KR20220075341A - 점착 시트 및 점착 시트의 제조 방법 - Google Patents

점착 시트 및 점착 시트의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20220075341A
KR20220075341A KR1020227011032A KR20227011032A KR20220075341A KR 20220075341 A KR20220075341 A KR 20220075341A KR 1020227011032 A KR1020227011032 A KR 1020227011032A KR 20227011032 A KR20227011032 A KR 20227011032A KR 20220075341 A KR20220075341 A KR 20220075341A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive sheet
pressure
sensitive adhesive
test piece
semiconductor chip
Prior art date
Application number
KR1020227011032A
Other languages
English (en)
Inventor
겐 다카노
Original Assignee
린텍 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 린텍 가부시키가이샤 filed Critical 린텍 가부시키가이샤
Publication of KR20220075341A publication Critical patent/KR20220075341A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/25—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/06—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation
    • B05D3/061—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation using U.V.
    • B05D3/065—After-treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D5/00—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
    • B05D5/10—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain an adhesive surface
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09J133/062—Copolymers with monomers not covered by C09J133/06
    • C09J133/066—Copolymers with monomers not covered by C09J133/06 containing -OH groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J4/00—Adhesives based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; adhesives, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09J183/00 - C09J183/16
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C09J7/381—Pressure-sensitive adhesives [PSA] based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/385—Acrylic polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D2252/00—Sheets
    • B05D2252/02—Sheets of indefinite length
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/12—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers
    • C09J2301/122—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers the adhesive layer being present only on one side of the carrier, e.g. single-sided adhesive tape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/302—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive being pressure-sensitive, i.e. tacky at temperatures inferior to 30°C
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)

Abstract

기재 (10) 와 점착제층 (20) 을 갖는 점착 시트 (1A) 로서, 에너지선 경화성 수지를 함유하는 점착제층 (20) 의 폭 방향 양단부에 있어서의 에너지선 경화성 수지가 경화된 경화부 (22) 와, 미경화부 (21) 를 갖고, 미경화부 (21) 에 대응하는 영역으로부터 폭 25 ㎜ 의 제 1 시험편을 제작하고, 제 1 시험편의 길이 방향의 양단을 파지구로 파지하여 인장 시험기에 의한 0.5 ㎜ 인장시의 인장 강도 FA1 과, 세로 치수가 45 ㎜, 가로 치수가 35 ㎜, 두께 치수가 0.625 ㎜ 인 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩 중, 제 1 시험편의 길이 방향의 일단측에 제 1 반도체 칩을 첩착하고, 당해 길이 방향의 타단측에 제 2 반도체 칩을 첩착하여 제 2 시험편을 제작하고, 제 2 시험편의 길이 방향의 양단을 파지구로 파지하여 인장 시험기에 의한 0.5 ㎜ 인장시의 인장 강도 FB1 이, 수학식 (수학식 1A) 의 관계를 만족하는, 점착 시트 (1A).
FB1/FA1 ≤ 30 … (수학식 1A)

Description

점착 시트 및 점착 시트의 제조 방법
본 발명은, 점착 시트 및 점착 시트의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 전자 기기의 소형화, 경량화, 및 고기능화가 진행되고 있다. 전자 기기에 탑재되는 반도체 장치에도, 소형화, 박형화, 및 고밀도화가 요구되고 있다. 반도체 칩은, 그 사이즈에 가까운 패키지에 실장되는 경우가 있다. 이와 같은 패키지는, 칩 스케일 패키지 (Chip Scale Package ; CSP) 라고 불리는 경우도 있다. CSP 의 하나로서, 웨이퍼 레벨 패키지 (Wafer Level Package ; WLP) 를 들 수 있다. WLP 에 있어서는, 다이싱에 의해 개편화 (個片化) 하기 전에, 웨이퍼에 외부 전극 등을 형성하고, 최종적으로는 웨이퍼를 다이싱하여, 개편화한다. WLP 로는, 팬 인 (Fan-In) 형과 팬 아웃 (Fan-Out) 형을 들 수 있다. 팬 아웃형의 WLP (이하,「FO-WLP」로 약기하는 경우가 있다) 에 있어서는, 반도체 칩을, 칩 사이즈보다 큰 영역이 되도록 봉지 부재로 덮어 반도체 칩 봉지체를 형성하고, 재배선층이나 외부 전극을, 반도체 칩의 회로면 뿐만 아니라 봉지 부재의 표면 영역에 있어서도 형성한다.
예를 들어, 특허문헌 1 에는, 반도체 웨이퍼로부터 개편화된 복수의 반도체 칩에 대해, 그 회로 형성면을 남기고, 몰드 부재를 사용하여 주위를 둘러싸 확장 웨이퍼를 형성하고, 반도체 칩 외의 영역에 재배선 패턴을 연장시켜 형성하는 반도체 패키지의 제조 방법이 기재되어 있다. 특허문헌 1 에 기재된 제조 방법에 있어서, 개편화된 복수의 반도체 칩을 몰드 부재로 둘러싸기 전에, 익스팬드용의 웨이퍼 마운트 테이프로 바꾸어 붙이고, 웨이퍼 마운트 테이프를 전연 (展延) 하여 복수의 반도체 칩 사이의 거리를 확대시키고 있다.
국제 공개 제2010/058646호
익스팬드 공정에 있어서는, 복수의 반도체 칩이 첩착 (貼着) 되어 있는 테이프 또는 시트를 전연시켜, 반도체 칩끼리의 간격을 확대시킨다. 시트를 잡아당겨 전연시킬 때에, 시트면 내에서 신장량이 상이하면, 반도체 칩끼리의 간격도 균등하게 확대시키기 어렵다.
또한, 점착 시트의 점착제층에 함유되는 점착제가 시트 폭 방향의 단부로부터 스며나오는 문제가 발생하는 경우도 있다.
본 발명의 목적은, 익스팬드 공정에서 점착 시트를 전연시켜 반도체 칩 사이의 거리를 확장시킬 때에, 점착 시트의 면내 방향에서의 신장량의 차를 작게 할 수 있어, 확장성이 우수한 점착 시트를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 점착제의 삼출 (渗出) 을 억제하고, 또한 익스팬드 공정에서 점착 시트를 전연시켜 반도체 칩 사이의 거리를 확장시킬 때에, 점착 시트의 면내 방향에서의 신장량의 차를 작게 할 수 있어, 확장성이 우수한 점착 시트 및 당해 점착 시트의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 양태에 관련된 점착 시트는, 기재와, 점착제층을 갖고,
상기 점착 시트로부터 폭 25 ㎜ 의 제 1 시험편을 제작하고, 상기 제 1 시험편의 길이 방향의 각각의 양단에 있어서의 상기 기재 및 상기 점착제층을 파지구로 파지하여 인장 시험기에 의한 0.5 ㎜ 인장시의 인장 강도 FA1 과,
세로 치수가 45 ㎜ 이고, 가로 치수가 35 ㎜ 이며, 두께 치수가 0.625 ㎜ 인 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩을 상기 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩의 세로 치수가 45 ㎜ 인 변을, 상기 제 1 시험편의 길이 방향을 따르게 하고, 상기 제 1 반도체 칩과 상기 제 2 반도체 칩의 간격을 35 ㎛ 로 하여, 상기 제 1 시험편의 길이 방향의 일단측의 점착제층에 상기 제 1 반도체 칩을 첩착하고, 상기 제 1 시험편의 길이 방향의 타단측의 점착제층에 상기 제 2 반도체 칩을 첩착하여 제 2 시험편을 제작하고, 상기 제 2 시험편의 길이 방향의 각각의 양단에 있어서의 상기 기재, 상기 점착제층 및 상기 반도체 칩을 파지구로 파지하여 인장 시험기에 의한 0.5 ㎜ 인장시의 인장 강도 FB1 이, 하기 수학식 (수학식 1A) 의 관계를 만족한다.
　　FB1/FA1 ≤ 30 … (수학식 1A)
본 발명의 일 양태에 관련된 점착 시트는, 기재와, 점착제층을 갖고,
상기 점착제층은, 에너지선 경화성 수지를 함유하고,
상기 점착제층은, 상기 점착제층의 폭 방향 양단부에 있어서의 상기 에너지선 경화성 수지가 경화된 경화부와, 상기 에너지선 경화성 수지가 경화되어 있지 않은 미경화부를 갖고,
상기 미경화부에 대응하는 영역의 상기 점착 시트로부터 폭 25 ㎜ 의 제 1 시험편을 제작하고, 상기 제 1 시험편의 길이 방향의 각각의 양단에 있어서의 상기 기재 및 상기 점착제층의 상기 미경화부를 파지구로 파지하여 인장 시험기에 의한 0.5 ㎜ 인장시의 인장 강도 FA1 과,
세로 치수가 45 ㎜ 이고, 가로 치수가 35 ㎜ 이며, 두께 치수가 0.625 ㎜ 인 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩을 상기 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩의 세로 치수가 45 ㎜ 인 변을, 상기 제 1 시험편의 길이 방향을 따르게 하고, 상기 제 1 반도체 칩과 상기 제 2 반도체 칩의 간격을 35 ㎛ 로 하여, 상기 제 1 시험편의 길이 방향의 일단측의 상기 미경화부의 점착제층에 상기 제 1 반도체 칩을 첩착하고, 상기 제 1 시험편의 길이 방향의 타단측의 상기 미경화부의 점착제층에 상기 제 2 반도체 칩을 첩착하여 제 2 시험편을 제작하고, 상기 제 2 시험편의 길이 방향의 각각의 양단에 있어서의 상기 기재, 상기 미경화부의 점착제층 및 상기 반도체 칩을 파지구로 파지하여 인장 시험기에 의한 0.5 ㎜ 인장시의 인장 강도 FB1 이, 하기 수학식 (수학식 1A) 의 관계를 만족한다.
　　FB1/FA1 ≤ 30 … (수학식 1A)
본 발명의 일 양태에 관련된 점착 시트에 있어서, 상기 에너지선 경화성 수지가 경화된 경화부를 포함하도록, 상기 점착 시트의 장척 (長尺) 방향을 따라 길이 150 ㎜, 폭 25 ㎜ 의 사이즈로 잘라낸 제 3 시험편을 제작하고, 당해 제 3 시험편을 척간 거리를 100 ㎜ 로 하여 한 쌍의 척으로 파지하고, 속도 5 ㎜/sec 으로, 척간 거리가 200 ㎜ 가 될 때까지 신장시켰을 때, 상기 경화부와 상기 기재의 계면에 들뜸이 발생하지 않는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 양태에 관련된 점착 시트에 있어서,
상기 점착 시트를, 제 1 방향, 상기 제 1 방향과는 반대 방향인 제 2 방향, 상기 제 1 방향에 대하여 수직 방향인 제 3 방향, 및 상기 제 3 방향과는 반대 방향인 제 4 방향으로 신장시켜, 신장 전의 상기 점착 시트의 면적 S1 과, 신장 후의 상기 점착 시트의 면적 S2 의 면적비 (S2/S1) × 100 이 381 ％ 일 때에, 상기 점착제층의 상기 경화부가 상기 기재와의 계면에서 박리되지 않는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 양태에 관련된 점착 시트에 있어서, 상기 인장 강도 FA1 과, 상기 인장 강도 FB1 이, 하기 수학식 (수학식 1B) 의 관계를 만족하는 것이 바람직하다.
　　1 ≤ FB1/FA1 ≤ 30 … (수학식 1B)
본 발명의 일 양태에 관련된 점착 시트에 있어서, 상기 제 1 시험편의 영률 YA1 과, 상기 제 2 시험편의 영률 YB1 이, 하기 수학식 (수학식 2A) 의 관계를 만족하는 것이 바람직하다.
　　YB1/YA1 ≤ 19 … (수학식 2A)
본 발명의 일 양태에 관련된 점착 시트에 있어서, 상기 점착제층은, 크릴계 점착제를 함유하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 양태에 관련된 점착 시트에 있어서, 상기 기재는, 우레탄계 엘라스토머를 함유하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 양태에 관련된 점착 시트는, 반도체 장치의 제조 공정 중, 복수의 반도체 칩끼리의 간격을 확장하기 위한 익스팬드 공정에서 사용되는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 양태에 관련된 점착 시트는, 장척상이며, 롤상으로 권취되어 있는, 점착 시트.
본 발명의 일 양태에 관련된 점착 시트의 제조 방법은,
기재 위에, 에너지선 경화성 수지를 함유하는 점착제 조성물을 도포하여, 점착제층을 형성하는 공정과,
상기 점착제층의 폭 방향의 양단부에 에너지선을 조사하여, 상기 에너지선 경화성 수지를 경화시켜 경화부를 형성하는 공정과,
상기 에너지선 경화성 수지를 경화시키지 않은 미경화부의 폭 방향 양단부보다 외측에 상기 경화부의 전부를 남기거나, 또는 상기 경화부의 일부를 남기고, 상기 경화부보다 외측을 재단하는 공정을 갖는다.
본 발명의 일 양태에 관련된 점착 시트의 제조 방법에 있어서,
상기 미경화부의 폭 방향 양단부보다 외측에 남기는 상기 경화부의 폭은, 각각 독립적으로 0.5 ㎜ 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 일 양태에 관련된 점착 시트의 제조 방법에 있어서,
상기 경화부보다 외측을 재단하는 공정 후에, 재단 후의 점착 시트를 롤상으로 권취하는 공정을 추가로 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 익스팬드 공정에서 점착 시트를 전연시켜 반도체 칩 사이의 거리를 확장시킬 때에, 점착 시트의 면내 방향에서의 신장량의 차를 작게 할 수 있어, 확장성이 우수한 점착 시트를 제공할 수 있다.
본 발명의 다른 일 양태에 의하면, 점착제의 삼출을 억제하고, 또한 익스팬드 공정에서 점착 시트를 전연시켜 반도체 칩 사이의 거리를 확장시킬 때에, 점착 시트의 면내 방향에서의 신장량의 차를 작게 할 수 있어, 확장성이 우수한 점착 시트 및 당해 점착 시트의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1 은, 실시형태에 관련된 점착 시트의 단면 개략도이다.
