KR930017037A - 비휘발성 반도체 기억장치 - Google Patents

비휘발성 반도체 기억장치 Download PDF

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KR930017037A
KR930017037A KR1019930001198A KR930001198A KR930017037A KR 930017037 A KR930017037 A KR 930017037A KR 1019930001198 A KR1019930001198 A KR 1019930001198A KR 930001198 A KR930001198 A KR 930001198A KR 930017037 A KR930017037 A KR 930017037A
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끼요시 이따노
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세끼사와 요시
후지쓰 가부시끼가이샤
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Abstract

버스선; 버스선에 결합된 다수의 비트선; 각각의 비트선과 워드선 사이에 접속되고 전기적 정보를 저장하기 위한 셀 트랜지스터; 버스선이 소정의 전압레벨로 충전되는 조건하에서 셀 트랜지스터내에 저장된 전기적 정보에 상응하는 신호를 출력하기 위해 버스선에 결합된 출력회로; 버스선에 결합되고 정전압회로를 통하여 전류가 흐를 때 거의 일정레벨을 갖는 전압을 발생시키는 정전압회로; 외부장치로 부터 공급된 제어신호에 따라 버스선을 통해 정전압회로에 전류를 공급하기 위해 버스선에 결합되어 이에 따라 버스선이 정전압회로에 의해 발생된 전압으로서 소정의 전압레벨로 충전되는 전류공급회로를 포함하는 비휘발성 반도체 기억장치.

Description

비휘발성 반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따라 EPROM의 전반적인 구조를 도시한 블럭도, 제4도는 본 발명의 제1실시예에 따른 EPROM의 기본 부분을 도시한 회로도, 제5도는 제4도에 도시된 EPROM내 버스선이 충전된 특성을 도시한 그래프.

Claims (8)

  1. 버스선; 버스선에 결합된 다수의 비트선; 각각의 비트선과 워드선 사이에 접속되고 전기적 정보를 저장하기 위한 셀 트랜지스터; 버스선이 소정의 전압레벨로 충전되는 조건하에서 셀 트랜지스터내에 저장된 전기적 정보에 상응하는 신호를 출력하기 위해 버스선에 결합된 출력회로; 버스선에 결합되고 정전압회로를 통하여 전류가 흐를때 거의 일정레벨을 갖는 전압을 발생시키는 정전압회로; 외부장치로 부터 공급된 제어신호에 따라 버스선을 통해 정전압회로에 전류를 공급하기 위해 버스선에 결합되어 이에 따라 버스선이 정전압회로에 의해 발생된 전압으로서 소정의 전압 레벨로 충전되는 전류공급회로를 포함하는 비휘발성 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전류공급회로는 소정의 전압에서 유지되는 첫번째 선, 상기 첫번째 선과 상기 버스선 사이에 제공된 스위칭회로를 포함하며, 상기 스위칭 회로는 제어신호에 따라 온/오프되고, 상기 스위칭회로가 턴온될 때 상기 스위칭회로와 상기 버스선을 통해 상기 첫번째 선으로 부터 상기 정전압회로에 전류가 공급되는 비휘발성 반도체 기억장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 정전압회로는 하나 또는 다수의 소자를 통해 상기 버스선으로 부터 상기 두번째 선에 전류가 흐르도록 상기 버스선과 두번째선 사이에 직렬로 제공되는 상기의 하나 또는 다수의 소자를 포함하는 비휘발성 반도체 기억장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 하나 또는 다수의 소자가 다이오드를 포함하는 비휘발성 반도체 기억장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 하나 또는 다수의 소자가 트랜지스터를 포함하는 비휘발성 반도체 기억장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 정전압회로는 전류가 상기 두개의 다이오드를 통해 상기 버스선으로 부터 상기 두번째 선에 흐르도록 상기 버스선과 상기 두번째 선 사이에 직렬로 제공되는 두개의 다이오드를 포함하는 비휘발성 반도체 기억장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 정전압 회로는 전류가 상기 다이오드 및 상기 트랜지스터를 통해 상기 버스선으로 부터 상기 두번째 선으로 흐르도록 상기 버스선과 상기 두번째 선 사이에 직렬로 제공되는 다이오드와 트랜지스터를 포함하는 비휘발성 반도체 기억장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 다이오드에 의해 발생된 전압레벨이 상기 트랜지스터에 의해 발생된 전압레벨보다 더 큰 비휘발성 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930001198A 1992-01-30 1993-01-30 비휘발성 반도체 기억장치 KR950013397B1 (ko)

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JP1551692A JPH05210992A (ja) 1992-01-30 1992-01-30 不揮発性半導体記憶装置
JP92-15516 1992-01-30

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KR930017037A true KR930017037A (ko) 1993-08-30
KR950013397B1 KR950013397B1 (ko) 1995-11-08

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