법에 의해서 땜납 접속부(60)상의 이산화 규소막(41)에 관통 구멍을 형성한다. 관통구멍(61)은 본 실시예에 있어서 땜납 점속부(60)이다.

이와 같은 박막형 서어멀 헤드는, 이산화 규소막(41)을 제외하고, 일반적인 캐러셀(Carousel)형 스퍼터링 장치에 의해서 연속적인 제조를 가능케하는 박막구성이므로, 발열 저항체, 배선 및 구동 ICs접속 금속을 동일의 막형성장치 내에서 연속적으로 형성할 수 있다.

또, 배선 금속으로서, 종래의 고부식성 금속인 알루미늄 대신에 동층(32)을 사용하므로, 단지 2.0㎛의 두꼐를 갖는 이산화 규소막으로 구성된 보호막(41)에 있어서도, 고신뢰성을 확보할 수 있다. 또한, 글레이즈 층(12)을 설치한 서어멀 헤드에 납땜 접속을 행할 때 적용되는 응력을 동층(32)에 의해서 완화시키므로, 상기 응력이 글레이즈층(12)에 직접 도달하지 않으므로, 신뢰성을 유지할 수가 있다.

배선의 보호층인 이산화 규소막(41)을 발열 저항체층(21)에도 형성하므로, 종래의 서어멀 헤드에서는 적어도 4.0㎛이었던 이산화 규소막(41)의 두께를 2.0㎛로 줄일수 있으므로, 상기 발열 저항체(20)와 기록 기간의 거리를 2.0㎛로 저감할 수 있다. 따라서, 열의 전달 효율을 향상시키므로, 기록 에너지를 저감할 수 있다.

제8도는, 본 실시예에 따른 서어멀 헤드의 기록 특성을 나타내는 그래프이다. 횡축은 발열 저항체에 공급되는 전력을, 종축은 기록지의 혹화도를 나타내고 있다. 비교를 위하여 제1도 및 제3도에서 보여준 종래의 기록 특성 곡선 b는, 본 실시예의 기록 특성곡선 a의 우측에 있고, 이것은 종래의 서어멀 헤드가 기록에서 보다 높은 에너지 준위를 요하는 것을 의미한다. 예를들면 종래의 서어멀 헤드에서는 흑화도 1.0을 얻기 위하여 0.3mJ의 기록에너지를 요한 것에 대하여, 본 실시예에서는, 동일 흑화도를 얻기 위하여 0.24mJ의 에너지만 요하여, 약 20%를 저감하고 있다.

제9도는, 발열 저항체(20)와 구동 ICs를, ICs 접속부(60)에 땜납 접속할 때의 접속 강도의 측정 결과를 나타내는 그래프이다. 횡축에 구동 ICs의 리페어(repair)회수, 종축에는 전단 강도를 나타낸다. 구동 ICs의 리페어 회수는, 불량인 구동 ICs를 치환한 회수이다. 서어멀 헤드는 구동 ICs의 많은 수를 일반적으로 필요로하고, 불량 ICs리페어 기술이 필수적이다. 제9도에 있어서, 리페어 회수 0회는 초기 단계사용을 의미하고, 또 비교를 용이하게 하기 위하여, 땜납의 접속 면적은 두 예에서 동일하게 하고 있다. 제9도에서 알수 있는 바와 같이, 초기 접속 강도는, 제3도에서 보여준 비교예와 제5도에서 보여준 본 실시예에서는 동일하지만, 종래예에서는, 구동 ICs리페어 회수가 증가하므로, 접속강도가 감소하고, 접속강도 측정의 분산이 크며, 본 실시예에서는, 리페어 회수에 의한 접속 강도의 감소가 없으므로, 접속강도의 측정 분산이 적다.

제4도 및 제5도에서 보여준 서어멀 헤드에 있어서는, 3층으로 구성된 배선중 제3층의 크롬층을 땜납흐름 방지층으로서 사용함에 의해서, 고신뢰성이고, 또 경제성이 양호한 배선을 형성할 수가 있었다. 또한 3층으로 구성된 배선 금속의 제2층 금속으로서, 땜납 접속이 가능하고, 또, 비저항치가 작은 2.5㎛두께의 동으로 형성하므로, 기록지(도시하지 않음)의 출구측을 평탄화할 수 있고, 종이 찌꺼기의 청소 번잡도를 저감할수 있다. 또, 동층(32)에 대한 보호막(41)을 2.0㎛의 두께를 갖는 이산화 규소층으로 형성하므로, 발열 저항체(20)로 부터의 열이 서어멀기록지에 보다 효율적으로 도달한다. 이로 인하여 기록에너지 준위를 저감할 수 있다.

이상과 같은 본 실시예의 서어멀 헤드에 의하면, 기록 에너지 준위를 저감할 수 있고, 땜납 접속부의 강도를 높일 수 있다. 더욱기, 배선층(30)이 공통 배선과 개별 배선을 구성하므로, 제조 공정을 단축하며 제조효율을 향상시킬 수 있다. 또한 종래의 서어멀 헤드에서는, 기록지의 찌꺼기가, 쉽게 기록지의 출구측 가까이에 위치한 내마모 보호막(71)의 숄더에 남으므로, 적어도 1달에 한번은 청소할 필요가 있었다. 그러나, 본 실시예의 서어멀 헤드에서는, 숄더가 존재하지 않으므로, 청소의 회수를 약 1년에 한 번으로 줄일 수 있다.

이하, 제10도 내지 제12도를 사용하여 본 발명 서어멀 헤드의 제조방법의 예들을 설명한다.

제10도 내지 제12도는, 주로 땜납 접속부(60)의 제조 방법을 나타내고 있다.

[실시예 2]

제10a도 내지 제10d도는 가장 단순한 제조 방법의 일예를 나타낸 실시예이다. 제10a도에서 나타낸 바와 같이, 배선층(30)을 구성하는 제1층째의 크롬층(31), 제2층째의 동층(32), 그리고 제3층째의 크롬층(33)을 순차적으로 스퍼터링에 의해서 형성한다. 제10b도 내지 제10d도는, 이 배선층(30)을 최상층의 제3층으로부터 순차적으로 1층씩 소정 패턴의 레지스트 마스크를 형성하여 에칭하는 것의 반복에 의해서 서어멀 헤드를 제조하는 공정을 나타낸 것이다. 즉, 제10b도에서 나타낸 바와 같이, 제3층째의 크롬층(33)을 선택적으로 에칭하여 땜납 접속부(60)를 형성한다. 다음, 제10c도에서 나타낸 바와 같이, 제2층째의 동층(32)을 선택적으로 에칭하고, 그리고 제10d도에서 나타낸 바와 같이, 제1층째의 크롬층(31)을 선택적으로 에칭하여 발열 저항체층(21)을 부분적으로 노출시키고 있다. 도면에는 생략하였지만, 발열 저항체층(21)의 부분 에칭 제거, 보호막(41) 및 내마모성 보호층(71)의 형성을 행하고, 또한 플렉시블 프린트 보드(120)의 접속, 및 구동 ICs(110)의 탑재와 전극접소 등의 공정을 서어멀 헤드의 제조가 완성될때까지 계속한다.

[실시예 3]

제11a도 내지 제11c도는, 제10a도 내지 제10d도에 비교하여 레지스트 마스크 형성 공정을 1회 저감하고, 약품 사용량과 작업시간을 저감한 본 발명의 서어멀 헤드 제조방법의 다른 실시예를 나타내는 도이다.

본 실시예에 있어서는, 제11a도에 나타낸 바와 같이, 배선층(30)을 제10a도와 동일한 방법으로 형성한 후, 제11b도에서 나타낸 바와 같이, 제3층째의 크롬층(33)과 제2층째의 동층(32)을 동일의 포토레지스트 마스크로 연속하여 선택적으로 에칭 제거하여, 제1층째의 크롬층(31)을 노출시킨다. 다음, 상기 레지스트 마스크를 제거하고, 제11c도에서 나타낸 바와 같이 제3층째의 크롬층(33)의 불필요 부분과 제1층째의 크롬층(31)의 불필요 부분을 에칭에 의해서 동시에 제거한다. 제3층째의 크롬층(33)의 불필요 부분 제거는 땜납 접속부(60)를 형성하기 위한 것이다. 이것에 의해, 레지스트 패턴 형성 공정을 1회 저감하고, 그것에 의해 약품사용량과 작업시간을 저감시킬 수 있다. 그러나, 제3층째의 크롬층(33)과 제2층째의 동층(32)을 연속 에칭에 의하여 제거하는 경우에, 상기 동층(32)의 에칭에 사용되는 에칭액인 요드와 요드화 암모늄은 동층(32)의 측벽부 에칭량이 크므로, 제11b도에서 나타낸 바와 같이 제3층째의 크롬층(33)의 오버행부(overhanging portions)(33')를 발생시키는 결점이 있다. 상기 오버행부(33')는, 제1층째의 크롬층(31)의 포토레지스트 마스크 형성시에 크롬층(33)으로 부터 이탈하여 이탈부(33'')를 형성한다. 상기 레지스트 마스크 패턴하에 부착된 이탈부(33'')는 패턴 결함의 원인이 되고, 그후 스퍼터링 공정에서의 이물의 원인이 되므로 이탈부(33'')의 형성을 제거하여야 한다. 이 문제를 해결하는 수법을 다음의 실시예 4에서 설명한다.

[실시예 4]

제12a도 내지 제12d도는, 제10a도 내지 제10d도와 비슷하고, 제11a도 내지 제11c도에서 나타낸 실시예와 비교하여 제3층째의 크롬층(33)의 오버행부(33')를 크롬층(33)으로 부터 이탈하기 전에 에칭하여 제거하는 본 발명 실시예를 나타내고 있는 도이다.

본 실시예에서는, 제12a도에서 나타낸 바와 같이 배선층(30)을 제10a도와 동일 방법으로 형성한 후, 제12b에서 나타낸 바와 같이 제3층째의 크롬층(33)과 제2층째의 동층(32)을 포토레지스트 마스크(81)에 의하여 연속적으로 에칭한다. 그 후, 제12c도에 나타낸 바와 같이 재차 크롬층(33)의 선택에칭액인 페리시안화 칼륨을 사용하여 크롬층(33)에 에칭하여, 크롬층(33)의 오버행부(33')를 제거한다. 이로 인하여, 배선패턴 결함을 발생시키지 않고, 스퍼터링 공정의 이물을 증가시키지 않으며 레지스트 마스크 형성 공정을 1회 저감하고, 약품 사용량과 작업시간을 저감할 수가 있다. 여기서 제3층째의 크롬층(33)과 제1층째의 크롬층(31)은 당연하지만 동일 에칭액에 의해서 동시에 에칭되어지는데, 양자의 막두께의 차를 크게 결정함으로서, 동층(32)의 에칭후, 오버행부(33')와 동층(32)의 에칭에 의해서 전면에 노출된 크롬층(31)을 동시에, 오버행부(33')가 에칭되는 시간만 에칭함에 의해서 제3층째의 크롬층 이탈부(33'')를 전혀 없도록 하고, 또 제1층째의 크롬층(31)은 라이트 에칭하기 위하여 고정시켜 기판 전면 에 남길 수 있다.

그후, 제12d도에서 나타낸 바와 같이 소정의 포토레지스트 마스크를 형성하고, 제11c도와 동일 방법으로 제3층째의 크롬층(33)과 제1층째의 크롬층(31)상에 동시에 선택 에칭을 하여, 땜납 접속부(60)와 발열 저항체의 배선 패턴을 동시에 형성한다.

