KR890010614A - 페놀성수지와 디아조퀴논 화합물을 함유하는 광민감성 조성물 - Google Patents

페놀성수지와 디아조퀴논 화합물을 함유하는 광민감성 조성물 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

페놀성수지 디아조퀴논 화합물을 함유하는 광민감성 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (20)

  1. 적어도 하나의 페놀성수지, 적어도 하나의 디아조퀴논 화합물 및, 방향족 술폰 또는 카복실산이 방향족 아니노산 이외의 다른것이라는 조건으로, 암모늄염의 양이온 성분이 다음 일반식을 가지는, 유리산 및/또는 암모늄염 및/또는 산할로겐화물의형의, 적어도 하나의 방향족 융합된 폴리시클릭술폰 또는 카복실산으로 이루어지는 광민감성 조성물:
    상기식에서, 같거나 다를 수 있는 R₁,R₂,R₃및 R₄는 각각 수소원자, C₁-C₄를 포함하는 알킬 또는 히드록시알킬그룹이다.
  2. 제1항에 있어서, 산이 1-나프탈렌술폰산, 2-나프탈렌술폰산, 3-디아조-3,4-디하이드로-4-옥소-1-나프탈렌술폰산, 6-디아죠-5,6-디히드로-5-옥소-1-나프탈렌술폰사, 6-디아조-5,6-디히드로-5-옥소-2-나프탈렌술폰산, 4-디아조-3,4-디히드로-3-옥소-1-나프탈렌술폰산, 5-디아조-5,6-디히드로-6-옥소-1-나프탈렌술폰산, 5-디아조-5,6-디히드로-옥소-2-나프탈렌술폰산, 대응되는 카복실산 및 상기 화합물의 적어도 두개의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택됨을 특징으로 하는 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 산이 다음 일반식을 가지는 디아조퀴논-술폰산임을 특징으로 하는 조성물.
    상기식에서 A는 N₂또는 0을 나타내고 B는 A가 N₂일때는 O이거나 또는 A가 0일때 N₂이고 R은 OH,Hal 또는 M을 나타내는데, 여기에서 Hal은 할로겐원자이고 M은 암모늄 또는 치환된 암모늄이온이다.
  4. 제1항에 있어서, 산이 조성물의 전체 중량에 근거하여 약 0.01 내지 약 24중량% 존재함을 특징으로 하는 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 산이 조성물의 전체중량에 근거하여 0.05 내지 10중량% 존재함을 특징으로 하는 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 산이 조성물의 전체 중량에 근거하여 0.2 내지 2중량% 존재함을 특징으로 하는 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 산이 암모늄염으로서 존재하고, 이것의 양이온성분이 다음 일반식을 가지는 것들로부터 선택됨을 특징으로 하는 조성물:
    상기식에서 같거나 다를 수 있는 R₁,R₂,R₃및 R₄는 각각 수소원자, C₁-C₄를 포함하는 알킬 또는 히드록시알킬그룹을 나타낸다.
  8. 제1항에 있어서, 산이 이것의 산할로겐화물로서 존재함을 특징으로 하는 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 페놀성수지가 페놀, 모노-, 디- 또는 트리알킬페놀, 아릴페놀, 치환되지 않은 나프톨, 치환된 나프톨, 레졸신올, 알킬-치환된 레졸신올, 피로갈올, 알킬-치환된 피로같올 또는 일들의 혼합물을 포름알데히드, 아세트알데히드, 벤즈알데히드 또는 이들의 혼합물과 축합시켜 얻은 폴리(비닐페놀)이거나 또는 노블랙, 또는 상기 수지의 둘 또는 그 이상의 혼합물임을 특징으로 하는 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 페놀성수지가 포름알데히드를 P-3차-부틸페놀 대 페놀의 몰비율이 1:10 내지 10:1인 페놀과 P-3차-부틸페놀의 혼합물을 공축합함으로써 얻어지는 공-축합된 노볼랙임을 특징으로 하는 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 디아조퀴논 화합물이 디아조퀴논-술포 또는 카복실산의 할로겐화물과 페놀성수지의 부분 에스테르임을 특징으로 하는 조성물.