도 2 는, 제 1 시험편을 인장 시험기의 파지구로 파지한 상태를 나타내는 개략도이다.
도 3 은, 제 2 시험편을 인장 시험기의 파지구로 파지한 상태를 나타내는 개략도이다.
도 4 는, 다른 실시형태에 관련된 점착 시트의 단면 개략도이다.
도 5 는, 다른 실시형태에 관련된 점착 시트가 롤상으로 권취된 상태를 나타내는 사시도이다.
도 6A 는, 다른 실시형태에 관련된 점착 시트의 제조 방법을 나타내는 단면 개략도이다.
도 6B 는, 다른 실시형태에 관련된 점착 시트의 제조 방법을 나타내는 단면 개략도이다.
도 6C 는, 다른 실시형태에 관련된 점착 시트의 제조 방법을 나타내는 단면 개략도이다.
도 7 은, 실시예에서 사용한 2 축 연신 익스팬드 장치를 설명하는 평면도이다.
이하, 본 발명의 일 실시형태에 대해서 설명한다.
〔제 1 실시형태〕
[점착 시트]
본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 기재와, 점착제층을 갖는다. 점착 시트의 형상은, 예를 들어, 테이프상 (장척 형태), 및 라벨상 (매엽 (枚葉) 형태) 등, 일체의 형상을 취할 수 있다.
도 1 은, 본 실시형태에 관련된 점착 시트의 일례의 단면 개략도이다. 도 1 에는, 기재 (10) 및 점착제층 (20) 을 갖는 점착 시트 (1) 가 기재되어 있다.
본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 당해 점착 시트로부터 제작한 제 1 시험편 및 제 2 시험편을 인장 시험기로 측정한 인장 강도의 비가 소정의 범위를 만족한다.
(제 1 시험편)
제 1 시험편은, 본 실시형태에 관련된 점착 시트로 제작된다. 제 1 시험편의 폭은, 25 ㎜ 이다.
도 2 는, 제 1 시험편의 일단측에 있어서의 기재 (10) 및 점착제층 (20) 을 인장 시험기의 제 1 파지구 (110) 로 파지하고, 제 1 시험편의 타단측에 잇어서의 기재 (10) 및 점착제층 (20) 을 인장 시험기의 제 2 파지구 (120) 로 파지한 상태를 나타내는 개략도이다.
(제 2 시험편)
제 2 시험편은, 본 실시형태에 관련된 점착 시트로 제작된 제 1 시험편에 2 개의 반도체 칩을 첩착함으로써 제작된다. 본 실시형태에 있어서는, 이 2 개의 반도체 칩은, 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩이다. 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩은 모두, 세로 치수가 45 ㎜ 이고, 가로 치수가 35 ㎜ 이며, 두께 치수가 0.625 ㎜ 이다.
제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩의 세로 치수가 45 ㎜ 인 변을, 제 1 시험편의 길이 방향을 따르게 하여 점착한다.
제 1 반도체 칩은, 제 1 시험편의 길이 방향의 일단측에 접착된다. 제 2 반도체 칩은, 제 1 시험편의 길이 방향의 타단측에 접착된다. 제 1 시험편에 첩착된 제 1 반도체 칩과 제 2 반도체 칩의 간격을 35 ㎛ 로 한다.
도 3 은, 제 2 시험편의 일단측에 있어서의 기재 (10), 점착제층 (20) 및 제 1 반도체 칩 (CP1) 을 인장 시험기의 제 1 파지구 (110) 로 파지하고, 제 2 시험편의 타단측에 있어서의 기재 (10), 점착제층 (20) 및 제 2 반도체 칩 (CP2) 을 인장 시험기의 제 2 파지구 (120) 로 파지한 상태를 나타내는 개략도이다.
(인장 강도)
본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 인장 시험기를 사용하여 측정한 제 1 시험편 및 제 2 시험편의 인장 강도가, 하기 수학식 (수학식 1A) 의 관계를 만족한다.
　　FB1/FA1 ≤ 30 … (수학식 1A)
상기 수학식 (수학식 1A) 에 있어서, 인장 강도 FA1 은, 제 1 시험편의 길이 방향의 각각의 양단에 있어서의 기재 및 점착제층을 파지구로 파지하여 인장 시험기에 의한 0.5 ㎜ 인장시의 강도이다.
상기 수학식 (수학식 1A) 에 있어서, 인장 강도 FB1 은, 제 2 시험편의 길이 방향의 각각의 양단에 있어서의 기재, 점착제층 및 반도체 칩을 파지구로 파지하여 인장 시험기에 의한 0.5 ㎜ 인장시의 강도이다.
본 발명자들은, 점착 시트의 반도체 칩이 첩착되어 있지 않은 부위와, 반도체 칩이 첩착되어 있는 부위에서, 익스팬드 (전연) 했을 때에, 점착 시트의 늘어나는 방식의 거동이 상이한 것을 알아내었다. 또한, 본 발명자들은, 종래의 점착 시트에 있어서는, 점착 시트의 반도체 칩이 첩착되어 있지 않은 부위의 인장 강도와, 반도체 칩이 첩착되어 있는 부위의 인장 강도가 크게 상이하여, 익스팬드 공정에서 점착 시트를 전연시켜 반도체 칩 사이의 거리를 확대시킬 때에, 점착 시트의 면내 방향에서의 신장량의 차가 큰 것도 알아내었다.
본 실시형태에 관련된 점착 시트에 의하면, FB1/FA1 이 30 이하로, 점착 시트의 반도체 칩이 첩착되어 있지 않은 부위의 인장 강도와, 반도체 칩이 첩착되어 있는 부위의 인장 강도의 비 FB1/FA1 이 작다. 그 때문에, 본 실시형태에 관련된 점착 시트에 의하면, 익스팬드 공정에서 점착 시트를 전연시켜서 반도체 칩 사이의 거리를 확장시킬 때, 점착 시트의 면내 방향에서의 신장량의 차가 작아져, 확장성이 우수하고, 반도체 칩 사이의 거리의 편차를 작게 할 수 있다.
또한, 인장 강도 FA1 및 FB1 을 측정할 때의 0.5 ㎜ 라는 인장량은, 익스팬드 공정에 있어서의 인장량의 하나의 기준이다. 그 때문에, 본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 0.5 ㎜ 보다 작은 인장량의 익스팬드 공정에서 사용해도 되고, 0.5 ㎜ 보다 큰 인장량의 익스팬드 공정에서 사용해도 된다.
본 실시형태에 관련된 점착 시트에 의하면, 0.5 ㎜ 인장시의 FB1/FA1 이 30 이하이므로, 0.5 ㎜ 보다 크게 연신시키는 익스팬드 공정에 본 실시형태에 관련된 점착 시트를 사용했을 때, 점착 시트의 반도체 칩이 첩착되어 있지 않은 부위와, 반도체 칩이 첩착되어 있는 부위의 인장 강도의 신장량의 차가 과도하게 커지는 것도 억제할 수 있다.
본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 인장 시험기를 사용하여 측정한 제 1 시험편의 인장 강도 FA1 및 제 2 시험편의 인장 강도 FB1 이, 하기 수학식 (수학식 1B) 의 관계를 만족하는 것이 바람직하다.
　　1 ≤ FB1/FA1 ≤ 30 … (수학식 1B)
본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 인장 시험기를 사용하여 측정한 제 1 시험편의 인장 강도 FA1 및 제 2 시험편의 인장 강도 FB1 이, 하기 수학식 (수학식 1C) 의 관계를 만족하는 것도 바람직하다.
　　FB1/FA1 ≤ 20 … (수학식 1C)
FB1/FA1 의 값을 상기 수학식 (수학식 1A), 수학식 (수학식 1B) 또는 수학식 (수학식 1C) 의 범위 내로 조정하는 방법으로는, 이하와 같은 방법을 들 수 있다. 예를 들어, 점착제층 (20) 에 사용하는 점착제 조성물의 조성을 변경하는 것, 점착제층의 두께를 변경하는 것, 기재의 재질을 변경하는 것, 및 기재의 두께를 변경하는 것 등의 하나 또는 둘 이상을 조합함으로써, FB1/FA1 의 값을 상기 수학식 (수학식 1A), 수학식 (수학식 1B) 또는 수학식 (수학식 1C) 의 범위 내로 조정할 수 있다.
(영률)
본 실시형태에 관련된 점착 시트에 있어서, 제 1 시험편의 영률 YA1 과, 제 2 시험편의 영률 YB1 이 하기 수학식 (수학식 2A) 의 관계를 만족하는 것이 바람직하다.
　　YB1/YA1 ≤ 19 … (수학식 2A)
상기 수학식 (수학식 2A) 의 관계를 만족함으로써, 점착 시트의 반도체 칩이 첩착되어 있지 않은 부위의 영률과, 반도체 칩이 첩착되어 있는 부위의 영률의 비 YB1/YA1 이 작다. 그 때문에, 익스팬드 공정에서 점착 시트를 전연시켜 반도체 칩 사이의 거리를 확장시킬 때에, 점착 시트의 면내 방향에서의 신장량의 차를 작게 하기 쉽다. 또한, 상기 수학식 (수학식 2A) 의 관계를 만족함으로써, 인장량이 0.5 ㎜ 보다 큰 익스팬드 공정에서 점착 시트를 사용해도, YB1/YA1 의 값이 과도하게 커지는 것을 억제할 수 있다.
점착 시트의 영률은, 후술하는 실시예에 기재된 측정 방법에 따라서 측정할 수 있다.
(기재)
상기 기재는, 제 1 기재면과, 제 1 기재면과는 반대측의 제 2 기재면을 갖는 것이 바람직하다. 예를 들면, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 점착 시트 (1) 의 기재 (10) 는, 제 1 기재면 (11) 과, 제 1 기재면 (11) 과는 반대측의 제 2 기재면 (12) 을 갖는다.
본 실시형태의 점착 시트에 있어서, 본 실시형태에 관련된 점착제층이, 제 1 기재면 및 제 2 기재면의 일방의 면에 형성되어 있는 것이 바람직하다.
기재의 재료는, 크게 연신시키기 쉽다는 관점에서, 열가소성 엘라스토머 또는 고무계 재료인 것이 바람직하고, 열가소성 엘라스토머인 것이 보다 바람직하다.
열가소성 엘라스토머로는, 우레탄계 엘라스토머, 올레핀계 엘라스토머, 염화비닐계 엘라스토머, 폴리에스테르계 엘라스토머, 스티렌계 엘라스토머, 아크릴계 엘라스토머, 및 아미드계 엘라스토머 등을 들 수 있다. 열가소성 엘라스토머는, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 열가소성 엘라스토머로는, 크게 연신시키기 쉽다는 관점에서, 우레탄계 엘라스토머를 사용하는 것이 바람직하다. 즉, 본 실시형태에 관련된 점착 시트에 있어서, 기재는, 우레탄계 엘라스토머를 함유하는 것이 바람직하다.
기재는, 상기와 같은 재료 (예를 들어, 열가소성 엘라스토머, 또는 고무계 재료) 로 이루어지는 필름이, 복수 적층된 적층 필름이어도 된다. 또, 기재는, 상기와 같은 재료 (예를 들어, 열가소성 엘라스토머, 또는 고무계 재료) 로 이루어지는 필름과, 그 밖의 필름이 적층된 적층 필름이어도 된다.
기재는, 상기의 수지계 재료를 주재료로 하는 필름 내에, 첨가제를 함유하고 있어도 된다.
첨가제로는, 예를 들어, 안료, 염료, 난연제, 가소제, 대전 방지제, 활제, 및 필러 등을 들 수 있다. 안료로는, 예를 들어, 이산화티탄 및 카본 블랙 등을 들 수 있다. 또, 필러로는, 멜라민 수지와 같은 유기계 재료, 흄드실리카와 같은 무기계 재료, 및 니켈 입자와 같은 금속계 재료가 예시된다. 이러한 첨가제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 기재가 원하는 기능을 발휘할 수 있는 범위에 두는 것이 바람직하다.
기재는, 제 1 기재면 및 제 2 기재면의 적어도 어느 하나에 적층되는 점착제층과의 밀착성을 향상시킬 목적으로, 원하는 바에 따라 편면 또는 양면에, 표면 처리, 또는 프라이머 처리가 실시되어 있어도 된다. 표면 처리로는, 산화법 및 요철화법 등을 들 수 있다. 프라이머 처리로는, 기재 표면에 프라이머층을 형성하는 방법을 들 수 있다. 산화법으로는, 예를 들어, 코로나 방전 처리, 플라즈마 방전 처리, 크롬 산화 처리 (습식), 화염 처리, 열풍 처리, 오존 처리, 및 자외선 조사 처리 등을 들 수 있다. 요철화법으로는, 예를 들어, 샌드 블라스트법 및 용사 처리법 등을 들 수 있다.
점착제층이 에너지선 경화성 점착제를 함유하는 경우, 기재는, 에너지선에 대한 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 에너지선으로서 자외선을 사용하는 경우에는, 기재는, 자외선에 대해서 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 에너지선으로서 전자선을 사용하는 경우에는, 기재는, 전자선의 투과성을 갖는 것이 바람직하다.
기재의 두께는, 점착 시트가 원하는 공정에 있어서 적절하게 기능할 수 있는 한, 한정되지 않는다. 기재의 두께는, 20 ㎛ 이상인 것이 바람직하고, 40 ㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또, 기재의 두께는, 250 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 200 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.
또, 기재의 제 1 기재면 또는 제 2 기재면의 면내 방향에 있어서 2 ㎝ 간격으로 복수 지점의 두께를 측정했을 때의, 기재의 두께의 표준 편차는, 2 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 1.5 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 1 ㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 당해 표준 편차가 2 ㎛ 이하임으로써, 점착 시트는 높은 정밀도의 두께를 가지고 있어, 점착 시트를 균일하게 연신하는 것이 가능해진다.
23 ℃ 에 있어서 기재의 MD 방향 및 CD 방향의 인장 탄성률이, 각각 10 ㎫ 이상, 350 ㎫ 이하이고, 23 ℃ 에 있어서 기재의 MD 방향 및 CD 방향의 100 ％ 응력이, 각각 3 ㎫ 이상, 20 ㎫ 이하인 것이 바람직하다.
인장 탄성률 및 100 ％ 응력이 상기 범위임으로써, 점착 시트를 크게 연신하는 것이 가능해진다.
기재의 100 ％ 응력은, 다음과 같이 하여 얻어지는 값이다. 100 ㎜ (길이 방향) × 15 ㎜ (폭 방향) 크기의 시험편을 기재로부터 잘라낸다. 잘라낸 시험편의 길이 방향의 양단을, 파지구 사이의 길이가 50 ㎜ 가 되도록 파지구로 잡는다. 파지구로 시험편을 잡은 후, 속도 200 ㎜/min 으로 길이 방향으로 잡아 당겨, 파지구 사이의 길이가 100 ㎜ 로 되었을 때의 인장력의 측정값을 판독한다. 기재의 100 ％ 응력은, 판독한 인장력의 측정값을, 기재의 단면적으로 나눗셈함으로써 얻어지는 값이다. 기재의 단면적은, 폭 방향 길이 15 ㎜ × 기재 (시험편) 의 두께에 의해 산출된다. 당해 잘라내기는, 기재의 제조시에 있어서의 흐름 방향 (MD 방향) 또는 MD 방향에 직교하는 방향 (CD 방향) 과, 시험편의 길이 방향이 일치하도록 실시한다. 또한, 이 인장 시험에 있어서, 시험편의 두께는 특별히 제한되지 않고, 시험 대상으로 하는 기재의 두께와 동일해도 된다.
23 ℃ 에 있어서 기재의 MD 방향 및 CD 방향의 파단 신도가, 각각 100 ％ 이상인 것이 바람직하다.
기재의 MD 방향 및 CD 방향의 파단 신도가 각각 100 ％ 이상임으로써, 파단이 일어나는 일 없이, 점착 시트를 크게 연신하는 것이 가능해진다.
기재의 인장 탄성률 (㎫) 및 기재의 파단 신도 (％) 는, 다음과 같이 하여 측정할 수 있다. 기재를 15 ㎜ × 140 ㎜ 로 재단하여 시험편을 얻는다. 당해 시험편에 대해, JIS K7161:2014 및 JIS K7127:1999 에 준거하여, 23 ℃ 에 있어서의 파단 신도 및 인장 탄성률을 측정한다. 구체적으로는, 상기 시험편을, 인장 시험기 (주식회사 시마즈 제작소 제조, 제품명「오토그래프 AG-IS 500N」) 로, 척간 거리 100 ㎜ 로 설정한 후, 200 ㎜/min 의 속도로 인장 시험을 실시하여, 파단 신도 (％) 및 인장 탄성률 (㎫) 을 측정한다. 또한, 측정은, 기재의 제조시의 흐름 방향 (MD) 및 이것에 직각인 방향 (CD) 의 쌍방에서 실시한다.
(점착제층)
본 실시형태에 관련된 점착 시트에 있어서, 점착제층은, 전술한 수학식 (수학식 1A) 의 관계를 만족하는 한, 특별히 한정되지 않는다. 전술한 수학식 (수학식 1A) 의 관계의 범위를 만족하도록, 점착제층을 구성하는 재료를, 예를 들면, 이하에 설명하는 재료 중에서 적절히 선택하여 배합할 수 있다.
예를 들어, 점착제층에 사용하는 점착제로는, 예를 들어, 고무계 점착제, 아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 폴리에스테르계 점착제 및 우레탄계 점착제를 들 수 있다.
본 실시형태에 관련된 점착 시트에 있어서, 점착제층은, 아크릴계 점착제를 함유하는 것이 바람직하다.
·에너지선 경화성 수지 (a1)
점착제층은, 에너지선 경화성 수지 (a1) 을 함유하는 것이 바람직하다. 에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 분자 내에, 에너지선 경화성의 이중 결합을 갖는다.
에너지선 경화성 수지를 함유하는 점착제층은, 에너지선 조사에 의해 경화되어 점착력이 저하된다. 피착체와 점착 시트를 분리하고자 하는 경우, 에너지선을 점착제층에 조사함으로써, 용이하게 분리할 수 있다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 은, (메트)아크릴계 수지인 것이 바람직하다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 자외선 경화성 수지인 것이 바람직하고, 자외선 경화성의 (메트)아크릴계 수지인 것이 보다 바람직하다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 에너지선의 조사를 받으면 중합 경화하는 수지이다. 에너지선으로는, 예를 들어, 자외선 및 전자선 등을 들 수 있다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 의 예로는, 에너지선 중합성기를 갖는 저분자량 화합물 (단관능의 모노머, 다관능의 모노머, 단관능의 올리고머, 및 다관능의 올리고머) 을 들 수 있다. 에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 구체적으로는, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노하이드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트 등의 아크릴레이트, 디시클로펜타디엔디메톡시디아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트 등의 고리형 지방족 골격 함유 아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 올리고 에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트 올리고머, 에폭시 변성 아크릴레이트, 폴리에테르아크릴레이트, 이타콘산 올리고머 등의 아크릴레이트계 화합물이 사용된다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 의 분자량은, 통상적으로 100 이상 30000 이하이고, 300 이상 10000 이하 정도인 것이 바람직하다.
·(메트)아크릴계 공중합체 (b1)
본 실시형태에 관련된 점착제층은, (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 을 추가로 함유하고 있는 것이 바람직하다. (메트)아크릴계 공중합체는, 전술한 에너지선 경화성 수지 (a1) 과는 상이하다.
(메트)아크릴계 공중합체 (b1) 은, 에너지선 경화성의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 것이 바람직하다. 즉, 본 실시형태에 있어서, 점착제층은, 에너지선 경화성 수지 (a1) 과, 에너지선 경화성의 (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 을 함유하는 것이 바람직하다.
본 실시형태에 관련된 점착제층은, (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 100 질량부에 대하여, 에너지선 경화성 수지 (a1) 를 10 질량부 이상의 비율로 함유하는 것이 바람직하고, 20 질량부 이상의 비율로 함유하는 것이 보다 바람직하고, 25 질량％ 이상의 비율로 함유하는 것이 더욱 바람직하다.
본 실시형태에 관련된 점착제층은, (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 100 질량부에 대하여, 에너지선 경화성 수지 (a1) 을 80 질량부 이하의 비율로 함유하는 것이 바람직하고, 70 질량부 이하의 비율로 함유하는 것이 보다 바람직하고, 60 질량부 이하의 비율로 함유하는 것이 더욱 바람직하다.
(메트)아크릴계 공중합체 (b1) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 1 만 이상인 것이 바람직하고, 15 만 이상인 것이 보다 바람직하고, 20 만 이상인 것이 더욱 바람직하다.
또, (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 150 만 이하인 것이 바람직하고, 100 만 이하인 것이 보다 바람직하다.
또한, 본 명세서에 있어서의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피법 (GPC 법) 에 의해 측정한 표준 폴리스티렌 환산의 값이다.
(메트)아크릴계 공중합체 (b1) 은, 측사슬에 에너지선 경화성을 갖는 관능기 (에너지선 경화성기) 가 도입된 (메트)아크릴산에스테르 중합체 (b2) (이하 「에너지선 경화성 중합체 (b2)」라고 하는 경우가 있다) 인 것이 바람직하다.
에너지선 경화성 중합체 (b2) 는, 관능기 함유 모노머 단위를 갖는 아크릴계 공중합체 (b21) 과, 그 관능기에 결합하는 관능기를 갖는 불포화기 함유 화합물 (b22) 를 반응시켜 얻어지는 공중합체인 것이 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서, (메트)아크릴산에스테르란, 아크릴산에스테르 및 메타크릴산에스테르의 양방을 의미한다. 다른 유사 용어도 동일하다.
아크릴계 공중합체 (b21) 은, 관능기 함유 모노머로부터 유도되는 구성 단위와, (메트)아크릴산에스테르 모노머, 또는 (메트)아크릴산에스테르 모노머의 유도체로부터 유도되는 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하다.
아크릴계 공중합체 (b21) 의 구성 단위로서의 관능기 함유 모노머는, 중합성의 이중 결합과 관능기를, 분자 내에 갖는 모노머인 것이 바람직하다. 관능기는, 하이드록시기, 카르복시기, 아미노기, 치환 아미노기, 및 에폭시기 등으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 것의 관능기인 것이 바람직하다.
하이드록시기 함유 모노머로는, 예를 들어, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 및 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 하이드록시기 함유 모노머는, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.
카르복시기 함유 모노머로는, 예를 들어, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 말레산, 이타콘산, 및 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 카르복실산을 들 수 있다. 카르복시기 함유 모노머는, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.
아미노기 함유 모노머 또는 치환 아미노기 함유 모노머로는, 예를 들어, 아미노에틸(메트)아크릴레이트, 및 n-부틸아미노에틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 아미노기 함유 모노머 또는 치환 아미노기 함유 모노머는, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.
아크릴계 공중합체 (b21) 을 구성하는 (메트)아크릴산에스테르 모노머로는, 알킬기의 탄소수가 1 이상 20 이하인 알킬(메트)아크릴레이트 외에, 예를 들어, 분자 내에 지환식 구조를 갖는 모노머 (지환식 구조 함유 모노머) 가 바람직하게 사용된다.
알킬(메트)아크릴레이트로는, 알킬기의 탄소수가 1 이상 18 이하인 알킬(메트)아크릴레이트가 바람직하다. 알킬(메트)아크릴레이트는, 예를 들어, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, 및 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트 등이 보다 바람직하다. 알킬(메트)아크릴레이트는, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.
지환식 구조 함유 모노머로는, 예를 들어, (메트)아크릴산시클로헥실, (메트)아크릴산디시클로펜타닐, (메트)아크릴산아다만틸, (메트)아크릴산이소보르닐, (메트)아크릴산디시클로펜테닐, 및 (메트)아크릴산디시클로펜테닐옥시에틸 등이 바람직하게 사용된다. 지환식 구조 함유 모노머는, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.
아크릴계 공중합체 (b21) 은, 상기 관능기 함유 모노머로부터 유도되는 구성 단위를, 1 질량％ 이상의 비율로 함유하는 것이 바람직하고, 5 질량％ 이상의 비율로 함유하는 것이 보다 바람직하고, 10 질량％ 이상의 비율로 함유하는 것이 더욱 바람직하다.
또, 아크릴계 공중합체 (b21) 은, 상기 관능기 함유 모노머로부터 유도되는 구성 단위를, 35 질량％ 이하의 비율로 함유하는 것이 바람직하고, 30 질량％ 이하의 비율로 함유하는 것이 보다 바람직하고, 25 질량％ 이하의 비율로 함유하는 것이 더욱 바람직하다.
또한, 아크릴계 공중합체 (b21) 은, (메트)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체로부터 유도되는 구성 단위를, 50 질량％ 이상의 비율로 함유하는 것이 바람직하고, 60 질량％ 이상의 비율로 함유하는 것이 보다 바람직하고, 70 질량％ 이상의 비율로 함유하는 것이 더욱 바람직하다.
또, 아크릴계 공중합체 (b21) 은, (메트)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체로부터 유도되는 구성 단위를, 99 질량％ 이하의 비율로 함유하는 것이 바람직하고, 95 질량％ 이하의 비율로 함유하는 것이 보다 바람직하고, 90 질량％ 이하의 비율로 함유하는 것이 더욱 바람직하다.
아크릴계 공중합체 (b21) 은, 상기와 같은 관능기 함유 모노머와, (메트)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체를 통상적인 방법으로 공중합함으로써 얻어진다.
아크릴계 공중합체 (b21) 은, 상기 서술한 모노머 외에도, 디메틸아크릴아미드, 포름산비닐, 아세트산비닐, 및 스티렌 등으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 것의 구성 단위를 함유하고 있어도 된다.
상기 관능기 함유 모노머 단위를 갖는 아크릴계 공중합체 (b21) 을, 그 관능기에 결합하는 관능기를 갖는 불포화기 함유 화합물 (b22) 와 반응시킴으로써, 에너지선 경화성 중합체 (b2) 가 얻어진다.
불포화기 함유 화합물 (b22) 가 갖는 관능기는, 아크릴계 공중합체 (b21) 이 갖는 관능기 함유 모노머 단위의 관능기의 종류에 따라, 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 아크릴계 공중합체 (b21) 이 갖는 관능기가 하이드록시기, 아미노기 또는 치환 아미노기인 경우, 불포화기 함유 화합물 (b22) 가 갖는 관능기로는 이소시아네이트기 또는 에폭시기가 바람직하고, 아크릴계 공중합체 (b21) 이 갖는 관능기가 에폭시기인 경우, 불포화기 함유 화합물 (b22) 가 갖는 관능기로는 아미노기, 카르복시기 또는 아지리디닐기가 바람직하다.
불포화기 함유 화합물 (b22) 는, 에너지선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합을, 1 분자 중에 적어도 1 개 포함하고, 1 개 이상, 6 개 이하 포함하는 것이 바람직하고, 1 개 이상 4 개 이하 포함하는 것이 보다 바람직하다.
불포화기 함유 화합물 (b22) 로는, 예를 들어, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트), 메타-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트, 메타크릴로일이소시아네이트, 알릴이소시아네이트, 1,1-(비스아크릴로일옥시메틸)에틸이소시아네이트 ; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과, 하이드록시에틸(메트)아크릴레이트의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일모노이소시아네이트 화합물 ; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과, 폴리올 화합물과, 하이드록시에틸(메트)아크릴레이트의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일모노이소시아네이트 화합물 ; 글리시딜(메트)아크릴레이트 ; (메트)아크릴산, 2-(1-아지리디닐)에틸(메트)아크릴레이트, 2-비닐-2-옥사졸린, 2-이소프로페닐-2-옥사졸린 등을 들 수 있다.
불포화기 함유 화합물 (b22) 는, 아크릴계 공중합체 (b21) 의 관능기 함유 모노머의 몰수에 대하여, 50 몰％ 이상의 비율 (부가율) 로 사용되는 것이 바람직하고, 60 몰％ 이상의 비율로 사용되는 것이 보다 바람직하고, 70 몰％ 이상의 비율로 사용되는 것이 더욱 바람직하다.
또, 불포화기 함유 화합물 (b22) 는, 아크릴계 공중합체 (b21) 의 관능기 함유 모노머 몰수에 대하여, 95 몰％ 이하의 비율로 사용되는 것이 바람직하고, 93 몰％ 이하의 비율로 사용되는 것이 보다 바람직하고, 90 몰％ 이하의 비율로 사용되는 것이 더욱 바람직하다.
아크릴계 공중합체 (b21) 과 불포화기 함유 화합물 (b22) 의 반응에 있어서는, 아크릴계 공중합체 (b21) 이 갖는 관능기와 불포화기 함유 화합물 (b22) 가 갖는 관능기의 조합에 따라, 반응의 온도, 압력, 용매, 시간, 촉매의 유무, 및 촉매의 종류를 적절히 선택할 수 있다. 이로써, 아크릴계 공중합체 (b21) 이 갖는 관능기와, 불포화기 함유 화합물 (b22) 가 갖는 관능기가 반응하여, 불포화기가 아크릴계 공중합체 (b21) 의 측사슬에 도입되고, 에너지선 경화성 중합체 (b2) 가 얻어진다.
에너지선 경화성 중합체 (b2) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 1 만 이상인 것이 바람직하고, 15 만 이상인 것이 보다 바람직하고, 20 만 이상인 것이 더욱 바람직하다.
또, 에너지선 경화성 중합체 (b2) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 150 만 이하인 것이 바람직하고, 100 만 이하인 것이 보다 바람직하다.
·광 중합 개시제 (C)
점착제층이 자외선 경화성의 화합물 (예를 들어, 자외선 경화성 수지) 을 함유하는 경우, 점착제층은, 광 중합 개시제 (C) 를 함유하는 것이 바람직하다.
점착제층이 광 중합 개시제 (C) 를 함유함으로써, 중합 경화 시간 및 광선 조사량을 적게 할 수 있다.
광 중합 개시제 (C) 로는, 구체적으로는, 벤조페논, 아세토페논, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸, 벤조인디메틸케탈, 2,4-디에틸티오크산톤, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 벤질디페닐술파이드, 테트라메틸티우람모노술파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 벤질, 디벤질, 디아세틸, β-클로르안트라퀴논, (2,4,6-트리메틸벤질디페닐)포스핀옥사이드, 2-벤조티아졸-N,N-디에틸디티오카르바메이트, 올리고{2-하이드록시-2-메틸-1-[4-(1-프로페닐)페닐]프로파논}, 및 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
광 중합 개시제 (C) 는, 점착제층에 에너지선 경화성 수지 (a1), 및 (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 을 배합하는 경우에는, 에너지선 경화성 수지 (a1), 및 (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 의 합계량 100 질량부에 대하여 0.1 질량부 이상의 양으로 사용되는 것이 바람직하고, 0.5 질량부 이상의 양으로 사용되는 것이 보다 바람직하다.
또, 광 중합 개시제 (C) 는, 점착제층에 에너지선 경화성 수지 (a1), 및 (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 을 배합하는 경우에는, 에너지선 경화성 수지 (a1), 및 (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 의 합계량 100 질량부에 대하여 10 질량부 이하의 양으로 사용되는 것이 바람직하고, 6 질량부 이하의 양으로 사용되는 것이 보다 바람직하다.
점착제층은, 상기 성분 이외에도, 적절히 다른 성분을 배합해도 된다. 다른 성분으로는, 예를 들어, 가교제 (E) 등을 들 수 있다.
·가교제 (E)
가교제 (E) 로는, (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 등이 갖는 관능기와의 반응성을 갖는 다관능성 화합물을 사용할 수 있다. 이와 같은 다관능성 화합물의 예로는, 이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아민 화합물, 멜라민 화합물, 아지리딘 화합물, 하이드라진 화합물, 알데히드 화합물, 옥사졸린 화합물, 금속 알콕시드 화합물, 금속 킬레이트 화합물, 금속염, 암모늄염, 및 반응성 페놀 수지 등을 들 수 있다.
가교제 (E) 의 배합량은, (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 100 질량부에 대하여, 0.01 질량부 이상인 것이 바람직하고, 0.03 질량부 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.04 질량부 이상인 것이 더욱 바람직하다.
또, 가교제 (E) 의 배합량은, (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 100 질량부에 대하여, 8 질량부 이하인 것이 바람직하고, 5 질량부 이하인 것이 보다 바람직하고, 3.5 질량부 이하인 것이 더욱 바람직하다.
점착제층의 두께는, 특별히 한정되지 않는다. 점착제층의 두께는, 예를 들어, 10 ㎛ 이상인 것이 바람직하고, 20 ㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 점착제층의 두께는, 150 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 100 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.
(박리 시트)
본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 그 점착면을 피착체 (예를 들어, 반도체 칩 등) 에 첩부할 때까지의 동안에, 점착면을 보호할 목적으로, 점착면에 박리 시트가 적층되어 있어도 된다. 박리 시트의 구성은 임의이다. 박리 시트의 예로는, 박리제 등에 의해 박리 처리한 플라스틱 필름이 예시된다.
플라스틱 필름의 구체예로는, 폴리에스테르 필름 및 폴리올레핀 필름을 들 수 있다. 폴리에스테르 필름으로는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 또는 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 필름을 들 수 있다. 폴리올레핀 필름으로는, 예를 들어, 폴리프로필렌 또는 폴리에틸렌 등의 필름을 들 수 있다.
박리제로는, 실리콘계, 불소계, 및 장사슬 알킬계 등을 사용할 수 있다. 이들 박리제 중에서, 저렴하고 안정된 성능이 얻어지는 실리콘계가 바람직하다.
박리 시트의 두께에 대해서는, 특별히 한정되지 않는다. 박리 시트의 두께는, 통상적으로 20 ㎛ 이상, 250 ㎛ 이하이다.
[점착 시트의 제조 방법]
본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 종래의 점착 시트와 동일하게 제조할 수 있다.
점착 시트의 제조 방법은, 전술한 점착제층을 기재의 하나의 면에 적층할 수 있으면, 특별히 상세하게는 한정되지 않는다.
점착 시트의 제조 방법의 일례로는, 다음과 같은 방법을 들 수 있다. 먼저, 점착제층을 구성하는 점착성 조성물, 및 원하는 바에 따라서 추가로 용매 또는 분산매를 함유하는 도공액을 조제한다. 다음으로, 도공액을, 기재의 하나의 면 위에, 도포 수단에 의해 도포하여 도막을 형성한다. 도포 수단으로는, 예를 들어, 다이 코터, 커튼 코터, 스프레이 코터, 슬릿 코터, 및 나이프 코터 등을 들 수 있다. 다음으로, 당해 도막을 건조시킴으로써, 점착제층을 형성할 수 있다. 도공액은, 도포를 실시하는 것이 가능하다면, 그 성상은 특별히 한정되지 않는다. 도공액은, 점착제층을 형성하기 위한 성분을 용질로서 함유하는 경우도 있고, 점착제층을 형성하기 위한 성분을 분산질로서 함유하는 경우도 있다.
또한, 점착 시트의 제조 방법의 다른 일례로는, 다음과 같은 방법을 들 수 있다. 먼저, 전술한 박리 시트의 박리면 상에 도공액을 도포하여 도막을 형성한다. 다음으로, 도막을 건조시켜 점착제층과 박리 시트로 이루어지는 적층체를 형성한다. 다음으로, 이 적층체의 점착제층에 있어서의 박리 시트측의 면과 반대측의 면에, 기재를 첩부하여, 점착 시트와 박리 시트의 적층체를 얻어도 된다. 이 적층체에 있어서의 박리 시트는, 공정 재료로서 박리해도 되고, 점착제층에 피착체 (예를 들어, 반도체 칩 및 반도체 웨이퍼 등) 가 첩부될 때까지, 점착제층을 보호하고 있어도 된다.
도공액이 가교제를 함유하는 경우에는, 도막의 건조 조건 (예를 들어, 온도 및 시간 등) 을 바꿈으로써, 또는 가열 처리를 별도로 실시함으로써, 도막 내의 (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 과 가교제의 가교 반응을 진행시켜, 점착제층 내에 원하는 존재 밀도로 가교 구조를 형성시키면 된다. 이 가교 반응을 충분히 진행시키기 위해서, 상기 서술한 방법 등에 의해 기재에 점착제층을 적층시킨 후, 얻어진 점착 시트를, 예를 들어, 23 ℃, 상대 습도 50 ％ 의 환경에 수 일간 가만히 정지시켜 두는 등의 양생을 실시해도 된다.
본 실시형태에 관련된 점착 시트의 두께는, 30 ㎛ 이상인 것이 바람직하고, 50 ㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또, 점착 시트의 두께는, 400 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 300 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.
[점착 시트의 사용 방법]
본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 다양한 피착체에 첩착할 수 있기 때문에, 본 실시형태에 관련된 점착 시트를 적용할 수 있는 피착체는, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 피착체로는, 반도체 칩 및 반도체 웨이퍼인 것이 바람직하다.
본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 예를 들어, 반도체 가공용으로 사용할 수 있다.
반도체 장치의 제조 공정 중, 복수의 반도체 칩끼리의 간격을 확장하기 위한 익스팬드 공정에 사용되는 것이 바람직하다.
복수의 반도체 칩은, 점착 시트의 중앙부에 첩착되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 복수의 반도체 칩은, 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 얻은 반도체 칩인 것이 바람직하다. 예를 들어, 다이싱 시트에 첩착된 반도체 웨이퍼를 다이싱하여, 복수의 반도체 칩으로 분할하고, 분할하여 얻은 복수의 반도체 칩을 본 실시형태에 관련된 점착 시트에, 직접 전사해도 되고, 다른 점착 시트에 전사한 다음, 당해 다른 점착 시트로부터 본 실시형태에 관련된 점착 시트에 전사해도 된다.
복수의 반도체 칩의 확장 간격은, 반도체 칩의 사이즈에 의존하기 때문에, 특별히 제한되지 않는다. 본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 점착 시트의 편면에 접착된 복수의 반도체 칩에 있어서의, 인접하는 반도체 칩의 상호의 간격을, 200 ㎛ 이상 넓히기 위해서 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 당해 반도체 칩의 상호 간격의 상한은, 특별히 제한되지 않는다. 당해 반도체 칩의 상호 간격의 상한은, 예를 들어, 6000 ㎛ 여도 된다.
또, 본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 적어도 2 축 연신에 의해, 점착 시트의 편면에 적층된 복수의 반도체 칩의 간격을 넓히는 경우에도 사용할 수 있다. 이 경우, 점착 시트는, 예를 들어, 서로 직교하는 X 축 및 Y 축에 있어서의, ＋X 축 방향, －X 축 방향, ＋Y 축 방향, 및 －Y 축 방향의 4 방향으로 장력을 부여하여 잡아 늘려지고, 보다 구체적으로는, 기재에 있어서의 MD 방향 및 CD 방향으로 각각 잡아 늘려진다.
상기와 같은 2 축 연신은, 예를 들어, X 축 방향 및 Y 축 방향으로 장력을 부여하는 이간 장치를 사용하여 실시할 수 있다. 여기서, X 축 및 Y 축은 직교하는 것으로 하고, X 축에 평행한 방향 중 하나를 ＋X 축 방향, 당해 ＋X 축 방향과 반대의 방향을 －X 축 방향, Y 축에 평행한 방향 중 하나를 ＋Y 축 방향, 당해 ＋Y 축 방향과 반대의 방향을 －Y 축 방향으로 한다.
상기 이간 장치는, 점착 시트에 대하여, ＋X 축 방향, －X 축 방향, ＋Y 축 방향, 및 －Y 축 방향의 4 방향으로 장력을 부여하고, 이 4 방향의 각각에 대해, 복수의 유지 수단과, 그것들에 대응하는 복수의 장력 부여 수단을 구비하는 것이 바람직하다. 각 방향에 있어서의, 유지 수단 및 장력 부여 수단의 수는, 점착 시트의 크기에 따라 다르기도 하지만, 예를 들어, 3 개 이상, 10 개 이하 정도여도 된다.
여기서, 예를 들어 ＋X 축 방향으로 장력을 부여하기 위해서 구비된, 복수의 유지 수단과 복수의 장력 부여 수단을 포함하는 군에 있어서, 각각의 유지 수단은, 점착 시트를 유지하는 유지 부재를 구비하고, 각각의 장력 부여 수단은, 당해 장력 부여 수단에 대응한 유지 부재를 ＋X 축 방향으로 이동시켜 점착 시트에 장력을 부여하는 것이 바람직하다. 그리고, 복수의 장력 부여 수단은, 각각 독립적으로, 유지 수단을 ＋X 축 방향으로 이동시키도록 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또, －X 축 방향, ＋Y 축 방향 및 －Y 축 방향으로 각각 장력을 부여하기 위해서 구비된, 복수의 유지 수단과 복수의 장력 부여 수단을 포함하는 3 개의 군에 있어서도, 동일한 구성을 갖는 것이 바람직하다. 이로써, 상기 이간 장치는, 각 방향에 직교하는 방향의 영역마다, 점착 시트에 대하여 상이한 크기의 장력을 부여할 수 있다.
일반적으로, 4 개의 유지 부재를 사용하여 점착 시트를, ＋X 축 방향, -X 축 방향, ＋Y 축 방향 및 -Y 축 방향의 4 방향에서부터 각각 유지하고, 당해 4 방향으로 연신하는 경우, 점착 시트에는 이들 4 방향에 더하여, 이들의 합성 방향 (예를 들어, ＋X 축 방향과 ＋Y 축 방향의 합성 방향, ＋Y 축 방향과 －X 축 방향의 합성 방향, －X 축 방향과 －Y 축 방향의 합성 방향 및 －Y 축 방향과 ＋X 축 방향의 합성 방향) 으로도 장력이 부여된다. 그 결과, 점착 시트의 내측 영역에 있어서의 반도체 칩의 간격과 외측 영역에 있어서의 반도체 칩의 간격에 차이가 생기는 경우가 있다.