또, 상술한 제12c도의 공정에서는, 제1층째의 크롬층(31)을 기판 전면에 남겼지만, 제2층째의 동층(32)하에 부착된 제1층째의 크롬층(31)에만 남기는 것이 필요한 경우에는, 제3층째의 크롬층(33)과 제1층째의 크롬층(31)간의 두께차를 고려할 필요는 없고, 동층(32)의 선택에칭 후, 제1층째의 크롬층(31)을 연속적으로 에칭할 수도 있다. 또한 역으로 3층으로 구성된 배선부(30)의 제3층과 제1층을, 선택에칭 가능한 금속으로 만들경우에는, 제1층을 형성하는 금속을 라이트 에칭함 없이 오버행부를 완전히 제거할 수 있다.

제10도 내지 제12도에서 나타낸 서어멀 헤드의 제조방법에 의하면, 제3층째의 크롬층(33)을 땜납의 흐름 방지 금소층으로 함으로써, 고신뢰도이고 경제성이 우수한 제조방법으로 할수 있었다.

[실시예 5]

제6도는, 배선(30)을 크롬으로 형성한 제1층과 동으로 형성한 제2층의 2층 구조로 구성한 본 발명의 서어멀 헤드의 일실시예의 중요부분 평면도이고, 제7도는 제6도의 C-C'선 단면도이다.

본 실시예의 구성은, 기본적으로는 실시예 1의 제4도 및 제5도에서 나타낸 것과 동일하고, 동일 위치에 관하여는 동일 부호로 표시하고 있다.

본 실시예의 제1실시예 간의 차이점은, 본 실시예에서의 배선(30)이 0.1㎛의 두께의 크롬층(31)으로 형성된 제1층과 2.5㎛동층(32)으로 형성된 제2층으로 구성하고 있다는 것과 크롬층(31)이 땜납 흐름방지층으로 하는 동안 땜납이 제2층째의 구리층(32)에 접속되어 있다는 것이다.

본 실시예의 박막구성에서는, 전술의 실시예 1과 동일양태로 발열 저항체(20), 배선(30) 및 구동 ICs접속 전극(60)을 동일의 막형성 장치 내에 연속하여 형성할 수 있다. 또, 배선 금속으로 종래와 같이 고부식성 금속인 알루미늄을 사용하지 않으므로, 보호막으로서의 이산화 규소층(41)의 막두께가 2.0㎛정도의 박층이어도, 배선의 신뢰성을 충분히 확보할 수 있다. 더구나, 실시예 1과 비교하여, 제3층째의 크롬층(33)이 없으므로 재료비와 작업시간을 줄일 수 있다.

그러나, 본 발명의 서어멀 헤드에 구동 ICs의 탑재를 위하여 땜납 접속을 행할 때, 땜납이 접속부(61)의 동층(32)의 측면둘레에 흐를수 있다. 이 경우, 크롬층(31)에는 땜납에 의한 응력 완화의 작용이 없으므로, 글레이즈층(12)에 땜납 응력이 전달되고, 글레이즈 크랙이 발생하기 쉬운 결점이 있다. 때문에, 본 막구성의 서어멀 헤드에 사용되는 고저항기판(110)으로서는, 유리 또는 글레이즈 층을 사용하지 않는 것이 좋다.

또, 본 실시예에 있어서는, 땜납 접속부(61)의 동층(32)의 둘레, 예를 들면 접속부(61)와 보호층(41)간에 흠을 형성하여 아래의 크롬층(31)을 노출시킨다. 이것은 땜납의 흐름 방지 작용을 형성하기 위함이다.

