KR920015584A - Esd 면역성을 개선시키는 기술 - Google Patents

Esd 면역성을 개선시키는 기술 Download PDF

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KR920015584A
KR920015584A KR1019920001174A KR920001174A KR920015584A KR 920015584 A KR920015584 A KR 920015584A KR 1019920001174 A KR1019920001174 A KR 1019920001174A KR 920001174 A KR920001174 A KR 920001174A KR 920015584 A KR920015584 A KR 920015584A
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esd immunity
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KR1019920001174A
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Inventor
엔 융-차수
Original Assignee
존 지. 웨브
내쇼날 세미컨덕터 코포레이션
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    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
    • H02H9/045—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage adapted to a particular application and not provided for elsewhere
    • H02H9/046—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage adapted to a particular application and not provided for elsewhere responsive to excess voltage appearing at terminals of integrated circuits

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Abstract

내용 없음

Description

ESD 면역성을 개선시키는 기술
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 ESD보호 회로의 제1실시예에 때한 회로 다이어그램, 제3도는 본 발명에 따른 ESD보호 회로의 제2실시예에 대한 회로 다이어그램, 제4도는 본 발명에 따른 ESD보호 회로의 제2실시예에 대한 변형실시 예의 회로 다이어그램.

Claims (1)

  1. 정전방전에 대한 면역성을 지니는 디바이스에 있어서, a. 가지 라인에 의해 접근될수 있는 적어도 하나의 특징부를 지니되, 미리 결정된 전압레벨을 초과하는 제1전압이 상기 가지 라인상에 나타나는 경우 상기 회로 특정부의 적절한 동작이 파괴도는 MOS집적회로, 및 b.상기 가지라인에 접속되어 있는 적어도 하나의 스위칭 MOS트랜지스터로서, 상기 집적회로의 정상 동작 전압이상이지만 상기 미리 결정된 전압레벨보다 낮은 제2전압에 응답하여 상기 제1전압을 상기 회로 특징부로 부터 분로시키는 적어도 하나의 스위칭 MOS트랜지스터를 포함하는 디바이스.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920001174A 1991-01-29 1992-01-28 Esd 면역성을 개선시키는 기술 KR920015584A (ko)

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