KR20230132760A - 표면 블록 화학작용을 이용한 박막 유전체의 선택적 증착 - Google Patents

표면 블록 화학작용을 이용한 박막 유전체의 선택적 증착 Download PDF

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KR20230132760A
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바스카르 죠티 부얀
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Abstract

제 2 기판 표면에 비해 제 1 기판 표면 상으로 필름을 선택적으로 증착시키는 방법들. 방법들은 하이드록실-말단들을 포함하는 기판 표면을 실릴아민으로 침지시켜 실릴 에테르-말단들을 형성시키고 실릴 에테르-말단화된 표면 이외의 표면 상에 필름을 증착시키는 것을 포함한다.

Description

표면 블록 화학작용을 이용한 박막 유전체의 선택적 증착 {SELECTIVE DEPOSITION OF THIN FILM DIELECTRICS USING SURFACE BLOCKING CHEMISTRY}
분야
본 기재내용의 구체예들은 일반적으로 필름을 선택적으로 증착시키는 방법들에 관한 것이다. 더욱 특히, 본 기재내용의 구체예들은 알콜 선택성 환원 및 선택적 보호를 이용하여 필름을 선택적으로 증착시키는 방법들에 관한 것이다.
배경
대부분 반도체들용 패터닝 적용들에 대한 요구로 인해 선택적 증착 공정들이 많은 중요성을 차츰 띠고 있다. 전통적으로 미세전자 산업에서 패터닝은 다양한 리소그래피 및 에칭 공정들을 사용하여 달성되었다. 그러나, 리소그래피가 기하급수적으로 복잡해지고 비용이 많이 들기 때문에, 피쳐들을 증착하기 위한 선택적 증착의 사용은 훨씬 더욱 매력적이게 된다. 선택적 증착을 위한 또 다른 잠재적인 적용은 갭 충전이다. 갭 충전에서, 충전 필름은 트렌치 (trench)의 바닥으로부터 상단으로 선택적으로 성장하게 된다. 선택적 증착은 필름이 핀 (fin)의 측면 상에서 성장하는 선택적 측벽 증착과 같은 기타 적용들에 이용될 수 있다. 이는 복잡한 패터닝 단계들의 필요 없이 측벽 공간의 증착을 가능하게 할 것이다.
따라서, 선택적으로 다른 표면에 비해 한 표면상으로 필름을 선택적으로 증착시키기 위한 방법들이 본 기술분야에 필요하다.
요약
본 기재내용의 하나 이상의 구체예들은 필름을 증착시키는 방법들에 관한 것이다. 하이드록실-말단화된 표면을 포함하는 제 1 기판 표면 및 수소-말단화된 표면을 포함하는 제 2 기판 표면을 포함하는 기판이 제공된다. 기판은 하이드록실-말단화된 표면과 반응하기 위해 실릴아미드에 노출되어 실릴 에테르-말단화된 표면을 형성한다. 기판은 하나 이상의 증착 가스들에 노출되어 실릴 에테르 말단화된 표면에 비해 제 2 기판 표면 상으로 필름을 선택적으로 증착시킨다.
본 기재내용의 추가적 구체예들은 필름을 증착시키는 방법들에 관한 것이다. 하이드록실-말단화된 표면을 포함하는 제 1 기판 표면 및 수소-말단화된 유전체를 포함하는 제 2 기판 표면을 포함하는 기판이 제공된다. 기판을 하이드록실-말단화된 표면과 반응시키기 위한 실릴아미드에 침지되어 실릴 에테르-말단화된 표면을 형성한다. 기판은 하나 이상의 증착 가스들에 노출되어 제 1 기판 표면에 비해 제 2 기판 표면 상으로 실리콘 니트라이드 필름을 선택적으로 증착시킨다.
본 기재내용의 추가의 구체예들은 필름을 증착시키는 방법들에 관한 것이다. 하이드록실-말단화된 표면을 포함하는 제 1 기판 표면 및 수소-말단화된 유전체를 포함하는 제 2 기판 표면을 포함하는 기판이 제공된다. 기판을 하이드록실-말단화된 표면과 반응시키기 위한 1-트리메틸실릴피롤리딘, 1-트리메틸실릴피롤 및/또는 3,5-디메틸-1-트리메틸실릴피라졸 중 하나 이상을 포함하는 실릴아미드에 침지시켜 실릴 에테르-말단화된 표면을 형성시킨다. 기판을 하나 이상의 증착 기체들에 노출시켜 제 1 기판 표면에 비해 제 2 기판 표면 상에 실리콘 니트라이드 필름을 선택적으로 증착시킨다.
따라서 본 기재내용의 상기 언급된 특징들이 상세하게 이해될 수 있는 방식인 상기 간단하게 요약된 기재 내용의 더욱 특정한 설명이 구체예들을 참조로 하여 이루어 질 수 있으며, 이의 일부는 첨부된 도면들에서 예시된다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 기재내용의 단지 전형적인 구체예들을 예시하는 것이며 따라서 기재내용은 다른 동등하게 효과적인 구체예들을 인정할 수 있기 때문에 이의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않음을 주지해야 한다.
도 1은 본 기재내용의 하나 이상의 구체예에 따른 처리 방법의 개략적 도면을 보여주며;
도 2는 본 기재내용의 하나 이상의 구체예에 따른 배치 처리 챔버의 구체예를 보여준다.
상세한 설명
선택적 증착법들에 사용될 수 있는 다양한 방법들이 있다. 본 기재내용의 구체예들은 2개의 상이한 표면들의 표면 화학작용을 활용한 표면 탈활성화를 이용하는 방법들에 관한 것이다. 2개의 상이한 표면들이 상이한 반응 핸들들을 가질 것이기 때문에, 이러한 차이들은 하나의 표면과는 반응하고 (그러한 표면을 탈활성화시킴) 다른 하나의 표면과는 반응하지 않는 분자들을 이용함으로써 활용될 수 있다. 본 기재내용의 일부 구체예들은 하나의 표면의 Si-OH 기들과 반응하고 Si-H 말단화된 제 2 표면과는 반응하지 않는 트리메틸실릴아미드 화학작용을 이용하다.
본 명세서 및 첨부된 청구범위에서 사용된 바와 같은 용어 "기판" 및 "웨이퍼"는 상호교환적으로 사용되며, 둘 모두는 공정이 작용하는 표면, 또는 표면의 일부를 지칭한다. 기판에 대한 언급이 또한 문맥상 분명하게 다르게 나타내지 않는 한 단지 기판의 일부를 지칭할 수 있음이 당업자에게 또한 이해될 것이다. 추가적으로, 기판 상의 증착에 대한 언급은 베어 기판 및 그 위에 하나 이상의 필름들 또는 피쳐들이 증착되거나 형성된 기판 둘 모두를 의미할 수 있다.
본원에 사용된 바와 같은 "기판"은 임의의 기판 또는 그 위에서 필름 처리가 제작 공정 동안 수행되는 기판 상에 형성된 물질 표면을 지칭한다. 예를 들어, 그 위에서 처리가 수행될 수 있는 기판 표면은 적용에 따라 실리콘, 실리콘 옥사이드, 스트레인드 실리콘, 실리콘 온 인슐레이터 (SOI), 카본 도핑된 실리콘 옥사이드, 실리콘 니트라이드, 도핑된 실리콘, 게르마늄, 갈륨 아르세니드, 유리, 사파이어와 같은 물질들 및 임의의 그 밖의 물질 예컨대, 금속들, 금속 니트라이드들, 금속 합금들 및 기타 전도성 물질들을 포함한다. 기판들은 비제한적으로 반도체 웨이퍼들을 포함한다. 기판들은 기판 표면을 폴리싱, 에칭, 환원, 산화, 하이드록실화, 어닐링 및/또는 베이킹하기 위한 전처리 공정에 노출될 수 있다. 기판 자체의 표면 상에서의 직접적인 필름 처리 이외에, 본 기재내용에서, 기재된 임의의 필름 처리 단계들이 또한, 하기 더욱 상세히 기술된 바와 같은 기판 상에 형성된 하층 (underlayer) 상에서 수행될 수 있으며, 용어 "기판 표면"은 문맥이 나타내는 바와 같이 이러한 하층을 포함하는 것으로 의도된다. 따라서, 예를 들어, 필름/층 또는 부분 필름/층이 기판 표면 상에 증착된 경우, 새롭게 증착된 필름/층의 노출된 표면이 기판 표면이 된다. 해당 기판 표면이 무엇을 포함하는 지는 필름이 무엇에 증착되는 지에 또한 이용된 특정 화학작용에 의존적일 것이다. 하나 이상의 구체예들에서, 제 1 기판 표면은 금속을 포함할 것이며, 제 2 기판 표면은 유전체를 포함할 것이며, 또는 그 반대이다. 일부 구체예들에서, 기판 표면은 특정 작용기 (예를 들어, -OH, -NH, 등)를 포함할 수 있다.
마찬가지로, 본원에 기술된 방법에 사용될 수 있는 필름들은 매우 다양하다. 일부 구체예들에서, 필름들은 금속을 필수적으로 포함하거나 구성될 수 있다. 금속 필름들의 예들로는 비제한적으로, 코발트 (Co), 구리 (Cu), 니켈 (Ni), 텅스텐 (W), 등을 포함한다. 일부 구체예들에서, 필름은 유전체를 포함한다. 예들은 SiO2, SiN, HfO2, 등을 포함한다.
본 명세서 및 첨부된 청구범위에 사용된 바와 같이, 용어들 "반응성 가스", "전구체", "반응물" 및 기타 등등은 기판 표면에 반응성인 종을 포함하는 가스를 의미하는 것으로서 상호교환적으로 사용된다. 예를 들어, 제 1 "반응성 가스"는 기판의 표면 상으로 단수히 흡착될 수 있으며 제 2 반응성 가스와의 추가적 화학 반응에 이용가능할 수 있다.
본 기재내용의 구체예들은 제 2 표면에 비해 한 표면 상으로 금속 필름을 선택적으로 증착시키는 방법들을 제공한다. 본 명세서 및 첨부된 청구범위에 사용된 바와 같이, 용어 "또 다른 표면에 비해 한 표면 상에 필름을 선택적으로 증착시키는" 및 기타 등등은 제 1 양의 필름이 제 1 표면 상에 증착되며, 제 2 양의 필름은 제 2 표면 상에 증착되며, 제 2 양의 필름이 제 1 양의 필름보다 적거나 없음을 의미한다. 이와 관련하여 사용된 용어 "비해 (over)"는 또 다른 표면의 상단 상의 한 표면의 물리적 배향을 내포하는 것이 아니라, 그보다는 다른 한 표면과 비교하여 한 표면의 화학 반응의 열역학적 또는 동역학적 특성의 관계를 내포한다. 예를 들어, 유전체 표면에 비해 구리 표면 상으로 코발트 필름을 선택적으로 증착시키는 것은 코발트 필름이 구리 표면 상에 증착되며, 더 적은 코발트 필름이 유전체 표면 상에 증착하거나 증착하지 않으며; 또는 구리 표면 상의 코발트 필름의 형성이 유전체 표면 상의 코발트 필름의 형성과 비교하여 열역학적으로 또는 동역학적으로 선호됨을 의미한다.
도 1을 참조로 하여, 본 기재내용의 하나 이상의 구체예들은 필름을 증착시키는 방법들에 관한 것이다. 제 1 기판 표면 (12) 및 제 2 기판 표면 (14)을 포함하는 기판 (10)이 제공된다. 제 1 기판 표면 (12)은 하이드록실-말단화된 표면 (즉, -OH 기들을 갖는 표면)을 포함한다. 제 2 기판 표면 (14)는 수소-말단화된 표면 (즉, -H 말단을 갖는 표면, 예를 들어, Si-H 또는 Si-NH2)을 포함한다. 수소-말단화된 표면은 아민 말단화된 표면 (SiN 필름에서 발견될 수 있는 바와 같음)을 포함할 수 있다. 일부 구체예들에서, 제 1 기판 표면 (12)은 실질적으로 단지 하이드록실-말단들을 포함한다. 이와 관련하여 사용되는 바와 같은 용어 "실질적으로 단지"는 제 1 기판 표면의 표면 말단들이 적어도 약 75%, 80%, 85%, 90% 또는 95% 하이드록실 말단들임을 의미한다. 일부 구체예들에서, 제 2 기판 표면 (14)은 실질적으로 단지 수소 말단들을 포함한다. 이와 관련하여 사용된 바와 같은 용어 "실질적으로 단지"는 제 2 기판 표면의 표면 말단들이 적어도 약 75%, 80%, 85%, 90% 또는 95% 수소 말단들임을 의미한다. 일부 구체예들에서, 제 1 기판 표면 (12) 및 제 2 기판 표면 (14) 중 하나 이상은 유전체를 포함한다. 하나 이상의 구체예들에서, 제 1 기판 표면 (12)은 유전체를 포함한다. 유전체는 저-k 유전체 또는 고-k 유전체일 수 있다.