그러나, 상기 서술한 이간 장치에서는, ＋X 축 방향, -X 축 방향, ＋Y 축 방향 및 -Y 축 방향의 각각의 방향에 있어서, 복수의 장력 부여 수단이 각각 독립적으로 점착 시트에 장력을 부여할 수 있기 때문에, 상기 서술한 바와 같은 점착 시트의 내측과 외측의 간격의 차이가 해소되도록, 점착 시트를 연신할 수 있다.
그 결과, 반도체 칩의 간격을 정확하게 조정할 수 있다.
상기 이간 장치는, 반도체 칩의 상호 간격을 측정하는 측정 수단을 추가로 구비하는 것이 바람직하다. 여기에 있어서, 상기 장력 부여 수단은, 측정 수단의 측정 결과를 바탕으로, 복수의 유지 부재를 개별적으로 이동 가능하게 형성되어 있는 것이 바람직하다. 상기 이간 장치가 측정 수단을 구비함으로써, 상기 측정 수단에 의한 반도체 칩의 간격의 측정 결과에 기초하여, 당해 간격을 추가로 조정하는 것이 가능해진 결과, 반도체 칩의 간격을 보다 정확하게 조정하는 것이 가능해진다.
또한, 상기 이간 장치에 있어서, 유지 수단으로는, 척 수단 및 감압 수단을 들 수 있다. 척 수단으로는, 예를 들어, 메커니컬 척 및 척 실린더 등을 들 수 있다. 감압 수단으로는, 예를 들어, 감압 펌프 및 진공 이젝터 등을 들 수 있다. 또, 상기 이간 장치에 있어서, 유지 수단으로는, 접착제, 혹은 자력 등으로 점착 시트를 지지하는 구성이어도 된다. 또, 척 수단에 있어서의 유지 부재로는, 예를 들어, 점착 시트를 밑에서부터 지지하는 하측 지지 부재와, 하측 지지 부재에 지지된 구동 기기와, 구동 기기의 출력축에 지지되고, 구동 기기가 구동함으로써 점착 시트를 위에서부터 내리누르는 것이 가능한 상측 지지 부재를 구비한 구성을 갖는 유지 부재를 사용할 수 있다. 당해 구동 기기로는, 예를 들어, 전동 기기 및 액추에이터 등을 들 수 있다. 전동 기기로는, 예를 들어, 회동 모터, 직동 모터, 리니어 모터, 단축 로봇, 및 다관절 로봇 등을 들 수 있다. 액추에이터로는, 예를 들어, 에어 실린더, 유압 실린더, 로드리스 실린더 및 로터리 실린더 등을 들 수 있다.
또, 상기 이간 장치에 있어서, 장력 부여 수단은, 구동 기기를 구비하고, 당해 구동 기기에 의해 유지 부재를 이동시켜도 된다. 장력 부여 수단이 구비하는 구동 기기로는, 상기 서술한 유지 부재가 구비하는 구동 기기와 동일한 구동 기기를 사용할 수 있다. 예를 들어, 장력 부여 수단은, 구동 기기로서의 직동 모터와, 직동 모터와 유지 부재의 사이에 개재하는 출력축을 구비하여, 구동한 직동 모터가 출력축을 통해서 유지 부재를 이동시키는 구성이어도 된다.
본 실시형태에 관련된 점착 시트를 사용하여 반도체 칩의 간격을 넓히는 경우, 반도체 칩끼리가 접촉한 상태, 또는 반도체 칩의 간격이 거의 넓혀져 있지 않은 상태로부터 그 간격을 넓혀도 되고, 혹은, 반도체 칩끼리의 간격이 이미 소정의 간격까지 넓혀진 상태로부터, 추가로 그 간격을 넓혀도 된다.
반도체 칩끼리가 접촉한 상태, 또는 반도체 칩의 간격이 거의 넓혀져 있지 않은 상태로부터 그 간격을 넓히는 경우로는, 예를 들어, 다이싱 시트 상에 있어서 반도체 웨이퍼를 분할함으로써 복수의 반도체 칩을 얻은 후, 당해 다이싱 시트로부터 본 실시형태에 관련된 점착 시트에 복수의 반도체 칩을 전사하고, 계속해서, 당해 반도체 칩의 간격을 넓힐 수 있다. 혹은, 본 실시형태에 관련된 점착 시트 상에 있어서 반도체 웨이퍼를 분할하여 복수의 반도체 칩을 얻은 후, 당해 반도체 칩의 간격을 넓힐 수도 있다.
반도체 칩끼리의 간격이 이미 소정의 간격까지 넓혀진 상태로부터, 추가로 그 간격을 넓히는 경우로는, 그 외의 점착 시트, 바람직하게는 본 실시형태에 관련된 점착 시트 (제 1 연신용 점착 시트) 를 사용하여 반도체 칩끼리의 간격을 소정의 간격까지 넓힌 후, 당해 시트 (제 1 연신용 점착 시트) 로부터 본 실시형태에 관련된 점착 시트 (제 2 연신용 점착 시트) 에 반도체 칩을 전사하고, 계속해서, 본 실시형태에 관련된 점착 시트 (제 2 연신용 점착 시트) 를 연신함으로써, 반도체 칩의 간격을 더욱 넓힐 수 있다. 또한, 이와 같은 반도체 칩의 전사와 점착 시트의 연신은, 반도체 칩의 간격이 원하는 거리가 될 때까지 복수 회 반복해도 된다.
〔제 2 실시형태〕
[점착 시트]
본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 제 1 실시형태에 관련된 점착 시트와 동일하게, 기재 및 점착제층을 갖는다.
본 실시형태에 관련된 점착제층은, 에너지선 경화성 수지를 함유하는 점, 및 점착제층의 폭 방향 양단부에 있어서의 에너지선 경화성 수지가 경화된 경화부와, 에너지선 경화성 수지가 경화되어 있지 않은 미경화부를 갖는 점에서, 제 1 실시형태에 관련된 점착 시트와 상이하다.
본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 당해 점착 시트의 미경화부로부터 제작한 제 1 시험편 및 제 2 시험편을, 인장 시험기로 측정한 인장 강도의 비가 소정의 범위를 만족한다.
이하의 설명에서는, 제 1 실시형태와의 상이에 관한 부분을 주로 설명하고, 중복되는 설명에 대해서는 생략 또는 간략화한다. 제 1 실시형태와 동일한 구성에는 동일한 부호를 부여하고 설명을 생략 또는 간략화한다.
본 실시형태에 관련된 점착 시트도, 기재와 점착제층을 갖는다. 점착 시트의 형상은, 예를 들어, 테이프상 (장척 형태), 및 라벨상 (매엽 형태) 등, 일체의 형상을 취할 수 있다.
도 4 에는, 본 실시형태에 관련된 점착 시트 (1A) 의 단면 개략도가 나타나 있다.
점착 시트 (1A) 는, 기재 (10) 와, 점착제층 (20) 을 갖는다. 점착제층 (20) 은, 에너지선 경화성 수지를 함유한다. 점착제층 (20) 은, 에너지선 경화성 수지가 경화된 경화부 (22) 와, 에너지선 경화성 수지가 경화되어 있지 않은 미경화부 (21) 를 갖는다. 경화부 (22) 는, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 점착 시트 (1A) 의 점착제층 (20) 의 폭 방향 양단부에 형성되어 있다. 폭 방향의 일단측의 경화부 (22) 와 타단측의 경화부 (22) 사이에, 미경화부 (21) 가 있다.
점착 시트 (1A) 의 폭 방향에서 서로 마주 보는 2 변이 에너지선으로 경화되어, 점착 시트 (1A) 의 폭 방향 양단부에 경화부 (22) 가 형성되어 있음으로써, 당해 경화부 (22) 는, 미경화부 (21) 의 점착제가 점착 시트 (1A) 의 폭 방향의 단부로부터 시트 외부로 스며나오는 것을 억제한다.
경화부 (22) 의 단면 형상은, 도 4 에 있어서 직사각형이지만, 직사각형에 한정되지 않고, 점착제의 삼출을 억제할 수 있는 형상이면, 특별히 한정되지 않는다.
경화부 (22) 는, 점착 시트 (1A) 의 폭 방향 양단부를 따라 연속하여 형성되어 있는 것이 바람직하다. 경화부 (22) 가 점착 시트 (1A) 의 길이 방향에 걸쳐 연속하여 형성되어 있음으로써, 미경화부 (21) 로부터 점착제가 시트 폭 방향 단부로부터 시트 외부로 스며나오는 것을 한층 더 억제하기 쉽다. 경화부 (22) 가 불연속적으로 형성되어 있는 경우에는, 경화부 (22) 가 형성되어 있지 않은 지점으로부터 점착제가 스며나올 우려가 있다.
점착 시트 (1A) 가 장척상의 시트인 경우, 경화부 (22) 는, 점착 시트 (1A) 의 길이 방향에 걸쳐서 연속하여 형성되어 있는 것이 바람직하다. 경화부 (22) 가 점착 시트 (1A) 의 길이 방향에 걸쳐 연속하여 형성되어 있음으로써, 미경화부 (21) 로부터 점착제가 시트 폭 방향 단부로부터 시트 외부로 스며나오는 것을 한층 더 억제하기 쉽다.
도 5 에는, 롤상으로 권취된 장척상의 점착 시트 (1A) 를 나타내는 개략 사시도가 도시되어 있다. 또한, 도 5 에 있어서는, 롤로부터 점착 시트 (1A) 를 일부 풀어낸 상태가 나타나 있다.
도 5 에 나타내는 바와 같이, 점착 시트 (1A) 의 폭 방향 양단부에는 경화부 (22) 가 형성되고, 폭 방향의 일단측의 경화부 (22) 와 타단측의 경화부 (22) 사이에 미경화부 (21) 가 있다. 경화부 (22) 는, 각각 점착 시트 (1A) 의 길이 방향에 걸쳐 연속하여 형성되어 있다. 또한, 도 5 에 나타내는 바와 같은 장척상의 점착 시트 (1A) 가 권취된 롤은, 롤의 폭 방향이 재치면 (載置面) 에 대해 수직이 되도록 보관되는 경우가 많다. 그 때문에, 점착 시트 (1A) 의 폭 방향 양단부에 경화부 (22) 가 연속하여 형성되어 있음으로써, 롤 보관시에 있어서의 미경화부 (21) 로부터의 점착제의 삼출을 억제하기 쉽다.
경화부 (22) 의 폭은, 각각 독립적으로, 0.5 ㎜ 이상인 것이 바람직하다. 경화부 (22) 의 폭이 0.5 ㎜ 이상이면, 미경화부 (21) 로부터 점착제가 시트 폭 방향 단부로부터 시트 외부로 스며나오는 것을 한층 더 억제하기 쉽다. 경화부 (22) 가 폭 방향 단부를 따라 연속적으로 형성되어 있는 경우에 있어서는, 경화부 (22) 의 폭은, 길이 방향에 걸쳐 일정하지 않아도 되고, 길이 방향에 걸쳐 0.5 ㎜ 이상의 폭으로 형성되어 있는 것이 바람직하다.
경화부 (22) 의 폭은, 각각 독립적으로 10 ㎜ 이하인 것이 바람직하다. 경화부 (22) 가 폭 방향 단부를 따라 연속적으로 형성되어 있는 경우에 있어서는, 경화부 (22) 의 폭은, 길이 방향에 걸쳐 10 ㎜ 이하의 폭으로 형성되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 경화부 (22) 의 폭이 크면 점착제의 삼출을 억제하기 쉬워지는 한편, 미경화부 (21) 의 면적이 좁아지기 때문에, 점착제의 삼출을 억제하는 효과와, 점착 시트로서의 점착력을 갖는 미경화부 (21) 의 면적 확보의 관점에서, 경화부 (22) 의 폭의 상한을 설정하는 것이 바람직하다.
(제 1 시험편)
제 1 시험편은, 본 실시형태에 관련된 점착 시트 (1A) 의 미경화부 (21) 의 영역으로부터 제작된다. 제 1 시험편의 폭은, 25 ㎜ 이다.
본 실시형태에 있어서의 제 1 시험편을 파지한 상태는, 제 1 실시형태에서 나타낸 도 2 와 동일하다. 제 1 시험편의 일단측에 있어서의 기재 (10) 및 점착제층 (20) 의 미경화부 (21) 를 인장 시험기의 제 1 파지구 (110) 로 파지하고, 제 1 시험편의 타단측에 있어서의 기재 (10) 및 점착제층 (20) 의 미경화부 (21) 를 인장 시험기의 제 2 파지구 (120) 로 파지한다.
(제 2 시험편)
제 2 시험편은, 본 실시형태에 관련된 점착 시트 (1A) 로 제작된 제 1 시험편에 2 개의 반도체 칩을 첩착함으로써 제작된다. 본 실시형태에 있어서는, 이 2 개의 반도체 칩은, 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩이다. 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩은, 모두, 세로 치수가 45 ㎜ 이고, 가로 치수가 35 ㎜ 이며, 두께 치수가 0.625 ㎜ 이다.
제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩의 세로 치수가 45 ㎜ 인 변을, 제 1 시험편의 길이 방향을 따르게 하여 첩착한다.
제 1 반도체 칩은, 제 1 시험편의 길이 방향의 일단측에 접착된다. 제 2 반도체 칩은, 제 1 시험편의 길이 방향의 타단측에 접착된다. 제 1 시험편에 첩착된 제 1 반도체 칩과 제 2 반도체 칩의 간격을 35 ㎛ 로 한다.
본 실시형태에 있어서의 제 2 시험편을 파지한 상태는, 제 1 실시형태에서 나타낸 도 3 과 동일하다. 제 2 시험편의 일단측에 있어서의 기재 (10), 점착제층 (20) 의 미경화부 (21) 및 제 1 반도체 칩 (CP1) 을 인장 시험기의 제 1 파지구 (110) 로 파지하고, 제 2 시험편의 타단측에 있어서의 기재 (10), 점착제층 (20) 의 미경화부 (21) 및 제 2 반도체 칩 (CP2) 을 인장 시험기의 제 2 파지구 (120) 로 파지한다.
(인장 강도)
본 실시형태에 관련된 점착 시트 (1A) 도, 인장 시험기를 사용하여 측정한 제 1 시험편 및 제 2 시험편의 인장 강도가, 하기 수학식 (수학식 1A) 의 관계를 만족한다.
　　FB1/FA1 ≤ 30 … (수학식 1A)
상기 수학식 (수학식 1A) 에 있어서, 인장 강도 FA1 은, 제 1 시험편의 길이 방향의 각각의 양단에 있어서의 기재 및 점착제층을 파지구로 파지하여 인장 시험기에 의한 0.5 ㎜ 인장시의 강도이다.
상기 수학식 (수학식 1A) 에 있어서, 인장 강도 FB1 은, 제 2 시험편의 길이 방향의 각각의 양단에 있어서의 기재, 점착제층 및 반도체 칩을 파지구로 파지하여 인장 시험기에 의한 0.5 ㎜ 인장시의 강도이다.
에너지선 경화성 수지가 경화된 경화부 (22) 를 포함하도록, 점착 시트 (1A) 의 장척 방향을 따라 길이 150 ㎜, 폭 25 ㎜ 의 사이즈로 잘라내어 제 3 시험편을 제작하고, 당해 제 3 시험편을 한 쌍의 척으로 척간 거리 100 ㎜ 로서 파지하여, 속도 5 ㎜/sec 으로, 척간 거리가 200 ㎜ 가 될 때까지 신장시켰을 때, 경화부 (22) 와 기재 (10) 의 계면에 들뜸이 발생하지 않는 것이 바람직하다.
점착 시트의 경화부를 신장시켰을 때 (예를 들어, 점착 시트를 익스팬드했을 때) 에 경화부와 기재의 계면에 들뜸이 발생하면, 들뜬 경화부가 점착제층으로부터 파단되고, 파단된 경화부가 비산하여, 점착 시트에 첩착한 피착체 및 익스팬드 장치에 부착되어 오염될 우려가 있다. 그러나, 본 실시형태에 관련된 점착 시트 (1A) 는, 제 3 시험편을 사용한 인장 시험에 있어서, 경화부 (22) 와 기재 (10) 의 계면에서 들뜸이 발생하지 않으므로, 상기 서술한 바와 같은 파단된 경화부에 의한 피착체 및 익스팬드 장치의 오염을 억제하기 쉽다. 경화부 (22) 와 기재 (10) 의 계면에서 들뜸이 발생하지 않도록 하기 위해서는, 예를 들어, 에너지선 경화성 수지의 경화도를 제어하는 방법을 들 수 있다.
본 실시형태에 관련된 점착 시트 (1A) 를, 제 1 방향, 상기 제 1 방향과는 반대 방향인 제 2 방향, 상기 제 1 방향에 대해 수직 방향인 제 3 방향, 및 상기 제 3 방향과는 반대 방향인 제 4 방향으로 신장시켜서, 신장 전의 점착 시트 (1A) 의 면적 S1 과, 신장 후의 점착 시트 (1A) 의 면적 S2 의 면적비 (S2/S1) × 100 이 381 ％ 일 때, 점착제층 (20) 의 경화부 (22) 가 기재 (10) 와의 계면에서 박리되지 않는 것이 바람직하다.
제 1 방향, 제 2 방향, 제 3 방향 및 제 4 방향은, 각각, 예를 들면, 후술하는 2 축 연신의 +X 축 방향, -X 축 방향, +Y 축 방향, 및 -Y 축 방향의 4 방향과 대응하고 있는 것이 바람직하다. 4 방향으로 신장시키기 위한 장치로는, 예를 들어, 후술하는 익스팬드 장치를 들 수 있다.
본 실시형태에 관련된 점착 시트 (1A) 는, 4 방향으로 신장시켜, 신장 전후의 면적비 (S2/S1) ×100 이 381 ％ 일 때에 점착제층 (20) 의 경화부 (22) 가 기재 (10) 와의 계면에서 박리되지 않기 때문에, 점착 시트 (1A) 를 고신장률의 익스팬드 공정에서 사용해도, 파단된 경화부에 의한 피착체 및 익스팬드 장치의 오염을 억제하기 쉽다.
[점착 시트의 제조 방법]
본 실시형태에 관련된 점착 시트 (1A) 의 제조 방법은, 이하의 공정 (P1) ∼ (P3) 을 갖는다.
(P1) 기재 (10) 상에, 에너지선 경화성 수지를 함유하는 점착제 조성물을 도포하여, 점착제층 (20) 을 형성하는 공정.
(P2) 점착제층 (20) 의 폭 방향의 양단부에 에너지선 (UV) 을 조사하여, 에너지선 경화성 수지를 경화시켜 경화부 (22) 를 형성하는 공정.
(P3) 에너지선 경화성 수지를 경화시키지 않은 미경화부 (21) 의 폭 방향 양단부보다 외측에 경화부 (22) 의 전부를 남기거나, 또는 경화부 (22) 의 일부를 남기고, 경화부 (22) 보다 외측을 재단하는 공정.
본 실시형태에 관련된 점착 시트 (1A) 는, 예를 들어, 다음과 같이 하여 제조할 수 있다.
먼저, 공정 (P1) 로서, 기재 (10) 상에 점착제층 (20) 을 형성한다. 본 실시형태에 있어서, 점착제층 (20) 은, 예를 들어, 제 1 실시형태와 동일하게 형성할 수 있다.
도 6A 는, 점착 시트 (1A) 의 폭 방향 양단부에 경화부 (22) 를 형성하는 공정 (P2) 를 설명하는 단면 개략도이다.
점착제층 (20) 은, 에너지선 경화성 수지를 함유하므로, 폭 방향 양단부에 에너지선 (UV) 을 조사하여 경화부 (22) 를 형성한다. 에너지선 경화성 수지가 자외선 경화성 수지인 경우에는, 에너지선으로서 자외선을 조사한다.
경화부 (22) 는, 점착 시트 (1A) 로서 사용할 때에 필요한 경화부 (22) 의 폭보다 큰 폭으로 형성하는 것이 바람직하다.
도 6B 는, 에너지선을 조사하여 경화부 (22) 를 형성한 후에, 점착 시트 (1A) 의 폭 방향 양단부를, 경화부 (22) 가 남도록 재단하는 공정 (P3) 을 설명하는 단면 개략도이다.
도 6B 에 있어서는, 점착 시트 (1A) 로서 사용할 때에 필요한 폭보다 큰 폭으로 형성된 경화부 (22) 의 위치 C1 및 위치 C2 에 절입 (切入) 을 형성하여 재단한다. 경화부 (22) 에 절입을 형성하여 재단함으로써, 재단 날에 점착제가 부착되는 것을 방지할 수 있다. 절입은, 경화부 (22) 의 시트 길이 방향을 따라서 형성한다.
미경화부 (21) 의 폭 방향 양단부보다 외측에 남기는 경화부 (22) 의 폭 (단면에서 보아, 미경화부 (21) 와 경화부 (22) 의 경계로부터 위치 C1 또는 위치 C2 까지의 거리) 은, 각각 독립적으로 0.5 ㎜ 이상인 것이 바람직하다.
도 6C 에는, 공정 (P3) 에 의해 재단 후에, 폭 방향 양단부에 각각 경화부 (22) 가 형성된 점착 시트 (1A) 와, 단재 (端材) (1a) 가 나타나 있다.
경화부 (22) 보다 외측을 재단하는 공정 (P3) 후에, 재단 후의 점착 시트 (1A) 를 롤상으로 권취하는 공정을 추가로 갖는 것이 바람직하다.
[점착 시트의 사용 방법]
본 실시형태에 관련된 점착 시트 (1A) 도, 제 1 실시형태에 관련된 점착 시트와 동일한 사용 방법에 적용할 수 있다.
본 실시형태에 관련된 점착 시트 (1A) 는, 예를 들어, 반도체 가공용으로 사용할 수 있다. 점착 시트 (1A) 는, 반도체 장치의 제조 공정 중, 복수의 반도체 칩끼리의 간격을 확장시키기 위한 익스팬드 공정에 사용되는 것이 바람직하다.
복수의 반도체 칩은, 점착 시트 (1A) 의 중앙부 (미경화부 (21)) 에 첩착되어 있는 것이 바람직하다.
익스팬드 공정에 있어서는, 점착 시트 (1A) 의 경화부 (22) 를 이간 장치의 유지 수단에 의해 유지하는 것이 바람직하다.
본 실시형태에 관련된 점착 시트 (1A) 는, 점착제의 삼출을 억제하고, 또한 익스팬드 공정에서 점착 시트를 전연시켜 반도체 칩 사이의 거리를 확장시킬 때에, 점착 시트의 면내 방향에서의 신장량의 차를 작게 할 수 있어, 확장성이 우수하다.
[실시형태의 변형]
본 발명은, 상기 서술한 실시형태에 하등 한정되지 않는다. 본 발명은, 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위에서, 상기 서술한 실시형태를 변형한 양태 등을 포함한다.
실시예
이하, 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 본 발명은 이들 실시예에 하등 한정되지 않는다.
(점착 시트의 제작)
[실시예 1]
부틸아크릴레이트 (BA) 62 질량부, 메타크릴산메틸 (MMA) 10 질량부, 및 2-하이드록시에틸아크릴레이트 (2HEA) 28 질량부를 공중합하여 아크릴계 공중합체를 얻었다. 이 아크릴계 공중합체에 대하여, 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트 (쇼와 전공 주식회사 제조, 제품명 「카렌즈 MOI」(등록상표)) 를 부가한 수지 (아크릴 A) 의 용액 (점착제 주제, 고형분 35.0 질량％) 을 조제하였다. 부가율은, 아크릴계 공중합체의 2HEA 100 몰％ 에 대하여, 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트를 80 몰％ 로 하였다.
얻어진 수지 (아크릴 A) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은 9 만, Mw/Mn 은 4.5 였다. 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 법에 의해, 표준 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량 Mw 및 수 평균 분자량 Mn 을 측정하고, 각각의 측정값으로부터 분자량 분포 (Mw/Mn) 를 구하였다.
이 점착제 주제에, UV 수지 A (10 관능 우레탄아크릴레이트, 닛폰 합성 화학 공업 주식회사 제조, 제품명 「UV-5806」, Mw = 1740, 광 중합 개시제를 포함한다), 및 가교제로서의 톨릴렌디이소시아네이트계 가교제 (닛폰 폴리우레탄 공업 주식회사 제조, 제품명 「콜로네이트 L」) 를 첨가하였다. 점착제 주제 중의 고형분 100 질량부에 대하여, UV 수지 A 를 50 질량부 첨가하고, 가교제를 0.2 질량부 첨가하였다. 첨가 후, 30 분간 교반하여, 점착제 조성물 A1 을 조제하였다.
이어서, 조제한 점착제 조성물 A1 의 용액을 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 계 박리 필름 (린텍 주식회사 제조, 제품명 「SP-PET381031」, 두께 38 ㎛) 에 도포하고 건조시켜, 두께 40 ㎛ 의 점착제층을 박리 필름 상에 형성하였다.
당해 점착제층에, 기재로서의 폴리에스테르계 폴리우레탄 엘라스토머 시트 (시돔 주식회사 제조, 제품명 「하이그레스 DUS202」, 두께 100 ㎛) 를 첩합한 후, 폭 방향에 있어서의 단부의 불필요 부분을 재단 제거하여 점착 시트를 제작하였다.
[실시예 2]
부틸아크릴레이트 (BA) 52 질량부, 메타크릴산메틸 (MMA) 20 질량부, 및 2-하이드록시에틸아크릴레이트 (2HEA) 28 질량부를 공중합하여 아크릴계 공중합체를 얻었다. 이 아크릴계 공중합체에 대하여, 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트 (쇼와 전공 주식회사 제조, 제품명 「카렌즈 MOI」(등록상표)) 를 부가한 수지 (아크릴 A2) 의 용액 (점착제 주제) 을 조제하였다. 부가율은, 아크릴계 공중합체의 2HEA 100 몰％ 에 대하여, 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트를 90 몰％ 로 하였다.
얻어진 수지 (아크릴 A2) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은 60 만, Mw/Mn 은 4.5 였다. 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 법에 의해, 표준 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량 Mw 및 수 평균 분자량 Mn 을 측정하고, 각각의 측정값으로부터 분자량 분포 (Mw/Mn) 를 구하였다.
이 점착제 주제에, 에너지선 경화성 수지 A (사카모토 약품 공업 주식회사 제조, 제품명 「SA-TE60」), 광 중합 개시제 (IGM Resins B.V. 제조, 제품명 「Omnirad 127D」) 및 가교제 (토요 켐 주식회사 제조, TMP-TDI (톨릴렌디이소시아네이트의 트리메틸올프로판 어덕트체) 를 첨가하였다. 점착제 주제 중의 고형분 100 질량부에 대하여, 에너지선 경화성 수지 A 를 18 질량부 첨가하고, 광 중합 개시제를 1.3 질량부 첨가하고, 가교제를 0.2 질량부 첨가하고, 아세트산에틸을 첨가한 후, 30 분간 교반하여, 고형분 35.0 질량％ 의 점착제 조성물 A1 을 조제하였다.
이어서, 조제한 점착제 조성물 A1 의 용액을 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 계 박리 필름 (린텍 주식회사 제조, 제품명 「PET752150」) 에 도포하여, 도막을 90 ℃ 에서 90 초간 건조시키고, 또한 100 ℃ 에서 90 초간 건조시켜, 두께 30 ㎛ 의 점착제층을 박리 필름 상에 형성하였다.
당해 점착제층에, 우레탄 기재 (쿠라시키 방적 주식회사 제조, 제품명 「U-1490」, 두께 100 ㎛, 경도 90 도 (A 형)) 를 첩합하여, 점착 테이프를 제작하였다.
이 점착 테이프를 폭 300 ㎜ 로 재단할 때, 그 재단부를 사이에 두고 걸치도록 LED-UV 유닛을, 재단부 한 곳에 대해 2 개의 등 (燈) 을 설치하였다. LED-UV 유닛의 렌즈 선단부와 테이프의 거리는 10 ㎜ 로 하였다. LED-UV 유닛의 출력에 대해서, 2 개의 등이 모두 출력 50 ％ 로 UV 조사하여, 점착제층에 경화부를 형성하였다. 형성한 경화부를 따라 점착 테이프를 재단하여, 폭 방향 양단부에 경화부를 갖는 점착 시트 (폭 300 ㎜) 를 제작하였다. 시트 폭 방향 양단부의 경화부의 폭은, 표 2 에 나타내는 바와 같이, 각각 1.00 ㎜ 로 하였다. 재단시의 슬릿의 속도는, 10 m/min 으로 하였다. 또한, LED-UV 유닛의 출력과, LED-UV 유닛 1 등당 광량 및 조도의 관계를 표 2 에 나타낸다.
실시예 2 에서 사용한 LED-UV 유닛의 설명은 다음과 같다.
· LED-UV 유닛
HOYA CANDEO OPTRONICS 사 제조
제어부 = H-1 VC II
발광부 = H-1 VH4
렌즈 = HO-03L
[실시예 3]
실시예 3 의 점착 시트는, 실시예 2 에 관한 점착 시트의 제작에 있어서의 LED-UV 유닛의 출력을 40 ％ 로 변경한 것, 및 시트 폭 방향 양단부의 경화부의 폭을 표 2 에 나타낸 것처럼 각각 0.50 ㎜ 로 한 것 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여 제작하였다.
[실시예 4]
실시예 4 의 점착 시트는, 실시예 2 에 관한 점착 시트의 제작에 있어서의 LED-UV 유닛의 출력을 90 ％ 로 변경한 것, 및 시트 폭 방향 양단부의 경화부의 폭을 표 2 에 나타낸 것처럼 각각 1.25 ㎜ 로 한 것 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여 제작하였다.
[실시예 5]
실시예 5 의 점착 시트는, 실시예 2 에 관한 점착 시트의 제작에 있어서의 기재를 상질지 (평량 : 60 g/m2) 로 변경한 것 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여 제조하였다.
[실시예 6]
실시예 6 의 점착 시트는, 실시예 2 에 관한 점착 시트의 제작에 있어서의 기재를 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (두께 : 50 ㎛) 으로 변경한 것 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여 제작하였다.
[비교예 1]
점착제 주제를 하기로 변경한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 점착 시트를 제작하였다.
부틸아크릴레이트 (BA) 52 질량부, 메타크릴산메틸 (MMA) 20 질량부, 및 2-하이드록시에틸아크릴레이트 (2HEA) 28 질량부를 공중합하여 아크릴계 공중합체를 얻었다. 이 아크릴계 공중합체에 대하여, 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트 (쇼와 전공 주식회사 제조, 제품명 「카렌즈 MOI」(등록상표)) 를 부가한 수지 (아크릴 B) 의 용액 (점착제 주제, 고형분 35.0 질량％) 을 조제하였다. 부가율은, 아크릴계 공중합체의 2HEA 100 몰％ 에 대하여, 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트를 90 몰％ 로 하였다.
얻어진 수지 (아크릴 B) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은 60 만, Mw/Mn 은 4.5 였다. 비교예 1 에 관한 수지 (아크릴 B) 의 중량 평균 분자량 Mw 및 분자량 분포 (Mw/Mn) 는, 실시예 1 과 동일하게 하여 구하였다.
[비교예 2]
비교예 2 의 점착 시트는, 실시예 2 에 관한 점착 시트의 제작에 있어서 UV 를 조사하지 않은 것 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여 제작하였다.
[점착 시트의 평가]
제작한 점착 시트에 대해서, 이하의 평가를 실시하였다. 평가 결과를 표 1 및 표 2 에 나타낸다.
＜측정 방법＞
(인장 강도의 측정 방법)
인장 강도를 측정하기 위한 인장 시험기로는, 주식회사 시마즈 제작소 제조의 오토그래프 AG-IS 를 사용하였다.
점착 시트로부터 폭 25 ㎜ 의 제 1 시험편을 제작하였다. 경화부와 미경화부를 갖는 점착 시트에 대해서는, 점착 시트의 미경화부에 대응하는 영역으로부터 제 1 시험편을 제작하였다.
제 1 시험편에 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩을 첩착하여, 제 2 시험편을 제작하였다. 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩으로서, 모두, 세로 치수가 45 ㎜ 이고, 가로 치수가 35 ㎜ 이며, 두께 치수가 0.625 ㎜ 인 반도체 칩을 사용하였다.
제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩의 세로 치수가 45 ㎜ 인 변을, 제 1 시험편의 길이 방향을 따라 첩착하였다.
제 1 반도체 칩은, 제 1 시험편의 길이 방향의 일단측에 첩착하였다. 제 2 반도체 칩은, 제 1 시험편의 길이 방향의 타단측에 첩착하였다. 제 1 시험편에 첩착된 제 1 반도체 칩과 제 2 반도체 칩의 간격을 35 ㎛ 로 하였다.
제 1 시험편의 길이 방향의 각각의 양단에 있어서의 기재 및 점착제층을 파지구로 파지하여 인장 시험기로 인장 강도를 측정하였다. 제 1 시험편의 0.5 ㎜ 인장시 (인장 거리가 0.5 ㎜ 일 때) 의 인장 강도 FA1 을 표 1 에 나타낸다.
제 2 시험편의 길이 방향의 각각의 양단에 있어서의 기재, 점착제층 및 반도체 칩을 파지구로 파지하여 인장 시험기로 인장 강도를 측정하였다. 제 2 시험편의 0.5 ㎜ 인장시 (인장 거리가 0.5 ㎜ 일 때) 의 인장 강도 FB1 을 표 1 에 나타낸다.
인장 강도의 단위는 N 이다.
인장 시험시의 그 밖의 조건은, 이하와 같다.
　파지구 사이의 거리 : 50 ㎜
　인장 속도 : 50 ㎜/분
(영률의 측정 방법)
JIS K7161 및 JIS K7127에 준거하여, 만능 시험기 (주식회사 시마즈 제작소 제조 「오토그래프 AG-IS500N」) 를 사용하여 인장 시험을 실시하였다. 인장 시험에 있어서, 제 1 시험편 및 제 2 시험편을 고정시키고, 인장 속도 50 ㎜/분으로 인장 시험을 실시하였다. 그리고, 이 때의 응력 변형 곡선을 작성하여, 시험 초기의 응력 변형 곡선의 기울기로부터 영률을 산출하였다.
실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1 에 관한 점착 시트의 영률의 측정 결과를 표 1 에 나타낸다.
Figure pct00001
표 1 에 나타내는 바와 같이, 실시예 1 및 실시예 2 에 관한 점착 시트는, FB1/FA1 이 30 이하로서, 점착 시트의 반도체 칩이 첩착되어 있지 않은 부위의 인장 강도와, 반도체 칩이 첩착되어 있는 부위의 인장 강도의 비 FB1/FA1 이 비교예 1 보다 작았다. 그 때문에, 실시예 1 및 실시예 2 에 관한 점착 시트에 의하면, 익스팬드 공정에서 점착 시트를 전연시켜 반도체 칩 사이의 거리를 확장시킬 때에, 점착 시트의 면내 방향에서의 신장량의 차가 작아져, 확장성이 우수하고, 반도체 칩 사이의 거리의 편차를 작게 할 수 있다.
(점착제의 삼출 억제의 평가 방법)
폭 방향 양단부에 경화부를 형성한 폭 300 ㎜ 의 점착 시트를 권취하여 롤을 제작하였다. 롤을 40 ℃ 에서 보관하여 3 일 경과 후에, 롤 단부에 점착제의 삼출이 있는지, 육안 혹은 현미경으로 확인하였다. 삼출 억제의 평가 기준은, 다음과 같이 설정하였다. 본 실시예에 있어서는, 평가 A 를 합격으로 판정하였다.
·삼출 억제의 평가 기준
　평가 A : 롤 단부에 외관 변화 없음
　평가 B : 롤 단부에 외관 변화가 있음
(편차의 평가 방법)
실시예 및 비교예에서 제작한 점착 시트를 210 ㎜ × 210 ㎜ 의 사이즈로 절단하여, 시험용 점착 시트를 얻었다. 이 때, 재단 후의 시트의 각 변이, 점착 시트에 있어서의 기재의 MD 방향과 평행 또는 수직이 되도록 재단하였다.
실리콘 웨이퍼를 다이싱하여, 3 ㎜ × 3 ㎜ 사이즈의 칩이 X 축 방향으로 7 열, 및 Y 축 방향으로 7 열이 되도록, 합계 49 개의 칩을 잘라냈다.
시험용 점착 시트의 박리 필름을 박리하고, 노출된 점착제층의 중심부에, 상기 서술한 바와 같이 잘라낸 합계 49 개의 칩을 첩부하였다. 이 때, 칩이 X 축 방향으로 7 열, 및 Y 축 방향으로 7 열로 나란히 있고, 칩간의 거리는, X 축 방향 및 Y 축 방향 모두 35 ㎛ 였다.
다음으로, 칩이 첩부된 시험용 점착 시트를, 2 축 연신 가능한 익스팬드 장치 (이간 장치) 에 설치하였다. 도 7 에는, 당해 익스팬드 장치 (100) 를 설명하는 평면도가 도시된다. 도 7 중, X 축 및 Y 축은, 서로 직교하는 관계에 있고, 당해 X 축의 정 (正) 의 방향을 ＋X 축 방향, 당해 X 축의 부 (負) 의 방향을 -X 축 방향, 당해 Y 축의 정의 방향을 ＋Y 축 방향, 당해 Y 축의 부의 방향을 -Y 축 방향으로 한다. 시험용 점착 시트 (200) 는, 각 변이 X 축 또는 Y 축과 평행이 되도록, 익스팬드 장치 (100) 에 설치하였다. 그 결과, 시험용 점착 시트 (200) 에 있어서의 기재의 MD 방향은, X 축 또는 Y 축과 평행이 된다. 또한, 도 7 중, 칩은 생략되어 있다.
도 7 에 나타내는 바와 같이, 익스팬드 장치 (100) 는, ＋X 축 방향, -X 축 방향, ＋Y 축 방향, 및 -Y 축 방향의 각각에 5 개의 유지 수단 (101) (합계 20 개의 유지 수단 (101)) 을 구비한다. 각 방향에 있어서의 5 개의 유지 수단 (101) 중, 유지 수단 (101A) 은 양단에 위치하고, 유지 수단 (101C) 은 중앙에 위치하고, 유지 수단 (101B) 은 유지 수단 (101A) 과 유지 수단 (101C) 사이에 위치한다. 시험용 점착 시트 (200) 의 각 변을, 이들 유지 수단 (101) 에 의해 파지시켰다.
여기서, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 시험용 점착 시트 (200) 의 한 변은 210 ㎜ 이다. 또, 각 변에 있어서의 유지 수단 (101) 끼리의 간격은 40 ㎜ 이다. 또, 시험용 점착 시트 (200) 의 한 변에 있어서의 단부 (시트의 정점) 와, 당해 변에 존재하고, 당해 단부에 가장 가까운 유지 수단 (101A) 과의 간격은 25 ㎜ 이다.
·제 1 익스팬드 시험
계속해서, 유지 수단 (101) 의 각각에 대응하는, 도시되어 있지 않은 복수의 장력 부여 수단을 구동시켜, 유지 수단 (101) 을 각각 독립적으로 이동시켰다. 시험용 점착 시트의 4 변을 파지 지그로 고정시키고, X 축 방향 및 Y 축 방향으로 각각 5 ㎜/s 의 속도로, 200 ㎜ 의 확장량으로 시험용 점착 시트를 익스팬드하였다. 제 1 익스팬드 시험의 결과, 시험용 점착 시트의 면적은, 익스팬드 전에 대하여 381 ％ 로 확장되었다. 본 실시예에 있어서는, 이 확장량 200 ㎜ 의 익스팬드 시험을, 제 1 익스팬드 시험이라고 부르는 경우가 있다. 실시예 5 및 실시예 6 의 점착 시트는 확장할 수 없었다.
제 1 익스팬드 시험에 의해 시험용 점착 시트를 확장한 후, 링 프레임에 의해 시험용 점착 시트 (200) 의 확장 상태를 유지하였다.
확장 상태를 유지한 상태로, 칩끼리의 위치 관계에 기초하여 표준 편차를 산출함으로써, 편차를 평가하였다. 시험용 점착 시트 상의 칩의 위치는, CNC 화상 측정기 (주식회사 미츠토요 제조, 제품명 「Vision ACCEL」) 를 사용하여 측정하였다. 표준 편차는, JMP 사 제조의 데이터 분석 소프트웨어 JMP13 을 사용하여 산출하였다. 편차의 평가 기준은, 다음과 같이 설정하였다. 본 실시예에 있어서는, 평가 A 또는 평가 B 를 합격으로 판정하였다.
· 편차의 평가 기준
　평가 A : 표준 편차가 100 ㎛ 이하였다.
　평가 B : 표준 편차가 200 ㎛ 이하였다.
　평가 C : 표준 편차가 201 ㎛ 이상이었다.
(신도 100 ％ 시의 점착제 들뜸의 평가 방법)
에너지선 경화성 수지가 경화된 경화부를 포함하도록, 점착 시트의 장척 방향을 따라 길이 150 ㎜, 폭 25 ㎜ 의 사이즈로 잘라낸 제 3 시험편을 제작하였다. 당해 제 3 시험편을, 인장 시험기의 한 쌍의 척으로 파지하였다. 인장 시험기로는, 주식회사 시마즈 제작소 제조의 오토그래프 AG-IS 를 사용하였다. 제 3 시험편을 파지한 척간 거리를 100 ㎜ 로 하였다. 속도 5 ㎜/sec 으로, 척간 거리가 200 ㎜ 가 될 때까지 신장시켰을 때에, 점착제층의 경화부가 기재와의 계면에서 박리되어, 들뜸이 발생하고 있는지 육안으로 확인하였다. 신도 100 ％ 시의 점착제 들뜸의 평가 기준은, 다음과 같이 설정하였다. 본 실시예에 있어서는, 평가 A 를 합격으로 판정하였다.
·신도 100 ％ 시의 점착제 들뜸의 평가 기준
　평가 A : 신도 100 ％ 시에 점착제층의 경화부의 들뜸이 발생하지 않았다
　평가 B : 신도 100 ％ 시에 점착제층의 경화부의 들뜸이 1 군데 이상 발생하였다
(면적 확장성의 평가 방법)
전술한 제 1 익스팬드 시험시에, 점착제층의 경화부가 기재와의 계면에서 박리되어, 들뜸이 발생하고 있는지 육안으로 확인하였다. 면적 확장성의 평가 기준은, 다음과 같이 설정하였다. 본 실시예에 있어서는, 평가 A 를 합격으로 판정하였다. 실시예 5 및 실시예 6 의 점착 시트는 확장할 수 없었기 때문에, 평가할 수 없었다.
·면적 확장성의 평가 기준
　평가 A : 제 1 익스팬드 시험시에 점착제층의 경화부의 들뜸이 발생하지 않았다.
　평가 B : 제 1 익스팬드 시험시에 점착제층의 경화부의 들뜸이 1 군데 이상 발생하였다.
Figure pct00002
실시예 2 ∼ 6 에 관한 점착 시트는, 폭 방향 양단부에 경화부를 가지고 있었기 때문에, 점착제의 삼출을 억제할 수 있었다. 또한, 실시예 2 및 실시예 3 에 관한 점착 시트에 있어서는, 신도 100 ％ 시 및 제 1 익스팬드 시험시의 점착제의 들뜸이 발생하지 않았다. 실시예 2 및 실시예 3 에 관한 점착 시트의 경화부는, 출력이 40 ％ ∼ 50 ％ 정도의 UV 조사에 의해 형성되어 있어, 당해 경화부의 경화도가 적절하게 제어되어 있었기 때문이라고 생각된다.
1 : 점착 시트
10 : 기재
20 : 점착제층
CP1 : 제 1 반도체 칩
CP2 : 제 2 반도체 칩

Claims (12)

  1. 점착 시트로서,
    기재와, 점착제층을 갖고,
    상기 점착제층은, 에너지선 경화성 수지를 함유하고,
    상기 점착제층은, 상기 점착제층의 폭 방향 양단부에 있어서의 상기 에너지선 경화성 수지가 경화된 경화부와, 상기 에너지선 경화성 수지가 경화되어 있지 않은 미경화부를 갖고,
    상기 미경화부에 대응하는 영역의 상기 점착 시트로부터 폭 25 ㎜ 의 제 1 시험편을 제작하고, 상기 제 1 시험편의 길이 방향의 각각의 양단에 있어서의 상기 기재 및 상기 점착제층의 상기 미경화부를 파지구로 파지하여 인장 시험기에 의한 0.5 ㎜ 인장시의 인장 강도 FA1 과,
    세로 치수가 45 ㎜ 이고, 가로 치수가 35 ㎜ 이며, 두께 치수가 0.625 ㎜ 인 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩을 상기 제 1 반도체 칩 및 제 2 반도체 칩의 세로 치수가 45 ㎜ 인 변을, 상기 제 1 시험편의 길이 방향을 따르게 하고, 상기 제 1 반도체 칩과 상기 제 2 반도체 칩의 간격을 35 ㎛ 로 하여, 상기 제 1 시험편의 길이 방향의 일단측의 상기 미경화부의 점착제층에 상기 제 1 반도체 칩을 첩착하고, 상기 제 1 시험편의 길이 방향의 타단측의 상기 미경화부의 점착제층에 상기 제 2 반도체 칩을 첩착하여 제 2 시험편을 제작하고, 상기 제 2 시험편의 길이 방향의 각각의 양단에 있어서의 상기 기재, 상기 미경화부의 점착제층 및 상기 반도체 칩을 파지구로 파지하여 인장 시험기에 의한 0.5 ㎜ 인장시의 인장 강도 FB1 이, 하기 수학식 (수학식 1A) 의 관계를 만족하는, 점착 시트.
    　　FB1/FA1 ≤ 30 … (수학식 1A)
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 에너지선 경화성 수지가 경화된 경화부를 포함하도록, 상기 점착 시트의 장척 방향을 따라 길이 150 ㎜, 폭 25 ㎜ 의 사이즈로 잘라낸 제 3 시험편을 제작하고, 당해 제 3 시험편을 척간 거리를 100 ㎜ 로 하여 1 쌍의 척으로 파지하고, 속도 5 ㎜/sec 으로, 척간 거리가 200 ㎜ 가 될 때까지 신장시켰을 때, 상기 경화부와 상기 기재의 계면에 들뜸이 발생하지 않는, 점착 시트.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 점착 시트를, 제 1 방향, 상기 제 1 방향과는 반대 방향인 제 2 방향, 상기 제 1 방향에 대하여 수직 방향인 제 3 방향, 및 상기 제 3 방향과는 반대 방향인 제 4 방향으로 신장시켜, 신장 전의 상기 점착 시트의 면적 S1 과, 신장 후의 상기 점착 시트의 면적 S2 의 면적비 (S2/S1) × 100 이 381 ％ 일 때에, 상기 점착제층의 상기 경화부가 상기 기재와의 계면에서 박리되지 않는, 점착 시트.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 인장 강도 FA1 과, 상기 인장 강도 FB1 이, 하기 수학식 (수학식 1B) 의 관계를 만족하는, 점착 시트.
    　　1 ≤ FB1/FA1 ≤ 30 … (수학식 1B)
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 시험편의 영률 YA1 과, 상기 제 2 시험편의 영률 YB1 이, 하기 수학식 (수학식 2A) 의 관계를 만족하는, 점착 시트.
    　　YB1/YA1 ≤ 19 … (수학식 2A)
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 점착제층은 아크릴계 점착제를 함유하는, 점착 시트.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기재는 우레탄계 엘라스토머를 함유하는, 점착 시트.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    반도체 장치의 제조 공정 중, 복수의 반도체 칩끼리의 간격을 확장하기 위한 익스팬드 공정에 사용되는, 점착 시트.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 점착 시트는, 장척상이고, 롤상으로 권취되어 있는, 점착 시트.
  10. 점착 시트의 제조 방법으로서,
    기재 위에, 에너지선 경화성 수지를 함유하는 점착제 조성물을 도포하여, 점착제층을 형성하는 공정과,
    상기 점착제층의 폭 방향의 양단부에 에너지선을 조사하여, 상기 에너지선 경화성 수지를 경화시켜 경화부를 형성하는 공정과,
    상기 에너지선 경화성 수지를 경화시키지 않은 미경화부의 폭 방향 양단부보다 외측에 상기 경화부의 전부를 남기거나, 또는 상기 경화부의 일부를 남기고, 상기 경화부보다 외측을 재단하는 공정을 갖는, 점착 시트의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 미경화부의 폭 방향 양단부보다 외측에 남기는 상기 경화부의 폭은, 각각 독립적으로 0.5 ㎜ 이상인, 점착 시트의 제조 방법.
  12. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 경화부보다 외측을 재단하는 공정 후에, 재단 후의 점착 시트를 롤상으로 권취하는 공정을 추가로 갖는, 점착 시트의 제조 방법.
KR1020227011032A 2019-10-04 2020-05-22 점착 시트 및 점착 시트의 제조 방법 KR20220075341A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2019-183566 2019-10-04
JP2019183566 2019-10-04
PCT/JP2020/020327 WO2021065070A1 (ja) 2019-10-04 2020-05-22 粘着シート及び粘着シートの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220075341A true KR20220075341A (ko) 2022-06-08

Family

ID=75337973

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227011333A KR20220080093A (ko) 2019-10-04 2020-05-22 점착 시트
KR1020227011324A KR20220080092A (ko) 2019-10-04 2020-05-22 점착 시트
KR1020227011032A KR20220075341A (ko) 2019-10-04 2020-05-22 점착 시트 및 점착 시트의 제조 방법

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227011333A KR20220080093A (ko) 2019-10-04 2020-05-22 점착 시트
KR1020227011324A KR20220080092A (ko) 2019-10-04 2020-05-22 점착 시트

Country Status (5)

Country Link
JP (5) JPWO2021065072A1 (ko)
KR (3) KR20220080093A (ko)
CN (3) CN114514295B (ko)
TW (3) TW202116947A (ko)
WO (5) WO2021065072A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023047592A1 (ja) * 2021-09-27 2023-03-30 株式会社レゾナック 半導体装置の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010058646A1 (ja) 2008-11-21 2010-05-27 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 半導体パッケージおよびその製造方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3723278B2 (ja) * 1996-05-21 2005-12-07 日東電工株式会社 レジスト除去用接着シ―ト類とレジスト除去方法
JP2006152072A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Teijin Chem Ltd 半導体製造用帯電防止性フィルムおよびその製造方法
JP2009064975A (ja) * 2007-09-06 2009-03-26 Nitto Denko Corp ダイシング用粘着シート及びダイシング方法
JP5069662B2 (ja) * 2007-11-12 2012-11-07 リンテック株式会社 粘着シート
JP2010229342A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Lintec Corp 光学用粘着剤、光学用粘着シート及び粘着剤付き光学部材
WO2012124389A1 (ja) * 2011-03-17 2012-09-20 リンテック株式会社 エネルギー線硬化型粘着剤および粘着シート
JP2014043548A (ja) * 2012-07-31 2014-03-13 Nitto Denko Corp 粘着剤組成物、粘着剤層、粘着シート及び光学フィルム
JP6207192B2 (ja) * 2013-03-25 2017-10-04 リンテック株式会社 半導体加工用粘着シート
JP6377322B2 (ja) * 2013-05-30 2018-08-22 住友化学株式会社 光学フィルム積層体及びそれを用いた複合偏光板
SG11201600047XA (en) * 2013-07-05 2016-02-26 Lintec Corp Dicing sheet
DE112015001075T5 (de) * 2014-03-03 2016-11-24 Lintec Corporation Verarbeitungsfolie für ein halbleiterbezogenes Element und Verfahren zur Herstellung von Chips unter Verwendung der Folie
JP6156443B2 (ja) * 2014-08-13 2017-07-05 Jsr株式会社 積層体および基材の処理方法
KR102449502B1 (ko) * 2015-03-03 2022-09-30 린텍 가부시키가이샤 반도체 가공용 시트
JPWO2018003312A1 (ja) 2016-06-30 2019-04-18 リンテック株式会社 半導体加工用シート
CN114085624B (zh) * 2016-12-07 2023-11-17 三菱化学株式会社 粘合片及其制造方法
JP6791792B2 (ja) * 2017-03-23 2020-11-25 リンテック株式会社 粘着フィルムおよびその製造方法
WO2018181511A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 リンテック株式会社 粘着シートの剥離方法
JP6350845B1 (ja) * 2018-01-29 2018-07-04 サイデン化学株式会社 粘着剤組成物、粘着シート、及び粘着剤の製造方法
JP7256787B2 (ja) * 2018-03-07 2023-04-12 リンテック株式会社 粘着シート
JP2018115333A (ja) * 2018-03-20 2018-07-26 リンテック株式会社 粘着テープおよび半導体装置の製造方法
JP2018115331A (ja) * 2018-03-20 2018-07-26 リンテック株式会社 粘着テープおよび半導体装置の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010058646A1 (ja) 2008-11-21 2010-05-27 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 半導体パッケージおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW202122533A (zh) 2021-06-16
KR20220080093A (ko) 2022-06-14
WO2021065072A1 (ja) 2021-04-08
TW202122532A (zh) 2021-06-16
TW202122534A (zh) 2021-06-16
JPWO2021065070A1 (ko) 2021-04-08
JPWO2021065072A1 (ko) 2021-04-08
WO2021065074A1 (ja) 2021-04-08
WO2021065070A1 (ja) 2021-04-08
CN114514296A (zh) 2022-05-17
CN114514295A (zh) 2022-05-17
CN114514296B (zh) 2024-03-29
JPWO2021065073A1 (ko) 2021-04-08
CN114514295B (zh) 2024-02-06
WO2021065073A1 (ja) 2021-04-08
TW202115214A (zh) 2021-04-16
KR20220080092A (ko) 2022-06-14
CN114502679A (zh) 2022-05-13
TW202116947A (zh) 2021-05-01
JPWO2021065071A1 (ko) 2021-04-08
WO2021065071A1 (ja) 2021-04-08
JPWO2021065074A1 (ko) 2021-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108174616B (zh) 半导体加工用片
KR20190022444A (ko) 반도체 가공용 시트
KR102085533B1 (ko) 필름, 워크 가공용 시트 기재 및 워크 가공용 시트
TWI794436B (zh) 黏著薄板
WO2015146254A1 (ja) 樹脂膜形成用シート積層体
WO2014174958A1 (ja) エネルギー線硬化型自発巻回性粘着テープ
KR20220075341A (ko) 점착 시트 및 점착 시트의 제조 방법
TWI814786B (zh) 黏著薄板
TWI788537B (zh) 黏著薄板
JP7267990B2 (ja) エキスパンド方法、半導体装置の製造方法、及び粘着シート
TW202344393A (zh) 黏著薄片，及黏著薄片之製造方法
TW202405108A (zh) 黏著薄片，及黏著薄片之製造方法
CN113366079A (zh) 扩片方法及半导体装置的制造方法