KR910013264A - 반도체 메모리 어레이의 워드라인 구조 - Google Patents

반도체 메모리 어레이의 워드라인 구조 Download PDF

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KR910013264A
KR910013264A KR1019890020105A KR890020105A KR910013264A KR 910013264 A KR910013264 A KR 910013264A KR 1019890020105 A KR1019890020105 A KR 1019890020105A KR 890020105 A KR890020105 A KR 890020105A KR 910013264 A KR910013264 A KR 910013264A
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남가표
민동선
조수인
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김광호
삼성전자 주식회사
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    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices

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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 메모리 어레이의 워드라인 구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 금속과 폴리실리콘층의 배치도.

Claims (7)

  1. 다수의 워드라인들을 구비하는 반도체 메모리 어레이에 있어서, 상기 각 워드라인이 어드레스신호가 전송되고 평행하게 배열된 제1라인(또는 제1층)과, 상기 제1라인(또는 제1층)의 상부에 접촉하고 최소한 4개 이상씩 한조를 구성하여 각조에서 서로 인접하지 않도록 꼬여있는 제2라인(또는 제2층)과, 상기 제1라인(또는 제1층)과 상기 제2라인(또는 제2층)을 접속시키는 제3층으로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 어레이.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1라인(또는 제1층)이 반도체 메모리용 트랜지스터의 게이트 물질임을 특징으로 하는 반도체 메모리 어레이.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2라인(또는 제2층)이 상기 제1라인(또는 제1층) 보다 저저항성의 물질로 이루어져 있음을 특징으로 하는 반도체 메모리 어레이.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2라인(또는 제2층)이 꼬인후에도 최초에 접속된 제1라인(또는 제1층)과 접속됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 어레이.
  5. 제1항에서 상기 제3라인(또는 제3층)이 저저항성 물질로 구성되어 있음을 특징으로 하는 반도체 메모리 어레이.
  6. 소정의 신호를 전송하는 다수의 신호선로들과, 상기 신호선로들을 선택하는 금속성단자들을 구비한 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 금속성 단자들이 상기 해당하는 신호선로들과는 서로 이격되어 접속되어 있음을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  7. 제6항에서 상기 금속성단자들 및 해당 신호선로들이 각각 저저항성의 물질에 의해 연결됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 어레이.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890020105A 1989-12-29 1989-12-29 반도체메모리 어레이의 워드라인구조 KR930001739B1 (ko)

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