KR890010614A - 페놀성수지와 디아조퀴논 화합물을 함유하는 광민감성 조성물 - Google Patents
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Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (20)
- 적어도 하나의 페놀성수지, 적어도 하나의 디아조퀴논 화합물 및, 방향족 술폰 또는 카복실산이 방향족 아니노산 이외의 다른것이라는 조건으로, 암모늄염의 양이온 성분이 다음 일반식을 가지는, 유리산 및/또는 암모늄염 및/또는 산할로겐화물의형의, 적어도 하나의 방향족 융합된 폴리시클릭술폰 또는 카복실산으로 이루어지는 광민감성 조성물:상기식에서, 같거나 다를 수 있는 R₁,R₂,R₃및 R₄는 각각 수소원자, C₁-C₄를 포함하는 알킬 또는 히드록시알킬그룹이다.
- 제1항에 있어서, 산이 1-나프탈렌술폰산, 2-나프탈렌술폰산, 3-디아조-3,4-디하이드로-4-옥소-1-나프탈렌술폰산, 6-디아죠-5,6-디히드로-5-옥소-1-나프탈렌술폰사, 6-디아조-5,6-디히드로-5-옥소-2-나프탈렌술폰산, 4-디아조-3,4-디히드로-3-옥소-1-나프탈렌술폰산, 5-디아조-5,6-디히드로-6-옥소-1-나프탈렌술폰산, 5-디아조-5,6-디히드로-옥소-2-나프탈렌술폰산, 대응되는 카복실산 및 상기 화합물의 적어도 두개의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택됨을 특징으로 하는 조성물.
- 제1항에 있어서, 산이 다음 일반식을 가지는 디아조퀴논-술폰산임을 특징으로 하는 조성물.상기식에서 A는 N₂또는 0을 나타내고 B는 A가 N₂일때는 O이거나 또는 A가 0일때 N₂이고 R은 OH,Hal 또는 M을 나타내는데, 여기에서 Hal은 할로겐원자이고 M은 암모늄 또는 치환된 암모늄이온이다.
- 제1항에 있어서, 산이 조성물의 전체 중량에 근거하여 약 0.01 내지 약 24중량% 존재함을 특징으로 하는 조성물.
- 제1항에 있어서, 산이 조성물의 전체중량에 근거하여 0.05 내지 10중량% 존재함을 특징으로 하는 조성물.
- 제1항에 있어서, 산이 조성물의 전체 중량에 근거하여 0.2 내지 2중량% 존재함을 특징으로 하는 조성물.
- 제1항에 있어서, 산이 암모늄염으로서 존재하고, 이것의 양이온성분이 다음 일반식을 가지는 것들로부터 선택됨을 특징으로 하는 조성물:상기식에서 같거나 다를 수 있는 R₁,R₂,R₃및 R₄는 각각 수소원자, C₁-C₄를 포함하는 알킬 또는 히드록시알킬그룹을 나타낸다.
- 제1항에 있어서, 산이 이것의 산할로겐화물로서 존재함을 특징으로 하는 조성물.
- 제1항에 있어서, 페놀성수지가 페놀, 모노-, 디- 또는 트리알킬페놀, 아릴페놀, 치환되지 않은 나프톨, 치환된 나프톨, 레졸신올, 알킬-치환된 레졸신올, 피로갈올, 알킬-치환된 피로같올 또는 일들의 혼합물을 포름알데히드, 아세트알데히드, 벤즈알데히드 또는 이들의 혼합물과 축합시켜 얻은 폴리(비닐페놀)이거나 또는 노블랙, 또는 상기 수지의 둘 또는 그 이상의 혼합물임을 특징으로 하는 조성물.
- 제1항에 있어서, 페놀성수지가 포름알데히드를 P-3차-부틸페놀 대 페놀의 몰비율이 1:10 내지 10:1인 페놀과 P-3차-부틸페놀의 혼합물을 공축합함으로써 얻어지는 공-축합된 노볼랙임을 특징으로 하는 조성물.
- 제1항에 있어서, 디아조퀴논 화합물이 디아조퀴논-술포 또는 카복실산의 할로겐화물과 페놀성수지의 부분 에스테르임을 특징으로 하는 조성물.
- 제1항에 있어서, 페놀성수지가 조성물의 전체 중량에 근거하여 약 30 내지 약 95중량% 존재하고 디아조퀴논 화합물이 약 4 내지 약 60중량% 존재함을 특징으로 하는 조성물.
- 제1항에 있어서, 페놀성수지가 조성물의 전체 중량에 근거하여 약 48 내지 약 90중량% 존재하고 디아조퀴논화합물이 약 45중량% 존재함을 특징으로 하는 조성물.
- 제1항에 있어서, 350 내지 500nm의 파장에서 빛을 흡수하는 염료를 더욱 포함함을 특징으로 하는 조성물.
- 제1항에 있어서, 용매 또는 용매혼합물을 더욱 포함함을 특징으로 하는 조성물.
- (a) 적어도 하나의 페놀성 수지와 적어도 하나의 디아조퀴논으로 이루어지는 광민감성 조성물층으로 기판을 피복하고; (b) 층의 선택부위만을 노출시키기 위해 마스크를 통하여 상기의 층을 자외선 방사에 노출하고; (c) 노출된 층을 실리콘화합물로 처리하여, 층의 조사된 부위내로 실리콘 화합물을 선택적으로 흡수시키고; (d) 층의 조사되지 않은 부분을 선택적으로 제거하여 네가티브패턴을 얻기위해 건성 에칭기법을 사용하여 위와같이 처리된 층을 전개시키는 단계로 이루어지는,기판위에 네가티브 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 이 광민감성 조성물에, 방향족술폰 또는 카복실산이 방향족 아미노산 이외의 것이라는 것을 조건으로 하여, 암모늄 염의 양이온성분이 다음식을 가지는, 유리산 및/또는 암모늄 염 및/또는 산할로겐화물 형태의, 적어도 하나의 방향족 융합된 폴리시클릭술폰 또는 카복실산을 통합하는 것을 이루어지는 개선된 방법:상기식에서 같거나 다를 수 있는 R₁,R₂,R₃및 R₄는 각각 수소원자, C₁-C₄를 함유하는 알킬 또는 히드록시알킬그룹을 나타낸다.
- 제16항에 있어서, 산이 1-나프탈렌술폰산, 2-나프탈렌술폰산, 3-디아조-3,4-디히드로-4-옥소-1-나프탈렌술폰산, 6-디아조-5,6-디히드로-5-옥소-1-나프탈렌술폰산, 6-디아조-5,6-디히드로-5-옥소-2-나프탈렌술폰산, 4-디아조-3,4-디히드로-3-옥소-1-나프탈렌술폰산, 5-디아조-5,6-디히드로-6-옥소-1-나프탈렌술폰산, 5-디아조-5,6-디히드로-옥소-2-나프탈렌술폰산, 대응되는 카복실산 및 상기 화합물의 적어도 두개의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택됨을 특징으로 하는 방법.
- 제16항에 있어서, 산이 다음 일반식을 가지는 디아조퀴논-술폰산임을 특징으로 하는 방법:상기식에서 A는 N₂또는 0를 나타내고 B는 A가 N₂일때는 O이거나 ㄴ또는 A가O일때 N2고 R은 OH,Hal 또는 M을 나타내는데, Hal은 할로겐원자이고 M은 암모늄 또는 치환된 암모늄이온이다.
- 제16항에 있어서, 산이 조성물의 전체 중량에 근거하여 0.01 내지 약24중량% 광민감성조성물에 통합됨을 특징으로 하는 방법.
- 제16항의 방법에 의해 제조된 집적회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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