KR920005157A - 저 소비전력형 워드선 구동회로 - Google Patents

저 소비전력형 워드선 구동회로 Download PDF

Info

Publication number
KR920005157A
KR920005157A KR1019900012012A KR900012012A KR920005157A KR 920005157 A KR920005157 A KR 920005157A KR 1019900012012 A KR1019900012012 A KR 1019900012012A KR 900012012 A KR900012012 A KR 900012012A KR 920005157 A KR920005157 A KR 920005157A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
fet
fets
word line
line driver
driver circuit
Prior art date
Application number
KR1019900012012A
Other languages
English (en)
Other versions
KR930006629B1 (ko
Inventor
윤광준
이창석
박형무
성낙선
Original Assignee
경상현
재단법인 한국전자통신연구소
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 경상현, 재단법인 한국전자통신연구소 filed Critical 경상현
Priority to KR1019900012012A priority Critical patent/KR930006629B1/ko
Priority to JP22102791A priority patent/JP2664567B2/ja
Priority to US07/740,998 priority patent/US5263001A/en
Publication of KR920005157A publication Critical patent/KR920005157A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR930006629B1 publication Critical patent/KR930006629B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/41—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
    • G11C11/413—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/08—Word line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, for word lines
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/01—Modifications for accelerating switching
    • H03K19/017—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits
    • H03K19/01707—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits
    • H03K19/01721—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits by means of a pull-up or down element
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175—Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/0185—Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
    • H03K19/018507—Interface arrangements
    • H03K19/018535—Interface arrangements of Schottky barrier type [MESFET]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

저 소비전력형 워드선 구동회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a,b도는 종래의 일반적인 워드선 구동회로의 회로도.
제2도는 본 발명의 워드선 구동회로의 회로도.
제3도는 증가형 FET의 임계전압 변동에 대한 워드선 구동회로의 출력전압 레벨을 비교하여 나타낸 그래프.
제4도는 증가형 FET의 임계전압 변동에 대한 워드선 구동회로의 소비전력을 비교하여 나타낸 그래프.
제5도는 증가형 FET의 임계전압 변동에 대한 워드선 구동회로의 지연시간을 비교하여 나타낸 그래프.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
J1,J3,J5 : 공핍형 FET J2,J4,J6,J7 : 증가형 FET

Claims (2)

  1. 푸시풀 구동회로를 구성하는 기본논리회로 구성에 있어서, 공핍형 FET(J5)와 증가형 FET(J6)의 드레인, 게이트 소오스를 각각 병렬로 연결하여 부하 FET로 사용하며, 구동 FET로는 증가형 FET(J7)를 사용하며, 부하 FET인 공핍형 FET(J5)와 증가형 FET(J6)의 드레인은 접지에 연결하고 게이트는 압단의 입력과 연결하며 소오스는 구동 FET(J7)의 드레인과 연결하여 출력단자로 사용하고 구동 FET(J7)의 소오스는 전원전압에 연결하여 구동됨을 특징으로 하는 저소비 전력형 워드선 구동회로.
  2. 제 1항에 있어서, 부하 FET로 공핍형 FET(J1), (J3)가 사용되고 구동 FET로 증가형 FET(J2), (J4)가 사용되는 두개의 단으로 구성되는 비반전형 슈퍼버퍼 회로에 있어서, 슈퍼버퍼 둘째단의 출력을 1항의 부하 FET(J5), (J6)의 게이트에 연결하고 슈퍼버퍼 두번째 단의 게이트를 1항의 구동 FET(J7)의 게이트에 연결하고 슈퍼버퍼 회로와 푸시풀 회로의 전원을 연결하여 구성함을 특징으로 하는 저소비 전력형 워드선 구동회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900012012A 1990-08-06 1990-08-06 저 소비전력형 워드선 구동회로 KR930006629B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900012012A KR930006629B1 (ko) 1990-08-06 1990-08-06 저 소비전력형 워드선 구동회로
JP22102791A JP2664567B2 (ja) 1990-08-06 1991-08-06 低消費電力型ワードライン駆動回路
US07/740,998 US5263001A (en) 1990-08-06 1991-08-06 Low power consumption word line driver