기판 (10)은 제 1 기판 표면 (12) 및/또는 제 2 기판 표면 (14) 중 하나 이상과 반응하기 위해 실릴아미드에 노출된다. 실릴아미드로의 기판 표면의 노출은 임의의 적합한 공정에 의해 수행될 수 있다. 노출은 침지로서 언급될 수 있으며, 여기에서 기판 표면들 중 적어도 일부는 실릴아미드로 "침지 (soaked)" 또는 "잠기게 되어 (flooded)" 표면 반응들이 발생하게 한다. 본 명세서 및 첨부된 청구범위에서 사용된 바와 같은 용어 "실릴아미드"는 질소가 아민 기의 일부 또는 헤테로시클릭 고리의 일부인 실리콘-질소 결합을 갖는 화합물을 지칭한다. 도 1은 Si-OH 말단화된 표면 (제 1 기판 표면 (12)) 대 Si-H 말단화된 표면 (제 2 기판 표면 (14))에서 발생하는 초기 표면 반응들의 도식을 보여준다.
실리콘-탄소 결합들은 매우 강하며 매우 반응적이지 않다. 임의의 특정 작업 이론으로 제한되지 않으면서, 실리아미드는 실리콘-탄소 결합에 의해 임의의 표면들을 탈활성화시킬 수 있는 것으로 여겨진다. 실리콘-탄소 결합들은 또한 열 안정적이며, 600℃ 까지의 안정성을 보여준다. 실릴아미드 기들은 염기성 Si-H 기에 대해 반응적이지 않으며 Si-H로 말단화된 표면들을 탈활성화시키지 않을 것이다. 실릴아미드의 사용은 Si-OH 말단화된 표면들은 아닌 Si-H 말단화된 표면들 상에서 특정 유전체를 선택적으로 증착시키는 공정들을 허용할 수 있음이 밝혀졌다.
도 1에서 실릴아미드는 (CH3)3Si-L로 나타내며, 여기에서 L은 임의의 아민 또는 헤테로시클릭 아민이다. 도 1에 도시된 실릴아미드는 단지 하나의 가능한 실릴아미드를 나타내며, 본 기재내용의 범위를 제한하는 것으로서 취해져서는 안된다. 실릴아미드는 제 1 기판 표면 (12) 상의 하이드록실-말단들과 반응하여 실릴 에테르-말단화된 표면 (13)을 형성하며 HL을 발달시킨다. 본 명세서 및 첨부된 청구범위에 사용된 바와 같이, 용어 "실릴 에테르"는 표면 말단을 형성하는 Si-O 결합을 갖는 화합물을 지칭한다.
적합한 실리아미드들은 표면 하이드록실 기들과 반응하여 실릴 에테르 말단화된 표면을 형성할 수 있는 것들이다. 일부 구체예들에서, 실릴아미드는 유기 실릴아미드를 포함한다. 본 명세서 및 첨부된 청구범위에서 사용된 바와 같이, 용어"유기 실릴아미드"는 실리콘 원자가 하나 이상의 유기 기들에 결합된 화합물을 지칭한다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 유기 실릴아미드는 트리메틸실릴 아미드이다.
하나 이상의 구체예들에서, 유기 실릴아미드는 실질적으로 단지 탄소 및/또는 질소 원자들에 결합된 실리콘 원자를 포함한다. 본 명세서 및 첨부된 청구범위에 사용된 바와 같이, 용어 "실질적으로 단지 탄소 및/또는 질소에"은 실리콘 원자들 중 약 5% 미만이 원자를 기초로 탄소 또는 질소 이외의 원자들에 결합됨을 의미한다. 하나 이상의 구체예들에서, 유기 실릴아미드는 실질적으로 Si-H 또는 Si-OH 결합들을 포함하지 않는다. 본 명세서 및 첨부된 청구범위에 사용된 바와 같이, 용어 "실질적으로 Si-H 및/또는 Si-OH 결합들을 ~ 않는다"는 실리콘 원자들 중 약 5% 미만이 수소 또는 하이드록시드들에 결합됨을 의미한다.
일부 구체예들에서, 유기 실릴아미드는 트리메틸실릴아미드, 트리에틸실릴아미드, 에틸디메틸실릴아미드 및/또는 디에틸메틸실릴아미드 중 하나 이상을 포함한다. 하나 이상의 구체예들에서, 실릴아미드는 피롤리딘, 피롤, 피라졸, 디메틸아민, 디에틸아민, 에틸메틸아민, 시클릭 이차 아민, 포화된 시클릭 아민 및/또는 불포화된 시클릭 아민 중 하나 이상의 포함하는 아미드를 포함한다.
트리메틸실릴아미드들은 염기성 아민 기를 함유하며, 이는 Si-OH 기들과 용이하게 반응하여 자유 아민을 형성하고 매우 안정한 (CH3)3Si-O-Si 모이어티의 형성을 유도할 것이다. 특정 구체예들에서, 실릴아미드는 1-트리메틸실릴피롤리딘, 1'-트리메틸실릴피롤 및/또는 3,5-디메틸-1-트리메틸실릴피라졸 중 하나 이상을 포함한다.
전처리제 (즉, 실리아미드)가 기판 표면들에 노출되는 온도는 예를 들어, 제 1 표면, 제 2 표면, 실릴아미드, 앞으로 계획된 처리, 지난 처리 및 사용되는 처리 장치에 좌우된다. 예를 들어, 더 낮은 온도 공정이 추가 처리를 위한 기판의 열 처리량 보존을 도울 수 있다. 일부 구체예들에서, 기판 표면들은 약 50 ℃ 내지 약 600 ℃ 범위의 온도에서 실릴아미드에 노출된다.
실릴아미드 노출 시간은 예를 들어, 기판 표면 물질들에 대한 실릴아미드의 반응성에 따라 변화될 수 있다. 일부 구체예들에서, 기판은 약 10초 내지 약 60분의 범위의 시간 동안 실릴아미드에 노출된다. 일부 구체예들에서, 실릴아미드 노출은 약 10분, 5분, 1분 또는 0.5분 미만의 시간 동안 발생한다.
