KR910019055A - 반도체 메모리 장치 - Google Patents

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KR910019055A
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신즈께 다까세
도시야 가또
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아오이 죠이찌
가부시끼가이샤 도시바
다께다이 마사다까
도시바 마이크로일렉트로닉스 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 메모리 장치를 도시한 회로도, 제2도는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 메모리 장치를 도시한 회로도, 제3도는 본 발명의 제3실시예에 따른 반도체 메모리 장치를 도시한 회로도.

Claims (6)

  1. 고 저항 소자를 갖는 메모리셀, 상기 메모리셀의 고 저항 소자에 접속되는 배선, 및 상기 배선과 전원사이에 접속되는 스위치 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  2. 고 저항 소자를 가지는 메모리 셀이 어레이상에 배치되는 메모리 셀 어레이, 상기 메모리 셀 어레이에서의 워드선 또는 비트선을 공통으로 하는 메모리 셀의 각각의 고저항 소자에 접속되는 배선, 및 상기 배선과 전원사이에 접속되는 스위치 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  3. 고저항 소자를 갖는 메모리 셀과 상기 메모리 셀의 고 저항 소자에 접속되는 배선, 상기 배선과 전원사이에 접속되는 스위치 소자, 및 상기 스위칭 소자에 개폐 제어를 행하는 제어 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  4. 고 저항 소자를 갖는 메모리 셀이 어레이상에 배치되는 메모리 셀 어레이, 상기 메모리 셀 어레이에서의 워드선 또는 비트선을 공통으로 하는 메모리셀의 각각의 고저항 소자에 배선, 상기 배선과 전원사이에 접속되는 스위치 소자 및 상기 스위치 소자의 개폐 제어를 행하는 제어 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 스위치 금속 배선으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  6. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 스위치 소자가 상기 메모리 셀의 고 저항 소자 보다도 낮은 온 저항을 갖는 MOS 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910006381A 1990-04-21 1991-04-20 반도체 메모리 장치 KR950006425B1 (ko)

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