KR920010985A - 고속소자 및 고속메모리 소자 - Google Patents

고속소자 및 고속메모리 소자 Download PDF

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KR920010985A
KR920010985A KR1019910018553A KR910018553A KR920010985A KR 920010985 A KR920010985 A KR 920010985A KR 1019910018553 A KR1019910018553 A KR 1019910018553A KR 910018553 A KR910018553 A KR 910018553A KR 920010985 A KR920010985 A KR 920010985A
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KR
South Korea
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high speed
sides
channel portion
gate electrode
speed device
Prior art date
Application number
KR1019910018553A
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English (en)
Inventor
미끼오 무까이
아끼히꼬 오찌아이
Original Assignee
오가 노리오
소니 가부시기가이샤
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/437—Superconductor materials
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2211/00—Indexing scheme relating to digital stores characterized by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C2211/56—Indexing scheme relating to G11C11/56 and sub-groups for features not covered by these groups
    • G11C2211/561—Multilevel memory cell aspects
    • G11C2211/5614—Multilevel memory cell comprising negative resistance, quantum tunneling or resonance tunneling elements

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Abstract

내용 없음

Description

고속소자 및 고속메모리 소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관한 고속소자의 예(초전도트랜지스터)를 나타낸 단면도, 제도는 그 동작설명을 위한 단면도, 제3도는 A∼I는 그 제법예를 나타낸 제조 공정도, 제7도는 본원 발명에 관한 고속메모리소자(다이나믹 RAM셀)의 예를 나타낸 단면도.

Claims (5)

  1. 반도체에 의한 채널부의 상하면에 초전도체(超傳導體)에 의한 소스부 및 드레인부를 가지고, 상기 채널부의 측면에 절연막을 통하여 게이트 전극이 형성되어 이루어지는 고속소자.
  2. 반도체에 의한 기둥형 채널부의 양측에 초전도체에 의한 소스부 및 드레인부를 가지고, 상기 기둥형 채널부의 상면에 절연막을 통하여 게이트전극이 형성되어 이루어지는 고속소자.
  3. 반도체에 의한 채널부의 양측에 초전도체에 의한 소스부 및 드레인부를 가지고, 상기 기둥형 채널부의 상면에 절연막을 통하여 게이트전극이 형성되어 이루어지는 초전도트랜지스터와, 상기 드레인부의 외측에 유전체막을 통하여 초전도체를 배설하여 형성된 용량으로 이루어지는 고속메모리소자.
  4. 양자웰을 구성하는 영역을 사이에 두고 양측에 포텐셜장벽을 구성하는 두께가 전자(電子)의파장정도의 절연박막을 배설하고, 이 양 절염박막의 외측에 각각 단자부를 배설하여 이루어지는 고속소자.
  5. 양자웰을 구성하는 영역을 사이에 두고 양측에 포텐셜장벽을 구성하는 두께가 전자의 파장정도의 절연박막을 배설하고, 이 양 절연박막의 외측에 소스부 및 드레인부를 배설하는 동시에, 상기 영역상에 절연막을 통하여 게이트전극을 배설하여 이루어지는 고속소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019910018553A 1990-11-30 1991-10-22 고속소자 및 고속메모리 소자 KR920010985A (ko)

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JP90-338,350 1990-11-30
JP02338350A JP3092160B2 (ja) 1990-11-30 1990-11-30 高速素子及び高速メモリ素子

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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