KR880004655A - 전송 게이트 회로 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 반도체 기판내에 제1도에 나타낸 CMOS형 전송 게이트 트랜지스터의 형성 상태도.
제3도는 본 발명의 제1 실시예에 의한 전송 게이트의 구성을 나타낸 회로도.
제4도는 본 발명의 제2실시예에 의한 전송 게이트 회로의 구성을 나타낸 회로도.
Claims (10)
- 회로의 입력측으로부터 공급되는 입력신호를 회로의 출력측으로 트랜지스터의 게이트로 공급되는 제어 신호에 따라 전송하는 제 1 MIS 트랜지스터, 전원라인들간에 연결되고, 상기 전송된 입력신호를 반전시키는 인버터회로, 상기 전원라인들중의 하나와 상기 출력측간에 직렬로 연결되고, 상기 제 1 MIS 트랜지스터의 도전형과 반대인 도전형을 갖는 제2 및 제3 MIS 트랜지스터들로 이루어지는 출력레벨 보증회롤ㄹ 포함하고, 상기 인버터회로의 출력신호는 상기 제2 MIS 트랜지스터의 게이트에 공급되고, 상기 제1 MIS는 트랜지스터로 공급되는 제어신호의 반전된 신호는 상기 제3 MIS 트랜지스터의 게이트에 공급되는 것이 특징인 전송 게이트 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 MIS 트랜지스터의 게이트에 상기 제어신호를 공급하기 위한 다른 인버터를 더 포함하고, 상기 다른 인버터 회로는 상기 전원라인들간에 연결되고 고전위 레벨을 갖는 상기 전원라인들 중 하나가 상기 인버터회로 근방의 연결점에서 상기 다른 인버터에 연결되는 것이 특징인 전송게이트 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 MIS 트랜지스터는 하나의 N-채널형 트랜지스터이고, 상기 제2 및 제3 MIS 트랜지스턴들은 고전위 레벨을 갖는 상기 전원라인들중의 하나와 상기 제1 MIS 트랜지스터의 상기 출력측간에 직렬로 연결된 P-채널형 트랜지스터들인 것이 특징인 것이 특징인 전송 게이트 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 MIS 트랜지스터는 P-채널형 트랜지스터이고, 상기 제2 및 제3 MIS 트랜지스터들은 상기 제1 MIS 트랜지스터의 상기 출력측과 저전위 레벨을 갖는 상기 전원 라인들중의 하나와의 사이에 직렬로 연결된 N 채널형 트랜지스터들인 것이 특징인 전송게이트 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 인버터 회로는 상기 제1 MIS 트랜지스터의 상기 입력측에 연결되는 것이 특징인 전송게이트 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 인버터 회로는 상기 제1 MIS 트랜지스터의 상기 출력측에 연결되는 것이 특징인 전송게이트 회로.
- 제2항에 있어서, 상기 제1 MIS 트랜지스터는 N-형 트랜지스터이고, 상기 제2 및 제3 MIS 트랜지스터들은 고전위 레벨을 갖는 상기 전원라인중의 하나와 상기 제1 MIS 트랜지스터의 상기 출력측 사이에 직렬로 연결된 P-채널형 트랜지스터들인 것이 특징인 전송게이트 회로.
- 제2항에 있어서, 상기 제1 MIS 트랜지스터는 P-채널형 트랜지스터이고, 상기 제2 및 제3 트랜지스터들은 상기 제1 MIS 트랜지스터 출력측과 저전위 레벨을 갖는 상기 전원라인들중의 하나사이에 직렬로 연결된 N-채널형 트랜지스터들인 것이 특징인 전송게이트 회로.
- 제2항에 있어서, 상기 인버터 회로는 상기 제1 MIS 트랜지스터의 상기 입력측에 연결된 것이 특징인 전송게이트 회로.
- 제2항에 있어서, 상기 인버터 회로가 상기 제1 MIS 트랜지스터의 상기 출력측에 연결되는 것이 특징인 전송게이트 회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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