제6도 및 제7도에 나타낸 구성의 서어멀 헤드에 있어서는, 2층으로 구성된 배선금속(30)중 동층(32)을 땜납 접속 금속, 크롬층(31)을 땜납의 흐름방지 금속으로서 사용하므로써, 경제성이 양호한 배선을 형성하는 것이 가능하다. 또한, 2층으로된 배선부의 제2층을, 땜납 접속이 양호하고, 또 비저항치가 작은 2.5㎛두께의 동으로 형성함으로써, 발열 저항체(20)의 기록지의 출구측을 평탄화가 가능하고, 종이 찌꺼기의 청소번잡도를 저감할 수 있도록한 것이다. 또한, 동층(32)의 보호막(41)은 2.0㎛두께의 이산화 규소로 형성하므로, 발열저항체(20)로 부터의 열이 감열기록지에 도달하는 효율을 향상시킬 수 있고, 기록 에너지 준위를 저감 가능하다.

이상, 상술한 본 발명의 대표적 실시예에 있어서는, 배선층(30)을 구성하는 적층막 중 발열 저항층(21)에 대하여 접착성 양호하고 납땜 곤란한 성질을 갖는 제1층, 제3층의 크롬 대신에 티탄, 몰리브덴 및 텅스텐의 단일 금속 또는 합금으로, 또 알루미늄 보다도 산화(부식)시키기 곤란한 납땜 접속 도체층인 제2층의 동 대신에 예를 들면NiCu, CrCu 등의 동 합금으로 치환하여도 모두 동일의 결과를 얻을 수 있다. 그리고, 제1층과 제3층을 반드시 동일 금속으로 형성할 필요가 없고, 패턴 형성 프로세스에 관련하여 적절한 금속을 선택할 수 있다.

또한, 배선층(30)을 구성하는 적층막도 제2층, 3층으로 한정하지 않고, 필요할 경우 4층 또는 그 이상층으로 구성할 수 있지만, 2층 또는 3층으로 하는 것이 실용적이다.

이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 의한 서어멀 헤드의 박막 구성은 2층 이상으로 구성하고, 그중 적어도 1층을 땜납 접속이 우수한 동 또는 동 합금으로 하고, 다른 적어도 1층을 땜납 접속이 불량한 크롬, 티탄, 몰리브덴, 텅스텐 또는 이들의 합금으로 함에 의해서, 땜납의 흐름 방지층으로 사용한다. 이렇게 하여, 박막의 구성을 단순화할 수 있고, 배선부와 땜납 접속부를 동일 설비를 사용하여 연속적으로 형성할 수 있다.

또한 본 발명에 의한 서어멀 헤드는, 배선 금속으로 고부식성인 알루미늄을 이용하지 않으므로, 배선 보호막을 단순화 할 수 있고, 예를 들면 이산화규소를 형성된 보호막의 두께를 대폭으로 저감할 수 있으며, 그것에 의해 기록 에너지 준위를 저감할 수 있다.

또한 본 발명에 의한 서어멀 헤드는, 배선부를 형성하는 동 또는 동 합금을 공통 배선에 그대로 사용하므로, 발열 저항체 상부의 기록지의 출구 축을 평탄화 할 수 있고, 기록지 찌꺼기의 부착을 저감할 수 있는 구조로 되어 있다.

본 발명에 의한 제조방법은, 배선을 구성하는 다층을, 스퍼터링에 의한 박막 형성 기술에 의하여 연속적으로 형성할 수 있고, 또한, 공통배선, 개별배선 및 개별 배선 상에의 땜납 접속부의 형성등은, 어느 것이나 공지의 미세 패턴을 형성하는 리소그래픽 기술을 이용하여 용이하게 형성할 수가 있다.

