KR890012468A - 신호라인에 대한 전송회로 - Google Patents
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims description 15
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
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- H04L7/00—Arrangements for synchronising receiver with transmitter
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 제1실시예에 의한 신호라인에 대한 전송회로를 설명하기 위한 스태틱 랜돔 억세스 메모리의 부분회로도,
제4도는 본 발명의 제2실시예에 의한 신호라인들에 대한 전송회로를 설명하기 위한 회로도,
제5도는 제3실시예에 대한 전송회로를 위한 회로도,
제6도는 본 발명의 제 4실시예에 의한 신호라인들에 대한 전송회로를 설명하기 위한 회로도.
Claims (9)
- 제어신호에 응답하여 제l신호라인과 제 2신호라인간의 신호 전송을 제어하기 위한 전송회로에 있어서, 제 1신호라인에 연결되는 제 1 전극, 제 2 전극 및 게이트 전극을 포함하는 제1 MIS 트랜지스터, 제 1 MIS 트랜지스터의 제 2 전극에 연결되는 제 1전극, 제 2 신호라인에 연결되는 제 2 전극 및 게이트전극을 포함하는 제2MIS 트랜지스터, 그리고 제1신호라인에 연결되는 베이스전극, 전원라인에 연결되는 제 l전극 및 제2MIS 트랜지스터의 제 1전극에 연결되는 제 2 전극을 포함하는 바이폴라 트랜지스터로 구성되며, 제1lMIS 트랜지스터와 제2트랜지스터의 게이트 전극들은 제1MlS 트랜지스터와 제2 MlS 트랜지스터가 콤프리멘타리 방식으로 동작하도록 제어신호에 응답하여 제어되는 것이 특징인 신호라인에 대한 전송회로.
- 제l항에서, 바이폴라 트랜지스터는 NPN형 트랜지스터인 것이 특징인 신호라인에 대한 전송회로.
- 제1항에서, 제1MIS 트랜지스터는 n채널형 트랜지스터이며, 제 2MIS 트랜지스더는 P채널형 트랜지스터인 것이 특징인 신호라인에 대한 전송회로.
- 제1항에서, 제 1MIS 트랜지스터는 P채널형 트랜지스터이며, 제 2MIS 트랜지스터는 n 채널형 트랜지스터인 것이 특징인 신호라인에 대한 전송회로.
- 제 1항에서, 제lMIS 트랜지스터와 제 2 MIS 트랜지스터는 n 채널형 트랜지스터 인것이 특징인 신호라인에 대한 전송회로.
- 제1항에서, 제1MIS 트랜지스터와 제 2MIS 트랜지스터는 P 채널형 트랜지스터 인것이 특징인 신호라인에 대한 전송회로.
- 제1항에서, 제 2 신호라인에 풀다운 회로를 더 연결하여 구성되는 것이 특징인 신호라인에 대한 전송회로.
- 제 7 항에서, 풀다운 회로는 제 2 라인에 연결되는 드레인, 접지에 연결되는 소오스 밋 MlS 트랜지스터가 도통상태에서 제2MIS 트랜지스터의 것보다 더높은 저항값을 갖는 식의 레벨에서 전압을 공급받는 게이트를 갖는 MIS 트랜지스터로 구성되는 것이 특징인 신호라인에 대한 전송회로.
- 제 1항에서, 제 3 신호라인에 연결되는 제 l전극, 제 2 전극 및 제1 MIS 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되는 게이트전극을 포함하는 제 3 MIS 트랜지스터, 제 3 MIS 트랜지스터의 제 2 전극에 연결되는 제 l전극, 제4 신호라인에 연결되는 제2전극 및 제 2 MIS 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되는 게이트전극을 포함하는 제 4 MIS 트랜지스터, 그리고 제3 신호라인에 연결되는 베이스전극. 전원라인에 연결되는 제1 전극, 및 제 4 MIS 트랜지스터의 제 1 전극에 연결되는 제 2 전극을 포함하는 또다른 바이폴라 트랜지스터를 더 포함하며, 그에의해 콤프리멘타리 선호들은 제l 및 제 3 신호라인들과 제2 및 제4신호라인들간에 전송되는 것이 특징인 신호라인에 대한 전송회로.※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63002531A JPH01184694A (ja) | 1988-01-11 | 1988-01-11 | 信号線切り替え回路 |
| JP63-2531 | 1988-01-11 | ||
| JP88-002531 | 1988-11-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR890012468A true KR890012468A (ko) | 1989-08-26 |
| KR920008054B1 KR920008054B1 (ko) | 1992-09-22 |
Family
ID=11531964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019890000161A KR920008054B1 (ko) | 1988-01-11 | 1989-01-09 | 신호라인에 대한 전송회로 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4876467A (ko) |
| EP (1) | EP0325344B1 (ko) |
| JP (1) | JPH01184694A (ko) |
| KR (1) | KR920008054B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5134319A (en) * | 1990-01-10 | 1992-07-28 | Fujitsu Limited | Bicmos differential amplifier having improved switching speed |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5570993A (en) * | 1978-11-24 | 1980-05-28 | Hitachi Ltd | Memory circuit |
| JPS62230221A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Toshiba Corp | バツフア回路 |
| JPS63209220A (ja) * | 1987-02-26 | 1988-08-30 | Toshiba Corp | インバ−タ回路 |
-
1988
- 1988-01-11 JP JP63002531A patent/JPH01184694A/ja active Pending
- 1988-12-28 US US07/291,031 patent/US4876467A/en not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-01-05 EP EP89300051A patent/EP0325344B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-01-09 KR KR1019890000161A patent/KR920008054B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0325344A2 (en) | 1989-07-26 |
| JPH01184694A (ja) | 1989-07-24 |
| KR920008054B1 (ko) | 1992-09-22 |
| EP0325344B1 (en) | 1994-03-09 |
| US4876467A (en) | 1989-10-24 |
| EP0325344A3 (en) | 1992-02-26 |
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