KR850006120A - 집적 메모리 회로 - Google Patents

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KR850006120A
KR850006120A KR1019850000658A KR850000658A KR850006120A KR 850006120 A KR850006120 A KR 850006120A KR 1019850000658 A KR1019850000658 A KR 1019850000658A KR 850000658 A KR850000658 A KR 850000658A KR 850006120 A KR850006120 A KR 850006120A
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KR
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memory circuit
voltage
programming
current non
memory
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KR1019850000658A
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KR930001656B1 (ko
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쿠펜스 로저 (외 1)
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아이, 엠, 레르너
엔. 브이. 필립스 글로아이람펜파브리켄
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G11C16/12—Programming voltage switching circuits

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

집적 메모리 히로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 회로도를 도시한다.
제6도는 본 발명을 구체화시키는 데 연관된 전압-시간 다이어그램.
제7도는 프로그래밍 전압의 유무를 검출하는 회로.
도면의 부호에 대한 설명
10 : 입·출력부, 25 : NAND게이트, 26 : 인버터, 32 : 전압 발생기.

Claims (3)

  1. 삭제 프로그래밍 가능한 메모리 셀의 메모리 매트릭스를 최소한 한개 이상 가지며 절연 게이트 필드형(MOST)의 트랜지스터로 구성된 제어유닛에 의해 제어되며, 반도체 몸체상에 집적된 메모리 회로에서, 제어유닛은 상기 메모니 메트릭스에 프로그래밍전압을 공급하는 프로그래밍 수단을 구비하며, 상기 프로그래밍 전압은 전류 도전상태에 있는 다수의 전계효과 트랜지스터의 소스와 드레인 전극 사이의 전기적 항복전압보다 높으며, 그러나, 전류 비 도전상태에 있는 상기항복전압보다 높고, 제어유닛에 있는 전계효과 트랜지스터를 전류 비 도전 상태로 가져가거나 유지하면서, 논리정보를 기록하는 수위칭 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 집적 메모리 회로.
  2. 제어유닛이 논리작동을 수행하는 선택유닛을 구비하여, 프로그래밍 전압을 공급하기 위해 메모리의 정확한 셀을 선택하는 제1항의 메모리 회로에 있어서, 싸이클 동안, 프로그래밍 수단은 선택된 셀에 프로그래밍 전압을 공급하며, 스위칭 수단은 선택유닛의 트랜지스터를전류 비 도전상태에 유지하고, 선택유닛은 또한 전류 비 도전상태임에도 불구하고 존재하는 논리정보를 유지하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 직접 메모리 회로.
  3. 제1항의 메모리 회로에 있어서, 메모리 회로는 상보성 절연 게이트 전계효과 트랜지스터가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 집적 메모리 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019850000658A 1984-02-03 1985-02-02 집적 메모리 회로 KR930001656B1 (ko)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8400326 1984-02-03
NL84-326 1984-02-03
NL8400326A NL8400326A (nl) 1984-02-03 1984-02-03 Geintegreerde schakeling met veldeffecttransistoren en een programmeerbaar leesgeheugen.

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KR850006120A true KR850006120A (ko) 1985-09-28
KR930001656B1 KR930001656B1 (ko) 1993-03-08

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EP (1) EP0155709B1 (ko)
JP (1) JPS60180000A (ko)
KR (1) KR930001656B1 (ko)
CA (1) CA1235506A (ko)
DE (1) DE3577019D1 (ko)
IE (1) IE56337B1 (ko)
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NL8400326A (nl) 1985-09-02
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IE56337B1 (en) 1991-06-19
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