KR850002672A - 플라즈마 현상층을 사용한 형판 제작방법 - Google Patents
플라즈마 현상층을 사용한 형판 제작방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR850002672A KR850002672A KR1019840005642A KR840005642A KR850002672A KR 850002672 A KR850002672 A KR 850002672A KR 1019840005642 A KR1019840005642 A KR 1019840005642A KR 840005642 A KR840005642 A KR 840005642A KR 850002672 A KR850002672 A KR 850002672A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- organic layer
- gas
- protective compound
- plasma
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 20
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 10
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims 7
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims 7
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001502 inorganic halide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910001872 inorganic gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/36—Imagewise removal not covered by groups G03F7/30 - G03F7/34, e.g. using gas streams, using plasma
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/265—Selective reaction with inorganic or organometallic reagents after image-wise exposure, e.g. silylation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 평판형 방사가 유기질층의 두께를 실제로 통과하는 반응생성물을 형성하며, 유기질층은 MR과 함께 반응물 A 또는 생성물 P그룹에 의한 양의 색조 또는 음의 색조형상중의 하나가 제공되는 가스 MIR을 함유하는 무기질에 노출되어 있는 본 기술의 실시예를 도시한 것이다. 제2도는 무기질함유 가스흡착이 양의 색조 또는 음의 색조형상을 만들기 위해 실제로 유기질층의 표면인접 영역에서만 단지 발생하는 본기술의 실시예를 도시한 것이다. 제3도는 평판형 방사는 실제로 유기질층의 표면 인접층내에서 흡수되며, 따라서 음의 색조형상이 얻어지는 본 기술의 실시예를 도시한 것이다. 제5도는 하부층의 비활성 이온에칭에 의해 상부층 및 하부층내에 포지티브톤상을 제작하기 위해 무기질 함유가스 MR이 방사되지 않은 상부층 영역내로 흡입되는 2중층 기술을 도시한 것이다. 제6도는 양의 색조 상부층으로부터 에칭이 시작됨으로 하부층내에 음의 색조형상을 얻기 위해 무기질 함유가스가 하부층내로 흡입되는 2중층 기술을 도시한 것이다.
Claims (20)
- 최소한 한 패턴형 단계를 포함하는 형판을 제작하는 방법에 있어서, 상기 단계는, 최소한 한 유기질 층을 가지는 장기선구물질을 제공하는 단계와, 상기 층내로 가스함유 무기질 물질을 흡입시키며, 최소한 상기응의 부분내에 상기 무기질 물질을 구비하는 보호화합물을 형성하는 단계와, 상기 보호화합물에 의해 보호되지 않는 상기 장치선구물질의 부분을 플라즈마에 노출시킴으로 선택적으로 제거되는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 현상층을 사용한 형판 제작방법.
- 제1항의 방법에 있어서, 상기 보호화합물은 최소한 부분적으로도 플라즈마 노출됨으로 형성되며, 여기에서 상기 보호화합물은 상기 플라즈마로부터 생성되는 최소한 하나의 요소를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 현상층을 사용한 형판 제작방법.
- 제1항의 방법에 있어서, 상기 가스의 상기 흡입된 가스는 상기층의 조사된 부분을 반응하며, 그 후 상기 유기질층으로부터 반응되지 않은 가스를 실제로 제거하며, 따라서 상기 보호화합물은 상기 층의 조사부분내에서 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 현상층을 사용한 형판 제작방법.
- 제1항의 방법에 있어서, 상기 가스의 상기 흡입전에 화학선 방사로 상기 층을 선택적으로 조사시키며, 여기서 흡입된 가스는 상기 층의 조사되지 않은 부분과 반응하며, 그 후 상기 유기질층으로부터 반응되지 않은 가스를 실제로 제거하며, 따라서 상기 보호화합물은 상기 층의 조사되지 않은 부분내에 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 현상층을 사용한 형판 제작방법.
- 제1항의 방법에 있어서, 상기 가스의 상기 흡입되는 동안 또는 후에 화학선 방사로 상기 층을 선택적으로 조사시키며, 따라서 흡입된 가스를 상기 유기질층의 조사부분과 반응하며, 그 후 상기 유기질층으로부터 반응되지 않은 가스를 실제로 제거하며, 여기서 상기 보호화합물은 상기 층의 조사되는 부분내에 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 현상층을 사용한 형판 제작방법.
- 제1항의 방법에 있어서, 상기 가스의 상기 흡입되는 동안 또는 후에 화학선 방사로 상기 층을 선택적으로 조사시키며, 여기서 무기질 물질은 상기 유기질층의 조사되는 부분으로부터 제거되며, 여기서 상기 보호화합물은 상기 층의 조사되지 않는 부분내에 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 현상층을 사용한 형판 제작방법.
- 제1항의 방법에 있어서, 상기 유기질층은 다단 저항체에서의 기본층이며, 여기서 패턴은 상부에 놓여지는 층내에 형성되며, 상기 가스흡입은 상기 기본유기질층 부분내에서 이행되며, 여기서 상기 상부에 놓여지는 층이 제거되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 현상층을 사용한 형판 제작방법.
- 제1항의 방법에 있어서, 상기 무기질 물질은 실리콘, 게르마늄, 주석, 납, 티타늄 및 보론으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 현상층을 사용한 형판 제작방법.
- 제1항의 방법에 있어서, 상기 무기질 물질은 진성금속인 것을 특징으로 하는 플라즈마 현상층을 사용한 형판 제작방법.
- 제1항의 방법에 있어서, 상기 플라즈마는 산소를 구비하며, 여기서 상기 무기질 물질의 산화물은 상기 보호화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 현상층을 사용한 형판 제작방법.
- 제1항의 방법에 있어서, 상기 가스는 상기 유기질층의 표면 또는 인접표면 영역에서만 실제로 흡입되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 현상층을 사용한 형판 제작방법.
- 제1항의 방법에 있어서, 상기 가스는 상기 유기질층의 전 두께를 통해 실제로 흡입되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 현상층을 사용한 형판 제작방법.
- 제1항의 방법에 있어서, 합성물로 형성되며 그후 가수분해되는 상기 무기질물질로 반응하는 그룹을 상기 유기질층은 구비하며, 따라서 최소한 부분적으로도 상기 보호화합물로 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 현상층을 사용한 형판 제작방법.
- 제13항의 방법에 있어서, 상기 그룹은 아지드 또는 무기질 할로겐화물인 것을 특징으로 하는 플라즈마 현상층을 사용한 형판 제작방법.
- 제1항의 방법에 있어서, 수분과 반응하여 가스질의 생성물을 발생시키는 가스에 상기 유기질층을 노출시키며, 따라서, 상기 유기질층 표면상의 수분량을 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 현상층을 사용한 형판 제작방법.
- 제1항의 방법에 있어서, 상기 유기질층은 다단 저항체에서 상부에 놓여지는 층인 것을 특징으로 하는 플라즈마 현상층을 사용한 형판 제작방법.
- 제1항의 방법에 있어서, 제거되는 상기 부분은 상기 유기질층의 보호되지 않는 부분인 것을 특징으로 하는 플라즈마 현상층을 사용한 형판 제작방법.
- 제1항의 방법에 있어서, 제거되는 상기 부분은 상기 유기질층의 기본층 영역인 것을 특징으로 하는 플라즈마 현상층을 사용한 형판 제작방법.
- 제18항의 방법에 있어서, 상기 기본층 영역은 실제로 유기질 물질을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 현상층을 사용한 형판 제작방법.
- 제18항의 방법에 있어서, 상기 기본층 영역은 실제로 무기질 물질을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 현상층을 사용한 형판 제작방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US53277683A | 1983-09-16 | 1983-09-16 | |
| US532776 | 1983-09-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR850002672A true KR850002672A (ko) | 1985-05-15 |
| KR910006163B1 KR910006163B1 (ko) | 1991-08-16 |
Family
ID=24123116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019840005642A KR910006163B1 (ko) | 1983-09-16 | 1984-09-15 | 패턴묘화공정을 함유한 작품제작방법 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0136130B1 (ko) |
| JP (1) | JPS6085526A (ko) |
| KR (1) | KR910006163B1 (ko) |
| CA (1) | CA1248402A (ko) |
| DE (1) | DE3480666D1 (ko) |
| ES (1) | ES8800306A1 (ko) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4552833A (en) * | 1984-05-14 | 1985-11-12 | International Business Machines Corporation | Radiation sensitive and oxygen plasma developable resist |
| GB8427149D0 (en) * | 1984-10-26 | 1984-12-05 | Ucb Sa | Resist materials |
| CA1267378A (en) * | 1984-12-07 | 1990-04-03 | Jer-Ming Yang | Top imaged and organosilicon treated polymer layer developable with plasma |
| GB2170015A (en) * | 1985-01-11 | 1986-07-23 | Philips Electronic Associated | Method of manufacturing a semiconductor device |
| CA1282273C (en) * | 1985-03-19 | 1991-04-02 | International Business Machines Corporation | Method of creating patterned multilayer films for use in production of semiconductor circuits and systems |
| US4908298A (en) * | 1985-03-19 | 1990-03-13 | International Business Machines Corporation | Method of creating patterned multilayer films for use in production of semiconductor circuits and systems |
| US4782008A (en) * | 1985-03-19 | 1988-11-01 | International Business Machines Corporation | Plasma-resistant polymeric material, preparation thereof, and use thereof |
| JPS61268028A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-11-27 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | ホトレジスト中にマスク像を現像する方法 |
| US4613398A (en) * | 1985-06-06 | 1986-09-23 | International Business Machines Corporation | Formation of etch-resistant resists through preferential permeation |
| US4657845A (en) * | 1986-01-14 | 1987-04-14 | International Business Machines Corporation | Positive tone oxygen plasma developable photoresist |
| EP0238690B1 (en) * | 1986-03-27 | 1991-11-06 | International Business Machines Corporation | Process for forming sidewalls |
| EP0244572B1 (en) * | 1986-04-24 | 1990-09-05 | International Business Machines Corporation | Capped two-layer resist process |
| JPS62263645A (ja) * | 1986-05-06 | 1987-11-16 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 電気的接点構造とその形成方法 |
| GB8611229D0 (en) * | 1986-05-08 | 1986-06-18 | Ucb Sa | Forming positive pattern |
| US4737425A (en) * | 1986-06-10 | 1988-04-12 | International Business Machines Corporation | Patterned resist and process |
| EP0249457B1 (en) * | 1986-06-12 | 1991-08-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for formation of patterns |
