KR20220095201A - 오가노폴리실록산, 그의 제조 방법 및 열전도성 실리콘 조성물 - Google Patents

오가노폴리실록산, 그의 제조 방법 및 열전도성 실리콘 조성물 Download PDF

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히로시 후꾸이
쿄코 도야마
노리히사 키시모또
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다우 도레이 캄파니 리미티드
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Abstract

일반식: (식 중, R1은 동일하거나 또는 상이한 탄소수 2~12의 지방족 불포화 1가 탄화수소기이고, R2는 동일하거나 또는 상이하며, 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 탄소수 1~12의 1가 탄화수소기이고, R3은 동일하거나 또는 상이한 탄소수 1~3의 알킬기이고, n은 1~500의 정수이고, a는 0 또는 1이다)으로 표시되는 오가노폴리실록산, 및 이를 열전도성 충전제의 표면 처리제 혹은 주제로 하는, 열전도성 충전제를 다량으로 함유해도 취급 작업성이 양호한 열전도성 실리콘 조성물.

Description

오가노폴리실록산, 그의 제조 방법 및 열전도성 실리콘 조성물
본 발명은 신규한 오가노폴리실록산, 그의 제조 방법 및 이 오가노폴리실록산을 사용한 열전도성 실리콘 조성물에 관한 것이다.
특허문헌 1~3에는 분자쇄 편말단에 규소 원자 결합 가수분해성기를 갖는 오가노폴리실록산이, 다량의 열전도성 충전제를 충전하여 고열전도성의 실리콘 조성물을 얻기 위한 열전도성 충전제의 표면 처리제로서 작용한다는 것이 개시되어 있다. 그러나, 이러한 오가노폴리실록산을 사용하더라도, 알루미나 등의 열전도성 충전제를 고충전하고자 하면, 얻어지는 실리콘 조성물의 점도가 급격히 상승하여, 그의 취급 작업성이나 성형성이 현저히 저하된다는 문제가 있었다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 제2003-213133호 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 제2004-262972호 특허문헌 3: 일본 공개특허공보 제2008-038137호
본 발명의 목적은 분자쇄 양말단에 지방족 불포화 1가 탄화수소기를 가지며, 분자쇄 편말단에 규소 원자 결합 가수분해성기를 갖는 신규한 오가노폴리실록산을 제공하는 것에 있으며, 또한, 이러한 신규한 오가노폴리실록산의 제조 방법을 제공하는 것에 있다. 또한, 본 발명의 다른 목적은 이러한 오가노폴리실록산을 열전도성 충전제의 표면 처리제 혹은 주제(主劑)로 하고, 열전도성 충전제를 다량으로 함유해도 취급 작업성이 양호한 열전도성 실리콘 조성물을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 오가노폴리실록산은 일반식:
[화 1]
Figure pct00001
(식 중, R1은 동일하거나 또는 상이한 탄소수 2~12의 지방족 불포화 1가 탄화수소기이고, R2는 동일하거나 또는 상이하며, 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 탄소수 1~12의 1가 탄화수소기이고, R3은 동일하거나 또는 상이한 탄소수 1~3의 알킬기이고, n은 1~500의 정수이고, a는 0 또는 1이다.)
으로 표시된다.
상기 오가노폴리실록산은 무기질 분말의 표면 처리제로서 아주 알맞으며, 특히 열전도성 분말의 표면 처리제로서 아주 알맞다.
본 발명의 오가노폴리실록산의 제조 방법은 일반식:
[화 2]
Figure pct00002
(식 중, R1은 탄소수 2~12의 지방족 불포화 1가 탄화수소기이고, R2는 동일하거나 또는 상이하며, 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 탄소수 1~12의 1가 탄화수소기이고, n은 1~500의 정수이다.)
으로 표시되는 오가노폴리실록산과, 일반식:
R1R2 aSi(OR3)(3-a)
(식 중, R1은 상기와 동일하거나 또는 상이한 탄소수 2~12의 지방족 불포화 1가 탄화수소기이고, R2는 상기와 동일하거나 또는 상이한, 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 탄소수 1~12의 1가 탄화수소기이고, R3은 동일하거나 또는 상이한 탄소수 1~3의 알킬기이고, a는 0 또는 1이다.)
으로 표시되는 알콕시실란을 탈알코올 축합 반응하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 열전도성 실리콘 조성물은
(A) 일반식:
[화 3]
Figure pct00003
(식 중, R1은 동일하거나 또는 상이한 탄소수 2~12의 지방족 불포화 1가 탄화수소기이고, R2는 동일하거나 또는 상이하며, 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 탄소수 1~12의 1가 탄화수소기이고, R3은 동일하거나 또는 상이한 탄소수 1~3의 알킬기이고, n은 1~500의 정수이고, a는 0 또는 1이다.)
으로 표시되는 오가노폴리실록산, 및
(B) 열전도성 충전제
로 적어도 이루어진다.
(B) 성분의 평균 입경은 0.01~100 μm인 것이 바람직하다. 또한, (B) 성분은 알루미나 분말인 것이 바람직하며, 더욱이, (B1) 평균 입경이 5~50 μm(단, 5 μm를 포함하지 않는다)인 구상(球狀) 혹은 둥근 형상 알루미나 분말과 (B2) 평균 입경이 0.1~5 μm인 구상 혹은 부정 형상의 알루미나 분말의 혼합물인 것이 바람직하고, 특히 (B1) 성분과 (B2) 성분의 혼합물인 경우, (B1) 성분 30~90 질량%와 (B2) 성분 10~70 질량%로 이루어지는 혼합물인 것이 바람직하다.
상기 조성물에 있어서, (B) 성분의 함유량은 (A) 성분 100 질량부에 대해 500~3,000 질량부의 범위 내인 것이 바람직하다.
상기 조성물은 또한 (C) 가교제를 배합함으로써 경화성의 열전도성 실리콘 조성물로 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 오가노폴리실록산은 분자쇄 양말단에 지방족 불포화 1가 탄화수소기를 가지고, 분자쇄 편말단에 규소 원자 결합 가수분해성기를 갖는 신규한 화합물이며, 또한 본 발명의 열전도성 실리콘 조성물은 이러한 오가노폴리실록산을 열전도성 충전제의 표면 처리제 혹은 주제로 하고 있기 때문에, 고열전도성의 실리콘 조성물을 얻기 위해 열전도성 충전제를 다량으로 함유해도 취급 작업성이 양호하다는 특징이 있다.
