TW202122533A - 黏著薄片及黏著薄片之製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種黏著薄片(1A)，其係具有基材(10)與黏著劑層(20)之黏著薄片(1A)，其具有於含有能量線硬化性樹脂之黏著劑層(20)的寬度方向兩端部之能量線硬化性樹脂經硬化的硬化部(22)，與未硬化部(21)，由未硬化部(21)所對應之區域製作寬度25mm之第一試驗片，將第一試驗片之長度方向的兩端以夾具把持而藉由拉伸試驗機拉伸0.5mm時之拉伸強度FA1 ，與在縱尺寸45mm、橫尺寸35mm、厚度尺寸0.625mm之第一半導體晶片及第二半導體晶片當中，於第一試驗片之長度方向之一端側貼合第一半導體晶片，於該長度方向之另一端側貼合第二半導體晶片而製作第二試驗片，將第二試驗片之長度方向的兩端以夾具把持而藉由拉伸試驗機拉伸0.5mm時之拉伸強度FB1 ，滿足數式(數1A)之關係。FB1 /FA1 ≦30…(數1A)

Description

黏著薄片及黏著薄片之製造方法
本發明係關於黏著薄片及黏著薄片之製造方法。
近年來，電子機器之小型化、輕量化，及高機能化係有進展。對搭載於電子機器之半導體裝置，亦要求小型化、薄型化，及高密度化。半導體晶片，係可能有構裝為接近其尺寸之封裝的情形。如此的封裝，亦有稱為晶片尺寸封裝(Chip Scale Package；CSP)者。作為CSP之一者，可列舉晶圓等級封裝(Wafer Level Package；WLP)。於WLP中，藉由切割而進行單片化之前，係於晶圓形成外部電極等，最終係切割晶圓而進行單片化。WLP可列舉扇入(Fan-In)型與扇出(Fan-Out)型。扇出型之WLP(以下有略稱為「FO-WLP」者)中，係將半導體晶片以密封構件被覆，使成為較晶片尺寸更大的區域，而形成半導體晶片密封體，不僅於半導體晶片之電路面，於密封構件之表面區域亦形成再配線層或外部電極。 例如，文獻1(國際公開第2010/058646號)中，記載就由半導體晶圓單片化而得的複數個半導體晶片而言，殘留其電路形成面，使用鑄模構件將周圍圍繞而形成擴張晶圓，於半導體晶片外之區域延伸存在而形成再配線圖型的半導體封裝之製造方法。文獻1記載之製造方法中，係在以鑄模構件圍繞經單片化之複數個半導體晶片之前，改貼擴展用之晶圓黏片膠帶(wafer mounting tape)，使晶圓黏片膠帶延展而擴大複數個半導體晶片間之距離。 於擴展步驟中，係使貼合有複數個半導體晶片之膠帶或薄片延展，擴大半導體晶片彼此的間隔。將薄片拉伸而延展時，若於薄單面內伸長量不同，則半導體晶片彼此的間隔亦難以均等地擴大。 又，亦可能有產生黏著薄片之黏著劑層中所含有的黏著劑由薄片寬度方向之端部滲出的不良狀況。
本發明之目的，為提供於擴展步驟中使黏著薄片延展而擴張半導體晶片間之距離時，可使於黏著薄片之面內方向的伸長量之差為小，擴張性優良的黏著薄片。 本發明之別的目的，為提供抑制黏著劑之滲出，且於擴展步驟中使黏著薄片延展而擴張半導體晶片間之距離時，可使於黏著薄片之面內方向的伸長量之差為小，擴張性優良的黏著薄片以及該黏著薄片之製造方法。 本發明之一態樣之黏著薄片，具有基材與黏著劑層， 由前述黏著薄片製作寬度25mm之第一試驗片，將前述第一試驗片之長度方向各自兩端之前述基材及前述黏著劑層以夾具把持而藉由拉伸試驗機拉伸0.5mm時之拉伸強度FA1 ，與 將縱尺寸45mm、橫尺寸35mm、厚度尺寸0.625mm之第一半導體晶片及第二半導體晶片，使前述第一半導體晶片及第二半導體晶片之縱尺寸為45mm之邊，沿著前述第一試驗片之長度方向，以前述第一半導體晶片與前述第二半導體晶片之間隔為35μm，於前述第一試驗片的長度方向之一端側的黏著劑層貼合前述第一半導體晶片，於前述第一試驗片的長度方向之另一端側的黏著劑層貼合前述第二半導體晶片來製作第二試驗片，將前述第二試驗片之長度方向各自兩端之前述基材、前述黏著劑層及前述半導體晶片以夾具把持而藉由拉伸試驗機拉伸0.5mm時之拉伸強度FB1 ，滿足下述數式(數1A)之關係。
Figure 02_image001
本發明之一態樣之黏著薄片，具有基材與黏著劑層， 前述黏著劑層，含有能量線硬化性樹脂， 前述黏著劑層，具有於前述黏著劑層之寬度方向兩端部之前述能量線硬化性樹脂經硬化的硬化部，與前述能量線硬化性樹脂未經硬化的未硬化部， 由前述未硬化部所對應之區域的前述黏著薄片製作寬度25mm之第一試驗片，將前述第一試驗片之長度方向各自兩端之前述基材及前述黏著劑層的前述未硬化部以夾具把持而藉由拉伸試驗機拉伸0.5mm時之拉伸強度FA1 ，與 將縱尺寸45mm、橫尺寸35mm、厚度尺寸0.625mm之第一半導體晶片及第二半導體晶片，使前述第一半導體晶片及第二半導體晶片之縱尺寸為45mm之邊，沿著前述第一試驗片之長度方向，以前述第一半導體晶片與前述第二半導體晶片之間隔為35μm，於前述第一試驗片的長度方向之一端側的前述未硬化部之黏著劑層貼合前述第一半導體晶片，於前述第一試驗片的長度方向之另一端側的前述未硬化部之黏著劑層貼合前述第二半導體晶片來製作第二試驗片，將前述第二試驗片之長度方向各自兩端之前述基材、前述未硬化部之黏著劑層及前述半導體晶片以夾具把持而藉由拉伸試驗機拉伸0.5mm時之拉伸強度FB1 ，滿足下述數式(數1A)之關係。
Figure 02_image003
本發明之一態樣之黏著薄片中，以包含前述能量線硬化性樹脂經硬化的硬化部的方式，沿著前述黏著薄片之長條方向切出長度150mm、寬度25mm之尺寸製作第三試驗片，將該第三試驗片，以夾頭(chuck)間距離為100mm以一對夾頭把持，以速度5mm/sec，伸長至夾頭間距離成為200mm時，前述硬化部與前述基材之界面不產生浮起為佳。 本發明之一態樣之黏著薄片中， 使前述黏著薄片，於第一方向、與前述第一方向相反方向的第二方向、垂直於前述第一方向之方向的第三方向，及與前述第三方向相反方向的第四方向伸長，當伸長前之前述黏著薄片的面積S1，與伸長後之前述黏著薄片的面積S2之面積比(S2/S1)×100為381%時，前述黏著劑層之前述硬化部不於與前述基材的界面剝離為佳。 本發明之一態樣之黏著薄片中，前述拉伸強度FA1 與前述拉伸強度FB1 ，滿足下述數式(數1B)之關係為佳。
Figure 02_image005
本發明之一態樣之黏著薄片中，前述第一試驗片之楊氏模數YA1 ，與前述第二試驗片之楊氏模數YB1 ，滿足下述數式(數2A)之關係為佳。
Figure 02_image007
本發明之一態樣之黏著薄片中，前述黏著劑層，含有丙烯酸系黏著劑為佳。 本發明之一態樣之黏著薄片中，前述基材，含有胺基甲酸酯系彈性體。 本發明之一態樣之黏著薄片，係使用於半導體裝置之製造步驟中，用以擴張複數個半導體晶片彼此之間隔的擴展步驟為佳。 本發明之一態樣之黏著薄片，係長條狀，且捲繞為滾筒狀之黏著薄片。 本發明之一態樣之黏著薄片之製造方法，具有 於基材之上，塗佈含有能量線硬化性樹脂之黏著劑組成物，形成黏著劑層之步驟、 對前述黏著劑層之寬度方向的兩端部照射能量線，使前述能量線硬化性樹脂硬化而形成硬化部之步驟，與 於較未使前述能量線硬化性樹脂硬化的未硬化部之寬度方向兩端部更靠外側，殘留前述硬化部的全部，或殘留前述硬化部的一部分，將較前述硬化部更靠外側予以切斷之步驟。 本發明之一態樣之黏著薄片之製造方法中， 於較前述未硬化部之寬度方向兩端部更靠外側所殘留之前述硬化部的寬度，分別獨立地為0.5mm以上為佳。 本發明之一態樣之黏著薄片之製造方法中， 於前述將較硬化部更靠外側予以切斷之步驟後，進一步具有將切斷後的黏著薄片捲繞為滾筒狀之步驟為佳。 依照本發明之一態樣，可提供於擴展步驟中使黏著薄片延展而擴張半導體晶片間之距離時，可使於黏著薄片之面內方向的伸長量之差為小，擴張性優良之黏著薄片。 依照本發明之別的一態樣，可提供抑制黏著劑之滲出，且於擴展步驟中使黏著薄片延展而擴張半導體晶片間之距離時，可使於黏著薄片之面內方向的伸長量之差為小，擴張性優良的黏著薄片以及該黏著薄片之製造方法。
以下，說明本發明之一實施形態。 〔第1實施形態〕 [黏著薄片] 本實施形態之黏著薄片，具有基材與黏著劑層。黏著薄片之形狀，可採取例如膠帶狀(長條之形態)，及標籤狀(片狀之形態)等任何形狀。 圖1為本實施形態之黏著薄片之一例的截面概略圖。圖1中，記載具有基材10及黏著劑層20之黏著薄片1。 本實施形態之黏著薄片，將由該黏著薄片所製作的第一試驗片及第二試驗片以拉伸試驗機所測定之拉伸強度的比滿足特定範圍。 (第一試驗片) 第一試驗片，係由本實施形態之黏著薄片所製作。第一試驗片之寬度為25mm。 圖2為顯示將於第一試驗片之一端側的基材10及黏著劑層20以拉伸試驗機之第一夾具110把持，將於第一試驗片之另一端側的基材10及黏著劑層20以拉伸試驗機之第二夾具120把持之狀態的概略圖。 (第二試驗片) 第二試驗片，係藉由於由本實施形態之黏著薄片所製作之第一試驗片貼合2個半導體晶片來製作。本實施形態中，該2個半導體晶片，為第一半導體晶片及第二半導體晶片。第一半導體晶片及第二半導體晶片，均為縱尺寸45mm、橫尺寸35mm、厚度尺寸0.625mm。 將第一半導體晶片及第二半導體晶片之縱尺寸為45mm之邊，沿著第一試驗片之長度方向而貼合。 第一半導體晶片，係貼合於第一試驗片之長度方向之一端側。第二半導體晶片，係貼合於第一試驗片之長度方向之另一端側。貼合於第一試驗片的第一半導體晶片與第二半導體晶片之間隔係設為35μm。 圖3為顯示將於第二試驗片之一端側的基材10、黏著劑層20及第一半導體晶片CP1以拉伸試驗機之第一夾具110把持，將於第二試驗片之另一端側的基材10、黏著劑層20及第二半導體晶片CP2以拉伸試驗機之第二夾具120把持的狀態之概略圖。 (拉伸強度) 本實施形態之黏著薄片，使用拉伸試驗機所測定的第一試驗片及第二試驗片之拉伸強度，滿足下述數式(數1A)之關係。
Figure 02_image009
前述數式(數1A)中，拉伸強度FA1 ，為將第一試驗片之長度方向各自兩端之基材及黏著劑層以夾具把持而藉由拉伸試驗機拉伸0.5mm時之強度。 前述數式(數1A)中，拉伸強度FB1 ，為將第二試驗片之長度方向各自兩端之基材、黏著劑層及半導體晶片以夾具把持而藉由拉伸試驗機拉伸0.5mm時之強度。 本發明者等人，發現於黏著薄片之未貼合半導體晶片的部位，與貼合有半導體晶片的部位，在擴展(延展)時黏著薄片之延伸方式的行為相異。又，本發明者等人，亦發現於以往之黏著薄片中，黏著薄片之未貼合半導體晶片的部位之拉伸強度，與貼合有半導體晶片的部位之拉伸強度大幅相異，於擴展步驟中使黏著薄片延展而擴大半導體晶片間之距離時，於黏著薄片之面內方向的伸長量之差為大。 依照本實施形態之黏著薄片，FB1 /FA1 為30以下，黏著薄片之未貼合半導體晶片的部位之拉伸強度，與貼合有半導體晶片的部位之拉伸強度的比FB1 /FA1 小。因此，依照本實施形態之黏著薄片，於擴展步驟中使黏著薄片延展而擴張半導體晶片間之距離時，於黏著薄片之面內方向的伸長量之差變小，擴張性優良，可使半導體晶片間之距離的偏差小。 再者，測定拉伸強度FA1 及FB1 時之0.5mm的拉伸量，為擴展步驟中之拉伸量的一個標準。因此，本實施形態之黏著薄片，可於較0.5mm更小拉伸量之擴展步驟中使用、亦可於較0.5mm更大拉伸量之擴展步驟中使用。 依照本實施形態之黏著薄片，拉伸0.5mm時之FB1 /FA1 為30以下，因此於較0.5mm更大幅延伸的擴展步驟中使用本實施形態之黏著薄片時，亦可抑制黏著薄片之未貼合半導體晶片的部位，與貼合有半導體晶片的部位之拉伸強度的伸長量之差過度地變大。 本實施形態之黏著薄片，使用拉伸試驗機所測定的第一試驗片之拉伸強度FA1 及第二試驗片之拉伸強度FB1 ，較佳滿足下述數式(數1B)之關係。
Figure 02_image011
本實施形態之黏著薄片，使用拉伸試驗機所測定的第一試驗片之拉伸強度FA1 及第二試驗片之拉伸強度FB1 ，亦佳滿足下述數式(數1C)之關係。
Figure 02_image013
將FB1 /FA1 之值調整為前述數式(數1A)、數式(數1B)或數式(數1C)之範圍內的方法，可列舉如以下之方法。例如，藉由組合將黏著劑層20所用的黏著劑組成物之組成變更、將黏著劑層之厚度變更、將基材之材質變更，以及將基材之厚度變更等的1者或2者以上，可將FB1 /FA1 之值調整為前述數式(數1A)、數式(數1B)或數式(數1C)之範圍內。 (楊氏模數) 本實施形態之黏著薄片中，第一試驗片之楊氏模數YA1 ，與第二試驗片之楊氏模數YB1 ，較佳滿足下述數式(數2A)之關係。
Figure 02_image015
藉由滿足上述數式(數2A)之關係，黏著薄片之未貼合半導體晶片的部位之楊氏模數，與貼合有半導體晶片的部位之楊氏模數的比YB1 /YA1 為小。因此，於擴展步驟中使黏著薄片延展而擴張半導體晶片間之距離時，容易使於黏著薄片之面內方向的伸長量之差為小。又，藉由滿足上述數式(數2A)之關係，即使於拉伸量大於0.5mm之擴展步驟中使用黏著薄片，亦可抑制YB1 /YA1 之值過度地變大。 黏著薄片之楊氏模數，可遵照後述實施例所記載的測定方法而測定。 (基材) 前述基材，較佳具有第一基材面，及與第一基材面相反側之第二基材面。例如，如圖1所示，黏著薄片1之基材10，具有第一基材面11，及與第一基材面11相反側之第二基材面12。 本實施形態之黏著薄片中，本實施形態之黏著劑層，較佳設於第一基材面及第二基材面之一面。 就容易大幅延伸的觀點，基材之材料較佳為熱可塑性彈性體或橡膠系材料、更佳為熱可塑性彈性體。 熱可塑性彈性體，可列舉胺基甲酸酯系彈性體、烯烴系彈性體、氯乙烯系彈性體、聚酯系彈性體、苯乙烯系彈性體、丙烯酸系彈性體，及醯胺系彈性體等。熱可塑性彈性體，可1種單獨或組合2種以上使用。熱可塑性彈性體，就容易大幅延伸之觀點，較佳使用胺基甲酸酯系彈性體。亦即，本實施形態之黏著薄片中，基材較佳含有胺基甲酸酯系彈性體。 基材亦可為將含有如上述之材料(例如熱可塑性彈性體或橡膠系材料)的薄膜層合複數層而得的層合薄膜。又，基材亦可為將含有如上述之材料(例如熱可塑性彈性體或橡膠系材料)的薄膜與其他薄膜層合而得的層合薄膜。 基材在以上述樹脂系材料為主材料之薄膜內，亦可含有添加劑。 添加劑例如可列舉顏料、染料、難燃劑、可塑劑、抗靜電劑、潤滑劑，及填料等。顏料例如可列舉二氧化鈦，及碳黑等。又，填料例示有如三聚氰胺樹脂之有機系材料、如發煙二氧化矽之無機系材料，及如鎳粒子之金屬系材料。如此的添加劑之含量並無特殊限定，較佳為在基材可發揮所期望之機能的範圍內。 以提高與層合於第一基材面及第二基材面之至少任一者的黏著劑層之密合性為目的，基材亦可依期望於單面或兩面實施表面處理，或底塗劑處理。表面處理可列舉氧化法，及凹凸化法等。底塗劑處理可列舉於基材表面形成底塗劑層之方法。氧化法例如可列舉電暈放電處理、電漿放電處理、鉻氧化處理(濕式)、火焰處理、熱風處理、臭氧處理，及紫外線照射處理等。凹凸化法例如可列舉噴砂法，及噴塗處理法等。 黏著劑層含有能量線硬化性黏著劑時，基材較佳具有對能量線之透過性。使用紫外線作為能量線時，基材較佳對紫外線具有透過性。使用電子束作為能量線時，基材較佳具有電子束之透過性。 基材之厚度，只要黏著薄片於所期望之步驟中可適切地發揮機能，則不限定。基材之厚度較佳為20μm以上、更佳為40μm以上。又，基材之厚度較佳為250μm以下、更佳為200μm以下。 又，於基材之第一基材面或第二基材面的面內方向，以2cm間隔測定複數部位之厚度時，基材厚度之標準偏差較佳為2μm以下、更佳為1.5μm以下、又更佳為1μm以下。該標準偏差藉由成為2μm以下，黏著薄片具有精度高的厚度，可將黏著薄片均勻延伸。 於23℃下，基材之MD方向及CD方向的拉伸彈性率分別為10MPa以上、350MPa以下，於23℃下，基材之MD方向及CD方向的100%應力，分別為3MPa以上、20MPa以下為佳。 拉伸彈性率及100%應力藉由為上述範圍，可將黏著薄片大幅延伸。 基材之100%應力為如下所得之值。由基材切出100mm(長度方向)×15mm(寬度方向)之大小的試驗片。將所切出之試驗片之長度方向的兩端，以夾具間的長度成為50mm的方式以夾具夾住。以夾具將試驗片夾住後，以速度200mm/min朝長度方向拉伸，讀取夾具間的長度成為100mm時之拉伸力的測定值。基材之100%應力，係藉由將所讀取之拉伸力的測定值除以基材之截面積而得之值。基材之截面積，係以寬度方向長度15mm×基材(試驗片)之厚度而算出。該切出，係以基材製造時之流動方向(MD方向)或直交於MD方向之方向(CD方向)與試驗片之長度方向一致的方式進行。再者，該拉伸試驗中，試驗片之厚度並無特別限制，可與作為試驗對象之基材厚度相同。 於23℃下，基材之MD方向及CD方向之斷裂伸度，較佳分別為100%以上。 基材之MD方向及CD方向之斷裂伸度，藉由分別為100%以上，可將黏著薄片大幅延伸，而不產生斷裂。 基材之拉伸彈性率(MPa)及基材之斷裂伸度(%)，可如下述般測定。將基材切斷為15mm×140mm而得到試驗片。對於該試驗片，根據JIS K7161：2014及JIS K7127：1999，測定於23℃之斷裂伸度及拉伸彈性率。具體而言，將上述試驗片，以拉伸試驗機(島津製作所股份有限公司製，製品名「Autograph AG-IS 500N」)，設定為夾頭間距離100mm後，以200mm/min之速度進行拉伸試驗，測定斷裂伸度(%)及拉伸彈性率(MPa)。再者，測定係於基材製造時之流動方向(MD)及與其直交之方向(CD)雙方進行。 (黏著劑層) 本實施形態之黏著薄片中，黏著劑層只要滿足前述數式(數1A)之關係，則無特殊限定。能夠以滿足前述數式(數1A)之關係的範圍的方式，例如由以下所說明之材料中適當選擇而摻合構成黏著劑層之材料。 例如，使用於黏著劑層之黏著劑，例如可列舉橡膠系黏著劑、丙烯酸系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、聚酯系黏著劑及胺基甲酸酯系黏著劑。 本實施形態之黏著薄片中，黏著劑層，較佳含有丙烯酸系黏著劑。 ･能量線硬化性樹脂(a1) 黏著劑層，較佳含有能量線硬化性樹脂(a1)。能量線硬化性樹脂(a1)，於分子內具有能量線硬化性之雙鍵。 含有能量線硬化性樹脂之黏著劑層，藉由能量線照射而硬化，會使黏著力降低。欲分離被黏著體與黏著薄片時，可藉由對黏著劑層照射能量線而輕易地分離。 能量線硬化性樹脂(a1)，較佳為(甲基)丙烯酸系樹脂。 能量線硬化性樹脂(a1)，較佳為紫外線硬化性樹脂、更佳為紫外線硬化性之(甲基)丙烯酸系樹脂。 能量線硬化性樹脂(a1)，為受到能量線照射時會聚合硬化的樹脂。能量線例如可列舉紫外線及電子束等。 能量線硬化性樹脂(a1)之例子，可列舉具有能量線聚合性基之低分子量化合物(單官能之單體、多官能之單體、單官能之寡聚物，及多官能之寡聚物)。能量線硬化性樹脂(a1)，具體而言，可使用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯等之丙烯酸酯；二環戊二烯二甲氧基二丙烯酸酯、丙烯酸異莰酯等之含環狀脂肪族骨架之丙烯酸酯；聚乙二醇二丙烯酸酯、寡酯丙烯酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物、環氧基改質丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、依康酸寡聚物等之丙烯酸酯系化合物。 能量線硬化性樹脂(a1)之分子量，通常為100以上30000以下，較佳為300以上10000以下左右。 ･(甲基)丙烯酸系共聚物(b1) 本實施形態之黏著劑層，較佳進一步含有(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)。(甲基)丙烯酸系共聚物，係與前述能量線硬化性樹脂(a1)不同。 (甲基)丙烯酸系共聚物(b1)，較佳具有能量線硬化性之碳-碳雙鍵。亦即，本實施形態中，黏著劑層較佳含有能量線硬化性樹脂(a1)，與能量線硬化性之(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)。 本實施形態之黏著劑層，相對於(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)100質量份而言，較佳以10質量份以上之比例含有能量線硬化性樹脂(a1)、更佳以20質量份以上之比例含有、又更佳以25質量%以上之比例含有。 本實施形態之黏著劑層，相對於(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)100質量份而言，較佳以80質量份以下之比例含有能量線硬化性樹脂(a1)、更佳以70質量份以下之比例含有、又更佳以60質量份以下之比例含有。 (甲基)丙烯酸系共聚物(b1)之重量平均分子量(Mw)，較佳為1萬以上、更佳為15萬以上、又更佳為20萬以上。 又，(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)之重量平均分子量(Mw)，較佳為150萬以下、更佳為100萬以下。 再者，本說明書中之重量平均分子量(Mw)，為藉由凝膠滲透層析法(GPC法)所測定的以標準聚苯乙烯換算之值。 (甲基)丙烯酸系共聚物(b1)，較佳為於側鏈導入有具有能量線硬化性之官能基(能量線硬化性基)的(甲基)丙烯酸酯聚合物(b2)(以下有稱為「能量線硬化性聚合物(b2)」的情況)。 能量線硬化性聚合物(b2)，較佳為使具有含官能基之單體單位的丙烯酸系共聚物(b21)，與具有鍵結於該官能基之官能基的含不飽和基之化合物(b22)反應而得的共聚物。再者，本說明書中，(甲基)丙烯酸酯，意指丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯雙方。其他類似用語亦相同。 丙烯酸系共聚物(b21)，較佳包含由含官能基之單體所衍生的構成單位，與由(甲基)丙烯酸酯單體或(甲基)丙烯酸酯單體之衍生物所衍生的構成單位。 作為丙烯酸系共聚物(b21)之構成單位的含官能基之單體，較佳為分子內具有聚合性之雙鍵與官能基之單體。官能基較佳為選自由羥基、羧基、胺基、取代胺基，及環氧基等所成之群的至少任一種官能基。 含羥基之單體，例如可列舉(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯，及(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等。含羥基之單體，可單獨或組合2種以上使用。 含羧基之單體，例如可列舉丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、依康酸，及檸康酸等之乙烯性不飽和羧酸。含羧基之單體，可單獨或組合2種以上使用。 含胺基之單體或含取代胺基之單體，例如可列舉(甲基)丙烯酸胺基乙酯，及(甲基)丙烯酸n-丁基胺基乙酯等。含胺基之單體或含取代胺基之單體，可單獨或組合2種以上使用。 構成丙烯酸系共聚物(b21)之(甲基)丙烯酸酯單體，除了烷基之碳數為1以上20以下之(甲基)丙烯酸烷酯以外，例如較佳可使用分子內具有脂環式構造之單體(含脂環式構造之單體)。 (甲基)丙烯酸烷酯，較佳為烷基之碳數為1以上18以下之(甲基)丙烯酸烷酯。(甲基)丙烯酸烷酯，例如更佳為(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸n-丁酯，及(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等。(甲基)丙烯酸烷酯，可單獨或組合2種以上使用。 含脂環式構造之單體，例如較佳可使用(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸金剛烷酯、(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯，及(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基乙酯等。含脂環式構造之單體，可單獨或組合2種以上使用。 丙烯酸系共聚物(b21)，較佳以1質量%以上之比例含有由上述含官能基之單體所衍生的構成單位、更佳以5質量%以上之比例含有、又更佳以10質量%以上之比例含有。 又，丙烯酸系共聚物(b21)，較佳以35質量%以下之比例含有由上述含官能基之單體所衍生的構成單位、更佳以30質量%以下之比例含有、又更佳以25質量%以下之比例含有。 進一步地，丙烯酸系共聚物(b21)，較佳以50質量%以上之比例含有由(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物所衍生的構成單位、更佳以60質量%以上之比例含有、又更佳以70質量%以上之比例含有。 又，丙烯酸系共聚物(b21)，較佳以99質量%以下之比例含有由(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物所衍生的構成單位、更佳以95質量%以下之比例含有、又更佳以90質量%以下之比例含有。 丙烯酸系共聚物(b21)，可藉由使如上述之含官能基之單體，與(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物以常規方法共聚合而得到。 丙烯酸系共聚物(b21)，於上述單體以外，亦可含有選自由二甲基丙烯醯胺、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯，及苯乙烯等所成之群的至少任一種構成單位。 藉由使具有上述含官能基之單體單位的丙烯酸系共聚物(b21)，與具有鍵結於該官能基之官能基的含不飽和基之化合物(b22)反應，可得到能量線硬化性聚合物(b2)。 含不飽和基之化合物(b22)所具有的官能基，可依丙烯酸系共聚物(b21)所具有的含官能基之單體單位的官能基種類而適當選擇。例如，丙烯酸系共聚物(b21)所具有的官能基為羥基、胺基或取代胺基時，含不飽和基之化合物(b22)所具有的官能基較佳為異氰酸酯基或環氧基，丙烯酸系共聚物(b21)所具有的官能基為環氧基時，含不飽和基之化合物(b22)所具有的官能基較佳為胺基、羧基或氮丙啶基。 含不飽和基之化合物(b22)，於1分子中包含至少1個能量線聚合性之碳-碳雙鍵、較佳包含1個以上6個以下、更佳包含1個以上4個以下。 