KR880001601A - 신규 카르보스티릴 유도체 및 그의 염 - Google Patents

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KR880001601A KR1019870008446A KR870008446A KR880001601A KR 880001601 A KR880001601 A KR 880001601A KR 1019870008446 A KR1019870008446 A KR 1019870008446A KR 870008446 A KR870008446 A KR 870008446A KR 880001601 A KR880001601 A KR 880001601A
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시게하루 다마다
다까후미 후지오까
히데노리 오가와
슈지 데라모또
가즈미 곤도
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오오쓰까 아끼히꼬
오오쓰까세이야꾸 가시시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

신규 카르보스티릴 유도체 및 그의 염
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (28)

  1. 하기 일반식(1)로 표시되는 카르보스티릴 유도체 및 그의 염
    상긱식에서, R은 일반식[여기서, A는 일반식(여기서 B는 저급알킬렌기임)의 기 이거나 또는 일반식의 기이고 ; R1및 R2는 서로 동일하거나 다르며, 각각 저급알킬기이거나 또는 페닐고리에 치환체로 저급알콕시기를 가질 수도 있는 페닐- 저급알킬기이고 ; 더 나아가서 R1및 R2는 그들에게 결합되어 있는 인접 질소원자와 함께 일반식(여기서, R3는 할로겐원자, 저급알킬기, 저급알콕시기, 저급알킬티오기 및 저급알킬렌-디옥시기에서 선택된 1내지 2개의 치환체를 가질 수도 있는 페닐기이고 ; Z는 일반식의 기, 일반식(여기서, R4는 히드록실기, 저급알카노일옥시기 또는 저급알콕시기이고 B는 상기 정의된 비임)의 기이거나 ; 또는 일반식(여기서, B는 상기 정의된 바이며, R5는 시아노기, 할로겐원자이거나, 또는 R6및 R7이 서로 동일하거나 다르며 각각 수소원자, 저급알킬기, 저급알콕시카르보닐기, 벤조일기 또는 저급알카노일기인 일반식이며 ; 더 나아가서 R6및 R7은 그들에게 결합되어 있는 인접 질소원자와 함께, 그리고 더 나아가 부가된 질소 또는 산소원자와 함께 또는 없이 5- 또는 6- 원의 포화 또는 불포화된 헤테로 고리기를 형성할 수 있음)의 기임)의 기를 형성할 수 있으며 ;
    만일, R1및 R2가 서로 동일하거나 다르며, 각각 저급알킬기, 또는 페닐고리에 치환체로서 1내지 3개의 저급 알콕시기를 가질 수도 있는 페닐-저급알킬기일때, 또는 R1및 R2가 그들에게 결합되어 있는 인접 질소원자와 함께 일반식(여기서, R3는 상기 정의된 바이며, 일반식의 기임)의 기라면, A는 일반식(여기서, B는 상기 정의된 바임)의 기임]의 기이거나 ;
    또는 일반식[여기서, R1'는 저급알킬렌디옥시기, 옥소기, 히드록실아미노기, 저급알카노일옥시기이미노기, 일반식 =N-A'(여기서 A1는 저급알킬기, 페닐-저급알킬기, 저급알킬술포닐기 또는 페녹시-저급알킬기임)의 기이거나, 또는 일반식(여기서, R4'및 R5'는 서로 동일하거나 다르며 각각 수소원자, 저급알킬기, 저급알카노일기, 페닐-저급알킬기, 저급알콕시카르보닐기, 저급알킬술포닐기, 페닐고리에 저급알콕시에 및 할로겐원자로 구성된 군에서 선택되는 1내지 3개의 치환체를 가질 수도 있는 벤조일기, 페닐고리에 저급알콕시기를 치환체로서 기질수도 있느느 페닐-저급알카노일기 및 페닐- 저급알케닐카르보닐기이거나, 또는 페녹시-저급알킬기임)의 기이며 ;l은 0 또는 1이고고, 더 나아가서, 만일l이 0이고 R4'가 수소원자, 저급알킬기 또는 페닐 -저급알킬기이라면, R5'는 수소원자로 저급알킬기도 페닐 -저급알킬기도 아님]의 기이거나 ;
    또는 일반식[여기서, R2'는 수소원자 또눈 저급알킬기이고 ; R3'수소원자, 저급알킬기, 저급알카노일기, 페닐고리에 저급알콕시기, 할로겐원자 및 니트로기로 구성된 군에서 선택되는 1내지 3개의 치환체를 가질 수도 있으며, 더나아가서 페닐알킬기의 알킬 부위가 할로겐원자, 시아노기 또는 히드록실시로 치환될 수도 있는 페닐-저급알킬기 ; 벤조일 -저급알킬기, 페닐-저급알케닐기, 저급알케닐기, 페녹시 -저급알킬기, 페닐티오-저급알킬기, 또는 아미노 부위에 치환체로서 저급알킬기를 가질 수도 있는 아닐리노-저급알킬기임]의 기이며 ; 키르보스티릴 골격에서의 제 3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소 결합은 단일 또는 이중 결합이다.
  2. 제 1항에 있어서, 하기 일반식 (Ⅰ)로 표시되는 카르보스티릴 유도체 및 그의 염.
    상기식에서, A는 일반식(여기서 B는 C1~C6알킬렌기임)의 기이거나 또는 일반식의 기이고 ; R1및 R2는 서로 동일하거나 다르며, 각각 C1~C6알킬기이거나 또는 페닐고리에 치환체로 C1~C6알콕시기를 가질수도 있는 페닐 -C1~C6알킬기이고 ; 더나아가서 R1및 R2는 그들에게 결합되어 있는 인접 질소원자와 함깨 일반식(여기서, R3는 할로겐원자, C1~C6알킬기, C1~C6알콕시기, C1~C6알킬티오기 및 C1~C6알킬렌-디옥시기에서 선택된 1내지 2개의 치환체를 가질수도 있는 페닐기이고 ; Z는 일반식의 기, 일반식(여기서 R4는 히드록실기, C1~C6알카노일옥시기 또 C1~C6일콕시기이고, B는 상기 정의된 바임)의 기이거나 ;
    또는 일반식(여기서, B는 상기 정의된 바이며, R5는 시아노기, 할로겐원자이거나, 또는 R6및 R7이 서로 동일하거나 다르며 각각 수소원자, C1~C6알킬기, 저급알콕시부위가 1내지 6개의 탄소원자를 가지는 알콕시카르보닐기, 벤조일기 또는 C1~C6알카노일이기인 일반식이며 ; 더나아가서 R6및 R7은 그들에게 결합되어 있는 인접 질소원자와 함께, 그리고 더나아가 부가된 질소 또는 산소원자와 함께 또는 없이 피페리디노, 피페라지노, 모르폴리노, 이미다졸릴, 피롤릴 또는 피롤리딜기를 형성할 수 있음)의 기임)의 기를 형성할 수 있으며 ; 만일 R1및 R2가 서로 동일하거나 다르며, 각각 C1~C6알킬기, 또는 페닐고리에 치환체로서 1내지 3개의 C1~C6알콕시기를 가질수 도 있는 페닐 C1~C6알킬기일 때 또는 R1및 R2가 그들에게 결합되어 있는 인접 질소원자와 함께 일반식(여기서, R3는 상기 정의된 바이며, Z는 일반식의 기임)의기라면, A는 일반식(여기서, B는 상기 정의된 바임)의 기임]의 기이고; 카르보스트릴 골격에서의 제 3- 및 4- 위치 사이의 탄소-탄소 결합은 단일 또는 이중 결합이다.
  3. 제 2항에 있어서, A가(여기서, B는 C1~C6알킬렌기임)의 기이고, R1및 R2는 서로 동일하거나 다르며, 각각 C1~C6알킬기이거나 페닐고리에 치환체로서 C1~C6알콕시기를 가질수도 있는 페닐 C1~C6알킬기인 카르보스티릴 유도체 및 그의 염
  4. 제 3항에 있어서, R2이 C1~C6알킬기이고, R2가 페닐고리에 치환체로서 C1~C6알콕시기를 가질수도 있는 페닐 -C1~C6알킬기인 카브보스티릴 유도체 및 그의 염.
  5. 제 4항에 있어서, 카르보스티릴 골격에서 제 3및-4-위치 사이의 탄소결합이 이중결합인 카르보스티릴 유도체 및 그의 염.
  6. 제 4항에 있어서, 카르보스티릴 골격에서 제 3-v및 4-위치 사이의 탄소결합이 단일결합인 카르보스티릴 유도체 및 그의 염.
  7. 제 2항에 있어서, R1및 R2가 그들에게 결합되어 있는 인접 질소원자와 함께 일반식-Z-R3(여기서, Z 및 R3는 상기 정의된 바임)의 기인 카르보스티릴 유도체 및 그의 염.
  8. 제 7항에 있어서, Z이 일반식(여기서, B및 R4는 상기 정의된 바임)의 기인 카르보스티릴 유도체 및 그의 염.
  9. 제 8항에 있어서, A가 일반식의 기인 카르보스티릴 유도체 및 그의 염.
  10. 제 9항에 있어서, R4가 히드록실기인 카르보스티릴 유도체 및 그의 염.
  11. 제 10항에 있어서, 카르보스티릴 골격에서 제 3- 및 4-의 위치 사이의 탄소- 탄소결합이 단일결합인 카르보스티릴 유도체 및 그의 염.
