KR960035650A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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KR960035650A
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voltage generating
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도루 단자와
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사토 후미오
가부시키가이샤 도시바
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Abstract

[목적] 칩사이즈를 거의 증가시키지 않고 소겨용 고전압의 충전소요시간이 짧은, 즉 고속이면서 신뢰성이 높은 소거동작을 실현하는 것을 가능하게 한 반도체 기억장치를 제공한다.
[구성] 상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 반도체기판에 메모리셀이 배열형성된 메모리셀 어레이와, 메모리셀에 대해 전원전압 Vcc(5V)보다 높은 기록 ·소거전압 Vpp(20V)를 인가하는 Vpp전압발생회로(31), 메모리셀에 대해 기록비트전압 VmBL(8V)을 인가하는 VmBL전압발생회로(32) 및, 메모리셀에 대해 기록워드선전압 VmWL(10V)을 인가하는 VmWL전압발생회로(33)를 갖춘 EEPROM에 있어서, Vpp 전압발생회로(31)와 VmBL전압발생회로(32)간에 스위치(Qd1)를, Vpp전압발생회로(31)와 VmWL전압발생회로(33)간에 스위치(Qd2)를 설치하고, 소거시의 고전압 Vpp를 발생할 때에 스위치 (Qd1, Qd2)를 온시키며, 폐Vpp전압발생회로(31)의 출력노드에 VmBL, VmWL전압발생회로(32, 33)33)의 각 출력노드를 접속한다.

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 제1실시에에 따른 NAND셀형 EEPROM의 개략구성을 나타낸 블럭도, 제2도는 제1실시예에서의 NAND셀의 레이아웃과 등가회로도, 제3도는 제2도(a)의 A-A′및 B-B′단면도, 제4도는 제1실시예에서의 메모리셀 어레이의 등가회로도, 제8도는 제1실시예에서의 기록 ·소거용 고전압발생회로와 중간 전위발생회로의 구성예를 나타낸 도면.

Claims (5)

  1. 반도체기판에 메모리셀이 배열형성된 메모리셀 어레이와, 메모리셀에 대해 전원전압보다 높고 또한 상호에 다른 전압을 인가하기 위한 복수의 전압 발생회로를 갖춘 반도체 기억장치에 있어서, 이들 전압발생회로의 각 출력노드를 접속하기 위한 스위치회로를 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전압발생회로는, 각각 승압회로와 전압리미터로 이루어지고, 스위치회로에 의해 각 노드가 접속될 때에는 1개의 전압리미터를 제외하고 나머지 전압리미터의 동작을 정지하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  3. 반도체기판에 메모리셀이 배열형성된 메모리셀 어레이와, 메모리셀에 대해 전원전압보다 높은 제1전압(V1)을 인가하기 위한 제1전압발생회로, 메모리셀에 대한 전원전압보다 높은 제2전압(V2:<V1)을 인가하기 위한 제2전압발생회로 및, 메모리셀에 대해 전원전압보다 높은 제3전압(V3:<V1)을 인가하기위한 제3전압발생회로를 직렬로 접속함과 더불어 이 직렬회로의 출력노드를 제1전압 발생회로의 출력노드에 접속하기 위한 절체회로를 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  4. 제3항에 있어서, 제1전압발생회로는 제1승압회로와 제1전압리미터로 이루어지고, 제2전압발생회로는 제2승압회로와 제2전압리미터로 이루어지며, 제3전압발생회로는 제3승압회로와 제3전압리미터로 이루어지고, 상기 절체회로에 의해 제2 및 제3전압발생회로가 직렬접속될 때에는 제2 및 제3저압리미터의 적어도 한쪽의 동작을 정지하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  5. 반도체기판상에 전하축적층과 제어게이트가 적층형성되고, 전하축적층과 지판간의 전하의 주고 받음에 의해 전기적 재기록이 행해지는 메모리셀이 배열형성된 메모리셀 어레이와, 메모리셀 혹은 이 메모리셀을 복수개 접속하여 이뤄진 메무리셀 유니트의 일단과 직접 또는 선택트랜지스터를 매개로 접속된 비트선, 메모리셀 혹은 메모리셀 유니트의 타단과 직접 또는 선택트랜지스터를 매개로 접속된 소스선, 메모리셀이 형성된 웰 또는 기판과 소스선을 접속하는 제1트랜지스터 및, 웰 또는 기판과 방전노드를 접속하는 제2트랜지스터를 구비하여 이루어지고, 상기 웰 또는 기판과 소스선이 모두 전원전압보다 높은 전압으로부터 방전되는 동시에, 상기 소스선은 제1, 제2트랜지스터, 방전노드라는 경로를 매개로 방전되는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960006966A 1995-03-15 1996-03-15 반도체 기억장치 KR100236214B1 (ko)

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