실릴-에테르 말단화된 표면 (13)의 형성 후, 필름은 실릴-에테르 말단화된 표면 (13)에 영향을 끼치지 않으면서 제 2 기판 표면 (14) 상으로 증착될 수 있다. 필름은 임의의 적합한 기법에 의해 증착될 수 있다. 일부 구체예들에서, 기판 (10)은 하나 이상의 증착 가스들에 노출되어, 실릴-에테르 말단화된 표면 (13)과 비교하여 제 2 기판 표면 (14)에 필름 (15)을 선택적으로 증착시킨다. 하나 이상의 구체예들에서, 증착된 필름 (15)은 SiN을 포함한다. 일부 구체예들의 필름 (15)은 실리콘-함유 가스 및 질소-함유 가스로의 순차적 노출을 포함하는 원자 층 증착에 의해 증착된다. 적합한 실리콘-함유 가스들은 비제한적으로, 실란, 디실란, 트리실란, 모노클로로실란, 디클로로실란, 트리클로로실란, 실리콘 테트라클로라이드, 헥사클로로디실란 (HCDS), 할로겐화된 카르보실란 및 이들의 조합물을 포함한다. 적합한 질소-함유 가스들은 비제한적으로, 질소-함유 플라즈마, 암모니아, 아민, 하이드라진 및/또는 카르보니트라이드를 포함한다.
필름 형성 공정은 제 1 반응성 가스 및 제 2 반응성 가스가 동시에 기판 표면에 노출되어 제 1 반응성 가스 및 제 2 반응성 가스가 필름의 형성 동한 혼합되는 CVD 공정일 수 있다.
일부 구체예들에서, 필름 형성 공정은 기판 또는 기판의 일부가 순차적으로 제 1 반응성 가스 및 제 2 반응성 가스에 노출되는 ALD 공정이다. 순차적 노출은 기판 또는 기판의 일부가 임의의 주어진 시간에서 제 1 반응성 가스 및 제 2 반응성 가스 중 단지 하나에 노출됨을 의미한다. ALD 공정들에서, 제 1 반응성 가스와 제 2 반응성 가스의 가스 상 혼합이 실질적으로 존재하지 않는다.
도 2는 처리 챔버 (110)로서 언급된 공간적 원자 층 증착 배치 프로세서의 구체예를 보여준다. 기술된 처리 챔버 (110)의 형상 및 구성요소는 단지 예시이며 본 기재내용의 범위를 제한하는 것으로 취해져서는 안된다. 예를 들어, 8각형 처리 챔버는 원형 또는 6각형 등일 수 있다. 로드 락 (load lock) (112) 챔버는 처리 챔버 (110)의 앞 (이는 전면으로 독단적으로 설계될 수 있음)에 연결되며, 처리 챔버 (110)의 바깥 대기로부터 처리 챔버의 내부를 분리시키는 방식을 제공한다. 로드 락 (112)은 임의의 적합한 로드 락일 수 있으며, 임의의 적합한 로드 락으로서 당업자에게 공지된 바와 같은 방식으로 작동할 수 있다.
기판 (160)은 처리 챔버 (110) 내로 로딩 영역 (120)으로 통과한다. 로딩 영역 (120)에서 기판 (160)은 처리 조건들로 처리될 수 있거나 그대로 있을 수 있다. 로딩 영역에서 처리 조건들은 예를 들어, 기판 (160)의 공정 온도로의 사전-가열, 전처리제로의 노출 (예를 들어, 실릴아민 노출) 또는 세척일 수 있다. 일부 구체예들에서, 기판 (160)은 가스 실릴아민을 포함하는 전처리제에 노출된다.
기판 (160)은 가스 커텐 (140)을 관통하여 로딩 영역으로부터 제 1 처리 영역 (121)으로 측면 이동된다. 공정 영역들을 설명하기 위한 서수들의 사용은 단지 예시이며 기재내용의 범위를 제한하는 것으로서 취해져서는 안된다. 용어들 "제 1 공정 영역", "제 2 공정 영역" 등의 사용은 단지 처리 챔버의 다양한 부분들을 설명하는 편리한 방식으로서 의도된다. 챔버 내의 처리 영역들의 특정 위치는 도시된 구체예로 제한되지 않는다. 기판 (160)의 측면 이동은 화살표 (117)로 나타낸 또는 화살표 (117)의 반대 방향으로 축 주위로 서셉터 (susceptor) (166)의 회전에 의해 발생할 수 있다. 제 1 공정 영역 (121)에서, 기판 (160)은 ALD 공정을 위한 전구체 또는 제 1 반응성 가스에 노출될 수 있다.
기판 (160)은 가스 커텐 (140)을 통과하여 제 1 공정 영역 (121)로부터 제 2 공정 영역 (122)로 처리 챔버 (110) 내에서 측면 이동한다. 가스 커텐들 (140)은 처리 챔버 (110) 내부에서 다양한 공정 영역들 사이의 분리를 제공한다. 가스 커텐들은 절두된 내부 말단을 갖는 쐐기 형상 구성요소로서 도시되나, 가스 커텐은 공정 영역들의 분리를 유지하기에 적합한 임의의 형상일 수 있음이 이해될 것이다. 가스 커텐 (140)은 개별 공정 영역들의 대기를 분리시킬 수 있는 불활성 가스들 및/또는 진공 포트들의 임의의 적합한 조합을 포함할 수 있다. 일부 구체예들에서, 가스 커텐들 (140)은 진공 포트, 불활성 가스 포트 및 또 다른 진공 포트를 순서대로 포함한다. 제 1 공정 영역 (121)으로부터 제 2 공정 영역 (122)으로의 기판의 이동 동안 일부 지점에서, 기판의 한 부분은 제 2 공정 영역에 노출되면서 기판의 또 다른 부분은 제 1 공정 영역 (121)으로 노출되며 특정 부분은 가스 커텐 (140) 내에 위치한다.
일단 제 2 공정 영역 (122)에 있게 되면, 기판 (160)은 ALD 공정을 완료할 수 있는 제 2 반응성 가스로 노출될 수 있다. 예를 들어, SiN 필름이 형성되는 경우, 제 1 반응성 가스는 실리콘-함유 전구체일 수 있으며 제 2 반응성 가스는 질소-함유 가스일 수 있다.
기판 (160)은 화살표 (117)로 나타낸 원형 경로를 따라 연속적으로 측면 이동되어 기판을 제 3 공정 영역 (123), 제 4 공정 영역 (124), 제 5 공정 영역 (125), 제 6 공정 영역 (126) 및 제 7 공정 영역 (127)로 그리고 다시 로딩 영역으로 노출시킬 수 있다. 일부 구체예들에서, 로딩 영역 (120), 제 2 공정 영역 (122), 제 4 공정 영역 (124) 및 제 6 공정 영역 (126) 각각은 알콜을 포함하는 제 2 반응성 가스에 기판을 노출시키고, 제 1 공정 영역 (121), 제 3 공정 영역 (123), 제 5 공정 영역 (125) 및 제 7 공정 영역 (127) 각각은 기판 (160)을 제 1 반응성 가스에 노출시킨다. 도 2에 도시된 구체예는 명확성하게는, 제 1, 제 3, 제 5 및 제 7 공정 영역 위에 위치한 쐐기 형상 가스 분포 어셈블리 (130)를 가져 가스 분포 에셈블리들 (130) 사이의 서셉터 (166) 상의 기판 (160)을 보여준다. 그러나, 임의의 공정 영역들 또는 공정 영역들 모두는 가스 분포 어셈블리 (130) 또는 기타 가스 전달 시스템을 가질 수 있음이 이해될 것이다.
일단 필름 (15)이 증착되면, 추가의 처리가 수행될 수 있다. 예를 들어, 제 1 기판 표면 (12)의 탈보호가 발생하여 실릴-에테르 말단들을 제거할 수 있다. 이는 필름 (15)을 증착시킨 후 표면으로부터 실릴-에테르 말단들을 제거할 수 있는 임의의 적합한 방법 또는 기법에 의해 수행될 수 있다. 추가의 처리는 동일한 처리 챔버 또는 다른 처리 챔버에서 수행될 수 있다.
일부 구체예들에서, 실릴아민 노출에 이어서 ALD 증착 회전이 수행된다. 일정 간격을 두고, 실릴 에테르가 에칭되며, 새로운 실릴 에테르 층이 형성된다. 일부 구체예들에서, 실릴 에테르는 약 300회전 이하의 ALD, 또는 200회전 이하의 ALD, 또는 100회전 이하의 ALD, 또는 75회전 이하의 ALD 또는 50회전 이하의 ALD 후에 에칭된다. 하나 이상의 구체예들에서, 에칭 공정은 매 100회전의 ALD 증착 후에 수행되며, 이어서 연속 증착 전에 다시 실릴아민으로 처리된다.
일부 구체예들에서, 공정은 배치 (batch) 처리 챔버에서 발생한다. 예를 들어, 회전 플래튼 (platen) 챔버에서, 하나 이상의 웨이퍼들은 회전 홀더 ("플래튼") 상에 위치한다. 플래튼이 회전하기 때문에, 웨이퍼들은 다양한 처리 영역들 사이로 이동한다. 예를 들어, ALD에서, 처리 영역들은 전구체 및 반응물들에 웨이퍼를 노출시킬 것이다. 또한, 플라즈마 노출은 향상된 필름 성장을 위해 필름 또는 표면을 적절하게 처리하거나 바람직한 필름 특성들을 획득하는데 유용할 수 있다.
본 기재내용의 일부 구체예들은 단일 처리 챔버에서 제 1 표면 및 제 2 표면을 갖는 기판을 처리하며, 여기에서 챔버의 제 1 부분에서 기판 표면은 실릴아민에 노출된다. 이어서 기판은 처리 챔버의 제 2 부분 및/또는 처리 챔버의 후속 부분으로 회전되어 필름을 증착시킬 수 있다. 일부 구체예들에서, 기판은 실릴 에테르-말단들이 제거되 수 있는 처리 챔버의 또 다른 부분으로 추가로 회전되거나 이동될 수 있다. 처리 챔버의 각각 또는 임의의 부분들 또는 영역들을 분리하기 위해, 가스 커텐이 이용될 수 있다. 가스 커텐은 처리 영역들 사이의 퍼지 가스 및 진공 포트들 중 하나 이상을 제공하여 반응성 가스들이 한 영역으로부터 인접한 영역으로 이동하는 것을 방지한다. 일부 구체예들에서, 기판은 동시에 하나 초과의 처리 영역에 노출되며, 제 1 영역에서의 기판의 한 부분 (예를 들어, 실릴아민 노출을 위해) 및 기판의 또 다른 부분은 동시에 처리 챔버의 별도의 영역에 위치한다.
선형 처리 시스템 또는 회전 처리 시스템을 갖는 본 기재내용의 구체예들이 이용될 수 있다. 선형 처리 시스템에서, 플라즈마가 하우징에서 배출되는 영역의 폭이 전면의 전체 길이에 걸쳐 실질적으로 동일하다. 회전 처리 시스템에서, 하우징은 일반적으로 "파이-형" 또는 "쐐기-형"일 수 있다. 쐐기-형 세그먼트에서, 플라즈마가 하우징에서 배출되는 영역의 폭은 파이 형에 맞도록 변화된다. 본 명세서 및 첨부된 청구범위에 사용된 바와 같이, 용어들 "파이-형" 및 "쐐기-형"은 일반적으로 원형 섹터인 바디를 기술하기 위해 상호교환적으로 사용된다. 예를 들어, 쐐기-형 세그먼트는 원형 또는 디스크형 물체의 부분일 수 있으며 절두된 지점을 가질 수 있다. 파이-형 세그먼트의 내부 엣지는 한 지점이 될 수 있거나 평평한 가장자리로 또는 둥글게 절두될 수 있다. 기판들의 경로는 가스 포트들에 직각일 수 있다. 일부 구체예들에서, 가스 주입기 어셈블리들 각각은 다수의 긴 가스 포트들을 포함하며, 이들은 기판을 횡단하는 경로에 실질적으로 수직 방향으로 확장된다. 본 명세서 및 첨부된 청구범위에서 사용된 바와 같이 용어 "실질적으로 수직"은 기판의 일반적인 이동 방향이 가스 포트들의 축에 대략 수직 (예를 들어, 약 45° 내지 90°)인 평면을 따라 진행됨을 의미한다. 쐐기-형 가스 포트에 있어서, 가스 포트의 축은 포트의 길이를 따라 확장되는 폭트의 폭의 중앙-점으로서 규정된 라인인 것으로 간주될 수 있다.