  12. 제 7항에 있어서, Z이 일반식(여기서, B 및 R5는 상기 정의된 비임)의 기인 카르보스티릴 유도체 및 그의 염.
  13. 제 8항에 있어서, A가 일반식(여기에서, B는 상기 정의된 바임)의 기인 카르보스티릴 유도체 및 그의 염.
  14. 제 1항에 있어서, R이 일반식(여기서, R1는 C1~C4, 알킬렌디옥시기, 옥소기, 히드록실이미노기, C1~C6알카노일옥시이미노기, 일반식=N-A'(여기서 A' 는 C1~C6알킬기, 페닐 -C1~C6알킬기, C1~C6알킬술포닐기 또는 페녹시-C1~C6알킬기임)의 기이거나, 또는 일반식(여기서, R4'및 R5'는 서로 동일하거나 다르며 각각 수소원자,C1~C6알킬기, C1~C6알카노일기, 페닐 -C1~C6알킬기, C1~C6알콕시카르보닐기, C1~C6알킬술포닐기, 페닐고리에 C1~C6알콕시기 및 할로겐 원자로 구성된 군에서 선택되는 1내지 3개의 치환체를 가질 수도 있는 벤조일기, 페닐고리에 치환체로 1내지 3개의 C1~C6알콕시기를 가질수도 있는 페닐-C1~C6알카노일기 및 페닐 -C1~C6알케닐카르보닐기이거나, 또는 페녹시-C1~C6알킬기임)의 기이며;
    l는 0 또는 1이고 ; 더나아가서, 만일 l 이 0이고 R4'가 수소원자, C1~C6알킬기 또는 페닐 -C1~C6알킬기이라면, R5'는 수소원자도 C1~C6알킬기도 페닐 -C1~C6알킬기도 아니고 ; 카르보스티릴 골격에서의 제3- 및 4-위치 사이의 탄소 -탄소결합은 단일 또는 이중결합임]의 기인 카르보스티릴 유도체 및 그의염.
  15. 제 14항에 있어서,l는 0 인 카르보스티릴 유도체 및 그의 염.
  16. 제 14항에 있어서,l는 1인 카르보스티릴 유도체 및 그의 염.
  17. 제 1항에 있어서, R이 일반식[여기서, R2'는 수소원자 또는 C1~C6알킬기이고 ; R3'는 수소원자, C1~C6알킬기, C1~C6알카노일기, 페닐고리에 C1~C6알콕시기, 할로겐원자 및 니트로기로 구성된 군에서 선택되는 1내지 3개의치환체를 가질 수도 있으며, 더 나아가서 페닐알킬기의 알킬 부위가 할로겐원자, 사아노기 및 히드록실기로 구성된 군에서 선택되는 치환체를 가질 수도 있는 페닐-저급 알킬기 ; 벤조일 -C1~C6알킬기, 페닐 -C2~C6알케닐기, 1내지 3개의 이중결합을 가지는 C2~C12알케닐기 페녹시, -C1~C6알킬기, 페닐티오-C1~C6알킬기, 또는 아미노 부위에 치환체로소 C1~C6알킬기를 가질 수도 있는 아닐리노 -C1~C6알킬기임]의 기이며, 카르보스티릴 골격에서의 제 3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소 결합은 단일 또는 이중결합인 카르보스티릴 유도체 및 그의 염.
  18. 제 17항에 있어서, R2'가 C1~C6알킬기인 카르보스티릴 유도체 및 그의 염.
  19. 제 18항에 있어서, R3'가 페닐고리에 C1~C6알콕시기, 할로겐원자 및 니트로기로 구성된 군에서 선택되는 1내지 3개의 치환체를 가지고, 더 나아가서 페닐알킬기의 C1~C6알킬부위가 할로겐원자, 시아노기 및 히드록실기로 구성된 군에서 선택되는 치환체를 가질 수도 있는 페닐 -C1~C6알킬기인 카르보스티릴 유도체 및 그의 염.
  20. 제 19항에 있어서, R3'가 알킬부위가 1내지 6개의 탄소원자를 함유하는 비치환된 페닐 알킬기인 카르스티릴 유도체 및 그의 염.
  21. 제 20항에 있어서, 카르보스티릴 골격에서의 제3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소결합이 단일결합인 카르보스티릴 유도체 및 그의 염.
  22. 6-{1-히드록시이미노-2-[N-메틸-N-(4-메톡시벤질)아미노]부틸}카르보스티릴.
  23. 6-[4-(3-페닐-3-히드록시이미노프로필)-1-피페라지닐카르보닐]-3,4-디히드로카르보스티릴.
  24. 6-[4-(4-페닐-4-히드록시이미노부틸)-1-피페라지닐카르보닐]-3,4-디히드로카르보스티릴.
  25. 6-[N-(1-벤질-4-피페리딜)-N-메틸아미도]-3,4-디히드롤카르보스티릴.
  26. (a)하기 일반식(Ⅰ-a)의 카르보스티릴 유도체를 하기 일반식 (Ⅱ)의 화합물과 반응시킴으로써 하기 일반식 (Ⅰ-b)의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나,
    (상기식에서, A,B,R3및 카르보스티릴 골격에서 제 3- 및 4- 위치 사이의 탄소-탄소결합은 하기 정의된 바이며, R8은 수소원자 또는 저급알콕시기임.)
    (b) 하기 일반식 (I-c)의 카르보스티릴 유도체를 하기 일반식(Ⅲ)의 화합물과 반응시킴으로써 하기 일반식(I-d)의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나
    상기식에서, A,B,R3및 카르보스티릴 골격에서의 제 3- 및 4-위치 사이의 탄소- 탄소결합은 하기 정의된 바이고, R9는 저급 알카노일기, X는 할로겐원자임,
    (c)하기 일반식(I-e)의 카르보스티릴 유도체를 할로겐화제와 반응시킴으로써 하기 일반식(I-f)의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나
    (상기식에서, A,B,R3및 카르보스티릴 골격에서의 제 3- 및 4- 위치 사이의 탄소 탄소결합은 하기 정의된 바이고 ; X는 할로겐 원자임.)
    (d)하기 일반식(I-f) 의 카르보스티릴 유도체를 하기 일반식(Ⅳ)의 화합물과 반응시킴으로써 하기 일반식(I-g)의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나
    (상기식에서, A,B,R3,X및 카르보스티릴 골격에서의 제3-및 4-위치 사이의 탄소-탄소결합은 하기 정의된 바이고 ; R9및 R10은 서로 같거나 다르며, 각각 수소원자 또는 저급알킬기이고 ; 더나아가서, R9및 R10은 그들에게 결합되어 있는 인접 질소원자와 함께 더 나악서 부가된 산소원자 또는 질소원자와 함께 없이 5- 또는 6-원의 포화 또는 불포화. 헤테로 고리기를 형성할 수도 있음.
    (e) 하기 일반식(I-h)의 카르보스티릴 유도체를 환원시킴으로써 하기 일반식(I-i)의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나
    (상기식에서, A,B,R3,R4, 및 카르보스티릴 골격에서의 제3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소 결합은 하기 정의된 바임.)
    (f)하기 일반식(I-i)의 카르보스티릴 유도체를 일반식(V)의 화합물과 반응시킴으로써 일반식(I-j)의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나,
    (상기식에서, A,B,R3, 및 카르보스티릴 골격에서의 제3- 및 4- 위치 사이의 탄소-탄소 결합은 하기 정의된 바이고; R11은 저급알콕시카르보닐기, 베조일기 또는 저급알카노 일기이고 ; X는 할로겐원자임.)
    (g)하기 일반식(I-k)의 카르보스티릴 유도체를 일반식 NH2OH 의 히드록실아민과 반응시킴으로써 하기 일반식(I-l)을 수득하거나
    (상기식에서, A,B,R3,R4, 및 카르보스티릴 골격에서의 제3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소 결합은 하기 정의된 바임.)
    (h) 하기 일반식(I-m)의 카르보스티릴 유도체를 하기 일반식(Ⅵ)의 화합물과 반응시킴으로써 하기 일반식(I-n)의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나
    (상기식에서, A,B,R3,R4, 및 카르보스티릴 골격에서의 제3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소 결합은 하기 정의된 바임.)
    (i)하기 일반식(I-o)의 카르보스티릴 유도체를 하기 일반식(Ⅶ)의 화합물과 반응시킴으로써 하기 일반식 (I-p)의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나
    (상기식에서, A,R3및 카르보스티릴 골격에서의 제3- 및 4- 위치 사이의 탄소-탄소결합은 하기 정의된 바이고 ; X1은 할로겐원자, 저급알칸술포닐옥시기, 아릴술포닐옥시기 또는 아르알킬술포닐옥시기임.)
    (j)하기 일반식(I-f)의 카르보스티릴 유도체를 하기 일반식(Ⅷ)의 화합물과 반응시킴으로써 하기 일반식(I-q)의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나
    (상기식에서, A,B,R3,X 및 카르보스티릴 골격에서의 제3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소결합은 하기 정의된 바이고 ; M은 금속원자임)
    (k)하기 일반식(I-r) 의카르보스티릴 유도체를 하기 일반식(Ⅸ)의 화합물과 반응함으로서 하기 일반식(I-s)의 카르보스티릴 유도체를 수득함을 특징으로 하는
    (상기식에서, A,X1,R3, 및 카르보스티릴 골격에서의 제3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소결합은 하기 정의된 바이고 ; Z'는 R4,R5, 및 B 가 하기 정의된 바인 일반식의 기 또는 일반식의 기임.)
    하기 일반식(I) 로 표시되는 카르보스티릴 유도체의 제조방법.
    상기식에서, A는 일반식(여기서, B는 저급알킬렌기임)의 기이거나 또는 일반식의 기이고 ; R1및 R2는 서로 동일하거나 다르며, 각각 저급알킬기이거나, 또는 페닐고리에 치환체로 저급 알콕시기를 가질수도 있는 페닐-저급알킬기이고;
    더 나아가서 R1및 R2는 그들에게 결합되어 있는 인접 질소원자와 함께 일반식(여기서, R3은 할로겐원자, 저급알킬기, 저급알콕시기, 저급알킬티오기 및 저급알킬렌-디옥시기에서 선택된 1내지 2개의 치환체를 가질수도 있는 페닐기이고 ; Z는 일반식의 기, 일반식(여기서, R4는 히드록실기, 저급알카노일옥시기 또는 저급알콕시기이고, B는 상기 정의된 바임)의 기이거나; 또는 일반식 -(여기서, B는 상기 정의된 바이며, R5는 시아노기, 할로겐원자이거나, 또는 R6및 R7이 서로 동일하거나 다르며 각각 수소원자, 저급알킬기, 저급알콕시카르보닐기, 벤조일기 또는 저급알카노일기인 일반식 -이며; 더 나아가서 R6 및 R7 은 그들에게 결합되어 있는 인접 질소원자와 함께, 그리고 더 나아가 부가된 질소 또는 산소원자와 함께 또는 없이 5- 또는 6-원의 포화 또는 불포화된 헤테로 고리기를 형성할수 있음)의 기임)의 기를 형성할 수 있으며 ; 만일, R1및 R2가 서로 동일하거나 다르며, 각각 저급알킬기, 또는 페닐고리에 치환체로서 1내지 2개의 저급알콕시기를 가질 수도 있는 페닐-저급알킬기일 때 또는 R1및 R2가 그들에게 결합되어 있는 인접 질소원자와 함께 일반식(여기서, R3는 상기 정의된 바이며, Z는 일반식의 기입)의 기라면, A 는 일반식(여기서, B는 상기 정의된 바임)의 기이고 ; 카르보스티릴 골격에서의 제 3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소결합은 단일 또는 이중결합이다.
  27. (a)하기 일반식(2)의 카르보스티릴 유도체를 하기 일반식(3)의 화합물과 반응시킴으로써 하기 일반식 (la) 의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나
    (상기 식에서, 카르보스티릴 골격에서의 제3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소 골격은 하기 정의된 바이며 ; R6'는 일반식(여기서, R2'R3'는 하기 정의된 바임)의 기이거나 또는 일반식(여기서, R2'및 R3'는 하기 정의된 바임)의 기임.)
    (b) 하기 일반식 (1b) 카르보스티릴 유도체를 일반식 NH2-OH의 히드록실아민과 반응시킴으로써 하기 일반식(1c)의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나
    (상기식에서,l및 카르보스티릴 골격에서의 제3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소 결합은 하기 정의된 바임)
    (c)하기 일반식(1c)의 카르보스티릴 유도체를 환원시킴으로써 하기 일반식(1e)의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나
    상기식에서,l및 카르보스티릴 골격에서의 제3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소결합은 하기 정의된 비임)
    (d)하기 일반식(1d)의 카르보스티릴 유도체를 환원시킴으로써 하기 일반식(1e)의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나
    (상기식에서,l및 카르보스티릴 골격에서의 제3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소 결합은 하기 정의된 비이고 ; R7'는 저급알카노일옥시기임)
    (e) 하기 일반식(1e)의 카르보스티릴 유도체를 하기 일반식 (5)의 화합물과 반응시킴으로써 하기 일반식(1f) 의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나,
    (상기식에서,l및 카르보스티릴 골격에서의 제3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소 결합은 하기 정의된 비이고 : R8'는 저급알카노일기, 저급알콕시카르보닐기, 페닐고리에 저급알콕시기 및 할로겐원자로 구성된 군에서 선택되는 1 내지 3개의 치환체를 가질 수도 있는 벤조일기, 또는 페닐 고리에 저급알콕시기를 치환체로서 가질수도 있는 페닐-저급알케닐카르보닐기 또는 페니-저급 알카노일기임)
    (f) 일반식(1e) 의 카르보스티릴 유도체를 하기 일반식(6)의 화합물과 반응시킴으로써 하기 일반식(1g)의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나
    (상기식에서,l및 카르보스티릴 골격에서의 제3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소결합은 하기 정의된 비이고 ; R9'는 저급알킬기, 페닐-저급알킬기, 저급알킬술포닐기 또는 페녹시-저급알킬기이고 ; X1'는 할로겐원자, 저급알칸술포닐옥시기 또는 아르알킬술포닐옥시기 또는 아릴술포닐옥시기이고 ; R9'는 R9'에서 정의된 것과 동일한 기들 또한 수소원자임)
    (g) 하기 일반식 (1g) 의 카르보스티릴 유도체를 하기 일반식(5)의 화합물과 반응시킴으로써 하기 일반식(1h)의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나
    (상기식에서,l, R9', R9", R8' 및 카르보스티릴 골격에서의 제3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소결합은 하기 정의된 바임.)
    (h) 하기 일반식(1e) 의 카르보스티릴 유도체를 하기 일반식(7)의 화합물과 반응시킴으로써 하기 일반식(1i)의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나
    (상기식에서,l및 카르보스티릴 골격에서의 제3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소 결합은 하기 정의된 바이고 ; R10'및 R11'는 각각 수소원자 또는 저급알킬기임)
    (i)하기 일반식(1i)의 카르보스티릴 유도체를 하기 일반식(7)의 화합물과 반응킴으로서 하기 일반식(1i)의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나,
    (상기식에서,l.R10′, R11′및 카르보스티릴 골격에서의 제3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소결합은 하기 정의된 바임)
    (j) 하기 일반식(1b)의 카르보스티릴 유도체를 하기 일반식(8)의 화합물과 반응시킴으로써 하기 일반식(1k)의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나
    (상기식에서,l, R9', R9"및 카르보스티릴 골격에서의 제3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소결합은 하기 정의된 바임)
    (k) 하기 일반식(1k)의 카르보스티릴 유도체를 환원시킴으로서 하기 일반식(1g)의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나
    (상기식에서,l,R9',R9"및 카르보스티릴 골격에서의 제3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소결합은 하기 정의된 바임)
    (l)하기 일반식(1b)의 카르보스티릴 유도체를 하기 일반식(8b)의 화합물과 반응시킴으로써 하기 일반식(1l)의 카르보스티릴 유도체 및/또는 하기 일반식(1m)의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나
    (상기식에서,l, R9'및 카르보스티릴 골격에서의 제3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소결합은 하기 정의된 바임)
    (m) 하기 일반식(1n)의 카르보스티릴 유도체를 하기 일반식(9)의 화합물과 반응시킴으로서 하기 일반식(1o)의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나
    (상기식에서,R2및 카르보스티릴 골격에서의 제3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소 결합은 하기 정의된 바이고 ; R12'는 저급알카노일기임)
    (n)하기 일반식(1n)의 카르보스티릴 유도체를 하기 일반식(10)의 화합물과 반응시킴으로써 하기 일반식(1p)의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나
    (상기식에서, R2',X1'및 카르보스티릴 골격에서의 제3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소결합은 하기 정의된 바이고: R13'는 저급알카노일기 또는 하기 언급된 기호3'에 대해 정의돈 것중에서 수소원자를 제외한 기들임)
    (o)하기 일반식(11)의 화합물을 페환시킴으로써 하기 일반식(1q)의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나
    (상기식에서, R'는 하기 정의된 바이고 ; R14'는 할로겐원자임)
    (p) 하기 일반식(13)의 화합물을 페환시킴으로써, 또는 하기 일반식(14)의 화합물을 폐환시킴으로써 하기 일반식(1)의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나
    (상기식에서,R',R12'및 카르보스티릴 골격에서의 제3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소결합은 하기 정의된 바이고: R155註 히드록실기 또는 저급알콕시기이고 ; 일반식의 기로 나타내어진 탄소-탄소 결합은 단일 또는 이중결합임)
    (q)하기 일반식(1r)의 카르보스티릴 유도체를 하기 일반식(15)의 화합물과 반응시킴으로서 하기 일반식(1s)의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나
    (상기식에서,R2'및 카르보스티릴 골격에서의 제3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소 결합은 하기 정의된 바이고: R16'은 페닐고리에 저급알콕시기, 할로겐원자 및 니트로기로 구성된 군에서 선택되는 1 내지 3개의 치환체를 가질수도 있는 페닐기이거나 ; 도는 페닐고리에 저급알콕시기, 할로겐원자 및 니트로기로 구성된 군에서 선택되는 1내지 3개의 치환체를 가질수도 있는 페닐-저급알킬기이고; R17은 수소원자 또는 상기 언급된 R16'에서와 같은 의미이고 ; R18'및 R19'는 같거나 다르며, 각각 수소원자 또는 저급알킬기임)
    (r) 하기 일반식(1t)의 카르보스티릴 유도체를 환원시킴으로서 하기 일반식(1u)의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나
    (상기식에서,R2'및 카르보스티릴 골격에서의 제3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소결합은 하기 정의된 바이고: B′는 저급알킬렌기임)
    (s) 하기 일반식(1v)의 카르보스티릴 유도체를 할로겐화시킴으로써 하기 일반식(1w)의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나
    (상기식에서,R2'및 카르보스티릴 골격에서의 제3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소 결합은 하기 정의된 바이며: R22'는 페닐고리에 저급알콕시기, 할로겐원자 및 니트로기로 구성된 군에서 선택되는 1내지 3개의 치환체를 가질 수도 있으며, 더 나아가서 페닐알킬기의 알킬부위가 히드록실기를 치환체로서 가질 수도 있는 페닐-저급알킬이고, ; R23'는 페닐고리에 저급알콕시기, 할로겐원자 및 니트로기로 구성된 군에서 선택되는 1내지 3개의 치환체를 가질수도 있으며, 더 나아가서 페닐알킬기의 알킬부위가 할로겐원자를 치환체로서 가질 수도 있는 페닐-저급알킬기임)
    (t)하기 일반식(1w)의 카르보스티릴 유도체를 하기 일반식(18)의 화합물과 반응시킴으로써 하기 일반식(1x)의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나
    (상기식에서, R2',R23'및 카르보스티릴 골격에서의 제3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소결합은 하기 정의된 바이고: M 은 금속원자이고 ; R24'는 페닐고리에 저급알콕시기, 할로겐원자 및 니트로기로 구성된 군에서 선택되는 1내지 3개의 치환체를 가질수도 있으며, 더 나아가서 페닐알킬부위가 시아노기를 치환체로서 가질 수도 있는 페닐-저급알킬기임)
    (U)하기 일반식(21)의 화합물을 폐환시킴으로써 하기 일반식(1U)의 카르보스티릴 유도체를 수득하거나
    (상기식에서, R' 는 하기 정의된 바이고 ; B는 일반식R255-CH=CH-("기서R25'는 저급알콕시기 또는 수소원자임)의 기, 일반식(여기서 R26'및 R27'는 각각 저급알킬기임)의 기이거나, 또는 일반식 CH=C- 의 기임]
    (v)하기 일반식(27)의 화합물을 하기 일반식(24)의 화합물과 반응시킴으로써 하기 일반식(1z)의 카르보스티릴 유도체를 수득함을 특징으로 하는
    (상기식에서, R14', R1'및 카르보스티릴 골격에서의 제3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소결합은 하기 정의된 바임)하기 일반식(1)로 표시되는 카르보스티릴 유도체의 제조방법.
    상기식에서, R'는 일반식 -(CO)-[여기서, R1'는 저급알킬렌디옥시기, 옥소기, 히드록실이미노기, 저급알카노일옥시이미노기, 일반식=N=A'(여기서, A'는 저급알킬기, 페닐-저급알킬기, 저급알킬술포닐기 또는 페녹시-저급알킬기임)의 기이거나, 또는 일반식(여기서, R4'및 R5'는 서로 동일하거나 다르며 각각 수소원자, 저급알킬기, 저급알카노일기, 페닐- 저급알킬기, 저급알콕기카르보닐기, 저급알킬술포닐기, 페닐고리에 저급알콕시 및 할로겐원자로 구성된 군에서 선택되는 1내지 3개의 치환체를 가질수도 있는 벤조일기, 페닐고리에 저급알콕시 및 할로겐원자로 구성된 군에서 선택되는 1내지 3개의 치환체를 가질수도 있는 벤조일기, 페닐고리에 저급알콕시기를 치환체로서 가질 수도 있는 페닐-저급알카노일기 및 페닐-저급알케닐카로보닐기이거나, 또는 페녹시-저급알킬기임)의 기이며 :l는 0 또는 1 이고, 더 나아가서, 만일 l이 0이고 R4'가 수소원자, 저급알킬기, 또는 페닐-저급알킬기이라면, R5'수소원자로, 저급알킬기도, 페닐-저급알킬기도 아님]의 기이거나 ;
    또는 일반식[여기서, R2'는 수소원자 또는 저급알킬기이고 : R3'는 수소원자, 저급알킬기, 저급알카노일기, 페닐고리에 저급알콕시기, 할로겐원자 및 니트로기로 구성된 군에서 선택되는 1내지 3개의 치환체를 가질 수도 있으며, 더 나아가 페닐알킬기의 알킬부위가 할로겐원자, 시아노기 또는 히드록시기로 치환될수도 있는 페닐-저급알킬기 ; 벤조일-저급알킬기의 알킬부위가 할로겐원자, 시아노기 또는 히드록시기로 치환될 수도 있는 페닐-저급알킬기 ; 벤조일-저급알킬기, 페닐-저급알케닐기, 저급알케닐기, 페녹시-저급알킬기, 페닐티오-저급알킬기, 또는 아미노 부위가 저급알킬기로 치환될 수도 있는 아닐리노-저급알킬기임]의 기이며 ; 카르보스티릴 골격에서 제 3- 및 4-위치 사이의 탄소-탄소결합은 단일 또는이중 결합이다.
  28. 하기 일반식(1)로 표시되는 카르보스티릴 유도체를 활성성분으로 함유하는 강심제 조성물.
    상기식에서 R은 일반식[여기서, A는 일반식(여기서, B는 저급알킬렌기임)의 기이거나 또는 일반식의 기이고 ; R1및 R2는 서로 동일하거나 다르며, 각각 저급알킬기이거나 또는 페닐고리에 치환체로 저급알콕시기를 가질수도 있는 페닐-저급알킬기이고 ; 더 나아가서 R1및 R2는 그들에게 결합되어 있는 인접 질소원자와 함께 일반식(여기서, R3이 할로겐원자, 저급알킬기, 저급알콕시기, 저급알킬티오기 및 저급알킬렌-디옥시기에서 선택된 1내지 2개의 치환체를 가질수도 있는 페닐기이고 ; Z는 일반식의 기, 일반식(여기서, R4는 히드록실기, 저급알카노일옥시기 또는 저급알콕시기, 저급알킬티오기 및 저급알킬렌-디옥시기에서 선택된 1내지 2개의 치환체를 가질 수도 있는 페닐기이고; Z는 일반식의 기,일반식 (여기서, R4는 히드록실기, 저급알키노일무시기 또는 저급알콕시기이고, B는 상기 정의된 비임)의 기이거나 ; 또는 일반식(여기서, B는 상기 정의된 바이며, R5는 시아노기, 할로겐원자이거나, 또는 R6및 R7이 서로 동일하거나 다르며 각각 수소원자, 저급알킬기, 저급알콕시카르보닐기, 벤조일기 또는 저급알카노일기인 일반식이며; 더 아나가서 R6및 R7은 그들에게 결합되어 있는 인접 질소원자와 함께, 그리고 더 나아가 부가된 질소 또는 산소원자와 함께 또는 없이 5- 또는 6-원의 포화 또는 불포화된 헤테로 고리기를 형성할수 있음)의 기임)의 기를 형성할 수 있으며;
    만일, R1및 R2가 서로 동일하거나 다르며, 각각 저급알킬기, 또는 페닐고리에 치환체로서 1내지 3개의 저급알콕시기를 가질수도 있는 페닐-저급알킬기일 때 또는 R1및 R2그들에게 결합되어 있는 인접 질소원자와 함께 일반식(여기서, R3는 상기 정의된 바이며, Z는 일반식의 기임)의 기라면, A 는 일반식(여기서, B는 상기 정의된 바임)의 기임]의 기이거나 ;
    또는 일반식[여기서, R1'는 저급알킬렌디옥시기, 옥소기 , 히드록실이미노기, 저급알카노일옥시이미노기, 일반식 =N-A' (여기서, A'는 저급알킬기, 저급알킬술포닐기 또는 페녹시-저급알킬기임)의 기이거나, 또는 일반식(여기서, R4'및 R5'는 서로 동일하거나 다르며 각각 수소원자, 저급알킬기, 저급알카노일기, 페닐-저급알킬기, 저급알콕시카르보닐기, 저급알킬술포닐기, 페닐고리에 저급알콕시 및 할로겐원자로 구성된 군에서 선태고디는 1내지 3개의 치환체를 가질수도 있는벤조일기, 페닐고리에 저급알콕시기를 치환체로서 가질수도 있는 페닐-저급알카노일기 및 페닐- 저급알케닐카르보닐기이거나, 또는 페녹시-저급알킬기임)의 기이며; l은 0또는 1이고 ; 더 나아가서, 만일 l이 0이고 R4'가 수소원자, 저급알킬기 또는 페닐-저급알킬기라면, R5'는 수소원자도, 저급알킬기도, 페닐-저급알킬기도 아님]의 기이거나 ;
    또는 일반식[여기서, R2'는 수소원자 또는 저급알킬기이고 ; R3'는 수소원자, 저급알킬기, 저급알카노일기, 페닐고리에 저급알콕시기, 할로겐원자 및 니트로기로 구성된 군에서 선택되는 1내지 3개의 치환체를 가질 수도 있으며, 더 나아가서 페닐알킬기의 알킬 부위가 할로겐원자, 시아노기 또는 히드록실기로 치환될 수도 있는 페닐-저급알킬기 ; 벤조일-저급알킬기, 페닐-저급알케닐기, 저급알케닐기, 페녹시-저급알킬기, 페닐티오-저급알킬기 도느 아미노 부위에 치환체로서 저급알킬기를 가질수도 있는 아닐리노-저급알킬기임]의 기이며 ; 카르보스티릴 골격에서 제3-및 4-위치 사이의 탄소-탄소결합은 단일 또는 이중 결합이다.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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