먼저, 본 발명의 오가노폴리실록산을 상세히 설명한다.
본 발명의 오가노폴리실록산은 일반식:
[화 4]
Figure pct00004
으로 표시된다.
위 식 중, R1은 동일하거나 또는 상이한 탄소수 2~12의 지방족 불포화 1가 탄화수소기이며, 구체적으로는, 비닐기, 알릴기, 부테닐기, 헥세닐기, 데세닐기, 운데세닐기, 도데세닐기 등의 직쇄상 알케닐기; iso-프로페닐기, 2-메틸-2-프로페닐기, 2-메틸-10-운데세닐기 등의 분지쇄상 알케닐기; 비닐사이클로헥실기 등의 지방족 불포화 환상 알킬기; 비닐페닐기 등의 지방족 불포화기 함유 아릴기; 비닐벤질기, 비닐페네틸기 등의 지방족 불포화기 함유 아르알킬기가 예시되며, 바람직하게는 직쇄상 알케닐기이고, 특히 바람직하게는 비닐기, 알릴기, 헥세닐기이다. R1 중의 지방족 불포화 결합의 위치는 한정되지 않으나, R1이 결합하는 규소 원자로부터 먼 위치인 것이 바람직하다.
또한, 위 식 중, R2는 동일하거나 또는 상이하며, 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 탄소수 1~12의 1가 탄화수소기이고, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등의 직쇄상 알킬기; iso-프로필기, tert-부틸기, tert-펜틸기 등의 분지쇄상 알킬기; 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기 등의 환상 알킬기; 페닐기, 톨릴기, 크실릴기 등의 아릴기; 벤질기, 페네틸기 등의 아르알킬기; 3-클로로프로필기, 3,3,3-트리플루오로프로필기 등의 할로겐화 알킬기가 예시되며, 바람직하게는 알킬기, 아릴기이고, 더욱더 바람직하게는 탄소 원자수 1~4의 알킬기이고, 특히 바람직하게는 메틸기, 에틸기이다.
또한, 위 식 중, R3은 동일하거나 또는 상이한 탄소수 1~3의 알킬기이며, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기가 예시되고, 바람직하게는 메틸기, 에틸기이다.
또한, 위 식 중, n은 1~500의 정수이며, 바람직하게는 n은 적어도 5, 적어도 10, 적어도 15 혹은 적어도 20이고, 한편 많아도 400, 많아도 300 혹은 많아도 200이다. 이 n의 범위는 상기 상한과 하한을 조합한 임의의 범위로 할 수 있다. 이는, n이 상기 범위의 하한 이상이면, 휘발성이 부족해지기 때문이며, 한편 상기 범위의 상한 이하이면, 무기 충전제, 특히 열전도성 충전제의 표면을 충분히 처리할 수 있기 때문이다.
또한, 위 식 중, a는 0 또는 1이며, 바람직하게는 0이다.
이러한 오가노폴리실록산을 조제하는 방법으로서는, 예를 들어 일반식:
[화 5]
Figure pct00005
으로 표시되는 오가노폴리실록산과, 일반식:
R1R2 aSi(OR3)(3-a)
으로 표시되는 알콕시실란을 탈알코올 축합 반응하는 방법을 들 수 있다.
상기 오가노폴리실록산 중의 R1, R2 및 n은 상기와 동일하다. 이러한 오가노폴리실록산은, 예를 들어 미국 특허명세서 제5486635호(일본 공개특허공보 제(평)7-292109호) 또는 일본 공개특허공보 제(평)10-7801호에 개시되어 있는 바와 같이, 알킬리튬이나 리튬 실라놀레이트를 중합 개시제로 하고, 분자량 조절제인 분자쇄 편말단에 수산기를 갖는 오가노실란 혹은 오가노실록산의 존재하 또는 비존재하에서 환상 트리실록산을 비평형 중합 반응시킨 후, 산으로 이 비평형 중합 반응을 정지함으로써 조제할 수 있다. 아울러, 환상 트리실록산 중에 존재하는 미량의 실라놀기 함유 불순물을 미리 실릴화 또는 아세틸화한 후, 비평형 중합 반응을 니트릴 화합물 또는 에스테르 화합물, 및 활성 수소를 갖지 않는 극성 용매의 존재하에서 수행하는 것이 바람직하다. 이로써, 환상 트리실록산의 중합 중에 부반응으로서 일어나는 α-하이드록시디오가노폴리실록산의 이량화 반응이나 평형화 반응에 의한 양말단 무관능성 디오가노폴리실록산이나 양말단 관능성 디오가노폴리실록산의 부생(副生)을 억제할 수 있다.
또한, 상기 알콕시실란 중의 R1, R2 및 R3은 상기와 동일하다. 또한, 상기 알콕시실란 중의 a는 0 또는 1이며, 바람직하게는 0이다. 이러한 알콕시실란으로서는, 비닐트리메톡시실란, 알릴트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 알릴트리에톡시실란, 비닐디메톡시에톡시실란, 헥세닐트리메톡시실란, 헥세닐트리에톡시실란, 옥테닐트리메톡시실란, 옥테닐트리에톡시실란이 예시된다. 이 알콕시실란은 상기 오가노폴리실록산에 대해 등몰 이상 첨가하는 것이 바람직하며, 부생성물을 억제할 수 있기 때문에 과잉량 첨가하는 것이 바람직하다.
상기 오가노폴리실록산과 상기 알콕시실란을 탈알코올 축합 반응함으로써, 본 발명의 오가노폴리실록산을 조제할 수 있다. 이 탈알코올 축합 반응을 촉진하기 위해 산촉매를 첨가할 수도 있다. 이 산으로서는, 염산, 황산, 아세트산, 프로피온산이 예시된다. 이 탈알코올 축합 반응은 실온에서도 진행되지만, 가열함으로써 촉진할 수 있으며, 특히 감압하에서 축합 반응에 의해 생성되는 알코올을 제거하는 것이 바람직하다.
이러한 본 발명의 오가노폴리실록산으로서는, 예를 들어 식:
[화 6]
Figure pct00006
으로 표시되는 디메틸폴리실록산, 식:
[화 7]
Figure pct00007
으로 표시되는 디메틸폴리실록산, 식:
[화 8]
Figure pct00008
으로 표시되는 디메틸폴리실록산, 식:
[화 9]
Figure pct00009
으로 표시되는 디메틸폴리실록산, 식:
[화 10]
Figure pct00010
으로 표시되는 디메틸폴리실록산, 식:
[화 11]
Figure pct00011
으로 표시되는 디메틸폴리실록산, 식:
[화 12]
Figure pct00012
으로 표시되는 디메틸폴리실록산, 식:
[화 13]
Figure pct00013
으로 표시되는 디메틸폴리실록산, 식:
[화 14]
Figure pct00014
으로 표시되는 디메틸폴리실록산을 들 수 있으며, 본 발명의 오가노폴리실록산을 후술하는 무기질 분말의 표면 처리제로서 사용하는 경우에는, 상기 중합 개시제에서 유래하는 부생성물을 소량 함유할 수도 있다.
이러한 본 발명의 오가노폴리실록산은 무기질 분말의 표면 처리제로서 유용하며, 특히 열전도성 분말의 표면 처리제로서 유용하다. 본 발명의 오가노폴리실록산을 적용할 수 있는 무기질 분말로서는, 알루미늄 분말, 구리 분말, 니켈 분말 등의 금속계 분말; 알루미나 분말, 산화마그네슘 분말, 산화베릴륨 분말, 산화크롬 분말, 산화티탄 분말, 산화아연 분말, 산화철 분말 등의 금속 산화물계 분말; 질화붕소 분말, 질화알루미늄 분말 등의 금속 질화물계 분말; 탄화붕소 분말, 탄화티탄 분말, 탄화규소 분말 등의 금속 탄화물계 분말; 표면에 도전성을 부여하기 위해 금속을 피복하여 이루어지는 금속 산화물계 분말; 그 외, 흄드 실리카, 소수화 흄드 실리카, 침강법 실리카, 용융 실리카, 규조토, 탈크, 탄산칼슘, 탄산망간, 수산화세륨이 예시된다. 이들 무기질 분말의 표면을 처리하는 방법은 한정되지 않으며, 주지의 방법에 의해 처리할 수 있다.
그 다음, 본 발명의 열전도성 실리콘 조성물을 상세히 설명한다.
본 발명의 열전도성 실리콘 조성물은
(A) 일반식:
[화 15]
Figure pct00015
(식 중, R1은 탄소수 2~12의 지방족 불포화 1가 탄화수소기이고, R2는 동종 혹은 이종의 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 탄소수 1~12의 1가 탄화수소기이고, R3은 탄소수 1~3의 알킬기이고, n은 1~500의 정수이고, a는 0 또는 1이다.)
으로 표시되는 오가노폴리실록산, 및
(B) 열전도성 충전제
로 적어도 이루어지는 것을 특징으로 한다.
(A) 성분은 위에서 설명한 오가노폴리실록산이며, 본 조성물의 주제 혹은 (B) 성분의 표면 처리제로서 작용한다. 본 조성물에는 (A) 성분 이외에, (A) 성분을 조제할 때의 중합 개시제에서 유래하는 부생성물의 오가노폴리실록산이나, 그 외 오가노폴리실록산을 함유할 수도 있다. 임의의 오가노폴리실록산이 본 조성물의 주제가 되는 경우에는, (A) 성분은 (B) 성분의 표면 처리제로서만 작용한다.
(A) 성분 이외의 오가노폴리실록산으로서는, 예를 들어 직쇄상, 분지쇄상, 일부 분지를 갖는 직쇄상, 혹은 수지상(덴드리머상)의 분자 구조를 갖는 것을 들 수 있으며, 바람직하게는 직쇄상, 일부 분지를 갖는 직쇄상인 것이다. 구체적으로는, 분자쇄 양말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산, 분자쇄 양말단 메틸페닐비닐실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산, 분자쇄 양말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸페닐실록산 코폴리머, 분자쇄 양말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸비닐실록산 코폴리머, 분자쇄 양말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸비닐실록산 코폴리머, 분자쇄 양말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 메틸(3,3,3-트리플루오로프로필)폴리실록산, 분자쇄 양말단 실라놀기 봉쇄 디메틸실록산·메틸비닐실록산 코폴리머, 분자쇄 양말단 실라놀기 봉쇄 디메틸실록산·메틸비닐실록산·메틸페닐실록산 코폴리머, 식: (CH3)3SiO1/2로 표시되는 실록산 단위와 식: (CH3)2(CH2=CH)SiO1/2로 표시되는 실록산 단위와 식: CH3SiO3/2로 표시되는 실록산 단위와 식: (CH3)2SiO2/2로 표시되는 실록산 단위로 이루어지는 오가노실록산 코폴리머, 분자쇄 양말단 실라놀기 봉쇄 디메틸폴리실록산, 분자쇄 양말단 실라놀기 봉쇄 디메틸실록산·메틸페닐실록산 코폴리머, 분자쇄 양말단 트리메톡시실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산, 분자쇄 양말단 트리메톡시실릴기 봉쇄 디메틸실록산·메틸페닐실록산 코폴리머, 분자쇄 양말단 메틸디메톡시실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산, 분자쇄 양말단 트리에톡시실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산, 분자쇄 양말단 트리메톡시실릴에틸기 봉쇄 디메틸폴리실록산 및 이들의 2종 이상의 혼합물을 들 수 있다.
이러한 오가노폴리실록산의 25℃에서의 점도는 한정되지 않으나, 바람직하게는 20~100,000 mPa·s의 범위 내이며, 더욱더 바람직하게는 50~100,000 mPa·s의 범위 내이고, 더욱더 바람직하게는 50~50,000 mPa·s의 범위 내이고, 특히 바람직하게는 100~50,000 mPa·s의 범위 내이다. 아울러, 이 점도는 JIS K7117-1에 준거한 회전 점도계에 의해 측정할 수 있다. 이는, 25℃에서의 점도가 상기 범위의 하한 미만이면, 얻어지는 조성물의 물리적 특성이 현저히 저하되기 때문이며, 한편 상기 범위의 상한을 초과하면, 얻어지는 조성물의 취급 작업성이 현저히 저하되기 때문이다.
(B) 성분의 열전도성 충전제는 본 조성물에 열전도성을 부여하는 성분이며, 예를 들어 알루미늄 분말, 구리 분말, 니켈 분말 등의 금속계 분말; 알루미나 분말, 산화마그네슘 분말, 산화베릴륨 분말, 산화크롬 분말, 산화티탄 분말 등의 금속 산화물계 분말; 질화붕소 분말, 질화알루미늄 분말 등의 금속 질화물계 분말; 탄화붕소 분말, 탄화티탄 분말, 탄화규소 분말 등의 금속 탄화물계 분말; 표면에 도전성을 부여하기 위해 금속을 피복하여 이루어지는 금속 산화물계 분말 및 이들의 2종 이상의 혼합물을 들 수 있다. 또한 (B) 성분의 형상으로서는, 예를 들어 구상, 둥근 형상, 침상, 원반상, 막대상, 부정 형상을 들 수 있다. 본 조성물 혹은 본 조성물의 가교물에 전기 절연성이 요구되는 경우에는, (B) 성분은 금속 산화물계 분말, 금속 질화물계 분말 또는 금속 탄화물계 분말인 것이 바람직하고, 특히 알루미나 분말인 것이 바람직하다.
(B) 성분의 평균 입경은 한정되지 않으나, 0.1~100 μm의 범위 내인 것이 바람직하며, 더욱이 0.1~50 μm의 범위 내인 것이 바람직하다. 또한, (B) 성분으로서 알루미나 분말을 이용하는 경우에는, (B1) 평균 입경이 5~50 μm(단, 5 μm를 포함하지 않는다.)인 구상의 알루미나 분말과 (B2) 평균 입경이 0.1~5 μm인 구상 혹은 부정 형상의 알루미나 분말의 혼합물인 것이 바람직하다. 또한, 이 혼합물에서, 상기 (B1) 성분의 함유량은 30~90 질량%의 범위 내이고, 상기 (B2) 성분의 함유량은 10~70 질량%의 범위 내인 것이 바람직하다.
본 조성물에 있어서, (B) 성분의 함유량은 한정되지 않으나, 양호한 열전도성을 부여하기 위해서는, 용적%에 대해서는 본 조성물 중의 적어도 30 용적%인 것이 바람직하며, 또한 30~90 용적%의 범위 내인 것이 바람직하고, 또한 60~90 용적%의 범위 내인 것이 바람직하고, 특히 80~90 용적%의 범위 내인 것이 바람직하다. 마찬가지로, 질량%에 대해서는 본 조성물 중의 적어도 50 질량%인 것이 바람직하며, 또한 70~98 질량%의 범위 내인 것이 바람직하고, 특히 90~97 질량%의 범위 내인 것이 바람직하다. (B) 성분의 함유량으로서 구체적으로는, (A) 성분이 주제인 경우, (A) 성분 100 질량부에 대해 500~3,500 질량부의 범위 내인 것이 바람직하고, 또한 500~3,000 질량부의 범위 내인 것이 바람직하고, 특히 800~3,000 질량부의 범위 내인 것이 바람직하며, 한편, (A) 성분이 (B) 성분의 표면 처리제로서 작용하고, (A) 성분 이외의 오가노폴리실록산이 주제인 경우, 이 오가노폴리실록산 100 질량부에 대해 500~3,500 질량부의 범위 내인 것이 바람직하고, 또한 500~3,000 질량부의 범위 내인 것이 바람직하고, 특히 800~3,000 질량부의 범위 내인 것이 바람직하다. 이는, (B) 성분의 함유량이 상기 범위의 하한 미만이면, 얻어지는 조성물의 열전도성 혹은 전기 전도성이 불충분해지기 때문이며, 한편 상기 범위의 상한을 초과하면, 얻어지는 조성물의 점도가 높아지거나 균일한 조성물을 얻을 수 없거나, 그 취급 작업성이 현저히 저하되기 때문이다.
이러한 본 조성물은 비가교성의 그리스(grease)상일 수도 있으며, 또한 추가로 (C) 가교제를 함유하여 가교성으로 하여, 가교에 의해 증점 혹은 경화할 수 있다. 이 가교 반응은 한정되지 않으며, 예를 들어 하이드로실릴화 반응, 축합 반응 또는 유기 과산화물에 의한 프리 라디칼 반응을 들 수 있다.
본 조성물이 하이드로실릴화 반응하는 경우에는, (C) 성분은 1분자 중에 평균 2개 이상의 규소 원자 결합 수소 원자를 갖는 오가노폴리실록산과 백금계 촉매로 이루어진다. 이 오가노폴리실록산 중의 규소 원자 결합에 결합하고 있는 기로서는, 상기와 동일한 직쇄상 알킬기, 분지쇄상 알킬기, 환상 알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 할로겐화 알킬기가 예시되며, 바람직하게는 알킬기, 아릴기이고, 특히 바람직하게는 메틸기, 페닐기이다. 또한, 이 오가노폴리실록산의 25℃에서의 동점도(動粘度)는 한정되지 않으나, 바람직하게는 1~1,000 ㎟/s의 범위 내이고, 특히 바람직하게는 1~500 ㎟/s의 범위 내이다. 아울러, 이 동점도는 JIS Z8803에 준거한 우베로데(Ubbelohde)형 점도계에 의해 측정할 수 있다.
이러한 오가노폴리실록산의 분자 구조는 한정되지 않으며, 예를 들어 직쇄상, 분지쇄상, 일부 분지를 갖는 직쇄상, 환상, 수지상(덴드리머상)을 들 수 있다. 이러한 오가노폴리실록산으로서는, 예를 들어 이들 분자 구조를 갖는 단일 중합체, 이들 분자 구조로 이루어지는 공중합체, 또는 이들의 혼합물을 들 수 있다.
이러한 오가노폴리실록산으로서는, 예를 들어 분자쇄 양말단 디메틸하이드로겐실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산, 분자쇄 양말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸하이드로겐실록산 코폴리머, 분자쇄 양말단 디메틸하이드로겐실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸하이드로겐실록산 코폴리머, 식: (CH3)3SiO1/2로 표시되는 실록산 단위와 식: (CH3)2HSiO1/2로 표시되는 실록산 단위와 식: SiO4/2로 표시되는 실록산 단위로 이루어지는 오가노실록산 코폴리머 및 이들의 2종 이상의 혼합물을 들 수 있다.
본 조성물에 있어서, 이 오가노폴리실록산의 함유량은 본 조성물을 가교시키기에 충분한 양이며, 구체적으로는 (A) 성분 및 (A) 성분 이외의 임의의 오가노폴리실록산 중의 지방족 불포화 1가 탄화수소기 1몰에 대해, 본 성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자가 0.1~10몰의 범위 내가 되는 양인 것이 바람직하며, 또한 0.1~5몰의 범위 내가 되는 양인 것이 바람직하고, 특히 0.1~3.0몰의 범위 내가 되는 양인 것이 바람직하다. 이는 본 성분의 함유량이 상기 범위의 하한 미만이면, 얻어지는 조성물이 충분히 가교하지 않게 되기 때문이며, 한편 상기 범위의 상한을 초과하면, 얻어지는 가교물이 매우 경질인 경화물이 되어, 표면에 다수의 크랙을 발생시키기 때문이다.
또한, 백금계 촉매는 본 조성물의 가교를 촉진하기 위한 촉매이며, 예를 들어 염화백금산, 알코올 변성 염화백금산, 백금의 올레핀 착체, 백금의 알케닐실록산 착체, 백금의 카보닐 착체를 들 수 있다.
본 조성물에 있어서, 백금계 촉매의 함유량은 본 조성물의 가교를 촉진하기에 충분한 양이며, 구체적으로는 (A) 성분 및 (A) 성분 이외의 임의의 오가노폴리실록산에 대해 본 성분 중의 백금 금속이 질량 단위로 0.01~1,000 ppm의 범위 내가 되는 양인 것이 바람직하고, 특히 0.1~500 ppm의 범위 내가 되는 양인 것이 바람직하다. 이는, 본 성분의 함유량이 상기 범위의 하한 미만이면, 얻어지는 조성물이 충분히 가교하지 않게 되기 때문이며, 한편 상기 범위의 상한을 초과하는 양을 배합해도, 얻어지는 조성물의 가교 반응은 현저히 촉진되지 않기 때문이다.
특히, 본 조성물이 하이드로실릴화 반응에 의해 가교하는 경우, 그의 가교 속도를 조절하여, 취급 작업성을 향상시키기 위해, 2-메틸-3-부틴-2-올, 2-페닐-3-부틴-2-올, 1-에티닐-1-사이클로헥산올 등의 아세틸렌계 화합물; 3-메틸-3-펜텐-1-인, 3,5-디메틸-3-헥센-1-인 등의 엔-인 화합물; 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐사이클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라헥세닐사이클로테트라실록산 등의 알케닐기 함유 사이클로실록산; 그 외, 하이드라진계 화합물, 포스핀계 화합물, 메르캅탄계 화합물 등의 반응 억제제를 함유하는 것이 바람직하다. 이 반응 억제제의 함유량은 한정되지 않으나, 본 조성물에 대해 0.0001~1.0 질량%의 범위 내인 것이 바람직하다.
또한, 본 조성물이 축합 반응에 의해 가교하는 경우에는, (C) 성분은 1분자 중에 적어도 3개의 규소 원자 결합 가수분해성기를 갖는 실란 혹은 그의 부분 가수분해물 및/또는 축합 반응용 촉매로 이루어진다. 이 실란 중의 규소 원자 결합 가수분해성기로서는, 상기와 동일한 알콕시기, 알콕시알콕시기, 아실옥시기, 케톡심기, 알켄옥시기, 아미노기, 아미녹시기, 아미드기가 예시된다. 또한, 이 실란의 규소 원자에는 상기 가수분해성기 이외에, 예를 들어 상기와 동일한 직쇄상 알킬기, 분지쇄상 알킬기, 환상 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아르알킬기, 할로겐화 알킬기를 결합하고 있을 수도 있다. 이러한 실란 혹은 그의 부분 가수분해물로서는, 예를 들어 메틸트리에톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 에틸 오르토실리케이트를 들 수 있다.
본 조성물에 있어서, 이 실란 혹은 그의 부분 가수분해물의 함유량은 본 조성물을 가교시키기에 충분한 양이며, 구체적으로는 (A) 성분 혹은 (A) 성분 이외의 임의의 오가노폴리실록산 100 질량부에 대해 0.01~20 질량부의 범위 내인 것이 바람직하고, 특히는 0.1~10 질량부의 범위 내인 것이 바람직하다. 이는, 이 실란 혹은 그의 부분 가수분해물의 함유량이 상기 범위의 하한 미만이면, 얻어지는 조성물의 저장 안정성이 저하되거나, 또한 접착성이 저하되기 때문이며, 한편 상기 범위의 상한을 초과하면, 얻어지는 조성물의 가교 반응이 현저히 느려지기 때문이다.
또한, 축합 반응용 촉매는, 예를 들어 (C) 성분으로서 아미녹시기, 아미노기, 케톡심기 등의 가수분해성기를 갖는 실란을 사용하는 경우에는 필수는 아니다. 이 축합 반응용 촉매로서는, 예를 들어 테트라부틸 티타네이트, 테트라이소프로필 티타네이트 등의 유기 티탄산 에스테르; 디이소프로폭시 비스(아세틸아세테이트) 티탄, 디이소프로폭시 비스(에틸 아세토아세테이트) 티탄 등의 유기 티탄 킬레이트 화합물; 알루미늄 트리스(아세틸아세트네이트), 알루미늄 트리스(에틸 아세토아세테이트) 등의 유기 알루미늄 화합물; 지르코늄 테트라(아세틸아세토네이트), 지르코늄 테트라부틸레이트 등의 유기 알루미늄 화합물; 디부틸 주석 디옥테이트, 디부틸 주석 디라우레이트, 부틸 주석-2-에틸헥소에이트 등의 유기 주석 화합물; 나프텐산 주석, 올레산 주석, 부틸산 주석, 나프텐산 코발트, 스테아르산 아연 등의 유기 카복실산의 금속염; 헥실아민, 인산 도데실아민 등의 아민 화합물, 및 그 염; 벤질 트리에틸 암모늄 아세테이트 등의 4급 암모늄염; 아세트산 칼륨, 질산 리튬 등의 알칼리 금속의 저급 지방산염; 디메틸하이드록실아민, 디에틸하이드록실아민 등의 디알킬하이드록실아민; 구아니딜기 함유 유기 규소 화합물을 들 수 있다.
본 조성물에 있어서, 이 축합 반응용 촉매의 함유량은 본 조성물의 가교를 촉진하기에 충분한 양이면 무방하며, 구체적으로는 (A) 성분 또는 (A) 성분 이외의 임의의 오가노폴리실록산 100 질량부에 대해 0.01~20 질량부의 범위 내인 것이 바람직하고, 특히 0.1~10 질량부의 범위 내인 것이 바람직하다. 이는, 이 촉매가 필수인 경우, 이 촉매의 함유량이 상기 범위의 하한 미만이면, 얻어지는 조성물이 충분히 가교하지 않게 되기 때문이며, 한편 상기 범위의 상한을 초과하면, 얻어지는 조성물의 저장 안정성이 저하되기 때문이다.
또한, 본 조성물이 유기 과산화물에 의한 프리 라디칼 반응에 의해 가교하는 경우에는, (C) 성분은 유기 과산화물이다. 이 유기 과산화물로서는, 예를 들어 벤조일 퍼옥사이드, 디큐밀 퍼옥사이드, 2,5-디메틸 비스(2,5-tert-부틸 퍼옥시)헥산, 디-tert-부틸 퍼옥사이드, tert-부틸 퍼벤조에이트를 들 수 있다.
이 유기 과산화물의 함유량은 본 조성물을 가교시키기에 충분한 양이며, 구체적으로는 상기 (A) 성분 혹은 (A) 성분 이외의 임의의 오가노폴리실록산 100 질량부에 대해 0.1~5 질량부의 범위 내가 되는 양인 것이 바람직하다.
또한, 본 조성물에는 본 발명의 목적을 해치지 않는 한, 그 외 임의의 성분으로서, 예를 들어 흄드 실리카, 침강성 실리카, 흄드 산화티탄 등의 충전제, 이 충전제의 표면을 유기 규소 화합물에 의해 소수화 처리한 충전제; 그 외, 안료, 염료, 형광 염료, 내열 첨가제, 트리아졸계 화합물 이외의 난연성 부여제, 가소제, 접착 부여제를 함유할 수도 있다.
이러한 본 조성물이 가교성인 경우, 그의 가교 방법은 한정되지 않으며, 예를 들어 본 조성물을 성형 후, 실온에서 방치하는 방법, 본 조성물을 성형 후, 50~200℃로 가열하는 방법을 들 수 있다. 또한, 이와 같이 하여 얻어지는 가교물의 성상은 한정되지 않으나, 예를 들어, 증점한 그리스상, 혹은 경화한, 겔상, 저경도의 고무상, 혹은 고경도의 고무상을 들 수 있으며, 방열 재료로서 부재에 충분히 밀착시킬 수 있다.
실시예
본 발명의 오가노폴리실록산, 이의 제조 방법 및 열전도성 실리콘 조성물을 실시예, 비교예에 의해 상세히 설명한다. 아울러, 실시예 중의 특성은 25℃에서의 값이다.
[실시예 1]
1L-플라스크에 질소 기류하, 1,1,3,3,5,5-헥사메틸사이클로트리실록산 211 g(950.5 밀리몰)과 톨루엔 165 g을 혼합하고, 이를 1시간 공비 탈수했다. 탈수 후, 30℃까지 냉각하고, 이것에 n-부틸리튬의 1.6N-헥산 용액 5.5 밀리리터(n-부틸리튬=8.8 밀리몰)를 투입하여 30℃에서 10분간 교반했다. 이어서, 이 혼합물에 트리메틸클로로실란 0.88 g(8.12 밀리몰)을 투입하고, 30℃에서 30분간 교반한 후, 비닐 디메틸 실라놀 11.0 g(107.6 밀리몰), 디메틸포름아미드 16.9 g 및 아세토니트릴 52.7 g의 혼합물을 투입하고, 비평형 중합 반응을 개시했다. 비평형 중합 반응 개시 6.5시간 경과 후, 반응 혼합물에 아세트산 1.37 g(22.74 밀리몰)을 투입하고, 비평형 중합 반응을 정지시켜, 중간체인 분자쇄 편말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄, 다른 분자쇄 편말단 하이드록시디메틸실록시기 봉쇄의 디메틸폴리실록산을 얻었다. 이 때의 1,1,3,3,5,5-헥사메틸사이클로트리실록산의 전화율(轉化率)은 95%였다. 그 다음, 얻어진 중간체로부터 저비점물을 95℃에서 가열 감압 증류 제거했다.
이어서, 저비점물을 감압 증류 제거한 중간체에 비닐트리메톡시실란 170.5 g(1150.2 밀리몰)과 아세트산 0.53 그램(8.83 밀리몰)을 투입하여, 130℃에서 4시간 교반하고, 또한, 150℃에서 저비점물을 감압 증류 제거했다. 냉각 후, 비평형 중합 반응 정지 시에 생성된 염을 여별(濾別)함으로써, 디메틸폴리실록산 212 g을 얻었다.
이 디메틸폴리실록산을 29Si-NMR에 의해 분석한 바, 평균식:
[화 16]
Figure pct00016
으로 표시되는 디메틸폴리실록산과 평균식:
[화 17]
Figure pct00017
으로 표시되는 디메틸폴리실록산의 질량비 92:8의 혼합물(비닐기의 함유량: 2.6 질량%)인 것을 알 수 있었다.
[실시예 2]
실시예 1에 있어서, 비닐 디메틸 실라놀을 3.39 g(33.16 밀리몰)으로 하고, 저비점물을 감압 증류 제거한 중간체에 투입하는 비닐트리메톡시실란을 53.2 g(358.9 밀리몰) 및 아세트산을 0.28 g(4.66 밀리몰)으로 한 이외는 실시예 1과 동일하게 하여, 디메틸폴리실록산 191 g을 얻었다.
이 디메틸폴리실록산을 29Si-NMR에 의해 분석한 바, 평균식:
[화 18]
Figure pct00018
으로 표시되는 디메틸폴리실록산과 평균식:
[화 19]
Figure pct00019
으로 표시되는 디메틸폴리실록산의 질량비 81:19의 혼합물(비닐기의 함유량: 0.91 질량%)인 것을 알 수 있었다.
[실시예 3]
1L-플라스크에 질소 기류하, 1,1,3,3,5,5-헥사메틸사이클로트리실록산 221 g(995.5 밀리몰)과 톨루엔 173 g을 혼합하고, 이를 1시간 공비 탈수했다. 탈수 후, 30℃까지 냉각하고, 이것에 n-부틸리튬의 1.6N-헥산 용액 12.0 밀리리터(n-부틸리튬=19.2 밀리몰)를 투입하여, 30℃에서 1시간 교반했다. 이어서, 이 혼합물에 무수 아세트산 0.92 g(9.01 밀리몰)을 투입하고, 100℃에서 30분간 교반한 후, 30℃까지 냉각했다. 이 혼합액에 30℃에서 비닐 디메틸 실라놀 1.87 g(18.29 밀리몰), 디메틸포름아미드 18.1 g 및 아세토니트릴 55.1 g의 혼합물을 투입하고, 비평형 중합 반응을 개시했다. 비평형 중합 반응 개시 1.7시간 경과 후의 반응 혼합물에 아세트산 1.47 g(24.48 밀리몰)을 투입하고, 비평형 중합 반응을 정지시켜, 중간체인 분자쇄 편말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄, 다른 분자쇄 편말단 하이드록시디메틸실록시기 봉쇄, 디메틸폴리실록산을 얻었다. 이 때의 1,1,3,3,5,5-헥사메틸사이클로트리실록산의 전화율은 98%였다. 그 다음, 얻어진 중간체로부터 저비점물을 95℃에서 가열 감압 증류 제거했다.
계속해서, 저비점물을 감압 증류 제거한 중간체에 비닐트리메톡시실란 30.1 g(203.1 밀리몰)과 아세트산 0.18 g(3.00 밀리몰)을 투입하고, 130℃에서 4시간 교반했다. 또한, 150℃에서 저비점물을 감압 증류 제거했다. 냉각 후, 비평형 중합 반응 정지 시에 생성된 염을 여별함으로써, 메틸폴리실록산 205 g을 얻었다.
이 디메틸폴리실록산을 29Si-NMR에 의해 분석한 바, 평균식:
[화 20]
Figure pct00020
으로 표시되는 디메틸폴리실록산과 평균식:
[화 21]
Figure pct00021
으로 표시되는 디메틸폴리실록산의 질량비 78:22의 혼합물(비닐기의 함유량=0.49 질량%)인 것을 알 수 있었다.
[실시예 4]
실시예 3에 있어서, 비닐 디메틸 실라놀을 0.84 g(8.22 밀리몰)으로 하고, 저비점물을 감압 증류 제거한 중간체에 투입하는 비닐트리메톡시실란을 16.8 g(113.3 밀리몰) 및 아세트산을 0.20 g(3.33 밀리몰)으로 한 이외는 실시예 3과 동일하게 하여, 디메틸폴리실록산 197 g을 얻었다.
이 디메틸폴리실록산을 29Si-NMR에 의해 분석한 바, 평균식:
[화 22]
Figure pct00022
으로 표시되는 디메틸폴리실록산과 평균식:
[화 23]
Figure pct00023
으로 표시되는 디메틸폴리실록산의 질량비 65:35의 혼합물(비닐기의 함유량=0.24 질량%)인 것을 알 수 있었다.
[실시예 5~8, 비교예 1~2]
하기 성분을 이용하여, 표 1 및 표 2에 기재된 조성으로 열전도성 실리콘 조성물을 조제했다. 아울러, 열전도성 실리콘 조성물에 있어서, 가교제의 함유량은 (A) 성분 중의 비닐기 1몰에 대해, 가교제 중의 규소 원자 결합 수소 원자가 약 1.4몰이 되는 양으로 했다.
(A) 성분으로서 다음 성분을 사용했다.
(A-1): 실시예 1에서 조제한 디메틸폴리실록산
(A-2): 실시예 2에서 조제한 디메틸폴리실록산
(A-3): 실시예 3에서 조제한 디메틸폴리실록산
(A-4): 실시예 4에서 조제한 디메틸폴리실록산
(A-5): 평균식:
[화 24]
Figure pct00024
으로 표시되는 디메틸폴리실록산(비닐기의 함유량=0.95 질량%)
(A-6): 평균식:
[화 25]
Figure pct00025
으로 표시되는 디메틸폴리실록산(비닐기의 함유량=0.23 질량%)
(B) 성분으로서 다음 성분을 사용했다.
(B-1): 평균 입자 지름(d50)이 34.5 μm인 알루미나 분말(덴카 가부시키가이샤(Denka Company Limited) 제품 상품명: DAW-45)
(B-2): 평균 입자 지름(d50) 2 μm인 알루미나 분말(쇼와덴코 가부시키사이샤(Showa Denko K.K.) 제품 상품명: CB-P02)
(B-3): 평균 입자 지름(d50) 0.3 μm인 알루미나 분말(덴카 가부시키가이샤 제품 상품명: ASFP-02)
가교제로서 다음 성분을 이용했다.
(C-1): 분자쇄 양말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸하이드로겐실록산 공중합체(규소 원자 결합 수소 원자의 함유량=약 0.76 질량%)
(C-2): 분자쇄 양말단 디메틸하이드로겐실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산(규소 원자 결합 수소 원자의 함유량=약 0.015 질량%)
가교 반응의 촉매로서 다음 성분을 이용했다.
(D-1): 백금-1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체의 점도 400 mPa·s의 분자쇄 양말단 비닐디메틸실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산 용액(백금 함유량=약 0.6 질량%)
가교 반응의 억제제로서 다음 성분을 이용했다.
(E-1): 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐-사이클로테트라실록산
[열전도성 실리콘 조성물 및 그 경화물의 물성 평가]
레오미터 MCR102(안톤 파사(Anton Paar GmbH) 제품)를 사용하여, 열전도성 실리콘 조성물의 점도를 25℃에서 측정했다. 측정은 20 mm 플레이트를 사용하여, 전단 속도 5/s로 30초간 회전 후, 10분간 방치하고 0.01/s~전단 속도를 소인(掃引)하여 수행했다. 표 1에는 전단 속도 0.075/s 시의 점도를 나타냈다.
또한, 열전도성 실리콘 조성물을 150℃, 60분간의 가열에 의해 경화시시켜, 폭 약 10 mm, 길이 약 50 mm 및 두께 약 2 mm의 실리콘 경화물을 제작했다. 레오미터 MCR302(안톤 파사 제품)를 이용하여, 이 실리콘 경화물의 비틀림 변형에 의한 모듈러스를 23℃에서 측정했다. 측정은 0.01 ㎐~주파수를 소인하여 수행했다. 표 1에는 1 ㎐에서의 저장 탄성률과 손실 정접를 나타냈다.
[열저항 측정]
열저항 측정 장치(가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼(Hitachi, Ltd.) 제품)를 이용하여, 50 N의 하중하에서 측정을 수행했다. 두께 약 1 mm, 사방 1 cm의 실리콘 경화물에 실리콘 그리스(신에츠카가쿠코교 가부시키가이샤(Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 제품, G-750)를 적당량 도포하고, 가열축과 냉각축의 사이에 끼워 넣고 샘플이 설정 온도(50℃±1℃)에 도달한 후, 측정을 개시했다. 얻어진 열저항값으로부터, 미리 측정해 둔 실리콘 그리스의 열저항값을 빼 샘플의 열저항값(℃/W)으로 했다. 측정은 각 샘플에서 3회 수행하였으며, 그의 평균값을 표 1에 나타냈다.
Figure pct00026
Figure pct00027
표 1 및 표 2의 결과로부터, 실시예 5~8에서 성분(A-1)~(A-4)를 이용함으로써, 성분 (B-1)~(B-3)을 95 질량% 함유해도 페이스트상을 유지할 수 있으며, 가열 경화함으로써 경화물을 얻을 수 있었다. 이 결과로부터, 성분 (A-1)~(A-4)는 점도를 낮추는 효과와 가교 구조의 일부로서 설계대로 넣어져 있는 것으로 생각된다.
산업상 이용 가능성
본 발명의 오가노폴리실록산은 신규한 화합물이며, 무기질 분말의 표면 처리제, 특히는 열전도성 분말의 표면 처리제로서 이용할 수 있다. 또한, 본 발명의 실리콘 조성물은 이러한 오가노폴리실록산을 열전도성 충전제의 표면 처리제 혹은 주제로 하고 있기 때문에, 고열전도성의 실리콘 조성물을 얻기 위해 열전도성 충전제를 다량으로 함유해도 취급 작업성이 양호하기 때문에, 전기·전자 부품의 방열제로서 이용할 수 있다.

Claims (11)

  1. 일반식:
    [화 26]
    Figure pct00028

    (식 중, R1은 동일하거나 또는 상이한 탄소수 2~12의 지방족 불포화 1가 탄화수소기이고, R2는 동일하거나 또는 상이하며, 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 탄소수 1~12의 1가 탄화수소기이고, R3은 동일하거나 또는 상이한 탄소수 1~3의 알킬기이고, n은 1~500의 정수이고, a는 0 또는 1이다)
    으로 표시되는 오가노폴리실록산.
  2. 제1항에 있어서, 무기질 분말의 표면 처리제인, 오가노폴리실록산.
  3. 제2항에 있어서, 무기질 분말이 열전도성 분말인, 오가노폴리실록산.
  4. 일반식:
    [화 27]
    Figure pct00029

    (식 중, R1은 탄소수 2~12의 지방족 불포화 1가 탄화수소기이고, R2는 동일하거나 또는 상이하며, 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 탄소수 1~12의 1가 탄화수소기이고, R3은 탄소수 1~3의 알킬기이고, n은 1~500의 정수이다)
    으로 표시되는 오가노폴리실록산과, 일반식:
    R1R2 aSi(OR3)(3-a)
    (식 중, R1은 상기와 동일하거나 또는 상이한 탄소수 2~12의 지방족 불포화 1가 탄화수소기이고, R2는 상기와 동일하거나 또는 상이한 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 탄소수 1~12의 1가 탄화수소기이고, R3은 동일하거나 또는 상이한 탄소수 1~3의 알킬기이고, a는 0 또는 1이다)
    으로 표시되는 알콕시실란을 탈알코올 축합 반응하는 것을 특징으로 하는, 제1항에 기재한 오가노폴리실록산의 제조 방법.
  5. (A) 일반식:
    [화 28]
    Figure pct00030

    (식 중, R1은 동일하거나 또는 상이한 탄소수 2~12의 지방족 불포화 1가 탄화수소기이고, R2는 동일하거나 또는 상이하며, 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 탄소수 1~12의 1가 탄화수소기이고, R3은 동일하거나 또는 상이한 탄소수 1~3의 알킬기이고, n은 1~500의 정수이고, a는 0 또는 1이다)
    으로 표시되는 오가노폴리실록산, 및
    (B) 열전도성 충전제
    로 적어도 이루어지는 열전도성 실리콘 조성물.
  6. 제5항에 있어서, (B) 성분의 평균 입경이 0.01~100 μm인, 열전도성 실리콘 조성물.
  7. 제5항에 있어서, (B) 성분이 알루미나 분말인, 열전도성 실리콘 조성물.
  8. 제7항에 있어서, (B) 성분이 (B1) 평균 입경이 5~50 μm(단, 5 μm를 포함하지 않는다)인 구상 혹은 둥근 형상 알루미나 분말과 (B2) 평균 입경이 0.1~5 μm인 구상 혹은 부정 형상의 알루미나 분말의 혼합물로 이루어지는, 열전도성 실리콘 조성물.
  9. 제8항에 있어서, (B) 성분이 (B1) 성분 30~90 질량%와 (B2) 성분 10~70 질량%로 이루어지는, 열전도성 실리콘 조성물.
  10. 제5항에 있어서, (B) 성분의 함유량이 (A) 성분 100 질량부에 대해 500~3,000 질량부인, 열전도성 실리콘 조성물.
  11. 제5항에 있어서, 추가로 (C) 가교제를 함유하는, 열전도성 실리콘 조성물.
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