본 기재내용의 추가의 구체예들은 다수의 기판들을 처리하는 방법들에 관한 것이다. 다수의 기판들은 처리 챔버내의 기판 지지체 상에 로딩된다. 기판 지지체가 가스 분포 어셈블리를 가로질러 다수의 기판들 각각을 통과하도록 회전하여 기판 표면에 실릴아민을 노출시키고, 기판 상에 필름을 증착시키고, 선택적으로 실릴 에테르 층을 제거한다.
캐로셀 (carousel)의 회전은 연속적 또는 불연속적일 수 있다. 연속 처리에서, 웨이퍼들은 연속적으로 회전하여 이들은 차례로 주입기들 각각에 노출된다. 불연속 처리에서, 웨이퍼들은 주입기 영역으로 이동하고 정지될 수 있으며, 이어서 주입기들 사이의 영역으로 이동하고 정지된다. 예를 들어, 캐로셀은 회전할 수 있어, 웨이퍼들이 내부-주입기 영역으로부터 주입기를 가로질러 (또는 주입기에 인접하여 정지하여) 다음 내부-주입기 영역 상으로 이동하고 여기에서 캐로셀이 다시 중지될 수 있다. 주입기들 사이의 중지는 각 층 증착 사이의 추가적인 처리 (예를 들어, 플라즈마로의 노출)를 위한 시간을 제공할 수 있다. 플라즈마의 주파수는 사용되는 특정 반응성 종에 따라 조정될 수 있다. 적합한 주파수는 비제한적으로, 400 kHz, 2 MHz, 13.56 MHz, 27 MHz, 40 MHz, 60 MHz 및 100 MHz을 포함한다.
하나 이상의 구체예들에 따라, 기판은 층 형성 전 및/또는 후의 처리로 처리된다. 이러한 처리는 동일한 챔버 또는 하나 이상의 별도의 처리 챔버들에서 수행될 수 있다. 일부 구체예들에서, 기판은 제 1 챔버로부터 추가의 처리를 위한 별도의 제 2 챔버로 이동된다. 기판은 제 1 기판으로부터 별도의 처리 챔버로 직접적으로 이동될 수 있거나 기판은 제 1 챔버로부터 하나 이상의 전달 챔버로 이동될 수 있고, 이어서 별도의 처리 챔버로 이동될 수 있다. 따라서, 처리 장치는 전달 스테이션과 소통하는 다수의 챔버들을 포함할 수 있다. 이러한 종류의 장치는 "클러스터 툴 (cluster tool)" 또는 "클러스터 시스템 (clustered system)" 및 기타 등등으로 지칭될 수 있다.
일반적으로, 클러스터 툴은 기판 중심-발견 및 배향, 탈가스, 어닐링, 증착 및/또는 에칭을 포함하는 다양한 작용들을 수행하는 다중 챔버들을 포함하는 모듈식 시스템이다. 하나 이상의 구체예들에 따르면, 클러스터 툴은 적어도 제 1 챔버 및 중앙 전달 챔버를 포함한다. 중앙 전달 챔버는 처리 챔버들 및 로드 락 챔버들 사이에 그리고 이들 중에 기판들을 왕복시킬 수 있는 로보트를 하우징할 수 있다. 전달 챔버는 전형적으로 진공 조건하에 유지되며, 한 챔버로부터 클러스터 툴의 프론트 엔드 (front end)에 위치한 또 다른 챔버 및/또는 로드 락 챔버로 기판들을 왕복시키기 위한 중간 스테이지를 제공한다. 본 기재내용에 적합할 수 있는 2개의 널리 공지된 클러스터 툴들은 Centura® 및 Endura®이며, 이 둘 모두는 Applied Materials, Inc. (Santa Clara, Calif)로부터 입수가능하다. 한 이러한 스테이지-진공 기판 처리 장치의 상세 내용은 미국 특허 번호 5,186,718 ["Staged-Vacuum Wafer Processing Apparatus and Method," Tepman et al., issued on Feb. 16, 1993]에 기술되어 있다. 그러나, 정확한 챔버들의 배열 및 조합은 본원에 기술된 바와 같은 공정의 특정 단계들을 수행하기 위한 목적에 따라 변화될 수 있다. 사용될 수 있는 기타 처리 챔버들은 비제한적으로, 순환형 층 증착 (CLD), 원자 층 증착 (ALD), 화학 증기 증착 (CVD), 물리적 증기 증착 (PVD), 에칭, 사전-세척, 화학적 세척, 열 처리 예컨대, RTP, 플라즈마 질화, 탈가스, 배향, 하이드록실화 및 기타 기판 공정들을 포함한다. 클러스터 툴 상의 챔버에서의 공정들을 수행함으로써, 대기 불순물로의 기판의 표면 오염이 후속 필름의 증착 전에 산화 없이 회피될 수 있다.
하나 이상의 구체예들에 따르면, 기판은 연속적으로 진공 또는 "로드 락" 조건들 하에 있으며, 한 챔버로부터 다음 챔버로 이동될 때 주위 공기에 노출되지 않는다. 따라서, 전달 챔버들은 진공하에 있으며, 진공압 하에 "펌프 다운"된다. 불활성 가스들은 처리 챔버들 또는 전달 챔버들에 존재할 수 있다. 일부 구체예들에서, 불활성 가스는 퍼지 가스로서 사용되어 기판의 표면 상에 층 형성 후 반응물 일부 또는 모두를 제거한다. 하나 이상의 구체예들에 따르면, 퍼지 가스는 증착 챔버의 출구에서 주입되어 반응물이 증착 챔버로부터 전달 챔버 및/또는 추가적인 처리 챔버로 이동하는 것을 방지한다. 따라서, 불활성 가스의 흐름은 챔버 출구에서 커텐을 형성한다.
처리 동안, 기판은 가열되거나 냉각될 수 있다. 이러한 가열 또는 냉각은 비제한적으로, 기판 지지체 (예를 들어, 서셉터)의 온도를 변화시키고 가열되거나 냉각된 가스들을 기판 표면으로 흐르게 하는 것을 포함하는 임의의 적합한 수단들에 의해 달성될 수 있다. 일부 구체예들에서, 기판 지지체는 기판 온도를 전도에 의해 변화하도록 조절될 수 있는 가열기/냉각기를 포함한다. 하나 이상의 구체예들에서, 사용되는 가스들 (반응성 가스들 또는 불활성 가스들)은 가열되거나 냉각되어 기판 온도를 국소적으로 변화시킨다. 일부 구체예들에서, 가열기/냉각기는 기판 표면에 인접한 챔버 내부에 위치하여 기판 온도를 대류에 의해 변화시킨다.
