KR910010711A - 집적 회로 장치 - Google Patents

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KR910010711A
KR910010711A KR1019900019498A KR900019498A KR910010711A KR 910010711 A KR910010711 A KR 910010711A KR 1019900019498 A KR1019900019498 A KR 1019900019498A KR 900019498 A KR900019498 A KR 900019498A KR 910010711 A KR910010711 A KR 910010711A
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다이라 마쯔나가
분시로 야마끼
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아오이 죠이찌
가부시끼가이샤 도시바
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    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract

내용 없음

Description

집적 회로 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명과 관련된 믹서용 집적 회로 장치의 단면도.
제4도는 제3도의 보호 다이오드부의 평면도.
제5도는 보호 다이오드에 요구되는 특성을 도시하는 도면.

Claims (2)

  1. 반도체 기판에 바이폴라 트랜지스터, MIS소자 및 상기 MIS소자용 보호 다이오드를 포함하여 형성되는 집적회로 장치에 있어서, 제1도전형의 반도체기판(30)의 일부상에 형성된 제2도 전형의 제1영역(35)와, 상기 제1영역상에 형성된 제1도 전형의 다수의 영역(38,39)와, 상기 제2도전형의 제1영역의 하부에 상기 제1영역과 접속되어 연속하여 형성되는 제2도 전형의 매입 영역(32)로 구성되는 보호 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 회로장치.
  2. 제1항에 있어서, 바이폴라 트랜지스터의 적어도 한개는 제1도전형의 반도체 기판의 일부상에 형성된 제2도 전형의 제2영역(36)과, 상기 제1도전형의 반도체 기판의 일부상에 상기한 제2도전형의 제2영역에 인접하여 형성되어 상기 제2영역보다도 고농도의 제3영역(37,39)와, 상기 제2영역과 제3영역의 하부에 상기 제2영역과 제3영역에 접속되어 연속하여 형성된 제2도전형의 매입 영역(33)으로 구성되는 섬영역에 형성되어, 상기 보호 다이오드의 제2도전형의 제1영역과, 상기 바이폴라 트랜지스터의 제2도전형의 제2영역이 동일한 도전형의 분순물을 함유하고, 다른 농도를 유지하는 것을 특징으로 하는 집적회로 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900019498A 1989-11-30 1990-11-29 집적 회로장치 KR940001289B1 (ko)

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JP1-310978 1989-11-30

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KR910010711A true KR910010711A (ko) 1991-06-29
KR940001289B1 KR940001289B1 (ko) 1994-02-18

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KR100532367B1 (ko) * 1998-09-16 2006-01-27 페어차일드코리아반도체 주식회사 보호 다이오드를 내재한 수평형 확산 모스 트랜지스터 및 그 제조방법

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KR940001289B1 (ko) 1994-02-18

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