  12. 제1항에 있어서, 페놀성수지가 조성물의 전체 중량에 근거하여 약 30 내지 약 95중량% 존재하고 디아조퀴논 화합물이 약 4 내지 약 60중량% 존재함을 특징으로 하는 조성물.
  13. 제1항에 있어서, 페놀성수지가 조성물의 전체 중량에 근거하여 약 48 내지 약 90중량% 존재하고 디아조퀴논화합물이 약 45중량% 존재함을 특징으로 하는 조성물.
  14. 제1항에 있어서, 350 내지 500nm의 파장에서 빛을 흡수하는 염료를 더욱 포함함을 특징으로 하는 조성물.
  15. 제1항에 있어서, 용매 또는 용매혼합물을 더욱 포함함을 특징으로 하는 조성물.
  16. (a) 적어도 하나의 페놀성 수지와 적어도 하나의 디아조퀴논으로 이루어지는 광민감성 조성물층으로 기판을 피복하고; (b) 층의 선택부위만을 노출시키기 위해 마스크를 통하여 상기의 층을 자외선 방사에 노출하고; (c) 노출된 층을 실리콘화합물로 처리하여, 층의 조사된 부위내로 실리콘 화합물을 선택적으로 흡수시키고; (d) 층의 조사되지 않은 부분을 선택적으로 제거하여 네가티브패턴을 얻기위해 건성 에칭기법을 사용하여 위와같이 처리된 층을 전개시키는 단계로 이루어지는,기판위에 네가티브 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 이 광민감성 조성물에, 방향족술폰 또는 카복실산이 방향족 아미노산 이외의 것이라는 것을 조건으로 하여, 암모늄 염의 양이온성분이 다음식을 가지는, 유리산 및/또는 암모늄 염 및/또는 산할로겐화물 형태의, 적어도 하나의 방향족 융합된 폴리시클릭술폰 또는 카복실산을 통합하는 것을 이루어지는 개선된 방법:
    상기식에서 같거나 다를 수 있는 R₁,R₂,R₃및 R₄는 각각 수소원자, C₁-C₄를 함유하는 알킬 또는 히드록시알킬그룹을 나타낸다.
  17. 제16항에 있어서, 산이 1-나프탈렌술폰산, 2-나프탈렌술폰산, 3-디아조-3,4-디히드로-4-옥소-1-나프탈렌술폰산, 6-디아조-5,6-디히드로-5-옥소-1-나프탈렌술폰산, 6-디아조-5,6-디히드로-5-옥소-2-나프탈렌술폰산, 4-디아조-3,4-디히드로-3-옥소-1-나프탈렌술폰산, 5-디아조-5,6-디히드로-6-옥소-1-나프탈렌술폰산, 5-디아조-5,6-디히드로-옥소-2-나프탈렌술폰산, 대응되는 카복실산 및 상기 화합물의 적어도 두개의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택됨을 특징으로 하는 방법.
  18. 제16항에 있어서, 산이 다음 일반식을 가지는 디아조퀴논-술폰산임을 특징으로 하는 방법:
    상기식에서 A는 N₂또는 0를 나타내고 B는 A가 N₂일때는 O이거나 ㄴ또는 A가O일때 N2고 R은 OH,Hal 또는 M을 나타내는데, Hal은 할로겐원자이고 M은 암모늄 또는 치환된 암모늄이온이다.
  19. 제16항에 있어서, 산이 조성물의 전체 중량에 근거하여 0.01 내지 약24중량% 광민감성조성물에 통합됨을 특징으로 하는 방법.
  20. 제16항의 방법에 의해 제조된 집적회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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