KR900017222A - 박막 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
박막 트랜지스터 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR900017222A KR900017222A KR1019890005671A KR890005671A KR900017222A KR 900017222 A KR900017222 A KR 900017222A KR 1019890005671 A KR1019890005671 A KR 1019890005671A KR 890005671 A KR890005671 A KR 890005671A KR 900017222 A KR900017222 A KR 900017222A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- amorphous silicon
- etching
- film
- depositing
- thin film
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 claims 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 (가)~(사)는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 제조 공정도.
Claims (1)
- 유리기판(1)위에 금속(Ta)막을 증착한후 광식각법으로 게이트 전극(2)을 형성하는 공정과, 상기 공정후 양극산화법으로 제1차 양극산화막(8)을 형성하는 공정과, 상기 공정후 광식각법으로 감광막(9)을 형성하고 양극산화액에서 제2차 양극산화막(8′)을 형성하는 공정과, 상기 공정후 PE-CVD법으로 게이트 절연막(3)과 비정질규소(4) 및 n+형 비정질 규소층(5)을 증착하고 광식각법으로 비정질규소(4)와 n+형 비정질규소층(5)을 식각해내는 공정과, 상기 공정후 알루미늄(Al)을 증착하고 광식각법으로 식각하여 소오스/드레인 전극(6)을 형성하는 공정과, 상기 공정후 소오스/드레인 전극(6)을 마스크로 하여 두전극사이의 n+형 비정질 규소층(5)을 건식 식각해내는 공정과, 상기 공정후 투명 도전막(ITO)을 증착하고 광식각법으로 식각하여 투명전극(7)을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890005671A KR0124564B1 (ko) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 박막 트랜지스터 구조 및 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890005671A KR0124564B1 (ko) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 박막 트랜지스터 구조 및 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR900017222A true KR900017222A (ko) | 1990-11-15 |
| KR0124564B1 KR0124564B1 (ko) | 1997-12-10 |
Family
ID=19285707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019890005671A KR0124564B1 (ko) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 박막 트랜지스터 구조 및 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0124564B1 (ko) |
-
1989
- 1989-04-28 KR KR1019890005671A patent/KR0124564B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0124564B1 (ko) | 1997-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR900017222A (ko) | 박막 트랜지스터 제조방법 | |
| KR970048849A (ko) | 액정 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR880013032A (ko) | 액티브 매트릭스 액정의 제조방법 | |
| KR890005918A (ko) | 비정질 실리콘 태양전지 제조방법 | |
| KR940003088A (ko) | 박막트랜지스터의 제조방법 | |
| KR960024610A (ko) | 액정표시장치의 제조방법 | |
| KR970023706A (ko) | 터미날 고상용액을 형성하는 알루미늄-하프늄 합금을 이용한 게이트 전극의 제조방법 | |
| KR910001933A (ko) | Tft 제조방법 | |
| KR960006080A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR930017216A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR930011203A (ko) | 액정표시장치의 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR910005467A (ko) | 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 구조 | |
| KR920003534A (ko) | 박막트랜지스터의 제조방법 | |
| KR910013488A (ko) | Difet에 의해 구동되는 박막 트랜지스터 | |
| KR900017198A (ko) | 듀얼게이트 박막트랜지스터(tft) 제조방법 | |
| KR900017199A (ko) | 박막 반도체 소자 및 제조방법 | |
| KR950021763A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR900017150A (ko) | 다중 게이트 박막 트랜지스터 제조방법 | |
| KR870004327A (ko) | 액정표시소자용 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR910005478A (ko) | 박막트랜지스터의 제조방법 | |
| KR900005612A (ko) | 4 마스크 레벨의 보호구조를 갖는 비정질 규소 박막 트랜지스터 | |
| KR940022897A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR940012667A (ko) | 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR940016904A (ko) | 박막트랜지스터의 제조방법 | |
| KR910001932A (ko) | Tft 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20070702 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |