KR860006830A - 반도체 집적회로 장치의 제조방법 - Google Patents

반도체 집적회로 장치의 제조방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

반도체 집적회로 장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 CMOS형 반도체 집적회로 장치의 단면도. 제3도∼제4도는 각각 본 발명의 다른 실시예를 설명하기 위한 단면도.

Claims (32)

  1. 다음으로 되는 반도체 집적회로 장치의 제조방법. (a) 반도체 기판에 N형 반도체 영역을 가진 N찬넬 MOSFET와, P형 반도체 영역을 가진 P찬넬 MOSFET를 형성하는 공정. (b) 상기 MOSFET를 덮는 절연막을 형성하는 공정. (c) 상기 절연막에 콘택트 홀을 형성하는 공정. 상기 N형 및 P형 반도체 영역의 각각에 적어도 1개의 상기, 콘택트 홀이 형성된다. (d) N형의 불순물을 적어도 상기 N형 반도체 영역에 상기 콘택트 홀을 통해서, 이온주입하는 공정.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 따르는 반도체 집적회로 장치의 제조방법에 있어서, 상기 N형의 불순물은 상기, N형 및 P형 반도체 영역에 상기 콘택트 홀을 통해서 이온 주입된다.
  3. 특허청구 범위 제1항에 따르는 반도체 집적회로 장치의 제조방법에 있어서 상기 N형의 불순물이 이온주입되는 량은 상기 P형 반도체 영역의 P형 불순물 농도보다 적다.
  4. 특허청구 범위 제1항에 따르는 반도체 집적회로 장치의 제조방법이고, 또한 다음으로 된다. 이온주입을 위한 마스크를 형성하는 공정, 상기 마스크는 상기 P형 반도체 영역위의 콘택트 홀을 적어도 덮는다. 여기에 있어서 상기 이온주입은 상기 마스크를 사용해서 행하여진다.
  5. 특허청구의 범위 제4항에 따르는, 반도체 집적회로 장치의 제조방법에 있어서 상기 마스크는 레지스트 막으로 된다.
  6. 특허청구의 범위 제4항에 따르는 반도체 집적회로 장치의 제조방법에 있어서, 상기 N형의 불순물은 인이다.
  7. 특허청구의 범위 제4항에 따르는 반도체 집적회로 장치의 제조방법에 있어서 상기 마스크는 상기 N형 반도체 영역위의 콘택트 홀을 제외한 부분을 덮는다.
  8. 특허청구의 범위 제4항에 따르는 반도체 집적회로 장치의 제조방법이고 또한 다음으로 된다. 상기 반도체 기판위에 다결정 실리콘 막으로 된 배선층을 형성하는 공정. 여기에 있어서 상기 배선층의 적어도 1개에 상기 콘택트홀이 형성된다.
  9. 특허청구의 범위 제8항에 따르는 반도체 집적회로 장치의 제조방법에 있어서, 상기 마스크는 상기 N형 반도체 영역위의 콘택트 홀을 제외한 부분을 덮는다.
  10. 다음으로 되는 반도체 집적회로 장치의 제조방법. (a) 반도체 기판의 주면에 N형 반도체 영역을 가진 N찬넬 MOSFET와 P형 반도체 영역을 가진 P찬넬 MOSFET를 형성하는 공정. (b) 상기MOSFET를 덮는제1절연막을 형성하는 공정. (c) 상기 제1절연막에 콘택트 홀을 형성하는 공정. 상기 N형 및 P형반도체 영역의 각각에 적어도 1개의 상기 콘택트 홀이 형성된다. (d) 상기 콘택트 홀의 형성에의해서 노출한 기판의 주면을 제2 절연막으로 덮는 공정. (e) 상기 콘택트 홀을 통해서 적어도, 상기 N형 반도체 영역에 N형 불순물을 이온주입하는 공정. 상기 불순물은 상기 제2 절연막을 통해서 상기 기판에 도입된다.
  11. 특허청구의 범위 제10항에 따르는 반도체 집적회로 장치의 제조방법에 있어서 상기 제2절연막은 상기 기판의 노출한주면의 산화에 의해서 형성된 실리콘 산화막이다.
  12. 특허청구의 범위 제10항에 따르는 반도체 집적회로 장치의 제조방법에 있어서, 상기 N형의 불순물은 상기 N형 및 P형 반도체 영역에 상기 콘택트 홀을 통해서 이온주입 된다.
  13. 특허청구의 범위 제10항에 따르는 반도체 집적회로 장치의 제조방법에 있어서 상기 N형의 불순물이 이온주입되는 량은 상기 P형 반도체 영역의 P형 불순물 농도보다 작다.
  14. 특허청구의 범위 제10항에 따르는 반도체 집적회로 장치의 제조방법이고 또한 다음으로 된다. 이온주입을 위한 마스크를 형성하는 공정 상기 마스크는 상기 P형 반도체 영역위의 콘택트 홀을 적어도 덮는다. 여기에 있어서 상기 이온주입은 상기 마스크를 사용해서 행하여 진다.
