KR910001928A - 집적 반도체 회로의 식별을 위한 회로 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

집적 반도체 회로의 식별을 위한 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 집적 반도체 회로의 식별을 위한 회로의 다이아그램식 평면도.
제2-4도는 일부가 부호화된 상태로 도시되어 있는 본 발명의 여러가지 실시예의 블록회로다이아그램.

Claims (14)

  1. n프로그래머블 엘레멘트, 상기 프로그래머블 엘레멘트에 연결되는 공통라인, 데이타 입력, n병렬 출력, 그리고 클럭입력을 가지며, 클럭입력에 제공되는 클럭신호에 의해 시프트가 제어되는 n단직병렬 시프트 레지스터, 그리고 각각 상기 프로그래머를 엘레멘트의 각각에 연결되는 드레인, 공급전위에 연결되는 소오스, 그리고 상기 직병렬 시프트 레지스터의 병렬출력의 각각에 연결되는 게이트를 갖는 트랜지스터들로 구성되는 집적 반도체 회로의 식별을 위한 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 프로그래머블 엘레멘트는 기계적으로 차단 가능한 수단인 것을 특징으로 하는 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 프로그래머블 엘레멘트는 열적으로 차단 가능한 수단인 것을 특징으로 하는 회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 프로그래머블 엘레멘트는 화학적으로 차단 가능한 수단인 것을 특징으로 하는 회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 프로그래머블 엘레멘트는 저항형태의 차단 가능한수단인 것을 특징으로 하는 회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 저항은 저항으로서 연결되는 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 회로.
  7. 제1항에 있어서, 상기 프로그래머블 엘레멘트는 레이저 휴즈인 것을 특징으로 하는 회로.
  8. 제1항에 있어서, 상기 프로그래머블 엘레멘트는 차단 가능한 도체트랙인 것을 특징으로 하는 회로.
  9. 제1항에 있어서, 상기 공통라인을 고 임피던스로 다른 공급전위에 연결하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로.
  10. n프로그래머블 엘레멘트, 상기 프로그래머블 엘레멘트에 연결되는 공통라인, 데이타 입력, n병렬 출력, 클럭 입력을 가지며, 클럭입력에 제공되는 클럭신호에 의해 스타트가 제어되는 클럭된 n단 발진기, 그리고 각각 상기 프로그래머블 엘레멘트의 각각에 연결되는 드레인, 공급전위에 연결되는 소오스, 그리고 상기 발진기의 병렬 출력에 각각 연결되는 게이트를 갖는 트랜지스터들로 구성되는 직접 반도체 회로의 식별을 위한 회로.
  11. 제10항에 있어서, 상기 발진기는 링 발진기인 것을 특징으로 하는 회로.
  12. n프로그래머블 엘레멘트, 상기 프로그래머블 엘레멘트에 연결되는 공통라인, 데이타 입력, n병렬출력, 클럭 입력을 가지며, 클럭입력에 제공되는 클럭신호에 의해 카운트가 제어되는 n단 클럭단, 그리고 각각 상기 프로그래머블 엘레멘트의 각각에 연결되는 드레인, 공급전위에 연결되는 소오스, 그리고 상기 카운터의 병렬 출력의 각각 연결되는 게이트를 갖는 트랜지스터들로 구성되는 집적 반도체 회로의 식별??을 위한 회로.
  13. 제12항에 있어서, 상기 카운터는 링 카운터인 것을 특징으로 하는 회로.
  14. n프로그래머블 엘레멘트, 상기 프로그래머블 엘레멘트에 연결되는 공통라인, 데이타 입력, n병렬출력, 그리고 클럭입력을 가지며, 병렬출력이 클럽입력에 제공되는 클럭신호에 의해 연속으로 액티브되는 수단, 그리고 각각 상기 프로그래머블 엘레멘트의 각각에 연결되는 드레인, 공급전위에 연결되는 소오스, 그리고 상기 직병렬 시프트 레지스터의 병렬 출력의 각각 연결되는 게이트를 갖는 트랜지스터들로 구성되는 집적 반도체 회로의 식별을 위한 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900009693A 1989-06-29 1990-06-29 집적반도체 회로의 식별을 위한 회로 KR100222745B1 (ko)

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2656552B1 (fr) * 1990-01-04 1995-01-13 Pechiney Aluminium Procede de fabrication de produits metalliques thixotropes par coulee continue avec brassage electromagnetique en courant polyphase.
US5347519A (en) * 1991-12-03 1994-09-13 Crosspoint Solutions Inc. Preprogramming testing in a field programmable gate array
KR100261223B1 (ko) * 1998-05-04 2000-07-01 윤종용 식별 회로를 구비하는 반도체장치 및 그 기능 식별방법
DE10201645B4 (de) * 2002-01-17 2007-04-26 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Codierung und Authentifizierung von Halbleiterschaltungen

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0057645A1 (en) * 1981-02-04 1982-08-11 FAIRCHILD CAMERA & INSTRUMENT CORPORATION Electrically coded identification of integrated circuit devices
DE3122984A1 (de) * 1981-06-10 1983-01-27 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur kennzeichnung von halbleiterchips und kennzeichenbarer helbleiterchip
DE3123031A1 (de) * 1981-06-10 1983-01-05 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur kennzeichnung von halbleiterchips und kennzeichenbarer halbleiterchip
US4441167A (en) * 1981-12-03 1984-04-03 Raytheon Company Reprogrammable read only memory
DE3327503A1 (de) * 1983-07-29 1985-02-07 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Teststruktur zur kennzeichnung von halbleiterchips und verfahren zu deren kennzeichnung
JPH0658925B2 (ja) * 1983-10-31 1994-08-03 株式会社東芝 集積回路試験装置
DE3601829A1 (de) * 1986-01-22 1987-07-23 Siemens Ag Hochintegrierter elektronischer baustein
NO20015735D0 (no) * 2001-11-23 2001-11-23 Thin Film Electronics Asa Barrierelag

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Publication number Publication date
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HK9295A (en) 1995-01-27
JPH0338019A (ja) 1991-02-19
ATE84637T1 (de) 1993-01-15
DE58903298D1 (de) 1993-02-25
US5027322A (en) 1991-06-25
EP0404985A1 (de) 1991-01-02
KR100222745B1 (ko) 1999-10-01
EP0404985B1 (de) 1993-01-13

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