기판은 또한 처리 동안 고정되거나 회전될 수 있다. 회전 기판은 연속적으로 또는 구분되는 단계들로 회전될 수 있다. 예를 들어, 기판은 전체 공정에 걸쳐 회전될 수 있거나, 기판은 다양한 반응성 또는 퍼지 가스들로의 노출 사이에 소량으로 회전될 수 있다. 처리 동안 (연속적으로 또는 단계들에서) 기판을 회전시키는 것은 가스 유체 기하학에서 예를 들어, 국소적 변동성의 효과를 최소화함으로써 더욱 균일한 증착 또는 에칭을 유도하는 것을 도울 수 있다.
트리메틸실릴아미드 제조
트리메틸실릴아미드 화합물을 제조하기 위한 한 방법은 리튬 아미드의 트리메틸실릴클로라이드로의 처리에 의한 염 복분해 반응들에 의한 것이다. 반응도는 반응식 1로 도시된다:
Figure pat00001
상기에서, L은 임의의 아민 또는 헤테로시클릭 아민과 동일할 수 있다. 아민들의 일부 특정 예들은 디메틸아민, 디에틸아민, 피롤리딘, 피라졸 및 피롤이다.
1-트리메틸실릴피롤리딘의 합성
방응식 2는 BL1로서 언급된 1-트리메틸실릴피롤리딘에 대한 합성 반응식을 보여준다. 6.5 mL (80 mmol)의 피롤리딘을 250 mL 헥산에 용해시키고 용액을 -78 ℃로 냉각시켰다. 이러한 용액에 50 mL (80 mmol)의 헥산중 1.6 M n-부틸 리튬을 15 분의 기간에 걸쳐 적가하였다. 생성된 반응 혼합물이 서서히 실온에 도달하게 하고 30분 동안 교반하였다. 이어서 다시 반응 혼합물을 -78 ℃로 냉각하고, 10.1 mL (80 mmol) 트리메틸실릴 클로라이드를 함유하는 20 mL 헥산 용액을 10분의 기간에 걸쳐 첨가하였다. 반응 혼합물이 서서히 실온에 도달하게 하고 12 h 동안 교반하였다. 백색 침전물을 불활성 대기하에서 여과하고 헥산을 진공하에 증발시켰다. 생성물을 760 torr로 110 ℃에서 무색 액체로서 증류시켰다. 수율: 8.9 g (77.5 %). 1HNMR (400.18 MHz, C6D6) 2.87 (m, 4H), 1.57 (m, 4H), 0.11 (s, 9H) ppm; 13CNMR (100.64 MHz, C6D6) 1.08 ppm.
Figure pat00002
1-트리메틸실릴피롤의 합성
반응식 3은 BL2로서 또한 언급된 1-트리메틸실릴피롤의 합성 도식을 보여준다. 먼저 5.55 mL (80 mmol)의 피롤을 250 mL 헥산에 용해시키고 용액을 -78 ℃로 냉각시켰다. 이 용액에 50 mL (80 mmol)의 헥산 중 1.6 M n-부틸 리튬을 15 분의 기간에 걸쳐 적가하였다. 생성된 반응 혼합물이 서서히 실온을 획득하게 하고 30 분 동안 교반하였다. 이어서 반응 혼합물을 다시 -78 ℃로 냉각시키고, 10.1 mL (80 mmol) 트리메틸실릴 클로라이드의 20 mL 헥산 용액을 10 분의 기간에 걸쳐 첨가하였다. 반응 혼합물이 서서히 실온을 획득하게 하고 12 h 동안 교반하였다. 백색 침전물을 불활성 대기하에 여과하고 헥산을 진공하에 증발시켰다. 생성물을 760 torr로 130 ℃에서 무색 액체로서 증류시켰다. 수율: 8.7 g (78.2 %). 1HNMR (400.18 MHz, C6D6) 6.74 (s, 2H), 6.54 (s, 2H), 0.07 (s, 9H) ppm; 13CNMR (100.64 MHz, C6D6) 123.47, 112.20, -0.01 ppm. 질량 분광학: m/Z [M+H]+ 계산치 = 140.1, 실측치 140.2.
Figure pat00003
(3)
3,5-디메틸-1-트리메틸실릴피라졸의 합성
반응식 4는 BL3으로서 또한 언급된 3,5-디메틸-1-트리메틸실릴피라졸의 합성 도식을 보여준다. 7.7 g (80 mmol)의 3,5-디메틸 피라졸을 250 mL 헥산에 용해시키고, 용액을 -78 ℃로 냉각시켰다. 이 용액에, 50 mL (80 mmol)의 헥산 중 1.6 M n-부틸 리튬을 15분의 기간에 걸쳐 적가하였다. 생성된 반응 혼합물이 서서히 실온을 획득하게 하고 30분 동안 교반하였다. 이어서 반응 혼합물을 다시 -78 ℃로 냉각하고, 10.1 mL (80 mmol) 트리메틸실릴 클로라이드의 20 mL 헥산 용액을 10 분의 기간에 걸쳐 첨가하였다. 반응 혼합물이 서서히 실온을 획득하게 하고, 12 h 동안 교반하였다. 불활성 대기하에서 백색 침전물을 여과하고 헥산을 진공하에 증발시켰다. 생성물을 20 torr로 70 ℃에서 무색 액체로서 증류시켰다. 수율: 9.4 g (70.0 %). 1HNMR (400.18 MHz, C6D6) 5.80 (S, 1H), 2.30 (S, 3H), 2.00 (s, 3H), 0.32 (s, 9H) ppm; 13CNMR (100.64 MHz, C6D6) 151.97, 146.04, 108.40, 32.54, 23.63, 1.02 ppm.
Figure pat00004
1HNMR 및 13CNMR에 따라 합성 제조, 특징화 및 특성은 우수한 순도 및 높은 수율들을 입증하였다. TGA 분석에 따르면, 이들 분자들은 휘발성이며 (가장 높은 증발 속도는 90-137 ℃임) 및 열 안정적이며 잔류물이 ~0%이다.
실시예
블록 층들로서의 트리메틸실릴아미드들을, 350 ℃에서 증기상에서 BL1으로 기판들 (Si(H), SiO2 1K, Si(천연 산화물))을 처리함으로써 평가하였다. 이어서 동일한 온도에서 SiN의 ALD를 수행하였다. 사용된 실리콘 전구체는 실리콘 테트라브로마이드 및 질소-함유 전구체 포함된 암모니아 (30T)였다. 총 100회 회전시켰다. 표 1은 BL1으로의 상이한 길이들의 2.4 Torr 침지로부터의 결과들을 보여준다. 표 2는 30초 동안 5 Torr 침지의 결과들을 보여준다.
표 1
Figure pat00005
표 2
Figure pat00006
BL1을 전처리제로서 사용하지 않았을 경우, Si(H), SiO2 1K 및 Si(천연 O)와 관련한 선택성이 매우 조금 관찰되었다. 2T에서 1분 초과의 BL1 침지 시간은 매우 우수한 선택성을 가능하게 하였다. 접촉 각 측정들에 따르면, SiO2 및 Si(천연 O) 기판들 상에 SiN이 거의 또는 전혀 증착되지 않는다. 이는 Si(H) 상에서의 친수성 대 SiO2 및 Si(천연 O) 상에서의 소수성에 의해 입증되었다. 30 초의 BL1 침지 시간에서, 타원편광법을 기반으로 하는 일부 선택성이 여전히 존재하였으나, 접촉 각도들은 매우 유사하였으며, 이는 모두 3개의 표면들 상에 SiN이 존재함을 암시할 수 있다. 30초 동안 압력을 5T로 증가시키면 선택성을 회복하였다.
회전 수의 함수로서 BL1의 선택성을 또한 평가하였다. 결과는 표 3에 수집하였다. 100회전 후, ~8.6 (Si(H) vs SiO2)의 선택성이 관찰되었다. 100회전 후, 선택성은 감소하는 것으로 나타났다. 임의의 특정 작업 이온에 제한되지 않으면서, BL1 블록 층이 약 100회전을 지속시키는 핵화 지연을 촉진하는 것으로 여겨진다.
표 3
Figure pat00007
상기 내용은 본 기재내용의 구체예들에 관한 것이나, 본 기재내용의 기타 및 추가의 구체예들이 이의 기본 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있으며, 이의 범위는 하기 청구범위에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 필름을 증착시키는 방법으로서,
    하이드록실-말단화된 표면을 포함하는 제 1 기판 표면 및 수소-말단화된 표면을 포함하는 제 2 기판 표면을 포함하는 기판을 제공하고;
    기판을 실릴아미드에 노출하여 하이드록실-말단화된 표면과 반응시켜 실릴 에테르-말단화된 표면을 형성시키고;
    기판을 하나 이상의 증착 가스들에 노출시켜 실릴 에테르 말단화된 표면에 비해 선택적으로 제 2 기판 표면 상에 필름을 증착시키는 것을 포함하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 실릴아미드가 유기 실릴아미드를 포함하는 방법.
  3. 제 2항에 있어서, 유기 실릴아미드가 실질적으로 단지 탄소 및/또는 질소 원자들에만 결합된 실리콘 원자를 포함하는 방법.
  4. 제 2항에 있어서, 유기 실릴아미드가 Si-H 또는 Si-OH 결합들을 실질적으로 포함하지 않는 방법.
  5. 제 2항에 있어서, 유기 실릴아미드가 트리메틸실릴아미드, 트리에틸실릴아미드, 에틸디메틸실릴아미드 및/또는 디에틸메틸실릴아미드 중 하나 이상을 포함하는 방법.
  6. 제 1항에 있어서, 실릴아미드가 피롤리딘, 피롤, 피라졸, 디메틸아민, 디에틸아민, 에틸메틸아민, 시클릭 이차 아민, 포화된 시클릭 아민 및/또는 불포화된 시클릭 아민 중 하나 이상을 포함하는 아미드를 포함하는 방법.
  7. 제 1항 내지 제 6항 중의 어느 한 항에 있어서, 소정량의 필름이 증착된 후 실릴 에테르-말단화된 표면을 에칭시키고 이어서 실릴아민에 재노출시켜 실릴 에테르-말단화된 표면 및 추가적인 필름 증착을 재형성시키는 것을 추가로 포함하는 방법.
  8. 제 7항에 있어서, 실릴 에테르-말단화된 표면이 100회전 이하의 ALD 증착 후에 에칭되고 재형성되는 방법.
  9. 제 1항 내지 제 6항 중의 어느 한 항에 있어서, 필름이 SiN을 포함하는 방법.
  10. 제 9항에 있어서, 필름이 실리콘-함유 가스 및 질소-함유 가스로의 순차적 노출을 포함하는 원자 층 증착에 의해 증착되는 방법.
  11. 제 10항에 있어서, 실리콘 함유 가스가 실란, 디실란, 트리실란, 모노클로로실란, 디클로로실란, 트리클로로실란, 실리콘 테트라클로라이드, 헥사클로로디실란 (HCDS), 할로겐화된 카르보실란 중 하나 이상을 포함하는 방법.
  12. 제 10항에 있어서, 질소-함유 가스가 질소-함유 플라즈마, 암모니아, 아민, 하이드라진 및/또는 카보니트라이드 중 하나 이상을 포함하는 방법.
  13. 필름을 증착시키는 방법으로서, 하이드록실-말단화된 표면을 포함하는 제 1 기판 표면 및 수소-말단화된 유전체를 포함하는 제 2 기판 표면을 포함하는 기판을 제공하고;
    기판을 실릴아미드에 침지하여 하이드록실-말단화된 표면과 반응시켜 실릴 에테르-말단화된 표면을 형성하고;
    기판을 하나 이상의 증착 가스들에 노출시켜 제 1 기판 표면에 비해 선택적으로 제 2 기판 표면 상에 실리콘 니트라이드 필름을 증착시키는 것을 포함하는 방법.
  14. 제 13항에 있어서, 실릴아미드가 실질적으로 단지 탄소 및/또는 질소 원자들에만 결합하는 실리콘 원자들을 포함하며, 실질적으로 Si-H 또는 Si-OH 결합들이 존재하지 않으며, 실릴아미드가 피롤리딘, 피롤, 피라졸, 디메틸아민, 디에틸아민, 에틸메틸아민, 시클릭 이차 아민, 포화된 시클릭 아민 및/또는 불포화된 시클릭 아민 중 하나 이상을 포함하는 아미드를 포함하는 방법.
  15. 제 1항 내지 제 6항, 제 13항 및 제 14항 중의 어느 한 항에 있어서, 실릴아미드가 1-트리메틸실릴피롤리딘, 1-트리메틸실릴피롤 및/또는 3,5-디메틸-1-트리메틸실릴피라졸 중 하나 이상을 포함하는 방법.
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