KR940001384A - 반도체 장치 - Google Patents

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KR940001384A
KR940001384A KR1019930009855A KR930009855A KR940001384A KR 940001384 A KR940001384 A KR 940001384A KR 1019930009855 A KR1019930009855 A KR 1019930009855A KR 930009855 A KR930009855 A KR 930009855A KR 940001384 A KR940001384 A KR 940001384A
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마사카즈 가쿠무
가즈타카 노가미
유키 사토
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사또오 후미오
가부시기가이샤 도시바
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    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
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Abstract

본 발명은 고속성을 중시할 때에는MOSFET의 임계치를 낮게 설정할 수 있고, 스탠드바이시 등의 저소비 전력을 중시할 때에는 MOSFET의 임계치를 높이 설정할 수 있고, 고속성과 저소비 전력의 양립을 달성하는 반도체 장치를 제공하는 데 있다.
n형 Si기판(칩) (1)위에 P웰 영역이 선택적으로 형성되고, 기판(1)의 표면에 형성된 P채 널의 MOSFET와 P웰 영역에 형성된 n채널 MOSFET를 기본셀로 하는 셀영역 (4)과, 기판(1)위에 형성된 입출력회로(2)와. 기판(1)위에 형 성된 기판 바이어스 발생회로 (3)를 구비한 반도체 장치 이고, 입출력회로 (2)를 통하여 기판 바이어스 발생회로(3)를 제어하고, 기판(1) 및 P웰영역에 걸리는 바이어스(7,8)를 MOSFET의 동작 모드에 따라서 기변하는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 제1의 실시예에 의한 반도체 장치의 회로 구성을 나타낸 블록도,
제2도는 제1의 실시예에 있어서의 기본셀 구조를 나타낸 단면도,
제3도는 제2의 실시예에 의한 반도체 장치의 회로 구성을 나타낸 블록도,
제4도는 제3의 실시예에 의한 반도체 장치의 회로 구성을 나타낸 블록도.

Claims (15)

  1. 제1도전형 반도체기판과, 이 기판상에 형성된 P채널 또는 n채널의 MOSFET를 포함하는 주회로와. 상기 기판에 걸리는 바이어스를 상기 주회로의 동작 모드에 따라서 가변하는 수단을 구비 한 것을 특징 으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1도전형 반도체기판과, 이 기판의 표면부에 선택적으로 형성된 제2도전형 웰 영역과, 상기 기판상에 형성된 P채널 또는 n채널의 MOSFET와 상기 웰 영역상에 형성된 n채널 또는 P채널의 MOSFET를 포함하는 주회로와, 상기 기판에 걸리는 바이어스 및 웰영역에 걸리는 바이어스의 적어도 한쪽을 상기 주회로의 동작모드에 따라서 가변하는 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 바이어스를 가변하는 수단으로서 상기 기판상에 기판 바이어스 발생회로가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 기판 바이어스 발생회로는 상기 기판상에 설치된 입출력 회로에 의하여 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 기판 바이어스 발생회로는 외부 신호에 의하여 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 바이어스를 가변하는 수단으로서 상기 주회로의 동작 모드에 따라서 외부로부터 소정의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 제1도전형 반도체 기판과. 이 기판상에 형성된 P채널 또는 n채널의 MOSFET를 포함하는 주회로와, 상기 기판에 걸리는 바이어스를 상기 주회로의 동작전압에 따라서 가변하는 수단을 구비 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  8. 제1도전형 반도체기판과, 이 기판의 표면부에 선택적으로 형성된 제2도전형 웰 영역과, 상기 기판상에 형성된 P채널 또는 n채널의 M0SFET와 상기 웰 영역상에 형성된 n채널 또는 P채널의 M0SFET를 포함하는 주회로와, 상기 기판에 걸리는 바이어스 및 웰 영역에 걸리는 바이어스의 최소한 한쪽을 상기 주회로의 동작 전압에 따라서 가변하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 바이어스를 가변하는 수단으로서 상기 기판상에 기판 바이어스 발생회로가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 기판 바이어스 발생회로는 상기 기판상에 설치된 상기 주회로의 동작 전압의 값을 검지하는 검지회로에 의하여 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  11. 제7항에 있어서, 상기 바이어스를 가변하는 수단으로서 상기 주회로의 동작 모드에 따라서 외부로부터 소정의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  12. 제1도전형 반도체 기판과, 이 기판상에 형성된 P채널 또는 n채널의 MOSFET를 포함하고 제1의 전압치로 동작하는 제1의 회로부와 제1의 전압치보다 낮은 제2의 전압치로 동작하는 제2의 회로부를 포함하는 주회로와, 상기 기판에 걸리는 바이어스를 상기 제2의 회로부의 동작모드에 따라서 가변하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 바이어스를 가변하는 수단으로서 상기 기판상에 기판 바이어스 발생회로가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  14. 제1도전형 반도체 기판과, 이 기판상에 형성된 P채널 또는 n채널의 MOSFET를 포함하고 제1의 전압치로 동작하는 제1의 회로부와 제1의 전압치보다 낮은 제2의 전압치로 동작하는 제2의 회로부를 포함하는 주회로와, 상기 기판에 걸리는 바이어스률 상기 제2의 회로부의 동작 전압에 따라서 가변하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 바이어스률 가변하는 수단으로서 상기 기판상에 기판 바이어스 발생회로가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930009855A 1992-06-02 1993-06-02 반도체 장치 KR0137857B1 (ko)

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