| US4690838A (en) * | 1986-08-25 | 1987-09-01 | International Business Machines Corporation | Process for enhancing the resistance of a resist image to reactive ion etching and to thermal flow |
| US4931351A (en) * | 1987-01-12 | 1990-06-05 | Eastman Kodak Company | Bilayer lithographic process |
| JPH01186934A (ja) * | 1988-01-21 | 1989-07-26 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
| US5275920A (en) * | 1989-04-24 | 1994-01-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of dry development utilizing quinone diazide and basic polymer resist with latent image intensification through treatment with silicon-organic compound in water |
| JP3001607B2 (ja) * | 1989-04-24 | 2000-01-24 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 二層法における寸法安定な構造転写方法 |
| DE3913434A1 (de) * | 1989-04-24 | 1990-10-25 | Siemens Ag | Trockenwickelbares resistsystem |
| JP2930971B2 (ja) * | 1989-06-22 | 1999-08-09 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
| EP0451311B1 (de) * | 1990-04-12 | 1999-03-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Erzeugung einer Resiststruktur |
| EP0492256B1 (de) * | 1990-12-20 | 1996-08-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Photolithographische Strukturerzeugung |
| CN1149341A (zh) * | 1994-05-25 | 1997-05-07 | 西门子公司 | 可干法显影的正性抗蚀剂 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53122427A (en) * | 1977-04-01 | 1978-10-25 | Hitachi Ltd | Forming method for photo-resist pattern |
| US4307178A (en) * | 1980-04-30 | 1981-12-22 | International Business Machines Corporation | Plasma develoment of resists |
| JPS5723937A (en) * | 1980-07-17 | 1982-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photographic etching method |
| DE3170974D1 (en) * | 1981-02-16 | 1985-07-25 | Ibm | Method for increasing the resistance of a solid material surface against etching |
-
1984
- 1984-08-22 CA CA000461532A patent/CA1248402A/en not_active Expired
- 1984-09-07 DE DE8484306149T patent/DE3480666D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1984-09-07 EP EP84306149A patent/EP0136130B1/en not_active Expired
- 1984-09-14 ES ES535948A patent/ES8800306A1/es not_active Expired
- 1984-09-14 JP JP59191844A patent/JPS6085526A/ja active Granted
- 1984-09-15 KR KR1019840005642A patent/KR910006163B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6085526A (ja) | 1985-05-15 |
| DE3480666D1 (de) | 1990-01-11 |
| KR910006163B1 (ko) | 1991-08-16 |
| EP0136130A2 (en) | 1985-04-03 |
| ES8800306A1 (es) | 1987-11-16 |
| EP0136130B1 (en) | 1989-12-06 |
| JPH0340936B2 (ko) | 1991-06-20 |
| CA1248402A (en) | 1989-01-10 |
| ES535948A0 (es) | 1987-11-16 |
| EP0136130A3 (en) | 1985-11-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR850002672A (ko) | 플라즈마 현상층을 사용한 형판 제작방법 | |
| JPS57167659A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH01237660A (ja) | フォトマスク | |
| JPS55133538A (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JPS5526687A (en) | Manufacturing semiconductor device | |
| JPS5718113A (en) | Manufacture of elastic surface wave lattice type transducer | |
| JPS56107241A (en) | Dry etching method | |
| JPS54104783A (en) | Manufacture for mos type semiconductor device | |
| JPS5240977A (en) | Process for production of semiconductor device | |
| JPS58199525A (ja) | Ｘ線用マスク | |
| JPS5626433A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS6444068A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS57173941A (en) | Formation of positive type photo resist pattern | |
| JPS6335096B2 (ko) | ||
| JPS5588057A (en) | Production of photo mask | |
| JPS5546577A (en) | Method of fabricating semicondcutor device | |
| UST954002I4 (en) | Process for increasing mask life | |
| JPH05251323A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS5626432A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS5633826A (en) | Manufacture of target | |
| JPS5742146A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS6158236A (ja) | パタ−ン形成法 | |
| JPS62134932A (ja) | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 | |
| JPS57124479A (en) | Manufacture of metal oxide semiconductor type semiconductor device | |
| JPS5496370A (en) | Mask forming method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20020731 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |