TWI814786B

TWI814786B - 黏著薄板

Info

Publication number: TWI814786B
Application number: TW108107539A
Authority: TW
Inventors: 稲男洋一; 也; 山田忠知
Original assignee: 日商琳得科股份有限公司
Priority date: 2018-03-07
Filing date: 2019-03-07
Publication date: 2023-09-11
Also published as: JPWO2019172219A1; TW201939681A; JP7256787B2; WO2019172219A1

Abstract

一種黏著薄板(10)，其特徵為：具有基材(11)及黏著劑層(12)，黏著劑層(12)的楊氏模數為未滿1.0×10⁵ [Pa]。

Description

黏著薄板

本發明是有關黏著薄板。

近年來，電子機器的小型化、輕量化及高機能化日益進展。被搭載於電子機器的半導體裝置也被要求小型化、薄型化及高密度化。半導體晶片是有被安裝於接近其大小的封裝的情形。如此的封裝是亦有被稱為晶片尺寸封裝(Chip Scale Package；CSP)的情形。作為CSP之一，可舉晶圓級封裝(Wafer Level Package；WLP)。在WLP中，藉由切割來個片化之前，在晶圓形成外部電極等，最終切割晶圓而個片化。作為WLP，可舉扇入(Fan-In)型及扇出(Fan-Out)型。在扇出型的WLP(以下有時簡稱為「FO-WLP」)中，以成為比晶片大小更大的領域之方式，用密封構件來覆蓋半導體晶片，而形成半導體晶片密封體，不只半導體晶片的電路面，在密封構件的表面領域中也形成再配線層或外部電極。例如，在文獻1(國際公開第2010/058646號)是記載：針對從半導體晶圓被個片化的複數的半導體晶片，留下其電路形成面，使用模製構件來包圍周圍而形成擴張晶圓，使再配線圖案延伸於半導體晶片外的領域而形成的半導體封裝的製造方法。在文獻1記載的製造方法中，以模製構件來包圍被個片化的複數的半導體晶片之前，貼換於擴張薄板(expand sheet)，將擴張薄板展延而使複數的半導體晶片之間的距離擴大。上述般的FO-WLP的製造方法，為了在半導體晶片外的領域形成上述的再配線圖案等，而有欲使半導體晶片彼此間充分地離間的課題。如此的課題是不限於半導體晶片，在其他的被著體也同樣。

本發明是以提供一種容易使複數的被著體的間隔擴張之黏著薄板為目的。若根據本發明之一形態，則提供一種黏著薄板，其特徵為：具有基材及黏著劑層，前述黏著劑層的楊氏模數為未滿1.0×10⁵ [Pa]。在本發明之一形態的黏著薄板中，前述黏著劑層，係含有能量線硬化性樹脂為理想。在本發明之一形態的黏著薄板中，前述能量線硬化性樹脂為(甲基)丙烯酸系樹脂為理想。在本發明之一形態的黏著薄板中，前述能量線硬化性樹脂為紫外線硬化性樹脂為理想。在本發明之一形態的黏著薄板中，前述黏著劑層，係更包含(甲基)丙烯酸系共聚物，前述(甲基)丙烯酸系共聚物，係與前述能量線硬化性樹脂不同為理想。在本發明之一形態的黏著薄板中，前述(甲基)丙烯酸系共聚物，係具有能量線硬化性的碳-碳雙鍵為理想。在本發明之一形態的黏著薄板中，前述黏著劑層，係相對於前述(甲基)丙烯酸系共聚物100質量份，以10質量份以上、80質量份以下的比例含有前述能量線硬化性樹脂為理想。在本發明之一形態的黏著薄板中，前述基材，係含有熱可塑性彈性體為理想。在本發明之一形態的黏著薄板中，前述基材，係含有胺基甲酸酯系彈性體為理想。在本發明之一形態的黏著薄板中，在23℃，前述基材的MD方向及CD方向的拉伸彈性率分別為10MPa以上、350MPa以下，在23℃，前述基材的MD方向及CD方向的100%應力分別為3MPa以上、20MPa以下為理想。在本發明之一形態的黏著薄板中，前述黏著薄板的復原率為70%以上、100%以下為理想。前述復原率，係在將前述黏著薄板切出成150mm×15mm的試驗片中，將長度方向的兩端，以夾具間的長度成為100mm的方式用夾具抓住，其後，以200mm/min的速度拉伸至夾具間的長度成為200mm，在夾具間的長度被擴張成200mm的狀態下保持1分鐘，其後，以200mm/min的速度在長度方向回復至夾具間的長度成為100mm，在夾具間的長度回復至100mm的狀態下保持1分鐘，其後，以60mm/min的速度拉伸於長度方向，測定拉伸力的測定值為顯示0.1N/15mm時的夾具間的長度，將從該長度減去初期的夾具間的長度100mm後的長度設為L2(mm)，且將從前述被擴張的狀態的夾具間的長度200mm減去初期的夾具間的長度100mm後的長度設為L1(mm)時，以下面的數學式(式2)來算出，復原率(%)={1-(L2÷L1)}×100 ･･･ (式1)。在本發明之一形態的黏著薄板中，前述基材係具有：第一基材面，及與前述第一基材面相反側的第二基材面，在前述第一基材面設有前述黏著劑層作為第一黏著劑層，在前述第二基材面設有第二黏著劑層為理想。在本發明之一形態的黏著薄板中，前述黏著薄板係被用在半導體加工。若根據本發明，則可提供一種容易使複數的被著體的間隔擴張之黏著薄板。

以下，說明有關本發明之一實施形態。 [黏著薄板] 本實施形態的黏著薄板是具有基材及黏著劑層。黏著薄板的形狀是例如可取膠帶狀(長尺的形態)及標籤狀(單片的形態)等所有的形狀。 (黏著劑層的楊氏模數) 在本實施形態的黏著薄板中，黏著劑層的楊氏模數為未滿1.0×10⁵ [Pa]。若黏著劑層的楊氏模數為未滿1.0×10⁵ [Pa]，則容易使複數的被著體的間隔擴張。亦即，黏著薄板的擴張性會提升。黏著劑層的楊氏模數是9.5×10⁴ [Pa]以下為理想。黏著劑層的楊氏模數是5.0×10³ [Pa]以上為理想， 1.0×10⁴ [Pa]以上更理想。黏著劑層的楊氏模數是可依據後述的實施例記載的方法來測定。 (基材) 由容易使延伸大的觀點，基材的材料是熱可塑性彈性體或橡膠系材料為理想，熱可塑性彈性體更為理想。又，由容易使延伸大的觀點，基材的材料是使用玻璃轉化溫度(Tg)比較低的樹脂為理想。如此的樹脂的玻璃轉化溫度(Tg)是90℃以下為理想，80℃以下更理想，70℃以下更加理想。熱可塑性彈性體是可舉胺基甲酸酯系彈性體、烯烴系彈性體、氯乙烯系彈性體、聚酯系彈性體、苯乙烯系彈性體、丙烯酸系彈性體及醯胺系彈性體等。熱可塑性彈性體是可單獨1種或組合2種以上使用。由容易使延伸大的觀點，熱可塑性彈性體是使用胺基甲酸酯系彈性體為理想。胺基甲酸酯系彈性體是一般使長鏈多元醇、鏈延長劑及二異氰酸酯反應而可取得。胺基甲酸酯系彈性體是由：具有從長鏈多元醇衍生的構成單位的軟質段，及具有從鏈延長劑與二異氰酸酯的反應取得的聚胺基甲酸酯構造的硬質段所成。若依據長鏈多元醇的種類來分類胺基甲酸酯系彈性體，則可分成：聚酯系聚胺基甲酸酯彈性體、聚醚系聚胺基甲酸酯彈性體、及聚碳酸酯系聚胺基甲酸酯彈性體等。胺基甲酸酯系彈性體是可單獨1種或組合2種以上使用。在本實施形態中，由容易使延伸大的觀點，胺基甲酸酯系彈性體是聚酯系聚胺基甲酸酯彈性體或聚醚系聚胺基甲酸酯彈性體為理想。作為長鏈多元醇的例子，可舉內酯系聚酯多元醇、及己二酸酯系聚酯多元醇等之聚酯多元醇；聚丙烯(乙烯)多元醇、及聚四亞甲醚乙二醇等之聚醚多元醇；聚碳酸酯多元醇等。在本實施形態中，由容易使延伸大的觀點，長鏈多元醇是己二酸酯系聚酯多元醇為理想。作為二異氰酸酯的例子、可舉2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯、及六亞甲基二異氰酸酯等。在本實施形態中，由容易使延伸大的觀點，二異氰酸酯是六亞甲基二異氰酸酯為理想。作為鏈延長劑，可舉低分子多元醇(例如1,4-丁二醇、及1,6-己二醇等)、及芳香族二胺等。此等之中，由容易使延伸大的觀點，使用1,6-己二醇為理想。作為烯烴系彈性體，可舉包含從由乙烯･α-烯烴共聚物、丙烯･α-烯烴共聚物、丁烯･α-烯烴共聚物、乙烯･丙烯･α-烯烴共聚物、乙烯･丁烯･α-烯烴共聚物、丙烯･丁烯-α烯烴共聚物、乙烯･丙烯･丁烯-α･烯烴共聚物、苯乙烯･異戊二烯共聚物、及苯乙烯･乙烯･丁烯共聚物所成的群來選擇的至少1種的樹脂之彈性體。烯烴系彈性體是可單獨1種或組合2種以上使用。烯烴系彈性體的密度是未被特別加以限定。例如，烯烴系彈性體的密度是0.860g/cm³ 以上、未滿0.905g/cm³ 為理想，0.862g/cm³ 以上、未滿0.900g/cm³ 為更理想，0.864g/cm³ 以上、未滿0.895g/cm³ 為特別理想。藉由烯烴系彈性體的密度符合上述範圍，基材是將作為被著體的半導體晶圓貼附於黏著薄板時的凹凸追隨性等佳。烯烴系彈性體是為了形成此彈性體而使用的全單量體之中，由烯烴系化合物所成的單量體的質量比率(在本說明書中亦稱為「烯烴含有率」)為50質量%以上、100質量%以下為理想。當烯烴含有率過度低時，作為包含來源於烯烴的構造單位的彈性體的的性質不易出現，基材是難顯示柔軟性及橡膠彈性。由安定地取得柔軟性及橡膠彈性的觀點，烯烴含有率是50質量%以上為理想，60質量%以上更理想。作為苯乙烯系彈性體，可舉苯乙烯-共軛二烯共聚物、及苯乙烯-烯烴共聚物等。作為苯乙烯-共軛二烯共聚物之具體例，可舉苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物(SBS)、苯乙烯-丁二烯-丁烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-異戊二烯共聚物、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯共聚物(SIS)、苯乙烯-乙烯-異戊二烯-苯乙烯共聚物等之未氫化苯乙烯-共軛二烯共聚物、苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯共聚物(SEPS、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯共聚物之氫化物)、及苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物(SEBS、苯乙烯-丁二烯共聚物之氫化物)等之水添苯乙烯-共軛二烯共聚物等。又，工業上，作為苯乙烯系彈性體，可舉Tufprene(旭化成股份公司製)、Kraton(Kraton Polymer Japan股份公司製)、住友TPE-SB(住友化學股份公司製)、EPOFRIEND(股份公司DAICEL製)、RABALON(Mitsubishi Chemical股份公司製)、SEPTON(股份公司kuraray製)、及Tuftec(旭化成股份公司製)等之商品名。苯乙烯系彈性體是亦可為氫化物或非氫化物。苯乙烯系彈性體是可單獨1種或組合2種以上使用。作為橡膠系材料，例如可舉天然橡膠、合成異戊二烯橡膠(IR)、丁二烯橡膠(BR)、苯乙烯-丁二烯橡膠(SBR)、氯丁二烯橡膠(CR)、丙烯腈-丁二烯共聚合橡膠(NBR)、丁基橡膠(IIR)、鹵化丁基橡膠、丙烯酸橡膠、胺基甲酸酯橡膠、及多硫化橡膠等。橡膠系材料是可為該等的單獨1種或組合2種以上使用。基材是亦可為由上述般的材料(例如熱可塑性彈性體或橡膠系材料)所成的薄膜複數層疊的層疊薄膜。又，基材是亦可為由上述般的材料(例如熱可塑性彈性體或橡膠系材料)所成的薄膜與其他的薄膜層疊的層疊薄膜。基材是亦可在以上述的樹脂系材料作為主材料的薄膜內含添加劑。作為添加劑，例如可舉顏料、染料、難燃劑、可塑劑、帶電防止劑、滑劑及填充物等。作為顏料，例如可舉二氧化鈦及碳黑等。又，作為填充物，例如有三聚氰胺樹脂之類的有機系材料、氣相式二氧化矽(Fumed Silica)之類的無機系材料、及鎳粒子之類的金屬系材料。如此的添加劑的含有量是未被特別加以限定，但止於基材可發揮所望的機能的範圍為理想。基材是以使和被層疊於第一基材面及第二基材面的至少任一面的黏著劑層的密著性提升的目的，亦可依照所望，在一面或兩面實施表面處理或底漆(primer)處理。作為表面處理，可舉氧化法及凹凸化法等。作為底漆處理，可舉在基材表面形成底漆層的方法。作為氧化法，例如可舉電暈放電處理、離子放電處理、鉻氧化處理(濕式)、火焰處理、熱風處理、臭氧處理及紫外線照射處理等。作為凹凸化法，例如可舉噴沙法及熱噴塗處理法等。當黏著劑層含有能量線硬化性黏著劑時，基材是具有對於能量線的透過性為理想。使用紫外線作為能量線時，基材是對於紫外線具有透過性為理想。使用電子線作為能量線時，基材是具有電子線的透過性為理想。基材的厚度是不被限定，只要黏著薄板在所望的工程中可適當地發揮機能。基材的厚度是20μm以上為理想，40μm以上更理想。又，基材的厚度是250μm以下為理想，200μm以下更理想。並且，在基材的第一基材面或第二基材面的面內方向以2cm間隔來測定複數處的厚度時的基材的厚度的標準偏差是2μm以下為理想，1.5μm以下更理想，1μm以下更加理想。藉由該標準偏差為2μm以下，黏著薄板是具有精度高的厚度，可使黏著薄板均一地延伸。在23℃，基材的MD方向及CD方向的拉伸彈性率分別為10MPa以上、350MPa以下，在23℃，基材的MD方向及CD方向的100%應力分別為3MPa以上、20MPa以下為理想。藉由拉伸彈性率及100%應力為上述範圍，可擴大延伸黏著薄板。基材的100%應力是如其次般取得的值。從基材切出150mm(長度方向)×15mm(寬度方向)的大小的試驗片。將切出的試驗片的長度方向的兩端，以夾具間的長度成為100mm的方式，用夾具抓住。用夾具抓住試驗片之後，以速度200mm/min來拉伸於長度方向，讀取夾具間的長度成為200mm時的拉伸力的測定值。基材的100%應力是藉由讀取的拉伸力的測定值除以基材的剖面積而取得的值。基材的剖面積是以寬度方向長度15mm×基材(試驗片)的厚度來算出。該切出是以基材的製造時的流程方向(MD方向)或與MD方向正交的方向(CD方向)和試驗片的長度方向會一致的方式進行。另外，在此拉伸試驗中，試驗片的厚度是不被特別限制，亦可與作為試驗的對象的基材的厚度相同。在23℃，基材的MD方向及CD方向的破斷伸度分別為100%以上為理想。藉由基材的MD方向及CD方向的破斷伸度分別為100%以上，不會有產生破斷的情形，可擴大伸長黏著薄板。基材的拉伸彈性率(MPa)及基材的破斷伸度(%)是可其次般測定。將基材裁斷成15mm×140mm而取得試驗片。有關該試驗片是遵照JIS K7161：2014及JIS K7127：1999，測定23℃的破斷伸度及拉伸彈性率。具體而言，在拉伸試驗機(股份有限公司島津製作所製，製品名「Autograph AG-IS 500N」)，將上述試驗片設定成夾頭間距離100mm之後，以200mm/min的速度來進行拉伸試驗，測定破斷伸度(%)及拉伸彈性率(MPa)。另外，測定是在基材的製造時的流程方向(MD)及直角的方向(CD)的雙方。 (黏著劑層) 在本實施形態的黏著薄板中，黏著劑層是不被特別限定，只要符合前述的楊氏模數的範圍。以符合前述的楊氏模數的範圍之方式，例如，可從以下說明的材料之中適當選擇構成黏著劑層的材料來調配。･能量線硬化性樹脂(a1) 黏著劑層是含有能量線硬化性樹脂(a1)為理想。能量線硬化性樹脂(a1)是在分子內具有能量線硬化性的雙鍵。含有能量線硬化性樹脂的黏著劑層是藉由能量線照射來硬化而黏著力降低。所欲分離被著體與黏著薄板時，藉由將能量線照射至黏著劑層，可容易分離。能量線硬化性樹脂(a1)是(甲基)丙烯酸系樹脂為理想。能量線硬化性樹脂(a1)是紫外線硬化性樹脂為理想，是紫外線硬化性的(甲基)丙烯酸系樹脂更為理想。能量線硬化性樹脂(a1)是一旦接受能量線的照射，則聚合硬化的樹脂。能量線是例如可舉紫外線及電子線等。作為能量線硬化性樹脂(a1)的例子，可舉具有能量線聚合性基的低分子量化合物(單官能之單體、多官能之單體、單官能的寡聚物、及多官能的寡聚物)。能量線硬化性樹脂(a1)具體而言可使用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、及1,6-己二醇二丙烯酸酯等之丙烯酸酯、二環戊二烯二甲氧基二丙烯酸酯、及丙烯酸異冰片酯等之含有環狀脂肪族骨架的丙烯酸酯、以及聚乙二醇二丙烯酸酯、寡酯丙烯酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物、環氧基改質丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、及依康酸寡聚物等之丙烯酸酯系化合物。能量線硬化性樹脂(a1)是可單獨1種或組合2種以上使用。能量線硬化性樹脂(a1)的分子量是通常為100以上、30000以下，300以上、10000以下程度為理想。･(甲基)丙烯酸系共聚物(b1) 本實施形態的黏著劑層是更含(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)為理想。(甲基)丙烯酸系共聚物是與前述的能量線硬化性樹脂(a1)不同。 (甲基)丙烯酸系共聚物(b1)是具有能量線硬化性的碳-碳雙鍵為理想。亦即，在本實施形態中，黏著劑層是含有能量線硬化性樹脂(a1)及能量線硬化性的(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)為理想。本實施形態的黏著劑層是相對於(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)100質量份，以10質量份以上的比例含有能量線硬化性樹脂(a1)為理想，以20質量份以上的比例含有更理想，以25質量份以上的比例含有更加理想。本實施形態的黏著劑層是相對於(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)100質量份，以80質量份以下的比例含有能量線硬化性樹脂(a1)為理想，以70質量份以下的比例含有更理想，以60質量份以下的比例含有更加理想。 (甲基)丙烯酸系共聚物(b1)的重量平均分子量(Mw)是1萬以上為理想，15萬以上更理想，20萬以上更加理想。又，(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)的重量平均分子量(Mw)是150萬以下為理想，100萬以下更理想。另外，本說明書的重量平均分子量(Mw)是藉由膠體滲透層析儀(Gel Permeation Chromatography，簡稱GPC)來測定的標準聚苯乙烯換算的值。 (甲基)丙烯酸系共聚物(b1)是在側鏈導入具有能量線硬化性的官能基(能量線硬化性基)的(甲基)丙烯酸酯聚合物(b2)(以下有時稱為「能量線硬化性聚合物(b2)」)為理想。能量線硬化性聚合物(b2)是使具有含有官能基之單體單位的丙烯酸系共聚物(b21)與具有結合於該官能基的官能基的含有不飽和基之化合物(b22)反應而取得的共聚物為理想。另外，在本說明書中，所謂(甲基)丙烯酸酯是意思丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯的雙方。其他的類似用語也同樣。丙烯酸系共聚物(b21)是包含：由含有官能基之單體所引導的構成單位，及由(甲基)丙烯酸酯單體或(甲基)丙烯酸酯單體的衍生物所引導的構成單位。作為丙烯酸系共聚物(b21)的構成單位的含有官能基之單體是在分子內具有聚合性的雙鍵及官能基的單體為理想。官能基是從由羥基、羧基、胺基、取代胺基、及環氧基等所成的群來選擇的至少任一之官能基為理想。作為含有羥基之單體，例如可舉2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、3-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、及4-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯等。含有羥基之單體是可單獨1種或組合2種以上使用。作為含有羧基之單體，例如可舉丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、依康酸、及檸康酸等之乙烯性不飽和羧酸。含有羧基之單體是可單獨1種或組合2種以上使用。作為含有胺基之單體或含有取代胺基之單體，例如可舉胺基乙基(甲基)丙烯酸酯、及n-丁基胺基乙基(甲基)丙烯酸酯等。含有胺基之單體或含有取代胺基之單體是可單獨1種或組合2種以上使用。作為構成丙烯酸系共聚物(b21)的(甲基)丙烯酸酯單體，除了烷基之碳數為1以上、20以下的烷基(甲基)丙烯酸酯以外，例如可適用在分子內具有脂環式構造的單體(含有脂環式構造之單體)。作為烷基(甲基)丙烯酸酯是烷基之碳數為1以上、18以下的烷基(甲基)丙烯酸酯為理想。烷基(甲基)丙烯酸酯是例如甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、丙基(甲基)丙烯酸酯、n-丁基(甲基)丙烯酸酯、及2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯等更理想。烷基(甲基)丙烯酸酯是可單獨1種或組合2種以上使用。作為含有脂環式構造之單體，例如可適用(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸金剛烷酯、(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、及(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基乙酯等。含有脂環式構造之單體是可單獨1種或組合2種以上使用。丙烯酸系共聚物(b21)是以1質量%以上的比例含有由上述含有官能基之單體所引導的構成單位為理想，以5質量%以上的比例含有更理想，以10質量%以上的比例含有更加理想。又，丙烯酸系共聚物(b21)是以35質量%以下的比例含有由上述含有官能基之單體所引導的構成單位為理想，以30質量%以下的比例含有更理想，以25質量%以下的比例含有更加理想。又，丙烯酸系共聚物(b21)是以50質量%以上的比例含有由(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物所引導的構成單位為理想，以60質量%以上的比例含有更理想，以70質量%以上的比例含有更加理想。又，丙烯酸系共聚物(b21)是以99質量%以下的比例含有由(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物所引導的構成單位為理想，以95質量%以下的比例含有更理想，以90質量%以下的比例含有更加理想。丙烯酸系共聚物(b21)是可藉由以常用方法來共聚合上述般的含有官能基之單體及(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物而取得。丙烯酸系共聚物(b21)是上述的單體以外，亦可含有從由二甲基丙烯醯胺、甲酸乙烯基、乙酸乙烯基及苯乙烯等所成的群來選擇的至少任一個的構成單位。藉由使具有上述含有官能基之單體單位的丙烯酸系共聚物(b21)與具有結合於該官能基的官能基的含有不飽和基之化合物(b22)反應，可取得能量線硬化性聚合物(b2)。含有不飽和基之化合物(b22)所具有的官能基是可按照丙烯酸系共聚物(b21)所具有的含有官能基之單體單位的官能基的種類來適當選擇。例如，當丙烯酸系共聚物(b21)所具有的官能基為羥基、胺基或取代胺基時，作為含有不飽和基之化合物(b22)所具有的官能基是異氰酸酯基或環氧基為理想，當丙烯酸系共聚物(b21)所具有的官能基為環氧基時，作為含有不飽和基之化合物(b22)所具有的官能基是胺基、羧基或氮丙啶基為理想。含有不飽和基之化合物(b22)是在1分子中至少含1個能量線聚合性的碳-碳雙鍵，含1個以上、6個以下為理想，含1個以上、4個以下更理想。作為含有不飽和基之化合物(b22)，例如可舉2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(2-異氰酸基乙基甲基丙烯酸酯)、甲基異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯、甲基丙烯醯基異氰酸酯、烯丙基異氰酸酯、1,1-(雙丙烯醯氧基甲基)乙基異氰酸酯；藉由二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物與羥基乙基(甲基)丙烯酸酯的反應所取得之丙烯醯基單異氰酸酯化合物；藉由二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物與多元醇化合物和羥基乙基(甲基)丙烯酸酯的反應所取得之丙烯醯基單異氰酸酯化合物；縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸、2-(1-氮丙啶基)乙基(甲基)丙烯酸酯、2-乙烯基-2-噁唑啉(oxazoline)、2-異丙烯基-2-噁唑啉等。含有不飽和基之化合物(b22)是相對於丙烯酸系共聚物(b21)的含有官能基之單體的莫耳數，以50莫耳%以上的比例(附加率)使用為理想，以60莫耳%以上的比例使用更理想，以70莫耳%以上的比例使用更加理想。又，含有不飽和基之化合物(b22)是相對於丙烯酸系共聚物(b21)的含有官能基之單體莫耳數，以95莫耳%以下的比例使用為理想，以93莫耳%以下的比例使用更理想，以90莫耳%以下的比例使用更加理想。在丙烯酸系共聚物(b21)與含有不飽和基之化合物(b22)的反應中，可按照丙烯酸系共聚物(b21)所具有的官能基與含有不飽和基之化合物(b22)所具有的官能基的組合，來適當選擇反應的溫度、壓力、溶媒、時間、觸媒的有無、及觸媒的種類。藉此，丙烯酸系共聚物(b21)所具有的官能基與含有不飽和基之化合物(b22)所具有的官能基會反應，不飽和基會被導入至丙烯酸系共聚物(b21)的側鏈，可取得能量線硬化性聚合物(b2)。能量線硬化性聚合物(b2)的重量平均分子量(Mw)是1萬以上為理想，15萬以上更理想，20萬以上更加理想。又，能量線硬化性聚合物(b2)的重量平均分子量(Mw)是150萬以下為理想，100萬以下更為理想。･光聚合開始劑(C) 當黏著劑層為含有紫外線硬化性的化合物(例如紫外線硬化性樹脂)時，黏著劑層是含有光聚合開始劑(C)為理想。藉由含有黏著劑層為光聚合開始劑(C)，可減少聚合硬化時間及光線照射量。作為光聚合開始劑(C)，具體而言，可舉二苯甲酮、苯乙酮、苯偶因、苯偶因甲醚、苯偶因乙醚、苯偶因異丙醚、苯偶因異丁醚、苯偶因苯甲酸、苯偶因苯甲酸甲酯、苯偶因二甲基縮醛、2,4-二乙基硫雜蒽酮(thioxanthone)、1-羥基環己基苯基酮、苄基二苯基硫化物、四甲基秋蘭姆單硫化物、偶氮雙異丁腈、二苯基乙二酮、聯苄、二乙醯基、β-氯蒽醌、(2,4,6-三甲基苄基二苯基)氧化膦、2-苯并噻唑-N,N-二乙基二硫代胺基甲酸鹽、寡聚{2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-丙烯基)苯基]丙酮}、及2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1酮等。該等光聚合起始劑(C)是可單獨1種或亦可併用2種以上。光聚合起始劑(C)是在黏著劑層調配能量線硬化性樹脂(a1)及(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)時，相對於能量線硬化性樹脂(a1)及(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)的合計量100質量份，以0.1質量份以上的量使用為理想，以0.5質量份以上的量使用更理想。又，光聚合起始劑(C)是在黏著劑層調配能量線硬化性樹脂(a1)及(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)時，相對於能量線硬化性樹脂(a1)及(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)的合計量100質量份，以10質量份以下的量使用為理想，以6質量份以下的量使用更理想。黏著劑層是除了上述成分以外，亦可適當調配其他的成分。其他的成分是例如可舉交聯劑(E)等。･交聯劑(E) 交聯劑(E)是可使用具有與(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)等所具有的官能基的反應性的多官能性化合物。作為如此的多官能性化合物的例子，可舉異氰酸酯化合物、環氧化合物、胺化合物、三聚氰胺化合物、氮丙啶化合物、肼化合物、醛化合物、噁唑啉化合物、金屬烷氧化物化合物、金屬螯合物化合物、金屬鹽、銨鹽及反應性酚樹脂等。交聯劑(E)的調配量是相對於(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)100質量份，0.01質量份以上為理想，0.03質量份以上更為理想，0.04質量份以上更加理想。又，交聯劑(E)的調配量是相對於(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)100質量份，8質量份以下為理想，5質量份以下更為理想，3.5質量份以下更加理想。黏著劑層的厚度是不被特別限定。黏著劑層的厚度是例如10μm以上為理想，20μm以上更理想。又，黏著劑層的厚度是150μm以下為理想，100μm以下更理想。本實施形態的黏著薄板的復原率是70%以上為理想，80%以上更理想，85%以上更加理想。本實施形態的黏著薄板的復原率是100%以下為理想。藉由復原率為上述範圍，可擴大延伸黏著薄板。前述復原率，是在將前述黏著薄板切出成150mm(長度方向)×15mm(寬度方向)的試驗片中，將長度方向的兩端，以夾具間的長度成為100mm的方式，用夾具抓住，其後，以200mm/min的速度拉伸至夾具間的長度成為200mm，在夾具間的長度被擴張成200mm的狀態下保持1分鐘，其後，以200mm/min的速度回復於長度方向至夾具間的長度成為100mm，在夾具間的長度回復至100mm的狀態下保持1分鐘，其後，以60mm/min的速度拉伸於長度方向，測定拉伸力的測定值為顯示0.1N/15mm時的夾具間的長度，將從該長度減去初期的夾具間的長度100mm後的長度設為L2(mm)，且將從前述被擴張的狀態的夾具間的長度200mm減去初期的夾具間的長度100mm後的長度設為L1(mm)時，以下面的數學式(式1)來算出。復原率(%)={1-(L2÷L1)}×100 ･･･(式1) 當復原率為上述範圍時，意味黏著薄板在擴大延伸之後也容易復原。一般，若將具有降伏點的薄板延伸至降伏點以上，則薄板引起塑性變形，成為引起塑性變形的部分亦即被延伸至極端的部分偏在的狀態。若將如此的狀態的薄板進一步延伸，則從上述被延伸至極端的部分產生破斷，或即使不產生破斷，也形成擴張不均一。又，即使為在將應變設為x軸，且將伸長分別繪製於y軸的應力-應變線圖中，傾斜度dx/dy不取從正的值變化成0或負的值的應力值，未顯示明確的降伏點的薄板，也隨著拉伸量變大，在薄板引起塑性變形，同樣產生破斷，或擴張不均一。另一方面，不是塑性變形，而是產生彈性變形時，藉由除去應力，薄板容易復原成原來的形狀。於是，藉由表示在充分大的拉伸量之100%伸長後如何程度復原的指標之復原率為上述範圍，在擴大延伸黏著薄板時，薄膜的塑性變形會被壓到最小限度，不易產生破斷，且可為均一的擴張。 (剝離薄板) 本實施形態的黏著薄板是在將其黏著面貼附至被著體(例如半導體晶片等)為止的期間，以保護黏著面的目的，亦可在黏著面層疊有剝離薄板。剝離薄板的構成為任意。作為剝離薄板的例子是例如藉由剝離劑等來剝離處理的塑膠薄膜。作為塑膠薄膜之具體例，可舉聚酯薄膜及聚烯烴薄膜。作為聚酯薄膜，例如，可舉聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、或聚萘二甲酸乙二酯等之薄膜。作為聚烯烴薄膜，例如，可舉聚丙烯、或聚乙烯等之薄膜。剝離劑是可使用聚矽氧(silicone)系、氟系及長鏈烷基系等。該等剝離劑之中，便宜可取得安定的性能之聚矽氧系為理想。剝離薄板的厚度是未被特別加以限定。剝離薄板的厚度是通常20μm以上，250μm以下。 (黏著薄板的製造方法) 本實施形態的黏著薄板是可與以往的黏著薄板同樣製造。黏著薄板的製造方法是未特別詳細地限定，只要將前述的黏著劑層層疊於基材的一面即可。作為黏著薄板的製造方法之一例，可舉其次般的方法。首先，調製構成黏著劑層的黏著性組成物、及依所望進一步含有溶媒或分散媒的塗工液。其次，在基材的一面上藉由塗佈手段來塗佈塗工液而形成塗膜。作為塗佈手段是例如可舉擠出式塗佈機(die Coater)、幕簾式塗佈機、噴霧塗佈機、狹縫塗佈機及刀式塗佈機等。其次，藉由使該塗膜乾燥，可形成黏著劑層。塗工液是只要可進行塗佈即可，其性狀是不被特別限定。塗工液是有含有用以形成黏著劑層的成分作為溶質的情況，亦有含有用以形成黏著劑層的成分作為分散質的情況。又，作為黏著薄板的製造方法的別的一例，可舉其次般的方法。首先，在前述的剝離薄板的剝離面上塗佈塗工液而形成塗膜。其次，使塗膜乾燥而形成由黏著劑層及剝離薄板所成的層疊體。其次，亦可在此層疊體的黏著劑層之與剝離薄板側的面相反側的面貼附基材，而取得黏著薄板與剝離薄板的層疊體。此層疊體的剝離薄板是亦可作為工程材料剝離，或亦可至被著體(例如半導體晶片及半導體晶圓等)被貼附於黏著劑層為止，保護黏著劑層。當塗工液為含有交聯劑時，只要藉由改變塗膜的乾燥的條件(例如溫度及時間等)，或藉由另外進行加熱處理，使塗膜內的(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)與交聯劑的架橋反應進展，在黏著劑層內以所望的存在密度來形成架橋構造即可。為了使此架橋反應充分地進展，亦可藉由上述的方法等來使黏著劑層層疊於基材之後，進行例如在23℃、相對濕度50%的環境數日靜置取得的黏著薄板的養生。本實施形態的黏著薄板的厚度是30μm以上為理想，50μm以上更理想。又，黏著薄板的厚度是400μm以下為理想，300μm以下更理想。 [黏著薄板的使用方法] 本實施形態的黏著薄板是可貼著於各種的被著體，因此可適用本實施形態的黏著薄板的被著體是不被特別限定。例如，被著體是半導體晶片及半導體晶圓為理想。本實施形態的黏著薄板是例如可使用於半導體加工用。而且，本實施形態的黏著薄板是可使用於為了擴大被貼著於一面的複數的半導體晶片的間隔。複數的半導體晶片的擴張間隔是依據半導體晶片的大小，因此不被特別限定。本實施形態的黏著薄板是為了將被貼著於黏著薄板的一面之複數的半導體晶片的相鄰的半導體晶片的相互的間隔擴大200μm以上而使用為理想。另外，該半導體晶片的相互的間隔的上限是不被特別限制。該半導體晶片的相互的間隔的上限是例如亦可為6000μm。又，本實施形態的黏著薄板是在藉由至少2軸延伸來擴大被層疊於黏著薄板的一面的複數的半導體晶片的間隔的情況也可使用。此情況，黏著薄板是例如在彼此正交的X軸及Y軸的+X軸方向、-X軸方向、+Y軸方向及-Y軸方向的4方向賦予張力而拉長，更具體而言，分別被拉長於基材的MD方向及CD方向。上述般的2軸延伸是例如可使用在X軸方向及Y軸方向賦予張力的離間裝置來進行。在此，X軸及Y軸是設為正交者，將平行於X軸的方向之中的1個設為+X軸方向，將與該+X軸方向相反的方向設為-X軸方向，將平行於Y軸的方向之中的1個設為+Y軸方向，將與該+Y軸方向相反的方向設為-Y軸方向。上述離間裝置是對於黏著薄板，在+X軸方向、-X軸方向、+Y軸方向及-Y軸方向的4方向賦予張力，有關此4方向的各者，具備複數的保持手段及對應於該等的複數的張力賦予手段為理想。各方向的保持手段及張力賦予手段的數量是依黏著薄板的大小而定，例如亦可為3個以上、10個以下程度。在此，在包含為了例如在+X軸方向賦予張力而具備的複數的保持手段及複數的張力賦予手段之群中，各者的保持手段是具備保持黏著薄板的保持構件，各者的張力賦予手段是使對應於該張力賦予手段的保持構件移動於+X軸方向而對黏著薄板賦予張力為理想。而且，複數的張力賦予手段是被設為各自獨立地使保持手段移動於+X軸方向為理想。並且，在包含為了在-X軸方向、+Y軸方向及 -Y軸方向各自賦予張力而具備的複數的保持手段及複數的張力賦予手段之3個的群中，也具有同樣的構成為理想。藉此，上述離間裝置是可在與各方向正交的方向的每個領域，對於黏著薄板賦予不同的大小的張力。一般，利用4個的保持構件來從+X軸方向、-X軸方向、+Y軸方向及-Y軸方向的4方向分別保持黏著薄板，延伸於該4方向的情況，在黏著薄板是除了該等4方向以外，在該等的合成方向(例如+X軸方向與+Y軸方向的合成方向、+Y軸方向與-X軸方向的合成方向、-X軸方向與-Y軸方向的合成方向及-Y軸方向與+X軸方向的合成方向)也被賦予張力。其結果，有在黏著薄板的內側領域的半導體晶片的間隔與外側領域的半導體晶片的間隔產生不同的情形。然而，由於上述的離間裝置是在+X軸方向、-X軸方向、+Y軸方向及-Y軸方向的各自的方向，複數的張力賦予手段可各自獨立地對黏著薄板賦予張力，因此能以上述般的黏著薄板的內側與外側的間隔的不同會被解消的方式延伸黏著薄板。其結果，可正確地調整半導體晶片的間隔。上述離間裝置是更具備測定半導體晶片的相互間隔的測定手段為理想。在此，上述張力賦予手段是可根據測定手段的測定結果，個別地移動設置複數的保持構件為理想。藉由上述離間裝置具備測定手段，可根據上述測定手段之半導體晶片的間隔的測定結果來進一步調整該間隔的結果，可更正確地調整半導體晶片的間隔。另外，在上述離間裝置中，作為保持手段，例如可舉夾頭手段及減壓手段。作為夾頭手段，例如可舉機械式夾頭(Mechanical Chuck)及夾頭氣缸(Chuck Cylinder)等。作為減壓手段，例如可舉減壓泵及真空抽氣器(Vacuum Ejector)等。並且，在上述離間裝置中，保持手段是亦可為以黏著劑或磁力等來支持黏著薄板的構成。又，作為夾頭手段的保持構件，例如可使用具有具備下支持構件、驅動機器及上支持構件之構成的保持構件，該下支持構件是由下來支持黏著薄板，該驅動機器是被下支持構件支持，該上支持構件是被驅動機器的輸出軸支持，可藉由驅動機器驅動而從上來推壓黏著薄板。作為該驅動機器是例如可舉電動機器及致動器(actuator)等。作為電動機器，例如可舉迴轉馬達、直動馬達、線性馬達、單軸機械手及多關節機械手等。作為致動器，例如可舉氣壓缸、油壓缸、無桿氣缸及回轉壓缸等。並且，在上述離間裝置中，張力賦予手段是具備驅動機器，亦可藉由該驅動機器來使保持構件移動。作為張力賦予手段所具備的驅動機器，可使用與上述的保持構件所具備的驅動機器同樣的驅動機器。例如，張力賦予手段是亦可為具備：作為驅動機器的直動馬達，及介於直動馬達與保持構件之間的輸出軸，驅動的直動馬達會經由輸出軸來使保持構件移動的構成。