含不飽和基之化合物(b22)，例如可列舉異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯)、異氰酸間-異丙烯基-α,α-二甲基苄酯、異氰酸甲基丙烯醯酯、異氰酸烯丙酯、異氰酸1,1-(雙丙烯醯氧基甲基)乙酯；藉由二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物與(甲基)丙烯酸羥基乙酯的反應而得到的丙烯醯基單異氰酸酯化合物；藉由二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物、多元醇化合物與(甲基)丙烯酸羥基乙酯的反應而得到的丙烯醯基單異氰酸酯化合物；(甲基)丙烯酸環氧丙酯；(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2-(1-氮丙啶基)乙酯、2-乙烯基-2-噁唑啉、2-異丙烯基-2-噁唑啉等。 含不飽和基之化合物(b22)，相對於丙烯酸系共聚物(b21)的含官能基之單體的莫耳數而言，較佳以50莫耳%以上之比例(加成率)使用、更佳以60莫耳%以上之比例使用、又更佳以70莫耳%以上之比例使用。 又，含不飽和基之化合物(b22)，相對於丙烯酸系共聚物(b21)的含官能基之單體莫耳數而言，較佳以95莫耳%以下之比例使用、更佳以93莫耳%以下之比例使用、又更佳以90莫耳%以下之比例使用。 丙烯酸系共聚物(b21)與含不飽和基之化合物(b22)的反應中，可依丙烯酸系共聚物(b21)所具有的官能基與含不飽和基之化合物(b22)所具有的官能基之組合，來適當選擇反應之溫度、壓力、溶劑、時間、觸媒之有無，及觸媒之種類。藉此，丙烯酸系共聚物(b21)所具有的官能基，與含不飽和基之化合物(b22)所具有的官能基進行反應，於丙烯酸系共聚物(b21)之側鏈導入不飽和基，而得到能量線硬化性聚合物(b2)。 能量線硬化性聚合物(b2)之重量平均分子量(Mw)，較佳為1萬以上、更佳為15萬以上、又更佳為20萬以上。 又，能量線硬化性聚合物(b2)之重量平均分子量(Mw)，較佳為150萬以下、更佳為100萬以下。 ･光聚合起始劑(C) 黏著劑層含有紫外線硬化性之化合物(例如紫外線硬化性樹脂)時，黏著劑層較佳含有光聚合起始劑(C)。 黏著劑層藉由含有光聚合起始劑(C)，可使聚合硬化時間及光線照射量為少。 光聚合起始劑(C)，具體而言，可列舉二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻異丙基醚、苯偶姻異丁基醚、苯偶姻安息香酸、苯偶姻安息香酸甲酯、苯偶姻二甲基縮酮、2,4-二乙基噻噸酮、1-羥基環己基苯基酮、苄基二苯基硫醚、四甲基秋蘭姆單硫醚、偶氮二異丁腈、二苯乙二酮、聯苄、聯乙醯、β-氯蒽醌、(2,4,6-三甲基苄基二苯基)膦氧化物、2-苯并噻唑-N,N-二乙基二硫代胺基甲酸酯、寡{2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-丙烯基)苯基]丙酮}，及2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等。此等可單獨使用、亦可合併使用2種以上。 光聚合起始劑(C)，當於黏著劑層中摻合能量線硬化性樹脂(a1)及(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)的情況時，相對於能量線硬化性樹脂(a1)及(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)之合計量100質量份而言，較佳以0.1質量份以上之量使用、更佳以0.5質量份以上之量使用。 又，光聚合起始劑(C)，當於黏著劑層中摻合能量線硬化性樹脂(a1)及(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)的情況時，相對於能量線硬化性樹脂(a1)及(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)之合計量100質量份而言，較佳以10質量份以下之量使用、更佳以6質量份以下之量使用。 黏著劑層，於上述成分以外，亦可適當摻合其他成分。其他成分例如可列舉交聯劑(E)等。 ･交聯劑(E) 交聯劑(E)可使用具有與(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)等所具有的官能基之反應性的多官能性化合物。如此的多官能性化合物之例子，可列舉異氰酸酯化合物、環氧化合物、胺化合物、三聚氰胺化合物、氮丙啶化合物、肼化合物、醛化合物、噁唑啉化合物、金屬烷氧化物化合物、金屬螯合化合物、金屬鹽、銨鹽，及反應性酚樹脂等。 交聯劑(E)之摻合量，相對於(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)100質量份而言，較佳為0.01質量份以上、更佳為0.03質量份以上、又更佳為0.04質量份以上。 又，交聯劑(E)之摻合量，相對於(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)100質量份而言，較佳為8質量份以下、更佳為5質量份以下、又更佳為3.5質量份以下。 黏著劑層之厚度並無特殊限定。黏著劑層之厚度，例如較佳為10μm以上、更佳為20μm以上。又，黏著劑層之厚度，較佳為150μm以下、更佳為100μm以下。 (剝離薄片) 本實施形態之黏著薄片，於至將其黏著面貼附於被黏著體(例如半導體晶片等)為止的期間，亦能夠以保護黏著面為目的，於黏著面層合剝離薄片。剝離薄片之構成為任意。剝離薄片之例子，例示有經剝離劑等剝離處理的塑膠薄膜。 塑膠薄膜之具體例，可列舉聚酯薄膜，及聚烯烴薄膜。聚酯薄膜，例如可列舉聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯，或聚萘二甲酸乙二酯等之薄膜。聚烯烴薄膜，例如可列舉聚丙烯，或聚乙烯等之薄膜。 剝離劑可使用聚矽氧系、氟系，及長鏈烷基系等。此等剝離劑之中，較佳為價格便宜且可得到安定之性能的聚矽氧系。 剝離薄片之厚度並無特殊限定。剝離薄片之厚度，通常為20μm以上、250μm以下。 [黏著薄片之製造方法] 本實施形態之黏著薄片，可與以往的黏著薄片同樣地製造。 黏著薄片之製造方法，若可將前述黏著劑層層合於基材之一面，則不特別詳細限定。 黏著薄片之製造方法的一例，可列舉如下之方法。首先，調製含有構成黏著劑層之黏著性組成物，及依期望進一步含有溶劑或分散媒的塗覆液。接著將塗覆液於基材之一面上藉由塗佈手段塗佈而形成塗膜。塗佈手段例如可列舉模塗佈器、淋幕式塗佈器、噴霧塗佈器、狹縫塗佈器，及刀式塗佈器等。接著，可藉由將該塗膜乾燥而形成黏著劑層。塗覆液只要係可進行塗佈，其性狀並無特殊限定。塗覆液係有含有用以形成黏著劑層之成分作為溶質的情況、亦有含有用以形成黏著劑層之成分作為分散質的情況。 又，黏著薄片之製造方法之別的一例，可列舉如下之方法。首先，於前述剝離薄片之剝離面上塗佈塗覆液而形成塗膜。接著，使塗膜乾燥，形成包含黏著劑層與剝離薄片之層合體。接著，可於該層合體之黏著劑層中與剝離薄片側之面相反側之面上貼附基材，得到黏著薄片與剝離薄片之層合體。該層合體中之剝離薄片，可作為工程材料剝離，亦可保護黏著劑層直到於黏著劑層貼附被黏著體(例如半導體晶片及半導體晶圓等)為止。 塗覆液含有交聯劑時，可藉由改變塗膜之乾燥條件(例如溫度及時間等)，或藉由另外進行加熱處理，進行塗膜內之(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)與交聯劑之交聯反應，於黏著劑層內以所期望之存在密度形成交聯構造。為了充分進行該交聯反應，亦可在藉由上述方法等於基材層合黏著劑層之後，將所得之黏著薄片例如在23℃、相對濕度50%之環境下進行數日靜置之硬化。 本實施形態之黏著薄片之厚度，較佳為30μm以上、更佳為50μm以上。又，黏著薄片之厚度，較佳為400μm以下、更佳為300μm以下。 [黏著薄片之使用方法] 本實施形態之黏著薄片，可貼合於各種被黏著體，因此可應用本實施形態之黏著薄片之被黏著體並無特殊限定。例如，被黏著體較佳為半導體晶片及半導體晶圓。 本實施形態之黏著薄片，例如可使用於半導體加工用。 半導體裝置之製造步驟中，較佳使用於用以擴張複數個半導體晶片彼此的間隔之擴展步驟。 複數個半導體晶片，較佳貼合於黏著薄片之中央部。 又，複數個半導體晶片，較佳為切割半導體晶圓而得之半導體晶片。例如，可切割貼合於切割薄片之半導體晶圓，分割為複數個半導體晶片，並將分割所得的複數個半導體晶片直接轉印於本實施形態之黏著薄片、亦可於轉印於其他黏著薄片後，由該其他黏著薄片轉印於本實施形態之黏著薄片。 複數個半導體晶片之擴張間隔，係依賴於半導體晶片之尺寸，因此無特殊限制。本實施形態之黏著薄片，較佳為使用於將貼合於黏著薄片之單面的複數個半導體晶片中之相鄰的半導體晶片相互之間隔擴大200μm以上。再者，該半導體晶片相互之間隔的上限並無特殊限制。該半導體晶片相互之間隔的上限例如可為6000μm。 又，本實施形態之黏著薄片，亦可使用於至少藉由2軸延伸，擴大層合於黏著薄片單面之複數個半導體晶片之間隔的情況。此時，黏著薄片例如係於彼此直交之X軸及Y軸中的+X軸方向、-X軸方向、+Y軸方向及-Y軸方向之4個方向賦予張力而被延伸，更具體而言，係於基材中之MD方向及CD方向各自被延伸。 如上述之2軸延伸，例如可使用於X軸方向及Y軸方向賦予張力的分離裝置來進行。此處，X軸及Y軸係為直交者，平行於X軸之方向中之1者設為+X軸方向、與該+X軸方向相反方向設為-X軸方向、平行於Y軸之方向中之1者設為+Y軸方向、與該+Y軸方向相反方向設為-Y軸方向。 上述分離裝置，較佳對黏著薄片於+X軸方向、-X軸方向、+Y軸方向及-Y軸方向之4個方向賦予張力，且針對該4個方向分別具備複數個保持手段，與該等所對應的複數個張力賦予手段。各方向中，保持手段及張力賦予手段之數目，雖亦依黏著薄片之大小而異，但例如可為3個以上、10個以下左右。 此處，例如在為了於+X軸方向賦予張力所具備的包含複數個保持手段與複數個張力賦予手段之群中，較佳為各自的保持手段，具備保持黏著薄片之保持構件，各自的張力賦予手段，使對應於該張力賦予手段之保持構件於+X軸方向移動，而對黏著薄片賦予張力。而複數個張力賦予手段，較佳分別獨立地設置為使保持手段於+X軸方向移動。又，在為了於-X軸方向、+Y軸方向及-Y軸方向分別賦予張力所具備的包含複數個保持手段與複數個張力賦予手段之3個群中，亦較佳具有同樣的構成。藉此，上述分離裝置，可於每個直交於各方向之方向的區域，對黏著薄片賦予不同大小之張力。 一般而言，使用4個保持構件將黏著薄片由+X軸方向、-X軸方向、+Y軸方向及-Y軸方向之4個方向分別保持，並於該4個方向延伸時，對於黏著薄片，除了此等4個方向以外，於此等之合成方向(例如+X軸方向與+Y軸方向之合成方向、+Y軸方向與-X軸方向之合成方向、-X軸方向與-Y軸方向之合成方向及-Y軸方向與+X軸方向之合成方向)亦會賦予張力。其結果，於黏著薄片之內側區域中的半導體晶片之間隔與外側區域中的半導體晶片之間隔可能產生差異。 但是，上述分離裝置，於+X軸方向、-X軸方向、+Y軸方向及-Y軸方向各自的方向中，複數個張力賦予手段可分別獨立地對黏著薄片賦予張力，因此可使黏著薄片以消除如上述之黏著薄片的內側與外側之間隔的差異的方式進行延伸。 其結果，可正確地調整半導體晶片之間隔。 上述分離裝置，較佳進一步具備測定半導體晶片之相互間隔的測定手段。此處，上述張力賦予手段，較佳設置為可基於測定手段之測定結果，使複數個保持構件個別地移動。上述分離裝置藉由具備測定手段，可基於以上述測定手段所得之半導體晶片之間隔的測定結果，進一步調整該間隔，結果可更正確地調整半導體晶片之間隔。 再者，上述分離裝置中，保持手段可列舉夾頭手段及減壓手段。夾頭手段例如可列舉機械夾頭及夾頭汽缸等。減壓手段例如可列舉減壓泵及真空抽氣器等。又，上述分離裝置中，保持手段，亦可為以接著劑或磁力等而支持黏著薄片之構成。又，夾頭手段中之保持構件，例如可使用具有如下構成的保持構件：具備將黏著薄片自下方支持的下支持構件、被下支持構件所支持的驅動機器，與被驅動機器之輸出軸支持，藉由驅動驅動機器可將黏著薄片自上方按壓的上支持構件之構成。該驅動機器，例如可列舉電動機器及致動器等。電動機器例如可列舉旋動馬達、直動馬達、線性馬達、單軸機器人及多關節機器人等。致動器例如可列舉空氣汽缸、油壓汽缸、無桿汽缸及旋轉汽缸等。 又，上述分離裝置中，張力賦予手段亦可具備驅動機器，並藉由該驅動機器使保持構件移動。張力賦予手段所具備的驅動機器，可使用與上述保持構件所具備的驅動機器相同之驅動機器。例如，張力賦予手段，可為具備作為驅動機器之直動馬達，與存在於直動馬達與保持構件之間的輸出軸，且經驅動之直動馬達透過輸出軸使保持構件移動之構成。 使用本實施形態之黏著薄片來擴大半導體晶片之間隔時，可由半導體晶片彼此接觸的狀態，或半導體晶片之間隔幾乎未被擴大的狀態下擴大其間隔，或亦可由半導體晶片彼此之間隔已擴大到特定間隔的狀態下，進一步擴大其間隔。 由半導體晶片彼此接觸的狀態，或半導體晶片之間隔幾乎未被擴大的狀態下擴大其間隔的情況，例如可藉由於切割薄片上分割半導體晶圓得到複數個半導體晶片後，由該切割薄片將複數個半導體晶片轉印於本實施形態之黏著薄片，接著擴大該半導體晶片之間隔。或亦可於本實施形態之黏著薄片上分割半導體晶圓得到複數個半導體晶片後，擴大該半導體晶片之間隔。 由半導體晶片彼此之間隔已擴大到特定間隔的狀態下，進一步擴大其間隔的情況，可使用其他黏著薄片、較佳為本實施形態之黏著薄片(第一延伸用黏著薄片)來將半導體晶片彼此的間隔擴大到特定間隔後，由該薄片(第一延伸用黏著薄片)將半導體晶片轉印於本實施形態之黏著薄片(第二延伸用黏著薄片)，接著，藉由延伸本實施形態之黏著薄片(第二延伸用黏著薄片)，可進一步擴大半導體晶片之間隔。再者，如此的半導體晶片之轉印與黏著薄片之延伸，亦可重複複數次，至半導體晶片之間隔成為所期望之距離為止。 〔第2實施形態〕 [黏著薄片] 本實施形態之黏著薄片，與第1實施形態之黏著薄片同樣地，具有基材及黏著劑層。 本實施形態之黏著劑層，於含有能量線硬化性樹脂之點，以及具有於黏著劑層之寬度方向兩端部的能量線硬化性樹脂經硬化的硬化部，與能量線硬化性樹脂未經硬化的未硬化部之點，與第1實施形態之黏著薄片相異。 本實施形態之黏著薄片，將由該黏著薄片之未硬化部所製作的第一試驗片及第二試驗片，以拉伸試驗機所測定的拉伸強度之比係滿足特定之範圍。 以下之說明中，主要說明與第1實施形態相異之部分，就重複之說明而言係省略或簡化。對於與第1實施形態相同之構成係賦予同一符號，並省略或簡化說明。 本實施形態之黏著薄片亦具有基材與黏著劑層。黏著薄片之形狀，可採取例如膠帶狀(長條之形態)，及標籤狀(片狀之形態)等任何形狀。 圖4中顯示本實施形態之黏著薄片1A的截面概略圖。 黏著薄片1A，具有基材10與黏著劑層20。黏著劑層20含有能量線硬化性樹脂。黏著劑層20，具有能量線硬化性樹脂經硬化的硬化部22，與能量線硬化性樹脂未經硬化的未硬化部21。硬化部22，如圖4所示，係形成於黏著薄片1A之黏著劑層20的寬度方向兩端部。於寬度方向之一端側的硬化部22與另一端側的硬化部22之間，具有未硬化部21。 於黏著薄片1A之寬度方向對向的2邊係被能量線所硬化，於黏著薄片1A之寬度方向兩端部形成硬化部22，藉此，該硬化部22，抑制未硬化部21之黏著劑由黏著薄片1A之寬度方向的端部滲出於薄片外部。 硬化部22之截面形狀，於圖4中為矩形，但不限定為矩形，只要係可抑制黏著劑之滲出的形狀，則無特殊限定。 硬化部22，較佳沿著黏著薄片1A之寬度方向兩端部而連續地形成。藉由使硬化部22遍佈黏著薄片1A之長度方向而連續地形成，更容易抑制黏著劑由未硬化部21從薄片寬度方向端部朝薄片外部滲出。硬化部22不連續地形成時，有黏著劑由未形成硬化部22的部位滲出之虞。 黏著薄片1A為長條狀之薄片時，硬化部22較佳為遍佈黏著薄片1A之長度方向而連續地形成。藉由使硬化部22遍佈黏著薄片1A之長度方向而連續地形成，更容易抑制黏著劑由未硬化部21從薄片寬度方向端部朝薄片外部滲出。 圖5顯示表示捲繞為滾筒狀之長條狀的黏著薄片1A之概略斜視圖。再者，圖5中，係顯示將黏著薄片1A一部分由滾筒捲出之狀態。 如圖5所示，於黏著薄片1A之寬度方向兩端部，形成硬化部22，於寬度方向之一端側的硬化部22，與另一端側的硬化部22之間，係有未硬化部21。硬化部22係分別遍佈黏著薄片1A之長度方向而連續地形成。再者，如圖5所示之長條狀的黏著薄片1A被捲繞的滾筒，係多有被保管為滾筒之寬度方向相對於載置面成為垂直的情況。因此，藉由使硬化部22於黏著薄片1A之寬度方向兩端部連續地形成，容易抑制滾筒保管時黏著劑由未硬化部21之滲出。 硬化部22之寬度，較佳分別獨立地為0.5mm以上。硬化部22之寬度若為0.5mm以上，則更容易抑制黏著劑由未硬化部21從薄片寬度方向端部朝薄片外部滲出。硬化部22沿著寬度方向端部而連續地形成的情況時，硬化部22之寬度，亦可不遍佈長度方向均成為一定，較佳為遍佈長度方向形成為0.5mm以上之寬度。 硬化部22之寬度，較佳分別獨立地為10mm以下。硬化部22沿著寬度方向端部而連續地形成時，硬化部22之寬度，較佳遍佈長度方向形成為10mm以下之寬度。 再者，硬化部22之寬度若為大則容易抑制黏著劑之滲出，另一方面，未硬化部21之面積會變窄，因此就抑制黏著劑滲出之效果，與確保具有作為黏著薄片之黏著力的未硬化部21之面積的觀點，較佳為設定硬化部22之寬度上限。 (第一試驗片) 第一試驗片係由本實施形態之黏著薄片1A之未硬化部21的區域所製作。第一試驗片之寬度為25mm。 把持本實施形態之第一試驗片的狀態，係與第1實施形態所示之圖2相同。將第一試驗片之一端側的基材10及黏著劑層20之未硬化部21以拉伸試驗機之第一夾具110把持，將第一試驗片之另一端側的基材10及黏著劑層20之未硬化部21以拉伸試驗機之第二夾具120把持。 (第二試驗片) 第二試驗片，係藉由於由本實施形態之黏著薄片1A所製作的第一試驗片貼合2個半導體晶片而製作。本實施形態中，該2個半導體晶片，為第一半導體晶片及第二半導體晶片。第一半導體晶片及第二半導體晶片，均為縱尺寸45mm、橫尺寸35mm、厚度尺寸0.625mm。 將第一半導體晶片及第二半導體晶片之縱尺寸為45mm之邊，沿著第一試驗片之長度方向而貼合。 第一半導體晶片，係貼合於第一試驗片之長度方向之一端側。第二半導體晶片，係貼合於第一試驗片之長度方向之另一端側。貼合於第一試驗片的第一半導體晶片與第二半導體晶片之間隔係設為35μm。 把持本實施形態之第二試驗片的狀態，係與第1實施形態所示之圖3相同。將第二試驗片之一端側的基材10、黏著劑層20之未硬化部21及第一半導體晶片CP1以拉伸試驗機之第一夾具110把持，將第二試驗片之另一端側的基材10、黏著劑層20之未硬化部21及第二半導體晶片CP2以拉伸試驗機之第二夾具120把持。 (拉伸強度) 本實施形態之黏著薄片1A，使用拉伸試驗機所測定的第一試驗片及第二試驗片之拉伸強度，亦滿足下述數式(數1A)之關係。
Figure 02_image017
前述數式(數1A)中，拉伸強度FA1 ，為將第一試驗片之長度方向各自兩端之基材及黏著劑層以夾具把持而藉由拉伸試驗機拉伸0.5mm時之強度。 前述數式(數1A)中，拉伸強度FB1 ，為將第二試驗片之長度方向各自兩端之基材、黏著劑層及半導體晶片以夾具把持而藉由拉伸試驗機拉伸0.5mm時之強度。 以包含能量線硬化性樹脂經硬化的硬化部22的方式，沿著黏著薄片1A之長條方向切出長度150mm、寬度25mm之尺寸，製作第三試驗片，將該第三試驗片以一對夾頭，夾頭間距離設為100mm進行把持，以速度5mm/sec，伸長至夾頭間距離成為200mm時，較佳於硬化部22與基材10之界面不產生浮起。 使黏著薄片之硬化部伸長時(例如擴展黏著薄片時)，於硬化部與基材之界面若產生浮起，則有浮起的硬化部由黏著劑層斷裂，斷裂的硬化部飛散，附著於貼合在黏著薄片之被黏著體及擴展裝置而造成污染之虞。但是，本實施形態之黏著薄片1A，於使用第三試驗片之拉伸試驗中，於硬化部22與基材10之界面不產生浮起，因此容易抑制如上述之斷裂的硬化部所造成之被黏著體及擴展裝置的污染。欲於硬化部22與基材10之界面不產生浮起，例如可列舉控制能量線硬化性樹脂之硬化度的方法。 使本實施形態之黏著薄片1A於第一方向、與前述第一方向相反方向的第二方向、垂直於前述第一方向之方向的第三方向，及與前述第三方向相反方向的第四方向伸長，當伸長前之黏著薄片1A之面積S1，與伸長後之黏著薄片1A之面積S2的面積比(S2/S1)×100為381%時，較佳係黏著劑層20之硬化部22不於與基材10之界面剝離。 第一方向、第二方向、第三方向及第四方向，較佳分別例如與後述之2軸延伸之+X軸方向、-X軸方向、+Y軸方向，及-Y軸方向之4個方向對應。用以於4個方向伸長之裝置，例如可列舉後述之擴展裝置。 本實施形態之黏著薄片1A，於4個方向伸長，伸長前後之面積比(S2/S1)×100為381%時，黏著劑層20之硬化部22不於與基材10之界面剝離，因此即使將黏著薄片1A於高伸長率之擴展步驟中使用，亦容易抑制斷裂的硬化部所造成的被黏著體及擴展裝置之污染。 [黏著薄片之製造方法] 本實施形態之黏著薄片1A之製造方法，具有以下之步驟(P1)~(P3)。 (P1)於基材10之上，塗佈含有能量線硬化性樹脂之黏著劑組成物，形成黏著劑層20之步驟。 (P2)對黏著劑層20之寬度方向兩端部照射能量線UV，使能量線硬化性樹脂硬化而形成硬化部22之步驟。 (P3)於較未使能量線硬化性樹脂硬化的未硬化部21之寬度方向兩端部更靠外側，殘留硬化部22的全部，或殘留硬化部22的一部分，將較硬化部22更靠外側予以切斷之步驟。 本實施形態之黏著薄片1A，例如可如下般製造。 首先，作為步驟(P1)，於基材10之上形成黏著劑層20。本實施形態中，黏著劑層20，例如可與第1實施形態同樣地形成。 圖6A為說明於黏著薄片1A之寬度方向兩端部形成硬化部22之步驟(P2)的截面概略圖。 黏著劑層20含有能量線硬化性樹脂，因此對寬度方向兩端部照射能量線UV而形成硬化部22。能量線硬化性樹脂為紫外線硬化性樹脂時，係照射紫外線作為能量線。 硬化部22較佳形成為較作為黏著薄片1A使用時所必要的硬化部22之寬度更大的寬度。 圖6B為說明於照射能量線形成硬化部22之後，將黏著薄片1A之寬度方向兩端部，以殘留硬化部22的方式切斷之步驟(P3)的截面概略圖。 圖6B中，係對以較作為黏著薄片1A使用時所必要的寬度更大之寬度所形成的硬化部22之位置C1及位置C2切出切口進行切斷。藉由對硬化部22切出切口進行切斷，可防止切斷刀上附著黏著劑。切口係沿著硬化部22之薄片長度方向切出。 較未硬化部21之寬度方向兩端部更靠外側所殘留的硬化部22之寬度(以截面視之，係自未硬化部21與硬化部22之交界至位置C1或位置C2為止的距離)，較佳分別獨立地為0.5mm以上。 圖6C顯示藉由步驟(P3)切斷後，於寬度方向兩端部分別形成有硬化部22的黏著薄片1A，與端材1a。 將較硬化部22更靠外側予以切斷之步驟(P3)之後，較佳進一步具有將切斷後之黏著薄片1A捲繞為滾筒狀之步驟。 [黏著薄片之使用方法] 本實施形態之黏著薄片1A，亦可應用於與第1實施形態之黏著薄片相同之使用方法。 本實施形態之黏著薄片1A，例如可使用於半導體加工用。黏著薄片1A，較佳係使用於半導體裝置之製造步驟中，用以擴張複數個半導體晶片彼此之間隔的擴展步驟。 複數個半導體晶片，較佳貼合於黏著薄片1A之中央部(未硬化部21)。 擴展步驟中，較佳為將黏著薄片1A之硬化部22以分離裝置之保持手段保持。 本實施形態之黏著薄片1A，抑制黏著劑之滲出，且於擴展步驟中使黏著薄片延展而擴張半導體晶片間之距離時，可使於黏著薄片之面內方向的伸長量之差為小，擴張性優良。 [實施形態之變化] 本發明不受上述實施形態任何限定。本發明在可達成本發明之目的之範圍，包含上述實施形態經變化的態樣等。 [實施例] 以下列舉實施例以更詳細說明本發明。本發明不受此等實施例的任何限定。 (黏著薄片之製作) [實施例1] 使丙烯酸丁酯(BA)62質量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)10質量份，及丙烯酸2-羥基乙酯(2HEA)28質量份共聚合而得到丙烯酸系共聚物。調製對該丙烯酸系共聚物，加成甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯(昭和電工股份有限公司製、製品名「Karenz MOI」(註冊商標))之樹脂(壓克力A)之溶液(黏著劑主劑、固體成分35.0質量%)。就加成率而言，相對於丙烯酸系共聚物之2HEA 100莫耳%而言，甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯係80莫耳%。 所得之樹脂(壓克力A)之重量平均分子量(Mw)為9萬、Mw/Mn為4.5。藉由凝膠滲透層析(GPC)法，測定以標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量Mw及數平均分子量Mn，由各自之測定值求得分子量分布(Mw/Mn)。 對該黏著劑主劑，添加UV樹脂A(10官能胺基甲酸酯丙烯酸酯、日本合成化學工業股份有限公司製、製品名「UV-5806」、Mw=1740、含有光聚合起始劑)，及作為交聯劑之甲苯二異氰酸酯系交聯劑(Nippon Polyurethane工業股份有限公司製、製品名「Coronate L」)。相對於黏著劑主劑中之固體成分100質量份而言，添加UV樹脂A 50質量份，且添加交聯劑0.2質量份。添加後攪拌30分鐘，調製黏著劑組成物A1。 接著，將所調製之黏著劑組成物A1之溶液塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)系剝離薄膜(琳得科股份有限公司製、製品名「SP-PET381031」、厚度38μm)並乾燥，於剝離薄膜上形成厚度40μm之黏著劑層。 對該黏著劑層貼合作為基材之聚酯系聚胺基甲酸酯彈性體薄片(Sheedom股份有限公司製，製品名「Higress DUS202」，厚度100μm)後，將於寬度方向之端部的不要部分切斷去除而製作黏著薄片。 [實施例2] 使丙烯酸丁酯(BA)52質量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)20質量份，及丙烯酸2-羥基乙酯(2HEA)28質量份共聚合而得到丙烯酸系共聚物。調製對該丙烯酸系共聚物，加成甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯(昭和電工股份有限公司製、製品名「Karenz MOI」(註冊商標))之樹脂(壓克力A2)之溶液(黏著劑主劑)。就加成率而言，相對於丙烯酸系共聚物之2HEA 100莫耳%而言，甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯係90莫耳%。 所得之樹脂(壓克力A2)之重量平均分子量(Mw)為60萬、Mw/Mn為4.5。藉由凝膠滲透層析(GPC)法，測定以標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量Mw及數平均分子量Mn，由各自之測定值求得分子量分布(Mw/Mn)。 對該黏著劑主劑，添加能量線硬化性樹脂A(阪本藥品工業股份有限公司製、製品名「SA-TE60」)、光聚合起始劑(IGM Resins B.V.製、製品名「Omnirad 127D」)及交聯劑(TOYOCHEM股份有限公司製、TMP-TDI(甲苯二異氰酸酯之三羥甲基丙烷加成體)。相對於黏著劑主劑中之固體成分100質量份而言，添加能量線硬化性樹脂A 18質量份，添加光聚合起始劑1.3質量份，且添加交聯劑0.2質量份，添加乙酸乙酯後，攪拌30分鐘，調製固體成分35.0質量%之黏著劑組成物A1。 接著，將所調製之黏著劑組成物A1之溶液塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)系剝離薄膜(琳得科股份有限公司製、製品名「PET752150」)，將塗膜於90℃乾燥90秒，進一步於100℃乾燥90秒，於剝離薄膜上形成厚度30μm之黏著劑層。 對該黏著劑層貼合胺基甲酸酯基材(倉敷紡績股份有限公司製，製品名「U-1490」，厚度100μm，硬度90度(A型))，製作黏著膠帶。 將該黏著膠帶切斷為寬度300mm時，以橫跨其切斷部的方式，將LED-UV單元，於切斷部每一個部位設置2個燈。將LED-UV單元之透鏡前端部與膠帶之距離設為10mm。就LED-UV單元之輸出而言，以2個燈均為輸出50%來進行UV照射，於黏著劑層形成硬化部。沿著所形成之硬化部切斷黏著膠帶，製作於寬度方向兩端部具有硬化部之黏著薄片(寬度300mm)。薄片寬度方向兩端部之硬化部的寬度，如表2所示，各自為1.00mm。切斷時之裂縫的速度為10m/min。又，LED-UV單元之輸出，與LED-UV單元每1個燈之光量及照度之關係示於表2。 實施例2所使用的LED-UV單元之說明係如以下所示。 ･LED-UV單元 HOYA CANDEO OPTRONICS公司製 控制部=H-1 VC II 發光部=H-1 VH4 透鏡=HO-03L [實施例3] 實施例3之黏著薄片，除了將實施例2之黏著薄片之製作中的LED-UV單元之輸出變更為40%，以及將薄片寬度方向兩端部之硬化部的寬度如表2所示般分別設為0.50mm以外，係與實施例2同樣地製作。 [實施例4] 實施例4之黏著薄片，除了將實施例2之黏著薄片之製作中的LED-UV單元之輸出變更為90%，以及將薄片寬度方向兩端部之硬化部的寬度如表2所示般分別設為1.25mm以外，係與實施例2同樣地製作。 [實施例5] 實施例5之黏著薄片，除了將實施例2之黏著薄片之製作中的基材變更為上質紙(單位面積重量：60g/m2 )以外，係與實施例2同樣地製作。 [實施例6] 實施例6之黏著薄片，除了將實施例2之黏著薄片之製作中的基材變更為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(厚度：50μm)以外，係與實施例2同樣地製作。 [比較例1] 除了將黏著劑主劑如下述般變更以外係與實施例1同樣地製作黏著薄片。 使丙烯酸丁酯(BA)52質量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)20質量份，及丙烯酸2-羥基乙酯(2HEA)28質量份共聚合而得到丙烯酸系共聚物。調製對該丙烯酸系共聚物，加成甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯(昭和電工股份有限公司製、製品名「Karenz MOI」(註冊商標))之樹脂(壓克力B)之溶液(黏著劑主劑、固體成分35.0質量%)。就加成率而言，相對於丙烯酸系共聚物之2HEA 100莫耳%而言，甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯係90莫耳%。 所得之樹脂(壓克力B)之重量平均分子量(Mw)為60萬、Mw/Mn為4.5。比較例1之樹脂(壓克力B)之重量平均分子量Mw及分子量分布(Mw/Mn)，係與實施例1同樣地求得。 [比較例2] 比較例2之黏著薄片，除了於實施例2之黏著薄片之製作中不照射UV以外，係與實施例2同樣地製作。 [黏著薄片之評價] 針對所製作之黏著薄片，進行以下之評價。評價結果示於表1及表2。 ＜測定方法＞ (拉伸強度之測定方法) 用以測定拉伸強度之拉伸試驗機，係使用島津製作所股份有限公司製之Autograph AG-IS。 由黏著薄片製作寬度25mm之第一試驗片。就具有硬化部與未硬化部之黏著薄片而言，係由對應於黏著薄片之未硬化部的區域製作第一試驗片。 於第一試驗片貼合第一半導體晶片及第二半導體晶片，製作第二試驗片。第一半導體晶片及第二半導體晶片，均使用縱尺寸45mm、橫尺寸35mm、厚度尺寸0.625mm之半導體晶片。 將第一半導體晶片及第二半導體晶片之縱尺寸為45mm之邊，沿著第一試驗片之長度方向貼合。 第一半導體晶片，係貼合於第一試驗片之長度方向之一端側。第二半導體晶片，係貼合於第一試驗片之長度方向之另一端側。貼合於第一試驗片之第一半導體晶片與第二半導體晶片的間隔為35μm。 將第一試驗片之長度方向各自兩端之基材及黏著劑層以夾具把持，以拉伸試驗機測定拉伸強度。第一試驗片之拉伸0.5mm時(拉伸距離為0.5mm時)之拉伸強度FA1 示於表1。 將第二試驗片之長度方向各自兩端之基材、黏著劑層及半導體晶片以夾具把持，以拉伸試驗機測定拉伸強度。第二試驗片之拉伸0.5mm時(拉伸距離為0.5mm時)之拉伸強度FB1 示於表1。 拉伸強度之單位為N。 拉伸試驗時之其他條件係如以下所述。 夾具間之距離：50mm 拉伸速度   ：50mm/分 (楊氏模數之測定方法) 根據JIS K7161及JIS K7127，使用萬能試驗機(島津製作所股份有限公司製「Autograph AG-IS500N」)進行拉伸試驗。拉伸試驗中，固定第一試驗片及第二試驗片，以拉伸速度50mm/分進行拉伸試驗。然後製成此時之應力應變曲線，由試驗初期之應力應變曲線的斜率算出楊氏模數。 實施例1、實施例2及比較例1之黏著薄片的楊氏模數之測定結果示於表1。
Figure 02_image019
如表1所示，實施例1及實施例2之黏著薄片，FB1 /FA1 為30以下，黏著薄片之未貼合半導體晶片的部位之拉伸強度，與貼合有半導體晶片的部位之拉伸強度的比FB1 /FA1 ，較比較例1更小。因此，依照實施例1及實施例2之黏著薄片，於擴展步驟中使黏著薄片延展而擴張半導體晶片間之距離時，於黏著薄片之面內方向的伸長量之差變小，擴張性優良，可使半導體晶片間之距離的偏差小。 (黏著劑之滲出抑制之評價方法) 將於寬度方向兩端部形成有硬化部的寬度300mm之黏著薄片予以捲繞而製作滾筒。將滾筒於40℃保管，經過3日後，以目視或顯微鏡確認滾筒端部有無黏著劑滲出。滲出抑制之評價基準係如下般設定。本實施例中，將評價A判定為合格。 ･滲出抑制之評價基準 評價A：滾筒端部無外觀變化 評價B：滾筒端部有外觀變化 (偏差之評價方法) 將實施例及比較例所製作的黏著薄片切斷為210mm×210mm之尺寸，得到試驗用黏著薄片。此時，係以切斷後之薄片的各邊，與黏著薄片中之基材的MD方向成為平行或垂直的方式切斷。 切割矽晶圓，以3mm×3mm尺寸之晶片於X軸方向成為7列，及於Y軸方向成為7列的方式，共切出49個晶片。 剝離試驗用黏著薄片之剝離薄膜，於所露出之黏著劑層的中心部，貼附如上述般切出之計49個晶片。此時，晶片於X軸方向排有7列，及於Y軸方向排有7列，晶片間之距離，X軸方向及Y軸方向均為35μm。 接著，將貼附有晶片之試驗用黏著薄片，設置於可2軸延伸之擴展裝置(分離裝置)。圖7中，顯示說明該擴展裝置100之平面圖。