  15. 특허청구의 범위 제14항에 따르는 반도체 집적회로 장치의 제조방법에 있어서 상기 제2 절연막은 상기 기판의노출한 주면의 산화에 의해서 형성된 실리콘 산화막이다.
  16. 특허청구의 범위 제14항에 따르는 반도체 집적회로 장치의 제조방법에 있어서 상기 마스크는 레지스트 막으로된다.
  17. 특허청구의 범위 제14항에 따르는 반도체 집적회로 장치의 제조방법에 있어서 상기 N형의 불순물은 인이다.
  18. 특허청구의 범위 제14항에 따르는 반도체 집적회로 장치의 제조방법에 있어서, 상기 마스크는 상기 N형 반도체 영역위의 콘택트 홀을 제외한 부분을 덮는다.
  19. 특허청구의 범위 제14항에 따르는 반도체 집적회로 장치의 제조방법이고, 또한 다음으로 된다. 상기, 반도체기판위에, 다결정 실리콘막으로 된 배선층을 형성하느 공정. 여기에 있어서 상기 배선층의 적어도 1개에 상기 콘택트 홀이 형성된다.
  20. 특허청구의 범위 제19항에 따르는 반도체 집적회로 장치의 제조방법에 있어서, 상기 마스크는 상기 N형 반도체 영역위의 콘택트 홀을 제외한 부분을 덮는다.
  21. 다음으로 되는 반도체 집적회로 장치의 제조방법. (a) 반도체 기판에 제1 도전형의 제1 반도체 영역과, 제2 도전형의 제2 반도체 영역을 형성하는 공정. (b) 상기 제1 및 제2 반도체 영역을 덮는 절연막을 형성하는 공정. (c) 상기 절연막에 콘택트 홀을 형성하는 공정. 상기 제1 및 제2 반도체 영역의 각각에 적어도 1개의 상기 콘택트 홀이 형성된다. (d) 제1도전형의 불순물을 적어도 상기 제1 반도체 영역에, 상기 콘택트 홀을 통해서 이온주입하는 공정.
  22. 특허청구의 범위 제21항에 따르는 반도체 집적회로 장치의 제조방법이고, 또한 다음으로 된다. 이온주입을 위한 마스크를 형성하는 공정. 상기 마스크는 상기 제2 반도체 영역위의 콘택트 홀을 적어도 덮는다. 여기에 있어서, 상기 이온주입은 상기 마스크를 사용해서 행하여진다.
  23. 다음으로 되는 반도체 집적회로 장치의 제조방법. (a) 반도체 기판의 주면에 제1도전형의 제1반도체 영역과 제2도전형의 제2 반도체 영역을 형성하는 공정. (b) 상기 제1 및 제2 반도체 영역을 덮는 제1절연막을 형성하는 공정. (c) 상기 제1 절연막에 콘택트 홀을 형성하는 공정. 상기 제1 및 제2 반도체 영역의 각각에 적어도 1개의 상기 콘택트 홀이 형성된다. (d) 상기 콘택트 홀의 형성에 의해서 노출한 기판의 주면을 제2 절연막으로 덮는 공정. (e) 상기 콘택트 홀을 통해서 적어도 상기 제1 반도체 영역에 제1 도전형의 불순물을 이온주입하는 공정. 상기 불순물은 상기 제2 절연막을 통해서 상기 기판에 도입된다.
  24. 특허청구의 범위 제23항에 따르는 반도체 집적회로 장치의 제조방법이고, 또한 다음으로 된다. 이온주입을 위한 마스크를 형성하는 공정, 상기 마스크는 상기 제2 반도체 영역위의 콘택트 홀을 적어도 덮는다. 여기에 있어서, 상기 이온주입은 상기 마스크를 사용해서 행하여 진다.
  25. 다음으로 되는 반도체 집적회로 장치의 제조방법. (a) 반도체 기판의 주면에 형성된 반도체 영역을 덮는 제1 절연막을 형성하는 공정. (b) 상기 제1 절연막에 콘택트 홀을 형성하는 공정. 상기 콘택트 홀은 상기 반도체영역위에 있다. (c) 상기 콘택트 홀의 형성에 의해서 노출한 기판의 주면을 제2 절연막으로 덮는 공정. (d)상기 콘택트 홀을 통해서 상기 반도체 영역에 불순물을 이온주입하는 공정. 상기 불순물은 상기 제2 절연막을 통해서 상기 기판에 도입된다.
  26. 특허청구의 범위 제25항에 따르는 반도체 집적회로 장치의 제조방법에 있어서 상기 제2 절연막은 상기 기판의노출한 주면의 산화에 의해서 형성된 실리콘 산화막이다.
  27. 특허청구의 범위 제1항의 과정에 의한 생산품.
  28. 특허청구의 범위 제4항의 과정에 의한 생산품.
  29. 특허청구의 범위 제8항의 과정에 의한 생산품.
  30. 특허청구의 범위 제10항의 과정에 의한 생산품.
  31. 특허청구의 범위 제14항의 과정에 의한 생산품.
  32. 특허청구의 범위 제19항의 과정에 의한 생산품.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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