使用本實施形態的黏著薄板來擴大半導體晶片的間隔時，亦可從半導體晶片彼此間接觸的狀態或半導體晶片的間隔幾乎未被擴大的狀態來擴大其間隔，或亦可從半導體晶片彼此間的間隔已被擴大至預定的間隔的狀態再擴大其間隔。從半導體晶片彼此間接觸的狀態或半導體晶片的間隔幾乎未被擴大的狀態來擴大其間隔時，例如，藉由在切割薄板上分割半導體晶圓來取得複數的半導體晶片之後，從該切割薄板轉印複數的半導體晶片至本實施形態的黏著薄板，接著，可擴大該半導體晶片的間隔。或者，亦可在本實施形態的黏著薄板上分割半導體晶圓而取得複數的半導體晶片之後，擴大該半導體晶片的間隔。從半導體晶片彼此間的間隔已被擴大至預定的間隔的狀態再擴大其間隔時，是使用其他的黏著薄板，較理想是本實施形態的黏著薄板(第一延伸用黏著薄板)來將半導體晶片彼此間的間隔擴大至預定的間隔之後，從該薄板(第一延伸用黏著薄板)轉印半導體晶片至本實施形態的黏著薄板(第二延伸用黏著薄板)，接著，藉由延伸本實施形態的黏著薄板(第二延伸用黏著薄板)，可再擴大半導體晶片的間隔。另外，如此的半導體晶片的轉印與黏著薄板的延伸是亦可重複複數次至半導體晶片的間隔成為所望的距離。 [半導體晶圓級封裝(FO-WLP)的製造方法] 本實施形態的黏著薄板是使用在被要求使半導體晶片的間隔比較大離間的用途為理想，作為如此的用途的例子，可舉扇出型的半導體晶圓級封裝(FO-WLP)的製造方法。作為如此的FO-WLP的製造方法的例子，可舉以下說明的第一形態。 (第一形態) 以下，說明使用本實施形態的黏著薄板的FO-WLP的製造方法的第一形態。另外，在此第一形態中，本實施形態的黏著薄板是作為後述的第一黏著薄板10使用。在圖1A是顯示第一黏著薄板10及被貼著於第一黏著薄板10的複數的半導體晶片CP。第一黏著薄板10是具有第一基材11及第一黏著劑層12。第一基材11是對應於本實施形態的黏著薄板的基材。第一黏著劑層12是對應於本實施形態的黏著薄板的黏著劑層。第一基材11是具有第一基材面11A及與第一基材面11A相反側的第二基材面11B。第一黏著劑層12是被設在第一基材面11A。在第二基材面11B是未設有黏著劑層。在本實施形態中，第一黏著薄板10作為擴張薄板使用。半導體晶片CP是具有電路面W1及與電路面W1相反側的背面W3。在電路面W1是形成有電路W2。複數的半導體晶片CP是例如藉由切割來將半導體晶圓個片化而形成為理想。切割是對於被貼著於切割薄板等的半導體晶圓實施為理想。切割是可使用切割鋸等的切斷手段。切割是亦可取代上述的切斷手段，對於半導體晶圓照射雷射光來進行。例如，亦可藉由雷射光的照射，將半導體晶圓完全切斷，個片化成複數的半導體晶片。或者，亦可藉由雷射光的照射，在半導體晶圓的內部形成改質層之後，在後述的擴張工程中，藉由拉長黏著薄板，在改質層的位置將半導體晶圓破斷，個片化成半導體晶片CP。有時將如此個片化成半導體晶片的方法稱為隱形切割。隱形切割時，雷射光的照射是例如以聚集於被設定在半導體晶圓的內部的焦點之方式照射紅外線區域的雷射光。並且，在該等的方法中，雷射光的照射是亦可從半導體晶圓的任一側進行。切割後，複數的半導體晶片CP是一併被轉印至擴張薄板為理想。在本實施形態中，被個片化的複數的半導體晶片CP是從切割薄板轉印至第一黏著薄板10。複數的半導體晶片CP是將其電路面W1朝向第一黏著劑層12貼著。在圖1B是表示說明拉長保持複數的半導體晶片CP的第一黏著薄板10的工程(以下有時稱為「擴張工程」)的圖。將第一黏著薄板10拉長，擴大複數的半導體晶片CP間的間隔。並且，在進行隱形切割時，藉由拉長第一黏著薄板10，在改質層的位置破斷半導體晶圓，個片化成複數的半導體晶片CP，且可擴大複數的半導體晶片CP間的間隔。在擴張工程中拉長第一黏著薄板10的方法是不被特別限定。作為拉長第一黏著薄板10的方法，例如可舉藉由環狀或圓狀的擴張器來拉長第一黏著薄板10的方法、及利用把持構件等來抓住第一黏著薄板10的外周部而拉長的方法等。作為後者的方法，例如可舉使用前述的離間裝置等來2軸延伸的方法。在該等的方法之中，由可更大幅度擴大半導體晶片CP間的間隔的觀點，2軸延伸的方法為理想。如圖1B所示般，將擴張後的半導體晶片CP間的距離設為D1。由於距離D1是依據半導體晶片CP的大小，因此不被特別限制。距離D1是例如各自獨立設為200μm以上、6000μm以下為理想。擴張工程之後，實施對第一黏著薄板10照射能量線，而使第一黏著劑層12硬化的工程(以下有時稱為「能量線照射工程」)。當第一黏著劑層12為紫外線硬化性時，在能量線照射工程中，對第一黏著薄板10照射紫外線。藉由在擴張工程之後使第一黏著劑層12硬化，延伸後的第一黏著薄板10的形狀保持性會提升。其結果，被貼著於第一黏著劑層12的複數的半導體晶片CP的整列性會容易被維持。在圖2A是表示說明在擴張工程之後，將複數的半導體晶片CP轉印至第二黏著薄板20的工程(以下有時稱為「轉印工程」)的圖。由於在第一擴張工程之後，使第一黏著劑層12硬化，因此第一黏著劑層12的黏著力會降低，容易將第一黏著薄板10從半導體晶片CP剝離。拉長第一黏著薄板10而擴大複數的半導體晶片CP的間隔，設為距離D1之後，在半導體晶片CP的背面W3貼著第二黏著薄板20。在此，作為該第二黏著薄板20，不被特別限定，只要可保持複數的半導體晶片CP即可。想要使複數的半導體晶片CP間的距離D1更擴張時，作為第二黏著薄板20，使用擴張薄板為理想，使用本實施形態的黏著薄板更理想。第二黏著薄板20是具有第二基材21及第三黏著劑層22。使用本實施形態的黏著薄板作為第二黏著薄板20時，第二基材21是對應於本實施形態的黏著薄板的基材，第三黏著劑層22是對應於本實施形態的黏著薄板的黏著劑層。第二黏著薄板20是亦可與複數的半導體晶片CP一起被貼著於第二環框。此情況，在第二黏著薄板20的第三黏著劑層22上載置第二環框，予以輕輕地推壓、固定。其後，將在第二環框的環形狀的內側露出的第三黏著劑層22推到半導體晶片CP的背面W3上，在第二黏著薄板20固定複數的半導體晶片CP。在圖2B是表示說明第二黏著薄板20的貼著後，剝離第一黏著薄板10的工程的圖。將第二黏著薄板20貼著之後，一旦剝離第一黏著薄板10，則複數的半導體晶片CP的電路面W1會露出。剝離第一黏著薄板10之後也維持在擴張工程中使擴張的複數的半導體晶片CP間的距離D1為理想。當第二黏著薄板20為擴張薄板時，亦可實施將第一黏著薄板10剝離後，拉長第二黏著薄板20的工程(以下有時稱為「第二擴張工程」)。此情況，也有時將拉長第一黏著薄板10的擴張工程稱為第一擴張工程。在第二擴張工程中，再擴大複數的半導體晶片CP間的間隔。當第二黏著薄板20為本實施形態的黏著薄板時，由於第三黏著劑層22為預定的楊氏模數的範圍內，因此容易使被貼著的複數的半導體晶片CP的間隔擴張。在第二擴張工程中拉長第二黏著薄板20的方法是不被特別限定。例如，第二擴張工程也可與第一擴張工程同樣實施。另外，將第二擴張工程後的半導體晶片CP間的間隔設為D2。距離D2是依據半導體晶片CP的大小，因此雖不被特別限定，但距離D2是比距離D1更大。距離D2是例如各自獨立設為200μm以上、6000μm以下為理想。在圖2C是表示說明將被貼著於第二黏著薄板20的複數的半導體晶片CP轉印至第三黏著薄板30的工程(以下有時稱為「轉印工程」)的圖。在圖2C是表示不實施第二擴張工程，從第二黏著薄板20轉印至第三黏著薄板30的狀態。第三黏著薄板30是不被特別限定，只要可保持複數的半導體晶片CP。從第二黏著薄板20轉印至第三黏著薄板30的複數的半導體晶片CP是維持半導體晶片CP間的距離D1為理想。在實施第二擴張工程時，維持半導體晶片CP間的距離D2為理想。第一擴張工程之後，藉由任意的次數重複轉印工程及擴張工程，可將半導體晶片CP間的距離設為所望的距離，將密封半導體晶片CP時的電路面的方向設為所望的方向。想要密封第三黏著薄板30上的複數的半導體晶片CP時，使用密封工程用的黏著薄板作為第三黏著薄板30為理想，使用具有耐熱性的黏著薄板更理想。第三黏著薄板30是具有第三基材31及第四黏著劑層32。又，使用具有耐熱性的黏著薄板作為第三黏著薄板30時，第三基材31及第四黏著劑層32是各自以具有可耐於在密封工程被施以的溫度的耐熱性的材料所形成為理想。作為第三黏著薄板30的別的形態，可舉具備第三基材、第三黏著劑層及第四黏著劑層的黏著薄板。此黏著薄板是在第三黏著劑層與第四黏著劑層之間含第三基材，在第三基材的兩面具有黏著劑層。從第二黏著薄板20轉印至第三黏著薄板30的複數的半導體晶片CP是朝向第四黏著劑層32貼著電路面W1。在圖2D是表示說明利用密封構件60來密封複數的半導體晶片CP的工程(以下有時稱為「密封工程」)的圖。在本實施形態中，密封工程是在複數的半導體晶片CP被轉印至第三黏著薄板30之後實施。在密封工程中，在電路面W1被第三黏著薄板30保護的狀態下，藉由密封構件60來覆蓋複數的半導體晶片CP，而形成密封體3。在複數的半導體晶片CP之間也充填有密封構件60。由於電路面W1及電路W2藉由第三黏著薄板30所覆蓋，因此可防止以密封構件60覆蓋電路面W1。藉由密封工程，可取得各預定距離離間的複數的半導體晶片CP被埋入至密封構件60的密封體3。在密封工程中，複數的半導體晶片CP是在實施擴張工程之後的距離會被維持的狀態下，藉由密封構件60來覆蓋為理想。密封工程之後，剝離第三黏著薄板30。半導體晶片CP的電路面W1及密封體3之與第三黏著薄板30接觸的面3A會露出。從密封體3剝離黏著薄板之後，對於此密封體3，依序進行：形成與半導體晶片CP電性連接的再配線層之再配線層形成工程，及將再配線層與外部端子電極電性連接的連接工程。藉由再配線層形成工程及與外部端子電極的連接工程，半導體晶片CP的電路與外部端子電極會被電性連接。以半導體晶片CP單位來將連結外部端子電極的密封體3進行個片化。使密封體3進行個片化的方法是不被特別限定。藉由將密封體3進行個片化，製造半導體晶片CP單位的半導體封裝。使連接扇出至半導體晶片CP的領域外的外部電極之半導體封裝是作為扇出型的晶圓級封裝(FO-WLP)製造。本實施形態的黏著薄板是容易使被貼著的複數的被著體的間隔擴張。因此，可適用於如以上說明般，須大幅度擴大複數的半導體晶片的間隔的用途。 [實施形態的變形] 本發明是不被限定於上述的實施形態。本發明是再可達成本發明的目的之範圍，包含將上述的實施形態變形的形態等。例如，半導體晶圓或半導體晶片的電路等是不被限定於圖示的配列或形狀等。半導體封裝之與外部端子電極的連接構造等也不被限定於在前述的實施形態說明的形態。前述的實施形態是舉製造FO-WLP型的半導體封裝的形態為例進行說明，但本發明是在製造扇入型的WLP等的其他的半導體封裝的形態也可適用。上述的第一形態的FO-WLP的製造方法是亦可變更一部分的工程，或亦可省略一部分的工程。前述實施形態是舉前述實施形態的黏著劑層被設在第一基材面及第二基材面的一方的面，在另一方的面是未設黏著劑層的形態的黏著薄板為例進行說明，但本發明是不限於如此的形態。例如，可舉在基材的兩面設有黏著劑層的黏著薄板，至少一方的黏著劑層為前述實施形態的黏著劑層。例如，在圖3是表示黏著薄板10A。黏著薄板10A是具有基材110、第一黏著劑層12及第二黏著劑層13。黏著薄板10A是在第一黏著劑層12與第二黏著劑層13之間含基材110。在基材110的第一基材面11A是設有第一黏著劑層12，在第二基材面11B是設有第二黏著劑層13。基材110是與前述實施形態的第一基材11同樣。