圖7中，X軸及Y軸係彼此直交的關係，該X軸之正方向稱+X軸方向、該X軸之負方向稱-X軸方向、該Y軸之正方向稱+Y軸方向、該Y軸之負方向稱-Y軸方向。試驗用黏著薄片200，係以各邊與X軸或Y軸成為平行的方式，設置於擴展裝置100。其結果，試驗用黏著薄片200中之基材之MD方向，係與X軸或Y軸成為平行。再者，圖7中，晶片係經省略。 如圖7所示，擴展裝置100，於+X軸方向、-X軸方向、+Y軸方向及-Y軸方向各自具備5個保持手段101(共20個保持手段101)。各方向中之5個保持手段101當中，保持手段101A位於兩端、保持手段101C位於中央、保持手段101B位於保持手段101A與保持手段101C之間。將試驗用黏著薄片200之各邊，以此等之保持手段101把持。 此處，如圖7所示，試驗用黏著薄片200之一邊為210mm。又，各邊之保持手段101彼此之間隔為40mm。又，試驗用黏著薄片200之一邊之端部(薄片之頂點)，與存在於該邊，且離該端部最近的保持手段101A之間隔為25mm。 ･第1擴展試驗 接著，驅動保持手段101各自所對應的未圖示之複數個張力賦予手段，使保持手段101各自獨立地移動。將試驗用黏著薄片之四邊以夾具固定，於X軸方向及Y軸方向各自以5mm/s之速度，以200mm之擴張量將試驗用黏著薄片擴展。第1擴展試驗之結果，試驗用黏著薄片之面積，相對於擴展前，擴張為381%。本實施例中，有將該擴張量200mm之擴展試驗稱為第1擴展試驗的情況。實施例5及實施例6之黏著薄片無法擴張。 於藉由第1擴展試驗擴張試驗用黏著薄片之後，藉由環狀框架保持試驗用黏著薄片200之擴張狀態。 於保持擴張狀態之狀態下，基於晶片彼此的位置關係算出標準偏差，藉以評價偏差。試驗用黏著薄片上之晶片的位置，係使用CNC影像測定機(Mitutoyo股份有限公司製、製品名「Vision ACCEL」)測定。標準偏差，係使用JMP公司製之數據分析軟體JMP13算出。偏差之評價基準係如下般設定。本實施例中，將評價A或評價B判定為合格。 ･偏差之評價基準 評價A：標準偏差為100μm以下。 評價B：標準偏差為200μm以下。 評價C：標準偏差為201μm以上。 (伸度100%時之黏著劑浮起之評價方法) 以包含能量線硬化性樹脂經硬化的硬化部的方式，沿著黏著薄片之長條方向切出長度150mm、寬度25mm之尺寸，製作第三試驗片。將該第三試驗片，以拉伸試驗機之一對夾頭把持。拉伸試驗機係使用島津製作所股份有限公司製之Autograph AG-IS。將把持第三試驗片之夾頭間距離設為100mm。目視確認以速度5mm/sec，伸長至夾頭間距離成為200mm為止時，黏著劑層之硬化部有無於與基材之界面剝離而產生浮起。伸度100%時之黏著劑浮起之評價基準係如下般設定。本實施例中，將評價A判定為合格。 ･伸度100%時之黏著劑浮起之評價基準 評價A：伸度100%時未產生黏著劑層之硬化部之浮起 評價B：伸度100%時產生1個部位以上之黏著劑層之硬化部之浮起 (面積擴張性之評價方法) 目視確認於前述第1擴展試驗時，黏著劑層之硬化部有無於與基材之界面剝離而產生浮起。面積擴張性之評價基準係如下般設定。本實施例中，將評價A判定為合格。實施例5及實施例6之黏著薄片無法擴張，故無法評價。 ･面積擴張性之評價基準 評價A：第1擴展試驗時，未產生黏著劑層之硬化部之浮起。 評價B：第1擴展試驗時，產生1個部位以上之黏著劑層之硬化部之浮起。
Figure 02_image021
實施例2~6之黏著薄片由於在寬度方向兩端部具有硬化部，因此可抑制黏著劑之滲出。又，實施例2及實施例3之黏著薄片中，伸度100%時及第1擴展試驗時未產生黏著劑之浮起。可認為係實施例2及實施例3之黏著薄片的硬化部，為藉由輸出為40%~50%左右的UV照射所形成，該硬化部之硬化度受到適當控制之故。
1:黏著薄片 1A:黏著薄片 1a:端材 10:基材 11:第一基材面 12:第二基材面 20:黏著劑層 21:未硬化部 22:硬化部 100:擴展裝置 101:保持手段 101A:保持手段 101B:保持手段 101C:保持手段 110:第一夾具 120:第二夾具 200:試驗用黏著薄片 CP1:第一半導體晶片 CP2:第二半導體晶片
[圖1]為一實施形態之黏著薄片之截面概略圖。 [圖2]為顯示將第一試驗片以拉伸試驗機的夾具把持之狀態的概略圖。 [圖3]為顯示將第二試驗片以拉伸試驗機的夾具把持之狀態的概略圖。 [圖4]為別的實施形態之黏著薄片之截面概略圖。 [圖5]為顯示將別的實施形態之黏著薄片捲繞為滾筒狀之狀態的斜視圖。 [圖6A]為顯示別的實施形態之黏著薄片之製造方法的截面概略圖。 [圖6B]為顯示別的實施形態之黏著薄片之製造方法的截面概略圖。 [圖6C]為顯示別的實施形態之黏著薄片之製造方法的截面概略圖。 [圖7]為說明實施例所使用的2軸延伸擴展裝置之平面圖。
1A:黏著薄片
10:基材
11:第一基材面
12:第二基材面
20:黏著劑層
21:未硬化部
22:硬化部

Claims (12)

  1. 一種黏著薄片，其 具有基材與黏著劑層， 前述黏著劑層，含有能量線硬化性樹脂， 前述黏著劑層，具有於前述黏著劑層之寬度方向兩端部之前述能量線硬化性樹脂經硬化的硬化部，與前述能量線硬化性樹脂未經硬化的未硬化部， 由前述未硬化部所對應之區域的前述黏著薄片製作寬度25mm之第一試驗片，將前述第一試驗片之長度方向各自兩端之前述基材及前述黏著劑層的前述未硬化部以夾具把持而藉由拉伸試驗機拉伸0.5mm時之拉伸強度FA1 ，與 將縱尺寸45mm、橫尺寸35mm、厚度尺寸0.625mm之第一半導體晶片及第二半導體晶片，使前述第一半導體晶片及第二半導體晶片之縱尺寸為45mm之邊，沿著前述第一試驗片之長度方向，以前述第一半導體晶片與前述第二半導體晶片之間隔為35μm，於前述第一試驗片的長度方向之一端側的前述未硬化部之黏著劑層貼合前述第一半導體晶片，於前述第一試驗片的長度方向之另一端側的前述未硬化部之黏著劑層貼合前述第二半導體晶片來製作第二試驗片，將前述第二試驗片之長度方向各自兩端之前述基材、前述未硬化部之黏著劑層及前述半導體晶片以夾具把持而藉由拉伸試驗機拉伸0.5mm時之拉伸強度FB1 ，滿足下述數式(數1A)之關係：
    Figure 03_image001
    。
  2. 如請求項1之黏著薄片，其中以包含前述能量線硬化性樹脂經硬化的硬化部的方式，沿著前述黏著薄片之長條方向切出長度150mm、寬度25mm之尺寸製作第三試驗片，將該第三試驗片，以夾頭間距離為100mm以一對夾頭把持，以速度5mm/sec，伸長至夾頭間距離成為200mm時，前述硬化部與前述基材之界面不產生浮起。
  3. 如請求項1之黏著薄片，其中 使前述黏著薄片，於第一方向、與前述第一方向相反方向的第二方向、垂直於前述第一方向之方向的第三方向，及與前述第三方向相反方向的第四方向伸長，當伸長前之前述黏著薄片的面積S1，與伸長後之前述黏著薄片的面積S2之面積比(S2/S1)×100為381%時，前述黏著劑層之前述硬化部不於與前述基材的界面剝離。
  4. 如請求項1之黏著薄片，其中 前述拉伸強度FA1 ，與前述拉伸強度FB1 ，滿足下述數式(數1B)之關係：
    Figure 03_image003
    。
  5. 如請求項1之黏著薄片，其中 前述第一試驗片之楊氏模數YA1 ，與前述第二試驗片之楊氏模數YB1 ，滿足下述數式(數2A)之關係：
    Figure 03_image005
    。
  6. 如請求項1之黏著薄片，其中 前述黏著劑層，含有丙烯酸系黏著劑。
  7. 如請求項1之黏著薄片，其中 前述基材，含有胺基甲酸酯系彈性體。
  8. 如請求項1之黏著薄片，其係於半導體裝置之製造步驟中，使用於用以擴張複數個半導體晶片彼此之間隔的擴展步驟。
  9. 如請求項1至請求項8中任一項之黏著薄片，其中 前述黏著薄片，係長條狀，且捲繞為滾筒狀。
  10. 一種黏著薄片之製造方法，其具有： 於基材之上，塗佈含有能量線硬化性樹脂之黏著劑組成物，形成黏著劑層之步驟、 對前述黏著劑層之寬度方向的兩端部照射能量線，使前述能量線硬化性樹脂硬化而形成硬化部之步驟，與 於較未使前述能量線硬化性樹脂硬化的未硬化部之寬度方向兩端部更靠外側，殘留前述硬化部的全部，或殘留前述硬化部的一部分，將較前述硬化部更靠外側予以切斷之步驟。
  11. 如請求項10之黏著薄片之製造方法，其中 於較前述未硬化部之寬度方向兩端部更靠外側所殘留之前述硬化部的寬度，分別獨立地為0.5mm以上。
  12. 如請求項10或請求項11之黏著薄片之製造方法，其中 於前述將較硬化部更靠外側予以切斷之步驟後，進一步具有將切斷後的黏著薄片捲繞為滾筒狀之步驟。
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