KR890013795A - Mos형 집적회로 출력용 과전압 보호회로 - Google Patents

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KR890013795A
KR890013795A KR1019890001162A KR890001162A KR890013795A KR 890013795 A KR890013795 A KR 890013795A KR 1019890001162 A KR1019890001162 A KR 1019890001162A KR 890001162 A KR890001162 A KR 890001162A KR 890013795 A KR890013795 A KR 890013795A
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KR
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integrated circuit
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overvoltage protection
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drain
Prior art date
Application number
KR1019890001162A
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English (en)
Inventor
알렉시 마꽈뜨
프랑스와 따이에
Original Assignee
왈 장-클로드
에스지에스-톰슨 마이크로일렉트로닉스 에스.에이.
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Publication date
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    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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    • H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
    • H01L27/0255—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using diodes as protective elements

Abstract

내용 없음.

Description

MOS형 집적회로 출력용 과전압 보호회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 MOS 트랜지스터 회로의 출력보호 구조를 도시한 도면.
제5도는 제4도에 대응하는 시간함수로서 전압 변화를 도시한 도면.

Claims (2)

  1. 쌍방향 항복장치(30)를 피보호 MOS 트랜지스터의 드레인 혹은 소스에 연결된 패드(31)와 기준전압 사이에 연결하고, 레지스터(56)를 쌍방향 항복장치와 피보호 MOS 트랜지스터 사이에 연결하며, 레지서터 값을 선정하여 피보호 트랜지스터의 드레인/소스에서 최대 허용 전류보다 낮은 전류에 의해 산출되는 이 레지스터 값이 보호장치의 항복전압(VT)과 MOS 트랜지스터의 드레인/소스에서 전도상태에 있는 전압(VC) 사이의 차이보다 약간 높게하는 것을 특징으로하는 MOS 집적회로의 출력증폭기용 과전압 보호구조.
  2. 제1항에 있어서, 집적회로를 1차 전도형태의 서브스트레이트(53)상에 실행시키고, 쌍방향 항복장치가 2차 금속으로 접지한 높은 도핑레벨의 2차전도 형태로서의 2차영역(54)을 갖는 레지스터의 패드(31)에 1차금속으로 연결한 높은 도핑레벨의 2차 전도형태로서의 1차영역(51)을 포함하고, 3차금속(57)으로 1차영역(51)을 하나 혹은 두개의 4면체를 구성하는 확장(58)을 통하여 피보호 회로출력에 연결시키는 것을 특징으로 하는 MOS 집적회로의 출력증폭기용 과전압 보호구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890001162A 1988-02-04 1989-02-01 Mos형 집적회로 출력용 과전압 보호회로 KR890013795A (ko)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8801551A FR2627028B1 (fr) 1988-02-04 1988-02-04 Structure de protection des sorties d'un circuit integre de type mos
FR63-01551 1988-02-04

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KR890013795A true KR890013795A (ko) 1989-09-26

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EP0624906B1 (en) * 1993-05-13 2001-08-08 Consorzio per la Ricerca sulla Microelettronica nel Mezzogiorno Integrated structure circuit for the protection of power devices against overvoltages
DE69327320T2 (de) * 1993-09-30 2000-05-31 Cons Ric Microelettronica Integrierte aktive Klammerungsstruktur für den Schutz von Leistungsanordnungen gegen Überspannungen, und Verfahren zu ihrer Herstellung

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JPS6038858A (ja) * 1983-08-12 1985-02-28 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JPH0665224B2 (ja) * 1984-04-20 1994-08-22 日立マイクロコンピュ−タエンジニアリング株式会社 半導体集積回路装置

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EP0327475A1 (fr) 1989-08-09
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JPH025571A (ja) 1990-01-10

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