Claims

고저항 기판상 위에 직선상으로 배열된 복수개의 발열 저항체층 패턴과; 상기 발열 저항체층 패턴의 일단에 적층 접속된 공통 배선 및 소정 간격을 두고 타단에 적층 접속된 개별 배선으로 이루어진 적층배선 도체층과; 적어도 상기 적층 배선 도체층 상 및 상기 배선 도체층이 형성되지 않는 상기 발열 저항체층 패턴의 노출부 상에 형성된 내열성 절연층과; 적어도 상기 발열 저항체층 패턴의 노출부상에 상기 내열성 절연층을 끼워서 설치한 내마모 보호층과; 상기 개별 배선상의 내열 절연층에 관통구멍을 설치하여 형성한 구동 ICs접속용의 땜납 접속부와; 상기 땜납 접속부에 구동 ICs가 납땜 접속되고 탑재되어 구성된 서어멀 헤드에 있어서, 상기 적층 배선 도체층이 복수의 도체층으로 구성되고, 그 제1도체층이 상기 발열 저항체층에 대하여 접착성이 양호하고 또한 땜납의 흐름을 방지하는 납땜 곤란한 성질을 갖는 도체층이며, 제2층이 납땜 양호하고 더구나 알루미늄 보다도 부식되지 않는 도체층으로 순차 적층하여 구성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드.
제1항에 있어서, 상기 적층 배선 도체층이 상기 제1층과 제2층으로 구성됨과 동시에, 상기 개별배선상의 내열성 절연층에 상기 관통 구멍을 설치하여 형성된 구동 ICs접속용의 땜납 접속부의 상기 제2도체층의 노출부 둘레에, 상기 제1도체층이 노출되는 홈부를 설치하고, 상기 제1도체층의 노출부가 땜납 접속시의 땜납의 흐름 방지부로서 구성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드.
제1항에 있어서, 상기 적층 배선 도체층의 제2층상에, 또한 제3층을 적층하여 3층 구조 배선 도체층으로 함과 동시에, 상기 개별 배선상의 내열성 절연층에 관통 구멍을 설치하여 형성된 구동 ICs접속용의 땜납 접속부에 있어서의 상기 제3층을 선택적으로 제거하고 상기 제2층을 노출시켜 땜납 접속부로서 구성함을 특징으로 하는 서어멀 헤드.
제3항에 있어서, 상기 제1층과 제3층이 동일 금속의 도체층으로 구성하여 형성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드.
제1, 2, 3 또는 4항에 있어서, 상기 제1층이 크롬, 티탄, 몰리브덴 및 텅스텐의 군으로 부터 선택된 단일 금속 또는 상기 금속의 합금으로 형성되고, 상기 제2층이 동 또는 동합금으로 형성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드.
제1항에 있어서, 상기 내열성 절연층이 이산화 규소로 형성되고, 상기 내마모 보호층이 질화 규소로 구성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드.
고저항 기판상 위에 직선상으로 배열된 복수개의 발열 저항체층 패턴을 형성하는 공정과; 상기 발열 저항체층 패턴상에, 적어도 제1, 제2의 2층으로 구성된 적층배선도체층을 형성하는 공정과; 상기 발열 저항체층 패턴의 일단상의 상기 배선도체층을 공통 배선층으로서 남기고, 또 상기 발열 저항체층의 타단의 상기 배선 도체층을 개별 배선층으로서 남기며, 상기 양 배선층간의 상기 발열 저항체층 패턴의 주된 면을 노출시키는 배선 패턴의 선택에칭을 행하여 발열 저항체를 형성하는 공정과; 적어도 상기 배선 패턴상 및 상기 배선 패턴의 선택에칭 공정에 의해서 노출된 상기 발열 저항체층 패턴상에 내열성 절연층을 형성하는 공정과; 상기 개별 배선층상의 내열성 절연층에 관통 구멍을 설치하여 구동 ICs접속용의 땜납 접속부를 형성하는 공정과; 상기 발열 저항체의 상부 영역에 상기 내열성 절연층을 끼워서 내마모 보호층을 형성하는 공정으로 이루어지고, 상기 배선 도체층의 상기 제1층이 크롬, 티탄, 몰리브덴 및 텅스텐의 군으로 부터 선택된 단일 금속 또는 상기 금속의 합금으로 형성되고, 상기 제2층이 동 또는 동 합금으로 형성됨을 특징으로 하는 제1항의 서어멀 헤드의 제조방법.
고저항 기판위에 직선상으로 배열된 복수개의 발열 저항체층 패턴을 형성하는 공정과; 상기 발열 저항체층 패턴 상에, 제1, 제2 및 제3의 3층으로 구성된 적층 배선 도체층을 형성하는 공정과; 상기 발열 저항체층 패턴의 일단상의 상기 배선도체층을 공통 배선층으로서 남기고, 또 상기 발열 저항체층 패턴의 타단상의 상기 배선 도체층을 개별 배선층으로 남기며, 상기 양 배선층간의 상기 발열 저항체층 패턴의 주된면을 노출시키는 배선 패턴이 선택 에칭을 행하여 발열 저항체를 형성하는 공정과; 적어도 상기 배선 패턴상 및 상기 배선 패턴으 선택 에칭 공정에 의해서 노출된 상기 발열 저항체층 패턴 상에 내열성 절연층을 형성하는 공정과; 상기 개별 배선층 상의 내열성 절연층에 관통 구멍을 형성하고 상기 제3의 배선도체층을 선택에칭하여 상기 제2의 배선도체층을 노출시켜 구동 ICs접속용의 땜납 접속부를 형성하는 공정과; 상기 발열 저항체의 상부 영역에 상기 내열성 절연층을 끼워서 내마모 보호층을 형성하는 공정으로 이루어지고; 상기 배선도체층의 상기 제1층이 크롬, 티탄, 몰리브덴 및 텅스텐의 군으로부터 선택된 단일 금속 또는 상기 금속의 합금으로 형성되고, 상기 제2층이 동 또는 동 합금으로 형성됨을 특징으로 하는 제3항의 서어멀 헤드의 제조방법.
제8항에 있어서, 상기 제1 및 제3의 배선 도체층이 동일 금속으로 형성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드의 제조방법.
제7항에 있어서, 상기 적층 배선 도체층이 스퍼터링에 의해서 연속적으로 형성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드의 제조방법.
제7항에 있어서, 상기 내열성 절연층이 이산화 규소로 구성되고, 스퍼터링에 의해서 4㎛미만의 두께로 형성됨과 동시에, 상기 내마모 보호층이 질화 규소로 구성되고, 플라즈마 CVD에 의해서 형성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드의 제조방법.
고저항 기판 위에 직선상으로 배열된 복수개의 발열저항체층 패턴을 형성하는 공정과; 상기 발열 저항체층 패턴상에, 적어도 제1, 제2의 2층으로 구성된 적층 배선 도체층을 형성하는 공정과; 상기 발열 저항체층 패턴의 일단상의 상기 배선도체층을 공통배선층으로서 남기고, 상기 발열 저항체층 패턴의 타단상의 상기 배선 도체층을 개별 배선도체층으로서 남기며, 상기 배선층간의 상기 발열 저항체층 패턴의 주된면을 노출시키는 배선 패턴의 선택에칭을 행하여 발열 저항체를 형성하는 공정과; 적어도 상기 배선 패턴상 및 상기 배선 패턴의 선택 에칭공정에 의해서 노출된 상기 발열 저항체층 패턴상에 내열성 절연층을 형성하는 공정과; 상기 개별 배선층상의 내열성 절연층에 관통구멍을 형성하여 구동 ICs접속용의 땜납 접속부를 형성하는 공정과; 상기 발열 저항체의 상부 영역에 상기 내열성 절연층을 끼워서 내마모 보호층을 형성하는 공정으로 이루어지고; 상기 배선 도체층의 상기 제1층이 크롬, 티탄, 몰리브텐 및 텅스텐의 군으로 부터 선택된 단일 금속 또는 상기 금속 합금으로 형성되고, 상기 제2층이 동 또는 동합금으로 형성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드의 제조방법.
고저항 기판위에 직선상으로 배열된 복수개의 발열 저항체층 패턴을 형성하는공정과; 상기 발열 저항체층 패턴상에 제1, 제2 및 제3의 3층으로 구성된 적층 배선 도체층을 형성하는 공정과; 상기 발열 저항체층 패턴의 일단의 상기 배선 도체층을 공통 배선층으로서 남기고, 상기 발열 저항체층의 타단의 상기 배선도체층을 개별 배선층으로서 남기며, 상기 양배선층간의 상기 발열 저항체층 패턴의 주된면을 노출시키는 배선 패턴의 선택에칭을 행하여 발열 저항체를 형성하는 공정과; 적어도 상기 배선패턴상 및 상기 배선 패턴의 선택 에칭 공정에 의해서 노출된 상기 발열 저항체층 패턴상에 내열성 절연층을 형성하는 공정과; 상기 개별 배선층상의 상기 내열성 절연층에 관통구멍을 형성하고 상기 제3의 배선 도체층을 선택 에칭하여 상기 제2의 배선 도체층을 노출시ㅕ서 구동 ICs 접속용의 땜납 접속부를 형성하는 공정과; 상기 발열 저항체의 상부 영역에 상기 내열성 절연층을 끼워서 내마모 보호층을 형성하는 공정으로 이루어지고; 상기 배선도체층의 상기 제1층이 크롬, 티탄, 몰리브덴 및 텅스텐의 군으로부터 선택된 단일 금속 또는 상기 금속의 합금으로 형성되고, 상기 제2층이 동 또는 동 합금으로 형성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드의 제조방법.
제13항에 있어서, 상기 제1, 제3와 배선도체층이 동일 금속으로 형성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드의 제조방법.
제12항에 있어서, 상기 적층 배선도체층이 스퍼터링에 의해서 연속적으로 형성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드의 제조방법.
제12항에 있어서, 상기 내열성 절연층이 이산화 규소로 구성되고 스퍼터링에 의해서 4㎛미만의 두께로 형성됨과 동시에, 상기 내마모 보호층이 질화규소로 구성되고 플라즈마 CVD법에 의해서 형성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드의 제조방법.
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 적층 배선도체층이 스퍼터링에 의해서 연소적으로 형성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드의 제조방법.
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 내열성 절연층이 이산화 규소로 구성되고 스퍼터링에 의해서 4㎛미만의 두께로 형성됨과 동시에, 상기 내마모 보호층이 질화 규소로 구성되고 플라즈마 CVD에 의해서 형성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드의 제조방법.
제10항에 있어서, 상기 내열성 절연층이 이산화 규소로 구성되고 스퍼터링에 의해서 4㎛미만의 두께로 형성됨과 동시에, 상기 내마모 보호층이 질화규소로 구성되고 플라즈마 CVD에 의해서 형성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드의 제조방법.
제17항에 있어서, 상기 내열성 절연층이 이산화 규소로 구성되고 스퍼터링에 의해서 4㎛미만의 두께로 형성됨과 동시에, 상기 내마모 보호층이 질화 규소로 구성되고 플라즈마 CVD에 의해서 형성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드의 제조방법.
제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 적층 배선도체층이 스퍼터링에 의해서 연속적으로 형성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드의 제조방법.
제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 내열성 절연층이 이산화 규소로 구성되고 스퍼터링에 의해서 4㎛미만의 두께로 형성됨과 동시에, 상기 내마모 보호층이 질화규소로 구성되고 플라즈마 CVD법에 의해서 형성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드의 제조방법.
제15항에 있어서, 상기 내열성 절연층이 이산화 규소로 구성되고 스퍼터링에 의해서 4㎛미만의 두께로 형성됨과 동시에, 상기 내마모 보호층이 질화규소로 구성되고, 플라즈마 CVD법에 의해서 형성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드의 제조방법.
제21항에 있어서, 상기 내열성 절연층이 이산화규소로 구성되고 스퍼터링에 의해서 4㎛미만의 두께로 형성됨과 동시에, 상기 내마모 보호층이 질화규소로 구성되고 플라즈마 CVD법에 의해서 형성됨을 특징으로 하는 서어멀 헤드의 제조방법.