第一黏著劑層12是對應於前述實施形態的黏著薄板的黏著劑層，前述的楊氏模數及應力上昇率符合預定的範圍。第二黏著劑層13是不被特別限定。第二黏著劑層13的黏著劑層的楊氏模數為未滿1.0×10⁵ [Pa]，當設為第二黏著劑層13的應變100%應力S_C [Pa]，應變300%應力S_D [Pa]時，以下面的數學式(式2)所算出的應力上昇率未滿25%為理想。應力上昇率[%]={(S_D -S_C )/S_C }×100 ･･･(式2) 第一黏著劑層12及第二黏著劑層13的組成是亦可為相同，或亦可為相異。第一黏著劑層12及第二黏著劑層13的厚度是亦可為相同，或亦可為相異。實施例 以下，舉實施例更詳細說明本發明。本發明是不被限定於該等實施例。 (黏著薄板的製作) [實施例1] 將丙烯酸丁酯(BA)52質量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)20質量份及2-羥基乙基丙烯酸酯(2HEA)28質量份共聚合而取得丙烯酸系共聚物。調製：對於此丙烯酸系共聚物，附加了2-異氰酸酯乙基甲基丙烯酸酯(昭和電工股份有限公司製，製品名「Karenz MOI」(註冊商標))之樹脂(丙烯酸A)的溶液(黏著劑主劑，固體部分35.0質量%)。附加率是相對於丙烯酸系共聚物的2HEA100莫耳%，將2-異氰酸酯乙基甲基丙烯酸酯設為90莫耳%。取得的樹脂(丙烯酸A)的重量平均分子量(Mw)是60萬，Mw/Mn是4.5。藉由膠體滲透層析儀(Gel Permeation Chromatography，簡稱GPC)來測定標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量Mw及數平均分子量Mn，由各測定值來求取分子量分布(Mw/Mn)。在此黏著劑主劑中添加UV樹脂A(10官能聚胺酯丙烯酸酯，日本合成化學工業股份有限公司製，製品名「UV-5806」，Mw=1740，含光聚合開始劑)及作為交聯劑的甲苯二異氰酸酯系交聯劑(Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.製，製品名「Coronate L」)。相對於黏著劑主劑中的固體部分100質量份，將UV樹脂A添加50質量份，將交聯劑添加0.2質量份。添加後，攪拌30分鐘，調製黏著劑組成物A1。其次，將調製後的黏著劑組成物A1的溶液塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)系剝離薄膜(LINTEC Corporation製，製品名「SP-PET381031」，厚度38μm)而使乾燥，在剝離薄膜上形成厚度40μm的黏著劑層。在該黏著劑層貼合作為基材的聚酯系聚胺基甲酸酯彈性體薄板(Sheedom Co.，Ltd.製，製品名「HigressDUS202」，厚度100μm)之後，裁斷除去寬度方向的端部的不要部分而製作黏著薄板SA1。 [實施例2] 在實施例1的樹脂(丙烯酸A)的溶液(黏著劑主劑、固體部分35.0質量%)中添加UV樹脂B(3官能聚胺酯丙烯酸酯，大日精化工業股份有限公司製，製品名「EXL810TL」，Mw=5000，含光聚合開始劑)，及作為交聯劑的甲苯二異氰酸酯系交聯劑(Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.製，製品名「Coronate L」)。相對於黏著劑主劑中的固體部分100質量份，將UV樹脂B添加50質量份，將交聯劑添加0.2質量份。添加後，攪拌30分鐘，調製黏著劑組成物A2。之後，除了使用黏著劑組成物A2以外，與實施例1同樣，製作實施例2的黏著薄板SA2。 [實施例3] 將2-乙基己基丙烯酸酯(2EHA)80質量份及2-羥基乙基丙烯酸酯(2HEA)20質量份共聚合而取得丙烯酸系共聚物。調製：以相對於2HEA100莫耳%，附加率成為80莫耳%的方式，對於此丙烯酸系共聚物，附加了2-異氰酸酯乙基甲基丙烯酸酯(製品名「Karenz MOI」(註冊商標)，昭和電工股份有限公司製)之樹脂(丙烯酸B)的溶液(黏著劑主劑，固體部分35.0質量%)。取得的樹脂(丙烯酸B)的重量平均分子量(Mw)是45萬、Mw/Mn是4.2。在此黏著劑主劑中添加UV樹脂A(10官能聚胺酯丙烯酸酯，日本合成化學工業股份有限公司製，製品名「UV-5806」，Mw=1740，含光聚合開始劑)及作為交聯劑的甲苯二異氰酸酯系交聯劑(Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.製，製品名「Coronate L」)。相對於黏著劑主劑中的固體部分100質量份，將UV樹脂A添加25質量份，將交聯劑添加0.2質量份。添加後，攪拌30分鐘，調製黏著劑組成物A3。其次，將調製後的黏著劑組成物A3的溶液塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)系剝離薄膜(LINTEC Corporation製，製品名「SP-PET381031」，厚度38μm)而使乾燥，在剝離薄膜上形成厚度40μm的黏著劑層。在該黏著劑層貼合作為基材的聚酯系聚胺基甲酸酯彈性體薄板(Sheedom Co.，Ltd.製，製品名「HigressDUS202」，厚度100μm)之後，裁斷除去寬度方向的端部的不要部分而製作黏著薄板SA3。 [實施例4] 在實施例3的樹脂(丙烯酸B)的溶液(黏著劑主劑、固體部分35.0質量%)中添加UV樹脂A(10官能聚胺酯丙烯酸酯，日本合成化學工業股份有限公司製，製品名「UV-5806」，Mw=1740，含光聚合開始劑)及作為交聯劑的甲苯二異氰酸酯系交聯劑(Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.製，製品名「Coronate L」)。相對於黏著劑主劑中的固體部分100質量份，將UV樹脂A添加50質量份，將交聯劑添加0.2質量份。添加後，攪拌30分鐘，調製黏著劑組成物A4。之後，除了使用黏著劑組成物A4以外，與實施例3同樣，製作實施例4的黏著薄板SA4。 [比較例1] 在與實施例1同樣的樹脂(丙烯酸A)的溶液(黏著劑主劑，固體部分35.0質量%)中添加甲苯二異氰酸酯系交聯劑(Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.製，製品名「Coronate L」)作為交聯劑。相對於黏著劑主劑中的固體部分100質量份，將交聯劑添加0.2質量份。添加後，攪拌30分鐘，調製黏著劑組成物A5。之後，除了使用黏著劑組成物A5以外，與實施例3同樣，製作比較例1的黏著薄板SA5。 [比較例2] 將丙烯酸甲酯(MA)90質量份及2-乙基己基丙烯酸酯(2EHA)10質量份共聚合而取得丙烯酸系共聚物。調製由此丙烯酸系共聚物所成的樹脂(丙烯酸C)的溶液(黏著劑主劑，固體部分35.0質量%)。取得的樹脂(丙烯酸C)的重量平均分子量(Mw)是41萬，Mw/Mn是3.2。在樹脂(丙烯酸C)的溶液(黏著劑主劑，固體部分35.0質量%)中，添加甲苯二異氰酸酯系交聯劑(Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.製，製品名「Coronate L」)作為交聯劑。相對於黏著劑主劑中的固體部分100質量份，將交聯劑添加0.2質量份。添加後，攪拌30分鐘，調製黏著劑組成物A6。之後，除了使用黏著劑組成物A6以外，與實施例3同樣，製作比較例2的黏著薄板SA6。 (楊氏模數的測定方法) 在剝離薄膜(LINTEC Corporation製「SP-PET381031」、厚度38μm)的剝離處理面，利用刀式塗佈機來塗佈在實施例1、2、3及4、比較例1及2所調製的黏著劑組成物。剝離薄膜是在聚對苯二甲酸乙二酯製薄膜的一面具有剝離處理面，此剝離處理面是在該薄膜的一面藉由聚矽氧處理來實施剝離處理的面。使塗佈後的黏著劑組成物以120℃乾燥，取得厚度為40μm的黏著劑層。在取得的黏著劑層的露出面是更與上述同樣使黏著劑層接觸於剝離薄膜的剝離處理面來貼合剝離薄膜，取得在黏著劑層的兩面設有前述剝離薄膜的層疊體。將此層疊體製作複數個，剝離一方的剝離薄膜而使厚度40μm的黏著劑層露出，在使露出的黏著劑層更層疊別的使露出的40μm的黏著劑層，形成厚度80μm的黏著劑層。重複如此的層疊，取得具有厚度200μm的黏著劑層之層疊體。將厚度200μm的黏著劑層切斷成寬度15mm、長度70mm而取得試驗片。遵照JIS K7161：2014及JIS K7127：1999，使用萬能試驗機(股份有限公司島津製作所製「Autograph AG-IS 500N」)來進行拉伸試驗。在拉伸試驗中，以將夾具間的距離成為50mm的方式固定試驗片，且以拉伸速度50mm/分鐘進行。然後，作成此時的應力應變曲線，從試驗初期的應力應變曲線的傾斜度來算出楊氏模數。 (晶片間隔的測定方法) 將在實施例1、2、3及4、比較例1及2所取得的黏著薄板切斷成210mm×210mm而取得試驗用薄板。此時，裁斷後的薄板的各邊會載斷成為與黏著薄板的基材的MD方向平行或垂直。切割6英吋矽晶圓，而以3mm×3mm的大小的晶片會在X軸方向成為5列及在Y軸方向成為5列的方式，切出計25個的晶片。將試驗用薄板的剝離薄膜剝離，在露出的黏著劑層的中心部，貼附如上述般切出的計25個的晶片。此時，晶片會在X軸方向5列及在Y軸方向5列排列。其次，將貼附有晶片的試驗用薄板設置於可2軸延伸的擴張裝置(離間裝置)。在圖4是表示說明該擴張裝置100的平面圖。圖4中，X軸及Y軸是處於彼此正交的關係，將該X軸的正的方向設為+X軸方向，將該X軸的負的方向設為-X軸方向，將該Y軸的正的方向設為+Y軸方向，將該Y軸的負的方向設為-Y軸方向。試驗用薄板200是以各邊成為與X軸或Y軸平行的方式，設置於擴張裝置100。其結果，試驗用薄板200的基材的MD方向是與X軸或Y軸平行。另外，圖4中，晶片是被省略。如圖4所示般，擴張裝置100是在+X軸方向、-X軸方向、+Y軸方向及-Y軸方向的各者具備5個的保持手段101(計20個的保持手段101)。各方向的5個的保持手段101之中，保持手段101A是位於兩端，保持手段101C是位於中央，保持手段101B是位於保持手段101A與保持手段101C之間。使試驗用薄板200的各邊藉由該等的保持手段101來把持。在此，如圖4所示般，試驗用薄板200的一邊是210mm。並且，各邊的保持手段101彼此間的間隔是40mm。而且，試驗用薄板200的一邊的端部(薄板的頂點)與存在於該邊最接近該端部的保持手段101A的間隔為25mm。接著，使對應於保持手段101的各者的未圖示的複數的張力賦予手段驅動，而使保持手段101各自獨立地移動。以夾具來固定試驗用薄板的四邊，在X軸方向及Y軸方向分別以5mm/s的速度，以200mm的擴張量來擴張試驗用薄板。其後，藉由環框來保持試驗用薄板200的擴張狀態。在保持擴張狀態的狀態下，以數位顯微鏡來測定各晶片間的距離，以各晶片間的距離的平均值作為晶片間隔。若晶片間隔為1800μm以上，則判定成合格「A」，若晶片間隔為未滿1800μm，則判定成不合格「B」。將製作後的黏著劑層及黏著薄板的評價結果顯示於表1。如表1所示般，在實施例1、2、3及4中，黏著劑層的楊氏模數為未滿1.0×10⁵ [Pa]，因此黏著薄板的擴張性佳。

3‧‧‧密封體 3A‧‧‧面 10‧‧‧第一黏著薄板 11‧‧‧第一基材 11A‧‧‧第一基材面 11B‧‧‧第二基材面 12‧‧‧第一黏著劑層 13‧‧‧第二黏著劑層 14‧‧‧塗層 20‧‧‧第二黏著薄板 21‧‧‧第二基材 22‧‧‧第三黏著劑層 30‧‧‧第三黏著薄板 31‧‧‧第三基材 32‧‧‧第四黏著劑層 60‧‧‧密封構件 100‧‧‧擴張裝置 101A‧‧‧保持手段 101B‧‧‧保持手段 101C‧‧‧保持手段 200‧‧‧試驗用薄板 W‧‧‧半導體晶圓 W1‧‧‧電路面 W2‧‧‧電路 W3‧‧‧背面 CP‧‧‧半導體晶片 D1‧‧‧距離 D2‧‧‧距離

圖1A是說明本發明之一實施形態的黏著薄板的使用方法的第一形態的剖面圖。圖1B是說明本發明之一實施形態的黏著薄板的使用方法的第一形態的剖面圖。圖2A是說明本發明之一實施形態的黏著薄板的使用方法的第一形態的剖面圖。圖2B是說明本發明之一實施形態的黏著薄板的使用方法的第一形態的剖面圖。圖2C是說明本發明之一實施形態的黏著薄板的使用方法的第一形態的剖面圖。圖2D是說明本發明之一實施形態的黏著薄板的使用方法的第一形態的剖面圖。圖3是本發明的別的一實施形態的黏著薄板的剖面圖。圖4是說明在實施例使用的2軸延伸擴張裝置的平面圖。

10‧‧‧第一黏著薄板

11‧‧‧第一基材

11A‧‧‧第一基材面

11B‧‧‧第二基材面

12‧‧‧第一黏著劑層

W1‧‧‧電路面

W2‧‧‧電路

W3‧‧‧背面

CP‧‧‧半導體晶片

D1‧‧‧距離

Claims

一種黏著薄板，其特徵為：具有基材及黏著劑層，前述黏著劑層，係含有能量線硬化性樹脂及(甲基)丙烯酸系共聚物，前述能量線硬化性樹脂為(甲基)丙烯酸系樹脂，前述(甲基)丙烯酸系共聚物，係與前述能量線硬化性樹脂不同前述黏著劑層的楊氏模數為未滿1.0×10⁵[Pa]。
如申請專利範圍第1項之黏著薄板，其中，前述能量線硬化性樹脂為紫外線硬化性樹脂。
如申請專利範圍第1項之黏著薄板，其中，前述(甲基)丙烯酸系共聚物，係具有能量線硬化性的碳-碳雙鍵。
如申請專利範圍第1項之黏著薄板，其中，前述黏著劑層，係相對於前述(甲基)丙烯酸系共聚物100質量份，以10質量份以上、80質量份以下的比例含有前述能量線硬化性樹脂。
如申請專利範圍第1~4項的任一項所記載之黏著薄板，其中，前述基材，係含有熱可塑性彈性體。
如申請專利範圍第5項之黏著薄板，其中，前述基材，係含有胺基甲酸酯系彈性體。
如申請專利範圍第1~4項的任一項所記載之黏著薄板，其中，在23℃，前述基材的MD方向及CD方向的拉伸彈性率分別為10MPa以上、350MPa以下，在23℃，前述基材的MD方向及CD方向的100%應力分別為3MPa以上、20MPa以下。
如申請專利範圍第1~4項的任一項所記載之黏著薄板，其中，前述黏著薄板的復原率為70%以上、100%以下，前述復原率，係在將前述黏著薄板切出成150mm×15mm的試驗片中，將長度方向的兩端，以夾具間的長度成為100mm的方式用夾具抓住，其後，以200mm/min的速度拉伸至夾具間的長度成為200mm，在夾具間的長度被擴張成200mm的狀態下保持1分鐘，其後，以200mm/min的速度在長度方向回復至夾具間的長度成為100mm，在夾具間的長度回復至100mm的狀態下保持1分鐘，其後，以60mm/min的速度拉伸於長度方向，測定拉伸力的測定值為顯示0.1N/15mm時的夾具間的長度，將從該長度減去初期的夾具間的長度100mm後的長度設為L2(mm)，且將從前述被擴張的狀態的夾具間的長度200mm減去初期的夾具間的長度100mm後的長度設為L1(mm)時，以下面的數學式(式2)來算出，復原率(%)={1-(L2÷L1)}×100．．．(式1)。
如申請專利範圍第1~4項的任一項所記載之黏著薄板，其中，前述基材係具有：第一基材面，及與前述第一基材面相反側的第二基材面，在前述第一基材面設有前述黏著劑層作為第一黏著劑層，在前述第二基材面設有第二黏著劑層。
如申請專利範圍第1~4項的任一項所記載之黏著薄板，其中，前述黏著薄板係被用在半導體加工。