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900012012A KR930006629B1 (ko) 1990-08-06 1990-08-06 저 소비전력형 워드선 구동회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920005157A true KR920005157A (ko) 1992-03-28
KR930006629B1 KR930006629B1 (ko) 1993-07-21

Family

ID=19302045

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900012012A KR930006629B1 (ko) 1990-08-06 1990-08-06 저 소비전력형 워드선 구동회로

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5263001A (ko)
JP (1) JP2664567B2 (ko)
KR (1) KR930006629B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102161665B1 (ko) 2019-10-25 2020-10-05 김일도 폐카본필터 재생 시스템 및 그 방법
KR20210048422A (ko) * 2019-10-22 2021-05-03 마이크론 테크놀로지, 인크. 극성 트랜지션 동안 전력 소모가 감소되는 전압 드라이버

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960005196B1 (ko) * 1993-12-03 1996-04-22 재단법인한국전자통신연구소 비교기 회로
US5777940A (en) * 1996-11-12 1998-07-07 Winbond Electronics Corp. Circuit with regulated power supply for reducing memory device operating power
JP3042475B2 (ja) * 1997-11-20 2000-05-15 日本電気株式会社 Ｄｃｆｌ論理回路
US6104665A (en) * 1998-12-04 2000-08-15 Macronix International Co., Ltd. Enhanced word line driver to reduce gate capacitance for low voltage applications
US7203243B2 (en) * 2003-03-10 2007-04-10 Acuid Corporation (Guernsey) Limited Line driver with reduced power consumption

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5198938A (ko) * 1975-02-26 1976-08-31
JPS522156A (en) * 1975-06-24 1977-01-08 Hitachi Ltd Push-pull buffer circuit
US4714840A (en) * 1982-12-30 1987-12-22 Thomson Components - Mostek Corporation MOS transistor circuits having matched channel width and length dimensions
US4503341A (en) * 1983-08-31 1985-03-05 Texas Instruments Incorporated Power-down inverter circuit
JPS6297427A (ja) * 1985-08-09 1987-05-06 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置
JPS62155619A (ja) * 1985-12-27 1987-07-10 Kenichi Kikuchi 半導体集積回路

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210048422A (ko) * 2019-10-22 2021-05-03 마이크론 테크놀로지, 인크. 극성 트랜지션 동안 전력 소모가 감소되는 전압 드라이버
KR102161665B1 (ko) 2019-10-25 2020-10-05 김일도 폐카본필터 재생 시스템 및 그 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR930006629B1 (ko) 1993-07-21
JPH06203572A (ja) 1994-07-22
JP2664567B2 (ja) 1997-10-15
US5263001A (en) 1993-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900002328A (ko) 감지회로
KR860008622A (ko) 슬루레이트(slew rate)가 제어되는 고속 CMOS버퍼
KR900001131A (ko) 반도체 집적회로의 출력회로
KR950010340A (ko) 정 전류 발생 장치
KR960012722A (ko) 출력 버퍼 회로
KR930020850A (ko) 레벨 변환회로
KR900002558A (ko) 출력회로
KR880004638A (ko) 차동 회로
KR910002127A (ko) 전원절환회로
KR960015581A (ko) 반도체 메모리장치의 구동회로
KR890013902A (ko) 디코오더 회로
KR920005157A (ko) 저 소비전력형 워드선 구동회로
KR840008091A (ko) Mos트랜지스터 증폭기
KR910003938A (ko) 반도체장치의 cmos형 입력버퍼회로
KR860009418A (ko) 반도체 메모리 장치의 디코오더 회로
KR880010367A (ko) 출력 회로
KR940010531A (ko) 전력 전압보다 작은 진폭을 갖는 입력 신호를 위한 버퍼 회로
KR880011805A (ko) 반도체 집적회로
KR880006850A (ko) 3스테이트 부설 상보형 mos집적회로
KR950016002A (ko) 3치 입력 버퍼 회로
KR970013701A (ko) 버스홀드회로
KR920003703A (ko) 저 동적 임피던스를 갖는 단일-구동 레벨이동기
KR910007260A (ko) Cmos 스위치 구동기에서의 스파이크 전류를 감소시키는 장치
KR880700547A (ko) 상보fet지연/논리 셀
KR880012012A (ko) 논리회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20020628

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee