TW202044439A - 擴展方法及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明有關一種擴展方法，其係於具有第1晶圓面(W1)及第2晶圓面(W3)之晶圓(W)之第1晶圓面(W1)貼附具有第1黏著劑層(12)及第1基材(11)之第1黏著薄片(10)，於第2晶圓面(W3)貼附具有第2黏著劑層及第2基材之第2黏著薄片，從第1黏著薄片(10)側劃出切口，將第1黏著薄片(10)切斷，進一步將晶圓(W)單片化成複數個晶片(CP)，於第1基材(11)貼附具有第3黏著劑層(32)及第3基材(31)之第3黏著薄片(30)，自晶圓(W)之第2晶圓面(W3)剝離第2黏著薄片，將第3黏著薄片(30)拉伸，而擴大複數個晶片(CP)之間隔。

Description

擴展方法及半導體裝置之製造方法

本發明有關擴展方法及半導體裝置之製造方法。

近幾年來，電子機器進展為小型化、輕量化及高機能化。搭載於電子機器之半導體裝置亦被要求小型化、薄型化及高密度化。半導體晶片有以接近其尺寸之封裝安裝之情況。此等封裝亦稱為晶片規格封裝(Chip Scale Package：CSP)。作為CSP之一，舉例為晶圓等級封裝(Wafer Level Package：WLP)。WLP中，於藉由切割而單片化之前，於晶圓上形成外部電極等，最終切割晶圓並單片化。作為WLP，舉例為扇入(Fan-In)型與扇出(Fan-Out)型。扇出型之WLP(以下亦簡稱為「FO-WLP」)中，半導體晶片以密封構件覆蓋比晶片尺寸大之區域而形成半導體晶片之密封體，不僅於半導體晶片之電路面形成再配線層及外部電極，亦形成於密封構件之表面區域。

例如，文獻1(國際公開第2010/058646號)中記載針對自半導體晶圓單片化之複數半導體晶片，留下其電路形成面，使用模製構件包圍周圍而形成擴張晶圓，於半導體晶片外之區域延伸形成再配線圖型之半導體封裝之製造方法。文獻1中記載之製造方法中，經單片化之複數半導體晶片以模製構件包圍之前，換貼於擴展用晶圓黏片膠帶上，使晶圓黏片膠帶延展，使複數半導體晶片間之距離擴大。

又，文獻2(日本特開2017-076748號公報)中，記載依序具備第二基材層、第一基材層及第一黏著劑層，且第二基材層之斷裂伸長度為400%以上之黏著薄片。文獻2中記載之半導體裝置之製造方法具備將半導體晶圓貼黏於該黏著薄片之第一黏著劑層之步驟，藉由切割將半導體晶圓單片化，形成複數半導體晶片之步驟，及拉長黏著薄片，使半導體晶片彼此之間隔擴大之步驟。

擴展步驟所用之膠帶通常具有用以固定膠帶上之半導體晶片之黏著劑層與支持黏著劑層之基材。如文獻1中記載之擴展用晶圓黏片膠帶拉長時，不僅是膠帶之基材被拉長，黏著劑層亦被拉長。擴展步驟後，半導體晶片自黏著劑層剝離時，有產生於與黏著劑層接觸之半導體晶片表面殘留黏著劑層之缺陷的情況。此等缺陷於本說明書中，有時稱為殘糊。

又，使用文獻2中記載之黏著薄片實施擴展步驟時，由於與半導體晶片接觸之黏著劑層不被拉長，故認為難以產生殘糊。然而，由於文獻2中記載之黏著薄片係使第二基材層與第一基材層與第一黏著劑層層合成之膠帶構成，故對於可使用更簡略之膠帶構成防止殘糊之擴展方法殷切期盼。又，文獻2中記載之製程，係切割黏著薄片上之半導體晶圓，不轉印至其他黏著薄片，而直接拉長黏著薄片實施擴展步驟。因此，必須以使切割之際的切割刀片不達到第二基材層之方式，慎重控制切割刀片之切入深度，故對於可藉由更簡略方法防止殘糊之擴展方法亦殷切期盼。

又，擴展方法中作為支持於黏著薄片上之被黏著體，不僅為半導體晶片，亦舉例為例如晶圓、半導體裝置封裝及微型LED等之半導體裝置。該等半導體裝置亦與半導體晶片同樣，有使半導體裝置彼此之間隔擴張之情況。

本發明之目的在於提供與以往相比可使膠帶構成及製程簡略化且可抑制殘糊之擴展方法，以及提供包含該擴展方法之半導體裝置之製造方法。

依據本發明一態樣，提供一種擴展方法，其係於具有第1晶圓面及前述第1晶圓面之相反側之第2晶圓面之晶圓之前述第1晶圓面貼附具有第1黏著劑層及第1基材之第1黏著薄片，於前述第2晶圓面貼附具有第2黏著劑層及第2基材之第2黏著薄片，從前述第1黏著薄片側劃出切口，將前述第1黏著薄片切斷，進一步將前述晶圓單片化成複數個晶片，於前述第1基材貼附具有第3黏著劑層及第3基材之第3黏著薄片，自前述晶圓之前述第2晶圓面剝離前述第2黏著薄片，將前述第3黏著薄片拉伸，而擴大前述複數個晶片之間隔。

本發明之一態樣之擴展方法中，較佳前述切口係以自前述第1黏著薄片側達到至前述第2黏著薄片之深度而形成。 本發明之一態樣之擴展方法中，較佳前述第2晶圓面係將前述晶圓進行背面研削而形成之面。 本發明之一態樣之擴展方法中，較佳於前述晶圓進行背面研削之前，將前述第1黏著薄片黏貼於前述第1晶圓面。 本發明之一態樣之擴展方法中，較佳於前述晶圓進行背面研削之前，於前述第1晶圓面黏貼第4黏著薄片，於背面研削後，自前述第1晶圓面剝離前述第4黏著薄片，於前述第1晶圓面黏貼前述第1黏著薄片。 本發明之一態樣之擴展方法中，較佳前述第4黏著薄片係背面研磨薄片，前述第1黏著薄片係表面保護薄片，前述表面保護薄片之厚度為5μm以上、500μm以下。 本發明之一態樣之擴展方法中，較佳前述第1黏著薄片係背面研磨薄片。 本發明之一態樣之擴展方法中，較佳前述第3黏著薄片係擴展薄片。 本發明之一態樣之擴展方法中，較佳前述晶圓為半導體晶圓。 本發明之一態樣之擴展方法中，較佳前述第1晶圓面具有電路。 依據本發明之一態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，其包含前述本發明一態樣之擴展方法。

依據本發明之一態樣，可提供與以往相比可使膠帶構成及製程簡略化且可抑制殘糊之擴展方法。依據本發明之另一態樣，可提供包含可抑制殘糊之擴展方法之半導體裝置之製造方法。

[第1實施形態] 以下，針對本實施形態之擴展方法及包含該擴展方法之半導體裝置之製造方法加以說明。 圖1(圖1A及圖1B)、圖2(圖2A及圖2B)及圖3係說明包含本實施形態之擴展方法之半導體裝置之製造方法的剖面概略圖。 本實施形態之擴展方法至少具備如下步驟(P1)~(P5)。 (P1)準備於第1晶圓面貼附第1黏著薄片，於第2晶圓面貼附第2黏著薄片之晶圓的步驟。第1黏著薄片具有第1黏著劑層及第1基材，第2黏著薄片具有第2黏著劑層及第2基材。 (P2)從第1黏著薄片側劃出切口，將第1黏著薄片切斷，進一步將晶圓切斷並單片化成複數個晶片。 (P3)於第1基材貼附第3黏著薄片之步驟。第3黏著薄片具有第3黏著劑層及第3基材。 (P4)自晶圓之第2晶圓面剝離第2黏著薄片之步驟。 (P5)將第3黏著薄片拉伸，而擴大複數個晶片之間隔之步驟。 圖1A係用以說明步驟(P1)之圖。圖1A中記載黏貼有第1黏著薄片10及第2黏著薄片20之晶圓W。

半導體晶圓W具有作為第1晶圓面之電路面W1與作為第2晶圓面之背面W3。於電路面W1形成電路W2。 於電路面W1黏貼第1黏著薄片10。於背面W3黏貼第2黏著薄片20。第1黏著薄片10具有第1黏著劑層12與第1基材11。第2黏著薄片20具有第2黏著劑層22與第2基材21。第1黏著薄片10及第2黏著薄片20之細節將於後述。 半導體晶圓W可為例如矽晶圓，亦可為鎵・砷等之化合物半導體晶圓。作為於半導體晶圓W之電路面W1形成電路W2之方法，舉例為廣泛使用之方法，舉例為例如蝕刻法及剝離法等。

[背面研磨步驟] 步驟(P1)中準備之半導體晶圓W較佳係經過背面研磨步驟所得之晶圓。 背面研磨步驟中，對半導體晶圓W之與電路面W1相反側之面研削至特定厚度。背面W3較佳係對半導體晶圓W進行背面研削所形成之面。研削半導體晶圓W後露出的面為背面W3。 作為研削半導體晶圓W之方法並未特別限定，舉例為例如使用研磨機等之習知方法。研削半導體晶圓W之際，為了保護電路W2，較佳於電路面W1黏貼稱為背面研磨薄片之黏著薄片。晶圓之背面研削係藉由夾具台等固定半導體晶圓W之電路面W1側，亦即背面研磨薄片側，藉由研磨機研削未形成電路之背面側。本實施形態中，較佳第1黏著薄片10為背面研磨薄片。使用第1黏著薄片10作為背面研磨薄片時，半導體晶圓W係將電路面W1朝向第1黏著薄片10之第1黏著劑層12而黏貼。於背面研磨半導體晶圓W之前，較佳將作為背面研磨薄片之第1黏著薄片10黏貼於作為第1晶圓面之電路面W1。將第1黏著薄片10黏貼於電路面W1之步驟有時稱為第1黏著薄片之黏貼步驟。 研削前之半導體晶圓W的厚度並未特別限定，通常為500μm以上1000μm以下。 研削後之半導體晶圓W的厚度並未特別限定，通常為20μm以上500μm以下。

[第2黏著薄片之黏貼步驟] 步驟(P1)所準備之半導體晶圓W較佳係經過背面研磨步驟，進而經過於背面W3黏貼第2黏著薄片20之黏貼步驟所得之晶圓。該黏貼步驟有時稱為第2黏著薄片之黏貼步驟。 如後述，步驟(P2)中，半導體晶圓W藉由切割而單片化為複數半導體晶片CP。切割半導體晶圓W之際，為了保持半導體晶圓W，較佳將稱為切割薄片之黏著薄片黏貼於背面W3。本實施形態中，第2黏著薄片20較佳為切割薄片。使用第2黏著薄片20作為切割薄片之情況下，半導體晶圓W係背面W3朝向第2黏著薄片20之第2黏著劑層22而黏貼。

[切割步驟] 圖1B係用以說明步驟(P2)的圖。步驟(P2)有時稱為切割步驟。圖1B中顯示保持於第2黏著薄片20之複數半導體晶片CP。 於電路面W1黏貼第1黏著薄片10，於背面W3黏貼第2黏著薄片20之狀態之半導體晶圓W藉由切割而單片化，形成複數半導體晶片CP。本實施形態中，自第1黏著薄片10側劃出切口，切斷第1黏著薄片10，進而切斷半導體晶圓W。切割步驟後之複數半導體晶片CP之電路面W1分別為藉由經切斷之第1黏著薄片10覆蓋之狀態。 切割係使用切割鋸等之切斷機構。 切割時之切斷深度若為可將第1黏著薄片10及半導體晶圓W單片化之深度則未特別限定。基於確實切斷半導體晶圓W之觀點，切割步驟中之切口較佳形成為自第1黏著薄片10側至達到第2黏著薄片20之深度，更佳達到至第2黏著薄片20之第2黏著劑層22之深度。藉由切割，第2黏著劑層22亦被切斷為與半導體晶片CP相同大小。進而，會有藉由切割而亦於第2基材21形成切口之情況。

[第3黏著薄片之黏貼步驟] 圖2A係用以說明步驟(P3)的圖。步驟(P3)有時稱為第3黏著薄片之黏貼步驟。圖2A中，顯示於藉由切割步驟所得之複數半導體晶片CP黏貼第3黏著薄片30之狀態。第3黏著薄片30具有第3黏著劑層32與第3基材31。第3黏著薄片30之細節於後述。 本實施形態中，第3黏著薄片30黏貼於複數半導體晶片CP之電路面W1側時，獲得複數半導體晶片CP與第3黏著薄片30之第3黏著劑層32之間介隔經單片化之第1黏著薄片10之層合構造。

[第2黏著薄片之剝離步驟] 圖2B係用以說明步驟(P4)的圖。該步驟(P4)有時稱為第2黏著薄片之剝離步驟。圖2B中顯示於黏貼第3黏著薄片30後自晶圓W之背面W3剝離第2黏著薄片20之狀態。 黏貼第3黏著薄片30之後，剝離第2黏著薄片20時，露出複數半導體晶片CP之背面W3。 又，於第2黏著劑層22中調配能量線聚合性化合物之情況下，較佳自第2基材21側對第2黏著劑層22照射能量線，使能量線聚合性化合物硬化後，剝離第2黏著薄片20。

[擴展步驟] 圖3係用以說明步驟(P5)的圖。步驟(P5)有時稱為擴展步驟。圖3顯示剝離第2黏著薄片20後，拉伸第3黏著薄片30，擴大複數半導體晶片CP之間隔之狀態。 擴大複數半導體晶片CP之間隔之際，較佳於藉由稱為擴展薄片之黏著薄片保持複數半導體晶片CP之狀態將擴展薄片拉伸。本實施形態中，第3黏著薄片30較佳為擴展薄片。 擴展步驟中拉長第3黏著薄片30之方法並未特別限定。作為拉長第3黏著薄片30之方法舉例為例如壓抵環狀或圓狀擴展器拉長第1黏著薄片10之方法，及使用把持構件等捏住第3黏著薄片30之外周部並拉長之方法等。本實施形態中，複數半導體晶片CP之間隔D1由於係依存於半導體晶片CP之大小，故未特別限定。尤其，黏貼於黏著薄片單面之複數半導體晶片CP之相鄰半導體晶片CP之相互間隔D1較佳為200μm以上。又，該半導體晶片CP之相互間隔之上限並未特別限定。該半導體晶片CP之相互間隔之上限可為例如6000μm。

[第1轉印步驟] 本實施形態中，擴展步驟之後，亦可實施將黏貼於第3黏著薄片30之複數半導體晶片CP轉印於另一黏著薄片(例如第5黏著薄片)之步驟(以下有時稱為「第1轉印步驟」)。 圖4A中顯示說明將黏貼於第3黏著薄片30之複數半導體晶片CP轉印於第5黏著薄片50之步驟(以下有時稱為「轉印步驟」)的圖。 第5黏著薄片50若可保持複數半導體晶片CP，則未特別限定。第5黏著薄片50具有第5基材51及第5黏著劑層52。 本實施形態中實施轉印步驟時，較佳例如於擴展步驟之後，於複數半導體晶片CP之背面W3黏貼第5黏著薄片50，隨後，剝離第3黏著薄片30。 第5黏著薄片50亦可與複數半導體晶片CP一起黏貼於第二環狀框。該情況下，於第5黏著薄片50之第5黏著劑層52上載置第二環狀框，將其輕輕按壓並固定。隨後，於第二環狀框之環形狀內側露出之第5黏著劑層52壓抵於半導體晶片CP之背面W3，將複數半導體晶片CP固定於第5黏著薄片50。 圖4B中顯示說明第5黏著薄片50黏貼後，剝離第3黏著薄片30之步驟的圖。

本實施形態中，係舉剝離第3黏著薄片30之際，將覆蓋半導體晶片CP之電路面W1之經單片化之第1黏著薄片10與第3黏著薄片30一起剝離之態樣為例加以說明。自第1黏著薄片10剝離第3黏著薄片30之力較佳大於自半導體晶片CP之電路面W1剝離第1黏著薄片10之力。又，亦可為覆蓋電路面W1之經單片化第1黏著薄片10仍殘留於半導體晶片CP而僅剝離第3黏著薄片30之態樣。 黏貼第5黏著薄片50後，剝離第1黏著薄片10及第3黏著薄片30時，露出複數半導體晶片CP之電路面W1。剝離第1黏著薄片10及第3黏著薄片30後，亦較佳維持在擴展步驟中擴張之複數半導體晶片CP間之間隔D1。

[第2轉印步驟] 圖5A中顯示說明將黏貼於第5黏著薄片50之複數半導體晶片CP轉印於第6黏著薄片60之步驟(以下有時稱為「第2轉印步驟」)之圖。 自第5黏著薄片50轉印至第6黏著薄片60之複數半導體晶片CP較佳維持半導體晶片CP間之間隔D1。 第6黏著薄片60若可保持複數半導體晶片CP，則未特別限定。第6黏著薄片60具有第6基材61與第6黏著劑層62。 欲密封第6黏著薄片60上之複數半導體晶片CP之情況下，作為第6黏著薄片60，較佳使用密封步驟用之黏著薄片，更佳使用具有耐熱性之黏著薄片。又，使用具有耐熱性之黏著薄片作為第6黏著薄片60之情況，較佳第6基材61及第6黏著劑層62分別以可耐受密封步驟中經歷之溫度的耐熱性的材料而形成。 自第5黏著薄片50轉印至第6黏著薄片60之複數半導體晶片CP係將電路面W1朝向第6黏著劑層62黏貼。

[密封步驟] 圖5B中顯示說明使用密封構件300密封複數半導體晶片CP之步驟(以下有時稱為「密封步驟」)的圖。 本實施形態中，密封步驟係於將複數半導體晶片CP轉印於第6黏著薄片60之後實施。 密封步驟中，以電路面W1經第6黏著薄片60保護之狀態，藉由以密封構件300覆蓋複數半導體晶片CP而形成密封體3。於複數半導體晶片CP之間亦填充有密封構件300。由於藉由第6黏著薄片60覆蓋電路面W1及電路W2，故可防止以密封構件300覆蓋電路面W1。

藉由密封步驟，獲得以每特定距離隔開之複數半導體晶片CP埋入密封構件300中之密封體3。密封步驟中，複數半導體晶片CP較佳以維持實施擴展步驟後之間隔D1之狀態，藉由密封構件300覆蓋。 密封步驟後，剝離第6黏著薄片60。剝離第6黏著薄片60時，露出半導體晶片CP之電路面W1及密封體3之與第6黏著薄片60接觸之面3A。 前述擴展步驟之後，藉由重複任意次數之轉印步驟及擴展步驟，將半導體晶片CP間之距離設為期望距離，可將密封半導體晶片CP之際的電路面的方向成為期望方向。

[其他步驟] 自密封體3剝離黏著薄片後，對該密封體3依序進行形成與半導體晶片CP電性連接之再配線層的再配線層形成步驟與將再配線層與外部端子電極電性連接之連接步驟。藉由再配線層形成步驟及與外部端子電極之連接步驟，將半導體晶片CP之電路與外部端子電極電性連接。 連接有外部端子電極之密封體3以半導體晶片CP單位單片化。將密封體3單片化之方法並未特別限定。藉由將密封體3單片化，而製造半導體晶片CP單位之半導體封裝。於半導體晶片CP之區域外連接經扇出之外部電極的半導體封裝係作為扇出型之晶圓等級封裝(FO-WLP)而製造。

(第1黏著薄片) 第1黏著薄片10具有第1基材11及第1黏著劑層12。第1黏著劑層12層合於第1基材11。 ・第1基材 本實施形態之第1基材11只要可於擴展步驟等之期望步驟發揮適當機能，則其構成材料並未特別限定。 第1基材11較佳係由以樹脂系材料為主材料之薄膜構成。作為以樹脂系材料為主材料之薄膜舉例為例如乙烯系共聚合薄膜、聚烯烴系薄膜、聚氯乙烯系薄膜、聚酯系薄膜、聚胺基甲酸酯薄膜、聚醯亞胺薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜及氟樹脂薄膜。 作為乙烯系共聚合薄膜舉例為例如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜及乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜。

本說明書中之(甲基)丙烯酸意指丙烯酸及甲基丙烯酸兩者，關於其他類似用語亦相同。 作為聚烯烴系薄膜舉例為例如聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、乙烯-降冰片烯共聚物薄膜及降冰片烯樹脂薄膜。 作為聚乙烯薄膜舉例為例如低密度聚乙烯(LDPE)薄膜、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)薄膜及高密度聚乙烯(HDPE)薄膜。 作為聚氯乙烯系薄膜舉例為例如聚氯乙烯薄膜及氯乙烯共聚物薄膜。 作為聚酯薄膜舉例為例如聚對苯二甲酸乙二酯薄膜及聚對苯二甲酸丁二酯薄膜。 作為第1基材11亦舉例為以樹脂系材料為主材料之薄膜的交聯薄膜。又，作為第1基材亦舉例為如離子聚合物薄膜之改質薄膜。 第1基材11可為僅由自以樹脂系材料為主材料之薄膜、交聯薄膜及改質薄膜所成之群中選擇之1種所成之薄膜，亦可為2種以上組合成之層合薄膜。

第1基材11中，亦可於上述之以樹脂系材料為主材料之薄膜內包含選自由例如顏料、難燃劑、可塑劑、抗靜電劑、滑劑及填料所成之群中之至少一種添加劑。 作為顏料舉例為例如二氧化鈦及碳黑等。 作為填料舉例為例如如三聚氰胺樹脂之有機系材料、如發煙氧化矽之無機系材料及如鎳粒子之金屬系材料。 以樹脂系材料為主材料之薄膜內所含之添加劑含量並未特別限定，但較佳侷限於能使第1基材發揮期望機能，不失去平滑性及柔軟性之範圍。 照射紫外線作為用以使第1黏著劑層12硬化之能量線之情況下，第1基材較佳對於紫外線具有透過性。 又照射電子束作為用以使第1黏著劑層12硬化之能量線之情況下，第1基材較佳對於電子束具有透過性。

第1基材11基於提高與層合於其表面之第1黏著劑層12之密著性之目的，亦可依據期望於其單面或兩面實施表面處理或底塗處理。作為表面處理，舉例為氧化法及凹凸化法等。作為底塗處理舉例為於基材表面形成底塗層之方法。作為氧化法舉例為例如電暈放電處理、電漿放電處理、鉻氧化處理(溼式)、火焰處理、熱風處理、臭氧處理及紫外線照射處理等。作為凹凸化法，舉例為例如噴砂法及熔射處理法等。 第1基材11之厚度只要能使第1黏著薄片於期望步驟中適當發揮機能，則未特別限定。 第1基材11之厚度較佳為20μm以上，更佳為25μm以上，又更佳為50μm以上。 又，第1基材11之厚度較佳為450μm以下，更佳為400μm以下，又更佳為350μm以下。

・第1黏著劑層 第1黏著劑層12只要可於背面研磨步驟等之期望步驟中發揮適當機能，則其構成材料並未特別限定。 本實施形態中，第1黏著劑層12較佳以例如選自由丙烯酸系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、聚酯系黏著劑、橡膠系黏著劑及矽氧系黏著劑所成之群中之至少一種黏著劑構成，更佳以丙烯酸系黏著劑構成。 第1黏著劑層12較佳含有能量線硬化性黏著劑。能量線硬化性黏著劑含有能量線硬化性化合物。 第1黏著劑層12含有能量線硬化性黏著劑之情況下，自第1基材11側對第1黏著劑層12照射能量線，使能量線聚合性化合物硬化。能量線聚合性化合物硬化時，第1黏著劑層12之凝集力提高，可使第1黏著劑層12與被黏著體(半導體晶圓W或半導體晶片CP)之間的黏著力降低或消失。作為能量線，舉例為例如紫外線(UV)及電子束(EB)，較佳為紫外線。

作為能量線硬化性黏著劑舉例有例如「X型黏著劑組成物」、「Y型黏著劑組成物」及「XY型黏著劑組成物」。 「X型黏著劑組成物」係包含非能量線硬化性之黏著性樹脂(亦稱為「黏著性樹脂I」)與黏著性樹脂以外之能量線硬化性化合物之能量線硬化性黏著劑組成物。 「Y型黏著劑組成物」係包含作為能量線硬化性黏著劑之以於非能量線硬化性之黏著性樹脂之側鏈導入不飽和基之能量線硬化性黏著性樹脂(以下亦稱為「黏著性樹脂II」)作為主成分，不含黏著性樹脂以外之能量線硬化性化合物之黏著劑組成物。 「XY型黏著劑組成物」係X型與Y型之併用型，亦即包含能量線硬化性之黏著性樹脂II與黏著性樹脂以外之能量線硬化性化合物的能量線硬化性黏著劑組成物。

該等中，較佳使用XY型黏著劑組成物。藉由使用XY型黏著劑組成物，於硬化前具有充分之黏著特性，另一方面於硬化後，可充分減低對於半導體晶圓或半導體晶片之剝離力。 但，作為第1黏著劑層12之黏著劑可為自即使照射能量線亦不硬化之非能量線硬化性之黏著劑組成物所形成。非能量線硬化性之黏著劑組成物係至少含有非能量線硬化性之黏著性樹脂I，且另一方面不含有上述之能量線硬化性之黏著性樹脂II及能量線硬化性化合物之黏著劑組成物。 又，以下說明中「黏著性樹脂」係指上述黏著性樹脂I及黏著性樹脂II之一者或兩者的用語而使用。作為具體之黏著性樹脂，舉例為例如丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、橡膠系樹脂及矽氧系樹脂，較佳為丙烯酸系樹脂。 以下針對使用丙烯酸系樹脂作為黏著性樹脂之丙烯酸系黏著劑更詳細說明。

・丙烯酸系聚合物(a) 作為丙烯酸系樹脂係使用丙烯酸系聚合物(a)。丙烯酸系聚合物(a)係使至少包含(甲基)丙烯酸烷酯之單體聚合而得之聚合物。丙烯酸系聚合物(a)包含源自(甲基)丙烯酸烷酯之構成單位。 (甲基)丙烯酸烷酯中之烷基碳數較佳為1以上20以下。 (甲基)丙烯酸烷酯中之烷基可為直鏈亦可為分支鏈。 作為(甲基)丙烯酸烷酯之具體例舉例為(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯及(甲基)丙烯酸十二烷酯等。(甲基)丙烯酸烷酯可單獨使用1種或組合2種以上使用。

基於提高黏著劑層之黏著力之觀點，丙烯酸系聚合物(a)較佳包含源自烷基之碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷酯之構成單位。作為該(甲基)丙烯酸烷酯之烷基碳數較佳為4以上12以下，更佳為4以上6以下。烷基之碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷酯較佳為丙烯酸烷酯。 丙烯酸系聚合物(a)中，烷基之碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷酯相對於構成丙烯酸系聚合物(a)之單體總量(以下亦簡稱為「單體總量」)，較佳為40質量%以上98質量%以下，更佳為45質量%以上95質量%以下，又更佳為50質量%以上90質量%以下。 丙烯酸系聚合物(a)較佳為除了源自烷基之碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷酯之構成單位以外，為了調整黏著劑層之彈性模數或黏著特性，亦包含源自烷基之碳數為1以上3以下之(甲基)丙烯酸烷酯之構成單位的共聚物。又，該(甲基)丙烯酸烷酯較佳為碳數1或2之(甲基)丙烯酸烷酯，更佳為(甲基)丙烯酸甲酯，最佳為甲基丙烯酸甲酯。丙烯酸系聚合物(a)中，烷基之碳數為1以上3以下之(甲基)丙烯酸烷酯相對於單體總量，較佳為1質量%以上30質量%以下，更佳為3質量%以上26質量%以下，又更佳為6質量%以上22質量%以下。

・含官能基之單體 丙烯酸系聚合物(a)除了源自上述(甲基)丙烯酸烷酯之構成單位以外，較佳具有源自含官能基之單體的構成單位。作為含官能基之單體之官能基舉例為例如羥基、羧基、胺基及環氧基。含官能基之單體可與後述之交聯劑反應，成為交聯起點，與含不飽和基之化合物反應，於丙烯酸系聚合物(a)之側鏈導入不飽和基。 作為含官能基之單體舉例為含羥基之單體、含羧基之單體、含胺基之單體及含環氧基之單體。該等含官能基之單體可單獨使用1種或組合2種以上使用。該等含官能基之單體中，較佳為含羥基之單體及含羧基之單體，更佳為含羥基之單體。

作為含羥基之單體舉例為例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等之(甲基)丙烯酸羥基烷酯；乙烯醇、烯丙醇等之不飽和醇等。 作為含羧基之單體舉例為例如(甲基)丙烯酸、巴豆酸等之乙烯性不飽和單羧酸；富馬酸、依康酸、馬來酸、檸康酸等之乙烯性不飽和二羧酸及其酸酐、甲基丙烯酸2-羧基乙酯等。 含官能基之單體相對於構成丙烯酸系聚合物(a)之單體總量，較佳為1質量%以上35質量%以下，更佳為3質量%以上32質量%以下，又更佳為6質量%以上30質量%以下。

又，丙烯酸系聚合物(a)除上述以外，亦可包含源自可與上述丙烯酸系單體共聚合之單體之構成單位。作為源自可與上述丙烯酸系單體共聚合之單體之構成單位，舉例為例如苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈及丙烯醯胺。 上述丙烯酸系聚合物(a)可使用作為非能量線硬化性之黏著性樹脂I(丙烯酸系樹脂)。又，作為能量線硬化性之丙烯酸系樹脂，舉例為使上述丙烯酸系聚合物(a)之官能基與具有光聚合性不飽和基之化合物(亦稱為含不飽和基之化合物)反應者。 含不飽和基之化合物係具有可與丙烯酸系聚合物(a)之官能基鍵結之取代基及光聚合性不飽和基之兩者的化合物。作為光聚合性不飽和基舉例為例如(甲基)丙烯醯基、乙烯基、烯丙基及乙烯基苄基，較佳為(甲基)丙烯醯基。

又，作為含不飽和基之化合物具有之可與官能基鍵結之取代基舉例為例如異氰酸酯基及縮水甘油基。因此，作為含不飽和基之化合物舉例為例如異氰酸(甲基)丙烯醯氧基乙酯、異氰酸(甲基)丙烯醯酯及(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等。 又，含不飽和基之化合物較佳與丙烯酸系聚合物(a)之官能基之一部分反應，具體而言，較佳丙烯酸系聚合物(a)具有之官能基的50莫耳%以上98莫耳%以下與含不飽和基之化合物反應，更佳55莫耳%以上93莫耳%以下與含不飽和基之化合物反應。如此，能量線硬化性丙烯酸系樹脂中，官能基之一部分未與含不飽和基之化合物反應而殘存，而容易藉由交聯劑交聯。 又，丙烯酸系樹脂之重量平均分子量(Mw)較佳為30萬以上160萬以下，更佳40萬以上140萬以下，又更佳50萬以上120萬以下。丙烯酸系樹脂之重量平均分子量(Mw)係藉由凝膠滲透層析法(GPC法)測定之聚苯乙烯換算之值。

・能量線硬化性化合物 作為X型或XY型之黏著劑組成物中含有之能量線硬化性化合物，較佳為分子內具有不飽和基而可藉由能量線照射而聚合硬化之單體或寡聚物。 作為此等能量線硬化性化合物舉例為例如三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯及1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等之多元(甲基)丙烯酸酯單體，以及胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯系寡聚物、聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯及環氧基(甲基)丙烯酸酯等之寡聚物。 該等中，基於分子量比較高、不易使黏著劑層之剪切儲存彈性模數降低之觀點，較佳為胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯系寡聚物。能量線硬化性化合物之分子量(寡聚物之情況為重量平均分子量)較佳為100以上12000以下，更佳為200以上10000以下，又更佳為400以上8000以下，特佳為600以上6000以下。

X型之黏著劑組成物之能量線硬化性化合物含量，相對於黏著性樹脂100質量份，較佳為40質量份以上200質量份以下，更佳為50質量份以上150質量份以下，又更佳為60質量份以上90質量份以下。 另一方面，XY型之黏著劑組成物之能量線硬化性化合物含量，相對於黏著性樹脂100質量份，較佳為1質量份以上30質量份以下，更佳為2質量份以上20質量份以下，又更佳為3質量份以上15質量份以下。XY型之黏著劑組成物中，由於黏著性樹脂為能量線硬化性，故即使能量線硬化性化合物含量少，於能量線照射後，仍可使剝離力充分降低。

・交聯劑 黏著劑組成物較佳進而含有交聯劑。交聯劑與源自黏著性樹脂具有之官能基單體之官能基反應，使黏著性樹脂彼此交聯。作為交聯劑舉例為例如甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯等及該等之加成物等之異氰酸酯系交聯劑；乙二醇縮水甘油醚等之環氧系交聯劑；六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷雜三嗪等之氮丙啶系交聯劑；鋁螯合劑等之螯合劑系交聯劑；等。該等交聯劑可單獨使用1種或組合2種以上使用。 該等中，基於提高凝集力提高黏著力之觀點，及取得容易性等之觀點，較佳為異氰酸酯系交聯劑。 交聯劑之調配量，基於促進交聯反應之觀點，相對於黏著性樹脂100質量份，較佳為0.01質量份以上10質量份以下，更佳為0.03質量份以上7質量份以下，又更佳為0.05質量份以上4質量份以下。

・光聚合起始劑 黏著劑組成物為能量線硬化性之情況，黏著劑組成物較佳進而含有光聚合起始劑。藉由含有光聚合起始劑，即使為紫外線等之比較低能量之能量線，亦可使黏著劑組成物之硬化反應充分進行。 作為光聚合起始劑舉例為例如苯偶因化合物、苯乙酮化合物、醯基氧化膦化合物、二茂鈦化合物、噻噸酮化合物及過氧化物化合物。進而作為光聚合起始劑舉例為例如胺或醌等之光增感劑等。 作為更具體之光聚合起始劑舉例為例如1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、苯偶因、苯偶因甲醚、苯偶因乙醚、苯偶因異丙醚、苄基苯硫醚、四甲基秋蘭姆單硫醚、偶氮雙異丁腈、二聯苯醯、聯乙醯(diacetyl)、8-氯蒽醌及雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦等。該等光聚合起始劑可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。 光聚合起始劑之調配量，相對於黏著性樹脂100質量份，較佳為0.01質量份以上10質量份以下，更佳為0.03質量份以上5質量份以下，又更佳為0.05質量份以上5質量份以下。

・其他添加劑 黏著劑組成物於不損及本發明效果之範圍內，亦可含有其他添加劑。作為其他添加劑舉例為例如抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑(可塑劑)、填充劑、防鏽劑、顏料及染料。調配該等添加劑時，添加劑之調配量，相對於黏著性樹脂100質量份，較佳為0.01質量份以上6質量份以下。 又，基於提高對基材、緩衝層或剝離薄片之塗佈性之觀點，黏著劑組成物可進而以有機溶劑稀釋，而為黏著劑組成物之溶液(有時稱為塗佈液)之形態。 作為有機溶劑舉例為甲基乙基酮、丙酮、乙酸乙酯、四氫呋喃、二噁烷、環己烷、正己烷、甲苯、二甲苯、正丙醇及異丙醇。

又該等有機溶劑可直接使用黏著性樹脂合成時使用之有機溶劑，以可添加於合成時使用之有機溶劑以外之1種以上有機溶劑，以可均一塗佈該黏著劑組成物之溶液(塗佈液)。 第1黏著劑層12之厚度較佳未達200μm，更佳為5μm以上、80μm以下，又更佳為10μm以上、70μm以下。第1黏著劑層12之厚度為此範圍內時，由於可減少第1黏著薄片10之剛性較低部分的比例，故容易進而防止於背片研削時產生之半導體晶片缺損。 以上係關於第1黏著劑層12之說明。

・剝離薄片 亦可於第1黏著薄片10之表面貼附剝離薄片。剝離薄片具體而言係貼附於第1黏著薄片10之第1黏著劑層12表面。剝離薄片藉由貼附於第1黏著劑層12表面而於輸送及保管時保護第1黏著劑層12。剝離薄片係可剝離地貼附於第1黏著薄片10，於使用第1黏著薄片10之前(亦即背面研削前)，自第1黏著薄片10剝離去除。 剝離薄片係使用至少一面經剝離處理之剝離薄片。具體舉例為例如具備剝離薄片用基材與於該基材表面上塗佈剝離劑而形成之剝離劑層的剝離薄片。 作為剝離薄片用基材較佳為樹脂薄膜。作為構成作為剝離薄片用基材之樹脂薄膜之樹脂舉例為例如聚對苯二甲酸以二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂及聚萘二甲酸乙二酯樹脂等之聚酯樹脂薄膜，以及聚丙烯樹脂及聚乙烯樹脂等之聚烯烴樹脂等。 作為剝離劑舉例為例如矽氧系樹脂、烯烴系樹脂、異戊二烯系樹脂、丁二烯系樹脂等之橡膠系彈性體、長鏈烷基系樹脂、醇酸系樹脂、氟系樹脂等。 剝離薄片之厚度並未特別限制，但較佳為10μm以上200μm以下，更佳為20μm以上150μm以下。

・黏著薄片之製造方法 作為第1黏著薄片10及其他本說明書中記載之黏著薄片之製造方法並未特別限制，可藉由習知方法製造。 例如，設於剝離薄片上之黏著劑層貼合於基材單面，可製造於黏著劑層表面貼附有剝離薄片之黏著薄片。且，設於剝離薄片上之緩衝層與基材貼合，去除剝離薄片，而獲得緩衝層與基材之層合體。而且，設於剝離薄片上之黏著劑層貼合於層合體之基材側，可製造於黏著劑層表面貼附剝離薄片之黏著薄片。又，於基材兩面上設置緩衝層時，黏著劑層係形成於緩衝層上。貼附於黏著劑層表面之剝離薄片於黏著薄片使用前適當剝離並去除即可。 作為黏著薄片之製造方法之更具體一例舉例為如下方法。首先，調製構成黏著劑層之黏著性組成物及根據期望進而含有溶劑或分散介質之塗佈液。其次，藉由塗佈機構將塗佈液塗佈於基材一面上形成塗膜。作為塗佈機構，舉例為例如模嘴塗佈器、簾流塗佈器、噴霧塗佈器、狹縫塗佈器及刮刀塗佈器等。其次，藉由使該塗膜乾燥，可形成黏著劑層。塗佈液若可進行塗佈，則其性狀並未特別限定。塗佈液亦有含有用以形成黏著劑層之成分作為溶質之情況，亦有含有用以形成黏著劑層之成分作為分散介質之情況。同樣，亦可於基材單面或緩衝層上直接塗佈黏著劑組成物，形成黏著劑層。

又，作為黏著薄片之製造方法之更具體另一例，舉例如下方法。首先，於前述剝離薄片之剝離面上塗佈塗佈液形成塗膜。其次使塗膜乾燥形成由黏著劑層與剝離薄片所成之層合體。其次，於該層合體之黏著劑層中與剝離薄片側之面相反側之面上貼附基材，亦可獲得黏著薄片與剝離薄片之層合體。該層合體中之剝離薄片亦可作為步驟材料予以剝離，於被黏著體(例如半導體晶片及半導體晶圓等)貼附於黏著劑層之前，可保護黏著劑層。 於塗佈液含有交聯劑之情況下，若藉由改變塗膜乾燥條件(例如溫度及時間等)，或藉由另外進行加熱處理，例如進行塗膜內之(甲基)丙烯酸系共聚物與交聯劑之交聯反應，而於黏著劑層內以期望存在密度形成交聯構造即可。為了充分進行該交聯反應，於藉由上述方法等於基材上層合黏著劑層後，所得黏著薄片亦可進行於例如23℃、相對溼度50%之環境下靜置數天之養生。 第1黏著薄片10之厚度較佳為10μm以上，更佳為30μm以上。第1黏著薄片10之厚度較佳為500μm以下，更佳為300μm以下。

(第2黏著薄片) 第2黏著薄片20具有第2基材21與第2黏著劑層22。第2黏著劑層22層合於第2基材21。 ・第2基材 本實施形態之第2基材21只要於切割步驟等之期望步驟中發揮適當機能，則其構成材料未特別限定。 第2基材21較佳由以樹脂系之材料為主材料之薄膜構成。作為以樹脂系之材料為主材料之薄膜舉例為例如乙烯系共聚合薄膜、聚烯烴系薄膜、聚氯乙烯系薄膜、聚酯系薄膜、聚胺基甲酸酯薄膜、聚醯亞胺薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜及氟樹脂薄膜。 可使用作為第2基材21之以樹脂系材料為主材料之薄膜的具體例與第1基材11之說明中例示之薄膜相同。 又，作為第2基材21中之聚烯烴系薄膜，除了第1基材11之說明中例示之薄膜以外，亦可使用乙烯-丙烯共聚物薄膜。 第2基材21與第1基材11同樣，亦可於上述之以樹脂系材料為主材料之薄膜內包含選自由例如顏料、難燃劑、可塑劑、抗靜電劑、滑劑及填料所成之群中之至少一種添加劑。 第2基材21與第1基材11同樣，亦可依據期望於第2基材21之單面或兩面，實施用以提高與層合於第2基材21表面之第2黏著劑層22之密著性之處理。 第2基材21之厚度只要能使第2黏著薄片20於期望步驟中適當發揮機能，則未特別限定。第2基材21之較佳厚度範圍與第1基材11中說明之厚度範圍相同。又，第1基材11與第2基材21之厚度可彼此相同亦可不同。

・第2黏著劑層 第2黏著劑層22只要於切割步驟等之期望步驟中發揮適當機能，則其構成材料未特別限定。 第2黏著劑層22可由非能量線硬化性黏著劑構成，亦可由能量線硬化性黏著劑構成。 作為非能量線硬化性黏著劑，較佳為具有期望黏著力及再剝離性者。 作為非能量線硬化性黏著劑，舉例為例如丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、矽氧系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、聚酯系黏著劑及聚乙烯醚系黏著劑。該等非能量線硬化性黏著劑中，較佳為可有效抑制切割步驟等中工件(半導體晶圓W)或加工物(半導體晶片CP)之脫落的丙烯酸系黏著劑。

另一方面，能量線硬化性黏著劑由於藉由能量線照射而黏著力降低，故於欲分離工件或加工物與第2黏著薄片20時，藉由能量線照射，可容易分離。 構成第2黏著劑層22之能量線硬化性黏著劑亦可為含有具有能量線硬化性之聚合物作為主成分之黏著劑。 又，構成第2黏著劑層22之能量線硬化性黏著劑亦可為不具有能量線硬化性之聚合物與能量線硬化性之多官能單體及能量線硬化性之多官能寡聚物之至少一者的混合物作為主成分之黏著劑。 針對能量線硬化性黏著劑以具有能量線硬化性之聚合物作為主成分之情況於以下說明。

・能量線硬化型聚合物(A) 具有能量線硬化性之聚合物較佳為於側鏈導入具有能量線硬化性之官能基(能量線硬化性基)之(甲基)丙烯酸酯(共)聚合物(A)(以下有時稱為「能量線硬化型聚合物(A)」)。該能量線硬化型聚合物(A)較佳係具有含官能基之單體單位之(甲基)丙烯酸系共聚物(a1)與具有與該官能基鍵結之取代基的含不飽和基之化合物(a2)反應而得者。 ・丙烯酸系共聚物(a1) 丙烯酸系共聚物(a1)係由自含官能基之單體導出之構成單位與自(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物導出之構成單位所成。 作為丙烯酸系共聚物(a1)之構成單位的含官能基單體較佳係於分子內具有聚合性雙鍵與官能基之單體。該含官能基之單體具有之官能基舉例例如羥基、胺基、取代胺基及環氧基。 作為上述含官能基之單體之進一步具體例，舉例為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯及(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯，該等含官能基之單體可單獨使用1種或組合2種以上使用。

作為構成丙烯酸系共聚物(a1)之(甲基)丙烯酸酯單體，使用烷基之碳數為1~20之(甲基)丙烯酸烷酯、(甲基)丙烯酸環烷酯、(甲基)丙烯酸苄酯。該等中，較佳為烷基之碳數為1~18之(甲基)丙烯酸烷酯，可使用例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯或(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等。 丙烯酸系共聚物(a1)通常以3質量%以上100質量%以下、較佳5質量%以上40質量%以下之比例含有自上述含官能基之單體導出之構成單位，通常以0質量%以上97質量%以下、較佳60質量%以上95質量%以下之比例含有自(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物導出之構成單位。 丙烯酸系共聚物(a1)係藉由使如上述之含官能基之單體與(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物以常用方法共聚合而獲得。丙烯酸系共聚物(a1)除該等單體以外，亦可共聚合有例如自二甲基丙烯醯胺、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯及苯乙烯等所成之群選擇之至少一種單體。 具有上述含官能基之單體單位的丙烯酸系共聚物(a1)藉由與具有鍵結於該官能基之取代基的含不飽和基之化合物(a2)反應，而獲得能量線硬化型聚合物(A)。

・含不飽和基之化合物(a2) 含不飽和基之化合物(a2)具有之取代基可對應於丙烯酸系共聚物(a1)具有之含官能基單體單位之官能基種類適當選擇。例如官能基為羥基、胺基或取代胺基之情況，作為取代基較佳為異氰酸酯基或環氧基，官能基為環氧基之情況，作為取代基較佳為胺基、羧基或氮丙啶基。 又，含不飽和基之化合物(a2)中於每1分子中含有1個以上5個以下，較佳1個以上、2個以下之能量線聚合性碳-碳雙鍵。作為此等含不飽和基之化合物(a2)之具體例舉例為例如異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯、異氰酸間-異丙烯基-α,α-二甲基苄酯、異氰酸甲基丙烯醯酯、異氰酸烯丙酯、異氰酸1,1-(雙丙烯醯氧基甲基)乙酯；二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物與(甲基)丙烯酸羥基乙酯反應而獲得之丙烯醯基單異氰酸酯化合物；二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物與多元醇化合物、(甲基)丙烯酸羥基乙酯反應而獲得之丙烯醯基單異氰酸酯化合物；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯；(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2-(1-氮丙啶基)乙酯、2-乙烯基-2-噁唑啉、2-異丙烯基-2-噁唑啉等。

含不飽和基之化合物(a2)較佳相對於上述丙烯酸系共聚物(a1)之含官能基單體，通常以10莫耳%以上100莫耳%以下，較佳20莫耳%以上95莫耳%以下之比例使用。 丙烯酸系共聚物(a1)與含不飽和基之化合物(a2)之反應中，可對應於官能基與取代基之組合，適當選擇反應溫度、壓力、溶劑、時間、觸媒之有無及觸媒種類等之反應條件。藉由適當選擇此等反應條件，使丙烯酸系共聚物(a1)中存在之官能基與含不飽和基之化合物(a2)中之取代基反應，於丙烯酸系共聚物(a1)中之側鏈導入不飽和基，獲得能量線硬化型聚合物(A)。 如此獲得之能量線硬化型聚合物(A)之重量平均分子量較佳1萬以上，更佳為15萬以上、150萬以下，又更佳為20萬以上100萬以下。又本說明書中之重量平均分子量(Mw)係藉由凝膠滲透層析法(GPC法)測定之聚苯乙烯換算之值。

・能量線硬化性之單體及/或寡聚物(B) 能量線硬化性黏著劑為以具有能量線硬化性之聚合物為主成分之情況，能量線硬化性黏著劑亦可進而含有能量線硬化性之單體及/或寡聚物(B)。 作為能量線硬化性之單體及/或寡聚物(B)可使用例如多元醇與(甲基)丙烯酸之酯等。 作為能量線硬化性之單體及/或寡聚物(B)舉例為例如(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯等之單官能性丙烯酸酯類，三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二羥甲基三環癸烷二(甲基)丙烯酸酯等之多官能性丙烯酸酯類，聚酯寡聚(甲基)丙烯酸酯、聚胺基甲酸酯寡聚(甲基)丙烯酸酯等。 調配能量線硬化性之單體及/或寡聚物(B)時，能量線硬化性黏著劑中之能量線硬化性之單體及/或寡聚物(B)含量，較佳為5質量%以上80質量%以下，更佳為20質量%以上60質量%以下。

・光聚合起始劑(C) 此處，作為為使能量線硬化性樹脂組成物硬化之能量線使用紫外線之情況下，較佳添加光聚合起始劑(C)，藉由使用光聚合起始劑(C)，可減少聚合硬化時間及光照射量。 作為光聚合起始劑(C)具體舉例為二苯甲酮、苯乙酮、苯偶因、苯偶因甲醚、苯偶因乙醚、苯偶因異丙醚、苯偶因異丁醚、苯偶因苯甲酸、苯偶因苯甲酸甲酯、苯偶因二甲基縮醛、2,4-二乙基噻噸酮、1-羥基環己基苯基酮、苄基二苯基硫醚、四甲基秋蘭姆單硫醚、偶氮雙異丁腈、聯苯醯、二聯苯醯、聯乙醯、β-氯蒽醌、(2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基)氧化膦、2-苯并噻唑-N,N-二乙基二硫代甲酸酯、寡聚{2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-丙烯基)苯基]丙酮}、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮。該等光聚合起始劑(C)可單獨使用1種，亦可併用2種以上使用。 相對於能量線硬化型共聚物(A)(於調配能量線硬化性單體及/或寡聚物(B)時，為能量線硬化型共聚物(A及調配能量線硬化性單體及/或寡聚物(B)之合計量100質量份) 100質量份，光聚合起始劑(C)較佳以0.1質量份以上10質量份以下之量使用，更佳以0.5質量份以上6質量份以下之量使用。

能量線硬化性黏著劑中，除上述成分以外，亦可適當調配其他成分。作為其他成分，舉例為例如不具有能量線硬化性之聚合物成分或寡聚物成分(D)、交聯劑(E)等。 作為不具有能量線硬化性之聚合物成分或寡聚物成分(D)，舉例為聚丙烯酸酯、聚酯、聚胺基甲酸酯、聚碳酸酯、聚烯烴等，較佳為重量平均分子量(Mw)為3000以上250萬以下之聚合物或寡聚物。

・交聯劑(E) 作為交聯劑(E)可使用與能量線硬化型共聚物(A)等具有之官能基具有反應性之多官能性化合物。作為此等多官能性化合物之例可舉例為異氰酸酯化合物、環氧化合物、胺化合物、三聚氰胺化合物、氮丙啶化合物、聯胺化合物、醛化合物、噁唑啉化合物、金屬烷氧化物化合物、金屬螯合化合物、金屬鹽、銨鹽及反應性酚樹脂等。 藉由於能量線硬化性黏著劑中調配該等其他成分(D)、(E)，可改善硬化前之黏著性及剝離性、硬化後之強度、與其他層之接著性或保存安定性等。該等其他成分之調配量並未特別限定，相對於能量線硬化型共聚物(A)100質量份，可於0質量份以上40質量份以下之範圍適當決定。

其次，針對能量線硬化性黏著劑以不具有能量線硬化性之聚合物成分與能量線硬化性之多官能單體及/或寡聚物之混合物為主成分之情況於以下說明。 作為不具有能量線硬化性之聚合物成分可使用與前述丙烯酸系共聚物(a1)同樣之成分。能量線硬化性樹脂組成物中不具有能量線硬化性之聚合物成分之含量，較佳為20質量%以上99.9質量%以下，更佳為30質量%以上80質量%以下。 作為能量線硬化性之多官能單體及/或寡聚物係選擇與前述成分(B)相同者。不具有能量線硬化性之聚合物成分與能量線硬化性之多官能單體及/或寡聚物之調配比，相對於聚合物成分100質量份，多官能單體及/或寡聚物較佳為10質量份以上150質量份以下，更佳為25質量份以上100質量份以下。 該情況下，亦與上述同樣，可適當調配光聚合起始劑(C)或交聯劑(E)。 第2黏著劑層22之厚度只要可於使用第2黏著薄片20之各步驟中發揮適當機能則並未特別限定。第2黏著劑層22之厚度較佳為1μm以上50μm以下，更佳為2μm以上30μm以下，又更佳為3μm以上20μm以下。 以上係有關第2黏合劑層22之說明。

・剝離薄片 於第2黏著薄片20使用之前之期間，較佳於第2黏著劑層22黏貼用以保護第2黏著劑層22之剝離薄片。該剝離薄片可直接層合於第2黏著劑層22上，亦可於第2黏著劑層22上層合其他層(晶粒黏合薄膜等)，於該其他層上層合剝離薄片。 剝離薄片之構成為任意，例示有藉由剝離劑等進行剝離處理之塑膠薄膜。作為塑膠薄膜舉例為例如聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等之聚酯樹脂薄膜，以及聚丙烯或聚乙烯等之聚烯烴薄膜。作為剝離劑可使用矽氧系、氟系、長鏈烷基系等。該等剝離劑中，較佳為便宜且獲得穩定性能之矽氧系。關於剝離薄片之厚度並未特別限定，但通常為20μm以上250μm以下左右。 第2黏著薄片20之厚度較佳為10μm以上，更佳為30μm以上。第2黏著薄片20之厚度較佳為500μm以下，更佳為300μm以下。

(第3黏著薄片) 第3黏著薄片30具有第3基材31與第3黏著劑層32。第3黏著劑層32層合於第3基材31。 ・第3基材 第3基材31只要於擴展步驟等之期望步驟發揮適當機能，則其構成材料並未特別限定。 前述第3基材31具有第一基材面及與第一基材面相反側之第二基材面。 第3黏著薄片30中，較佳於第一基材面及第二基材面之一面設置第3黏著劑層32，較佳於另一面未設置黏著劑層。 基於容易大幅延伸之觀點，第3基材31之材料較佳為熱塑性彈性體、或橡膠系材料，更佳為熱塑性彈性體。 又，基於容易大幅延伸之觀點，作為第3基材31之材料較佳使用玻璃轉移溫度(Tg)比較低的樹脂。此等樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為90℃以下，更佳為80℃以下，又更佳為70℃以下。

作為熱塑性彈性體舉例為胺基甲酸酯系彈性體、烯烴系彈性體、氯乙烯系彈性體、聚酯系彈性體、苯乙烯系彈性體、丙烯酸系彈性體及醯胺系彈性體等。熱塑性彈性體可單獨使用1種，或可組合2種以上使用。作為熱塑性彈性體，基於容易大幅延伸之觀點，較佳使用胺基甲酸酯系彈性體。 胺基甲酸酯系彈性體一般可使長鏈多元醇、鏈延長劑及二異氰酸酯反應而獲得。胺基甲酸酯系彈性體係由軟片段與硬片段所成，該軟片段具有自長鏈多元醇衍生之構成單位，該硬片段具有由鏈延長劑與二異氰酸酯反應所得之聚胺基甲酸酯構造。 胺基甲酸酯系彈性體若根據長鏈多元醇種類分類，則分為聚酯系聚胺基甲酸酯彈性體、聚醚系聚胺基甲酸酯彈性體及聚碳酸酯系聚胺基甲酸酯彈性體等。胺基甲酸酯系彈性體可單獨使用1種或可組合2種以上使用。本實施形態中，基於容易大幅延伸之觀點，胺基甲酸酯彈性體較佳為聚醚系聚胺基甲酸酯彈性體。 作為長鏈多元醇之例，舉例為內酯系聚酯多元醇及己二酸酯系聚酯多元醇等之聚酯多元醇；聚丙烯(乙烯)多元醇及聚四亞甲基醚二醇等之聚醚多元醇；聚碳酸酯多元醇等。本實施形態中，基於容易大幅延伸之觀點，長鏈多元醇較佳為己二酸酯系聚酯多元醇。

作為二異氰酸酯之例舉例為2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯及六亞甲基二異氰酸酯等。本實施形態中，基於容易大幅延伸之觀點，二異氰酸酯較佳為六亞甲基二異氰酸酯。 作為鏈延長劑舉例為低分子多元醇(例如1,4-丁烷二醇及1,6-己烷二醇等)及芳香族二胺等。該等中，基於容易大幅延伸之觀點，較佳使用1,6-己烷二醇。 作為烯烴系彈性體舉例為包含選自乙烯・α-烯烴共聚物、丙烯・α-烯烴共聚物、丁烯・α-烯烴共聚物、乙烯・丙烯・α-烯烴共聚物、乙烯・丁烯・α-烯烴共聚物、丙烯・丁烯・α-烯烴共聚物、乙烯・丙烯・丁烯・α-烯烴共聚物、苯乙烯・異戊二烯共聚物及苯乙烯・乙烯・丁烯共聚物所成之群之至少1種樹脂的彈性體。烯烴系彈性體可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。

烯烴系彈性體之密度並未特別限定。例如烯烴系彈性體之密度較佳為0.860g/cm³ 以上、未達0.905g/cm³ ，更佳為0.862g/cm³ 以上、未達0.900g/cm³ ，特佳為0.864g/cm³ 以上、未達0.895g/cm³ 。藉由使烯烴系彈性體之密度滿足上述範圍，基材於將作為被黏著體的半導體晶圓等之半導體裝置貼附於黏著薄片時之凹凸追隨性等優異。 烯烴系彈性體於用以形成該彈性體之全部單體中，由烯烴系化合物所成之單體的質量比率(本說明書中亦稱為「烯烴含有率」)較佳為50質量%以上100質量%以下。 烯烴含有率過度低之情況，作為包含源自烯烴之構造單位的彈性體之性質難以顯現，基材難以顯示柔軟性及橡膠彈性。 基於穩定地獲得柔軟性及橡膠彈性之觀點，烯烴含有率較佳為50質量%以上，更佳為60質量%以上。

作為苯乙烯系彈性體，舉例為苯乙烯-共軛二烯共聚物及苯乙烯-烯烴共聚物等。作為苯乙烯-共軛二烯共聚物之具體例，可舉例為苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物(SBS)、苯乙烯-丁二烯-丁烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-異戊二烯共聚物、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯共聚物(SIS)、苯乙烯-乙烯-異戊二烯-苯乙烯共聚物等之未氫化苯乙烯-共軛二烯共聚物、苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯共聚物(SEPS，苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯共聚物之氫化物)及苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物(SEBS，苯乙烯-丁二烯共聚物之氫化物)等之氫化苯乙烯-共軛二烯共聚物等。且，工業上，作為苯乙烯系彈性體，可舉例為Tufprene(旭化成股份有限公司製)、Clayton(日本Clayton聚合物股份有限公司製)、住友TPE-SB(住友化學股份有限公司製)、Epofriend (DAICEL股份有限公司製)、Rabaron(三菱化學股份有限公司製)、Septon(Kuraray股份有限公司製)及Tuftec(旭化成股份有限公司製)等之商品名。苯乙烯系彈性體可為氫化物，亦可為未氫化物。 作為橡膠系材料舉例為例如天然橡膠、合成異戊二烯橡膠(IR)、丁二烯橡膠(BR)、苯乙烯-丁二烯橡膠(SBR)、氯丁二烯橡膠(CR)、丙烯腈-丁二烯共聚合橡膠(NBR)、丁基橡膠(IIR)、鹵化丁基橡膠、丙烯酸橡膠、胺基甲酸酯橡膠及多硫化橡膠等。該等橡膠系材料可單獨使用該等之1種或可組合2種以上使用。

第3基材31較佳係如上述材料(例如熱塑性彈性體或橡膠系材料)所成之薄膜並非複數層合而成之層合薄膜，而是單層薄膜。又，第3基材31亦較佳係如上述材料(例如熱塑性彈性體或橡膠系材料)所成之薄膜並非與其他薄膜層合而成之層合薄膜，而是單層薄膜。 第3基材31亦可於以上述樹脂系材料為主材料之薄膜內含有添加劑。作為添加劑之具體例與第1基材11及第2基材21之說明舉例之添加劑相同。薄膜內可含有之添加劑含量並未特別限定，但較佳侷限於第3基材31可發揮期望機能之範圍。 第3基材31亦與第1基材11及第2基材21同樣，可於第3基材31之單面或兩面上實施用以提高與層合於第3基材31表面之第3黏著劑層32之密著性的處理。

第3黏著劑層32含有能量線硬化性黏著劑時，第3基材31較佳對於能量線具有透過性。使用紫外線作為能量線時，第3基材31較佳對紫外線具有透過性。使用電子束作為能量線時，第3基材31較佳具有電子束之透過性。 第3基材31之厚度只要能使第3黏著薄片30於期望步驟中適當發揮機能，則未特別限定。第3基材31之厚度較佳為20μm以上，更佳為40μm以上。又，第3基材31之厚度較佳為250μm以下，更佳為200μm以下。 又，於第3基材31之第一基材面或第二基材面之面內方向以2cm間隔測定複數部位厚度之際的第3基材31之厚度標準偏差較佳為2μm以下，更佳為1.5μm以下，又更佳為1μm以下。藉由該標準偏差為2μm以下，第3黏著薄片30具有精度高的厚度，可使第3黏著薄片30均一延伸。 於23℃下之第3基材31之MD方向及CD方向之拉伸彈性模數分別為10MPa以上350MPa以下，於23℃下之第3基材31之MD方向及CD方向之100%應力較佳分別為3MPa以上20MPa以下。 藉由使拉伸彈性模數及100%應力為上述範圍，可使第3黏著薄片30大幅延伸。

第3基材31之100%應力係如下獲得之值。自第3基材31切出150mm(長度方向)×15mm(寬度方向)大小的試驗片。切出之試驗片長度方向兩端以捏夾具間長度成為100mm之方式由捏夾具捏住。以捏夾具捏住試驗片後，以速度200mm/min於長度方向拉伸，讀取捏夾具間長度成為200mm時之拉伸力測定值。第3基材31之100%應力係將讀取之拉伸力測定值除以基材截面積而得之值。第3基材31之截面積係以寬度方向長15mm×第3基材31(試驗片)之厚度而算出。該切出係以基材製造時之行進方向(MD方向)或與MD方向正交之方向(CD方向)與試驗片長度方向一致之方式進行。又，該拉伸試驗中，試驗片厚度並未特別限定，可與成為試驗對象之基材厚度相同。 於23℃下之第3基材31之MD方向及CD方向之斷裂伸長度較佳分別為100%以上。 藉由使第3基材31之MD方向及CD方向之斷裂伸長度分別為100%以上，而不會產生斷裂，可使第3黏著薄片30大幅延伸。

基材之拉伸彈性模數(MPa)及基材之斷裂伸長度(%)可如下測定。將基材裁斷為15mm×140mm獲得試驗片。針對該試驗片，依據JIS K7161:2014及JIS K7127:1999，測定於23℃下之斷裂伸長度及拉伸彈性模數。具體而言，將上述試驗片以拉伸試驗機(島津製作所股份有限公司製，製品名「Autograph AG-IS 500N」)，設定為夾具間距離100mm後，以200mm/min之速度進行拉伸試驗，測定斷裂伸長度(%)及拉伸彈性模數(MPa)。又，測定係於基材製造時之行進方向(MD)及與其直角方向(CD)之兩者進行。

・第3黏著劑層 第3黏著劑層32只要可於擴展步驟等之期望步驟中發揮適當機能，則其構成材料並未特別限定。作為第3黏著劑層32中所含之黏著劑舉例為例如橡膠系黏著劑、丙烯酸系黏著劑、矽氧系黏著劑、聚酯系黏著劑及胺基甲酸酯系黏著劑。

・能量線硬化性樹脂(ax1) 第3黏著劑層32較佳含有能量線硬化性樹脂(ax1)。能量線硬化性樹脂(ax1)於分子內具有能量線硬化性雙鍵。 含有能量線硬化性樹脂之黏著劑層係藉由能量線照射而硬化且使黏著力降低。欲分離被黏著體與黏著薄片時，藉由對黏著劑層照射能量線，可容易分離。 能量線硬化性樹脂(ax1)較佳為(甲基)丙烯酸系樹脂。 能量線硬化性樹脂(ax1)較佳為紫外線硬化性樹脂，更佳為紫外線硬化性之(甲基)丙烯酸系樹脂。 能量線硬化性樹脂(ax1)係受到能量線照射時聚合硬化之樹脂。作為能量線舉例為例如紫外線及電子束等。 作為能量線硬化性樹脂(ax1)之例舉例為具有能量線聚合性基之低分子量化合物(單官能單體、多官能單體、單官能寡聚物及多官能寡聚物)。能量線硬化性樹脂(ax1)具體而言，係使用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯及1,6-己烷二醇二丙烯酸酯等之丙烯酸酯，二環戊二烯二甲氧基二丙烯酸酯及異冰片基丙烯酸酯等之含環狀脂肪族骨架之丙烯酸酯，以及聚乙二醇二丙烯酸酯、寡聚酯丙烯酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物、環氧改質丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯及依康酸寡聚物等之丙烯酸酯系化合物。能量線硬化性樹脂(ax1)可單獨使用1種或組合2種以上使用。 能量線硬化性樹脂(ax1)之分子量通常為100以上30000以下，較佳為300以上10000以下左右。

・(甲基)丙烯酸系共聚物(b1) 本實施形態之黏著劑層(第3黏著劑層32)較佳進而含有(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)。(甲基)丙烯酸系共聚物與前述能量線硬化性樹脂(ax1)不同。 (甲基)丙烯酸系共聚物(b1)較佳具有能量線硬化性之碳-碳雙鍵。亦即，本實施形態中，黏著劑層(第3黏著劑層32)較佳含有能量線硬化性樹脂(ax1)及能量線硬化性之(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)。 本實施形態之黏著劑層(第3黏著劑層32)較佳相對於(甲基)丙烯酸系共聚物(b1) 100質量份以10質量份以上之比例，更佳以20質量份以上之比例，又更佳以25質量份以上之比例含有能量線硬化性樹脂(ax1)。 本實施形態之黏著劑層(第3黏著劑層32)較佳相對於(甲基)丙烯酸系共聚物(b1) 100質量份以80質量份以下之比例，更佳以70質量份以下之比例，又更佳以60質量份以下之比例含有能量線硬化性樹脂(ax1)。

(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)之重量平均分子量(Mw)較佳為1萬以上，更佳為15萬以上，又更佳為20萬以上。 又，(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)之重量平均分子量(Mw)較佳為150萬以下，更佳為100萬以下。 又，本說明書中之重量平均分子量(Mw)係藉由凝膠滲透層析法(GPC法)測定之標準聚苯乙烯換算之值。 (甲基)丙烯酸系共聚物(b1)較佳為於側鏈導入有具有能量線硬化性之官能基(能量線硬化性基)之(甲基)丙烯酸酯共聚物(b2)(以下有時稱為「能量線硬化性聚合物(b2)」)。

・能量線硬化性聚合物(b2) 能量線硬化性聚合物(b2)較佳係具有含官能基之單體單位之丙烯酸系共聚物(b21)與具有與該官能基鍵結之官能基的含不飽和基之化合物(b22)反應而得之共聚物。 本說明書中，所謂(甲基)丙烯酸酯意指丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯之兩者。其他類似用語亦相同。 丙烯酸系共聚物(b21)較佳含有自含官能基之單體導出之構成單位與自(甲基)丙烯酸酯單體或(甲基)丙烯酸酯單體之衍生物導出之構成單位。 作為丙烯酸系共聚物(b21)之構成單位的含官能基單體較佳係於分子內具有聚合性雙鍵與官能基之單體。官能基較佳為自羥基、羧基、胺基、取代胺基及環氧基等之群選擇之至少任一種官能基。

作為含羥基之單體舉例為例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯及(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等。含羥基之單體可單獨使用1種或組合2種以上使用。 作為含羧基之單體舉例為丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、依康酸及檸康酸等之乙烯性不飽和羧酸。含羧基之單體可單獨使用1種或組合2種以上使用。 作為含胺基之單體或含取代胺基之單體舉例為例如(甲基)丙烯酸胺基乙酯及(甲基)丙烯酸正丁胺基乙酯等。含胺基之單體或含取代胺基之單體可單獨使用1種或組合2種以上使用。

作為構成丙烯酸系共聚物(b21)之(甲基)丙烯酸酯單體，除了烷基之碳數為1以上20以下之(甲基)丙烯酸烷酯以外，較佳使用分子內具有脂環式構造之單體(含脂環式構造之單體)。 作為(甲基)丙烯酸烷酯，較佳為烷基之碳數為1以上18以下之(甲基)丙烯酸烷酯。作為(甲基)丙烯酸烷酯舉例為例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯及(甲基)丙烯酸2-乙基己酯。作為(甲基)丙烯酸烷酯可單獨使用1種或組合2種以上使用。 作為含脂環式構造之單體較佳使用例如(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸金剛烷酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯及(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基乙酯等。含脂環式構造之單體可單獨使用1種或組合2種以上使用。

丙烯酸系共聚物(b21)較佳以1質量%以上之比例含有自上述含官能基單體導出之構成單位，更佳以5質量%以上之比例含有，又更佳以10質量%以上之比例含有。 且，丙烯酸系共聚物(b21)較佳以35質量%以下之比例含有自上述含官能基單體導出之構成單位，更佳以30質量%以下之比例含有，又更佳以25質量%以下之比例含有。 再者，丙烯酸系共聚物(b21)較佳以50質量%以上之比例含有自(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物導出之構成單位，更佳以60質量%以上之比例含有，又更佳以70質量%以上之比例含有。 且，丙烯酸系共聚物(b21)較佳以99質量%以下之比例含有自(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物導出之構成單位，更佳以95質量%以下之比例含有，又更佳以90質量%以下之比例含有。

