KR960015586A - 기록 및 독출에서 독립적으로 제어되는 메모리셀 회로 - Google Patents

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KR960015586A
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미쯔오 소네다
아끼히꼬 하시구찌
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이데이 노브유끼
소니 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 비트라인과 메모리셀 사이의 누전전류를 감소시킬 수 있으며, 고속의 독출작동과 기록작동을 실현할 수 있는 메모리셀 회로와 관련되며, 여기서 기록전용회로 및 독출전용회로는 구동트랜지스터 및 선택트랜지스터에 의해 구성되며, 상기 구동트랜지스터는 상기 선택트랜지스터의 임계전압보다 낮게 설정된 임계전압을 가지는 인핸스먼트형 트랜지스터로 이루어진다.

Description

기록 및 독출에서 독립적으로 제어되는 메모리셀 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 메모리셀 회로의 제1실시예의 회로다이아그램이다,
제4도는 본 발명에 따른 메모리셀 회로의 제2실시예의 회로다이아그램이다.

Claims (3)

  1. 하나의 기록전용회로와, 적어도 하나의 독출전용회로와, 출력노드를 가지는 래치회로와를 포함하여 구성되며, 여기서 상기 독출전용회로는 구동용 제1절연 게이트 전계효과 트랜지스터와 선택용 제2절연 게이트 전계효과 트랜지스터와를 포함하여 이루어지며, 상기 제1 및 제2트랜지스터는 독출용 비트라인과 기준전압 소스사이에서 직렬로 접속되며, 상기 제1절연게이트 전계효과 트랜지스터의 케이트전극이 상기 래치회로의 상기 출력노드에 접속되고, 상기 제2절연게이트 전계효과 트랜지스터의 게이트전극은 독출용 어드레스 선택라인과 접속되며, 상기 제1절연게이트 전계효과 트랜지스터는 상기 제2절연제이트 전계효과 트랜지스터의 임계전압보다 낮게 설정된 임계전압을 가지는 인핸스먼트형 트랜지스터로 이루어진 것을 특징으로 하는 메모리셀 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 래치회로는 엇갈리도록 접속된 입력 및 출력을 가지는 한쌍의 인버터를 포함하고, 한쌍의 메모리노드를 가지며 그 중 하나가 상기 출력노드에 접속되며, 상기 기록전용회로는 기록용 비트라인에 접속된 게이트 전극을 가지는 제3절연게이트 전계효과 트랜지스터와 어드레스 제어라인과 접속되는 게이드 전극을 가지는 제4절연게이트 전계효과 트랜지스터와로 이루어지며, 상기 제3 및 제4트랜지스터는 메모리노드의 각 쌍과 기록용 비트라인의 각 쌍사이에서 직렬로 접속되며, 상기 제3절연게이트 전계효과 트랜지스터는 상기 제4절연게이트 전계효과 트랜지스터의 임계 전압보다 낮게 설정된 임계전압을 가지는 인핸스먼트형 트랜지스터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 메모리셀 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 독출전용회로는 다수의 독출전용회로로 이루어진 것을 특징으로 하는 메모리셀 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950036810A 1994-10-28 1995-10-24 기록및독출에서독립적으로제어되는메모리셀회로 KR100409186B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100596828B1 (ko) * 2004-12-24 2006-07-04 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 강유전체 메모리 장치

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10125070A (ja) * 1996-10-23 1998-05-15 Nec Corp メモリ装置
JP2003051191A (ja) * 2001-05-31 2003-02-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JP2003223788A (ja) 2002-01-29 2003-08-08 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
WO2004040579A1 (en) * 2002-08-22 2004-05-13 Thomson Licensing S.A. Smart card write-only register
DE10308323B4 (de) * 2003-02-26 2007-10-11 Infineon Technologies Ag Halbleiterchipanordnung mit ROM
US7483332B2 (en) * 2005-08-11 2009-01-27 Texas Instruments Incorporated SRAM cell using separate read and write circuitry
US7420836B1 (en) * 2007-02-13 2008-09-02 International Business Machines Corporation Single-ended memory cell with improved read stability and memory using the cell
US9287370B2 (en) * 2012-03-02 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device comprising a transistor including an oxide semiconductor and semiconductor device including the same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5060192A (en) * 1989-12-27 1991-10-22 Harris Corporation Cross-point switch
US5325338A (en) * 1991-09-04 1994-06-28 Advanced Micro Devices, Inc. Dual port memory, such as used in color lookup tables for video systems
JPH06215576A (ja) * 1993-01-18 1994-08-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JP2885607B2 (ja) * 1993-05-17 1999-04-26 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 半導体メモリ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100596828B1 (ko) * 2004-12-24 2006-07-04 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 강유전체 메모리 장치

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