丙烯酸系共聚物(b21)係藉由使如上述之含官能基單體與(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物以常用方法共聚合而獲得。 丙烯酸系共聚物(b21)除上述單體以外，亦可含有自二甲基丙烯醯胺、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯及苯乙烯等所成之群選擇之至少任一者之構成單位。 具有上述含官能基之單體單位的丙烯酸系共聚物(b21)藉由與具有鍵結於該官能基之官能基的含不飽和基之化合物(b22)反應，而獲得能量線硬化性聚合物(b2)。 含不飽和基之化合物(b22)具有之官能基可對應於丙烯酸系共聚物(b21)具有之含官能基單體單位之官能基種類適當選擇。例如丙烯酸系共聚物(b21)具有之官能基為羥基、胺基或取代胺基之情況，作為含不飽和基之化合物(b22)具有之官能基較佳為異氰酸酯基或環氧基，丙烯酸系共聚物(b21)具有之官能基為環氧基之情況，作為含不飽和基之化合物(b22)具有之官能基較佳為胺基、羧基或氮丙啶基。

含不飽和基之化合物(b22)於1分子中含有至少1個，較佳含1個以上、6個以下，更佳含1個以上、4個以下之能量線聚合性碳-碳雙鍵。 作為含不飽和基之化合物(b22)舉例為例如異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(甲基丙烯酸2-異氰酸酯基乙酯)、異氰酸間-異丙烯基-α,α-二甲基苄酯、異氰酸甲基丙烯醯酯、異氰酸烯丙酯、異氰酸1,1-(雙丙烯醯氧基甲基)乙酯；二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物與(甲基)丙烯酸羥基乙酯反應而獲得之丙烯醯基單異氰酸酯化合物；二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物與多元醇化合物、(甲基)丙烯酸羥基乙酯反應而獲得之丙烯醯基單異氰酸酯化合物；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯；(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2-(1-氮丙啶基)乙酯、2-乙烯基-2-噁唑啉、2-異丙烯基-2-噁唑啉等。

含不飽和基之化合物(b22)較佳相對於丙烯酸系共聚物(b21)之含官能基單體之莫耳數以50莫耳%以上之比例(加成率)使用，更佳以60莫耳%以上之比例使用，又更佳以70莫耳%以上之比例使用。 且含不飽和基之化合物(b22)較佳相對於丙烯酸系共聚物(b21)之含官能基單體之莫耳數以95莫耳%以下之比例使用，更佳以93莫耳%以下之比例使用，又更佳以90莫耳%以下之比例使用。 丙烯酸系共聚物(b21)與含不飽和基之化合物(b22)之反應中，可對應於丙烯酸系共聚物(b21)具有之官能基與含不飽和基之化合物(b22)具有之官能基之組合，適當選擇反應溫度、壓力、溶劑、時間、觸媒之有無及觸媒種類。藉此，使丙烯酸系共聚物(b21)具有之官能基與含不飽和基之化合物(b22)具有之官能基反應，於丙烯酸系共聚物(b21)之側鏈導入不飽和基，獲得能量線硬化性聚合物(b2)。 能量線硬化性聚合物(b2)之重量平均分子量(Mw)較佳1萬以上，更佳為15萬以上，又更佳為20萬以上。 又，能量線硬化性聚合物(b2)之重量平均分子量(Mw)較佳150萬以下，更佳為100萬以下。

・光聚合起始劑(CX) 黏著劑層(第3黏著劑層32)含有紫外線硬化性化合物(例如紫外線硬化性樹脂)時，黏著劑層(第3黏著劑層32)較佳含有光聚合起始劑(CX)。 藉由使黏著劑層(第3黏著劑層32)含有光聚合起始劑(CX)，可減少聚合硬化時間及光照射量。 光聚合起始劑(CX)之具體例與第2黏著薄片20之說明中之光聚合起始劑(C)之具體例相同。第3黏著薄片30中光聚合起始劑(CX)可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 於黏著劑層(第3黏著劑層32)中調配能量線硬化性樹脂(ax1)及(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)時，光聚合起始劑(CX)相對於能量線硬化性樹脂(ax1)及(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)之合計量100質量份，較佳以0.1質量份以上之量使用，更佳以0.5質量份以上之量使用。 又，於黏著劑層(第3黏著劑層32)中調配能量線硬化性樹脂(ax1)及(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)時，光聚合起始劑(CX)相對於能量線硬化性樹脂(ax1)及(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)之合計量100質量份，較佳以10質量份以下之量使用，更佳以6質量份以下之量使用。 黏著劑層(第3黏著劑層32)除上述成分以外，亦可調配其他適宜成分。作為其他成分舉例為例如交聯劑(EX)。

・交聯劑(EX) 作為交聯劑(EX)，可使用與(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)等所具有之官能基具有反應性之多官能性化合物。作為第3黏著薄片30中之多官能性化合物之例與第2黏著薄片20之說明中作為交聯劑(E)之多官能性化合物之具體例相同。 交聯劑(EX)之調配量，相對於(甲基)丙烯酸系共聚物(b1) 100質量份，較佳為0.01質量份以上，更佳為0.03質量份以上，又更佳為0.04質量份以上。 又，交聯劑(EX)之調配量，相對於(甲基)丙烯酸系共聚物(b1) 100質量份，較佳為8質量份以下，更佳為5質量份以下，又更佳為3.5質量份以下。

黏著劑層(第3黏著劑層32)之厚度並未特別限定。黏著劑層(第3黏著劑層32)之厚度例如較佳為10μm以上，更佳為20μm以上。又，黏著劑層(第3黏著劑層32)之厚度例如較佳為150μm以下，更佳為100μm以下。 第3黏著薄片30之復原率較佳為70%以上，更佳為80%以上，又更佳為85%以上。第3黏著薄片30之復原率較佳為100%以下。復原率若為上述範圍，則可大幅延伸黏著薄片。 復原率係自黏著薄片切出150mm (長度方向)×15mm(寬度方向)大小的試驗片，將長度方向兩端以捏夾具間長度成為100mm之方式由捏夾具捏住，隨後將捏夾具間之長度以200mm/min之速度拉伸至成為200mm，於捏夾具間長度擴張至200mm之狀態下保持1分鐘，隨後將捏夾具間之長度以200mm/min之速度於長度方向恢復至捏夾具間之長度成為100mm，於捏夾具間長度恢復至100mm之狀態下保持1分鐘，隨後以60mm/min之速度於長度方向拉伸，測定拉伸力之測定值顯示0.1N/15mm時之捏夾具間之長度，將自該長度減去初期之捏夾具間之長度100mm之長度設為L2(mm)，將自前述擴張狀態下之捏夾具間之長度200mm減去初期之捏夾具間之長度100mm之長度設為L1(mm)時，以下述數式(數2)算出。 復原率(%)={1-(L2÷L1)}×100     …(數2)

復原率為上述範圍時，意指即使黏著薄片大幅延伸後亦容易復原。一般，若具有降伏點之薄片延伸至降伏點以上，則薄片引起塑性變形，引起塑性變形之部分，即極端延伸之部分成為局部存在之狀態。此等狀態之薄片若進一步延伸，則自上述極端延伸之部分產生斷裂，或即使不產生斷裂亦會使擴展不均一。且，於分別將變形作為x軸，將伸長度作為y軸而作圖之應力-變形線圖中，即使係斜率dx/dy不成為自正值變化為0或負值之應力值，且不顯示明確降伏點之薄片，亦隨著拉伸量變大而引起薄片塑性變形，同樣會產生斷裂或擴展不均一。另一方面，於不產生塑性變形而產生彈性變形之情況，藉由卸除應力而薄片容易恢復至原來形狀。因此，藉由使表示以充分大的拉伸量的100%伸長後恢復至何種程度之指標的復原率為上述範圍，於大幅延伸黏著薄片之際，可將薄膜之塑性變形抑制於最小限度，而難以產生斷裂，且可進行均一擴展。

・剝離薄片 第3黏著薄片30於直至將其黏著面貼附於被黏著體(例如半導體晶片等)之期間，基於保護黏著面之目的，亦可於黏著面層合剝離薄片。剝離薄片之構成為任意，例示有藉由剝離劑等對塑膠薄膜進行剝離處理者。作為剝離薄片亦可為可使用於第1黏著薄片10及第2黏著薄片20之剝離薄片。 第3黏著薄片30之厚度並未特別限制，但較佳為30μm以上，更佳為50μm以上。第3黏著薄片30之厚度較佳為400μm以下，更佳為300μm以下。

[本實施形態之效果] 依據本實施形態之擴展方法，拉伸第3黏著薄片30之際，半導體晶片CP之電路面W1不與第3黏著薄片30之第3黏著劑層32接觸。半導體晶片CP之各者中，由於電路面W1與第3黏著劑層32之間介隔於切割步驟中經單片化之第1黏著薄片10，故即使拉伸第3黏著薄片30，與電路面W1接觸之第1黏著薄片10之第1黏著劑層12亦不拉長。其結果，依據本實施形態之擴展方法，可抑制殘糊。 又，本實施形態之擴展方法中使用之黏著薄片均係由基材與黏著劑層所成之簡易構成。又，實施擴展步驟之前，由於將實施切割步驟之際使用之黏著劑薄片貼換為擴展步驟用之黏著薄片，故並無必要於切割步驟中慎重地控制切入深度以使切割刀片不達到至切割薄片之基材。 因此，依據本實施形態之擴展方法，與以往相比，可使黏著薄片構成及製程簡略化且可抑制殘糊。 再者，可提供包含本實施形態之擴展方法的半導體裝置之製造方法。

[第2實施形態] 其次，針對本發明之第2實施形態加以說明。 第1實施形態與第2實施形態主要於如下方面不同。第1實施形態中於背面研磨步驟及切割步驟中，黏貼於半導體晶圓之電路面之黏著薄片為相同黏著薄片，相對於此，第2實施形態中，背面研磨步驟中黏貼於半導體晶圓之黏著薄片與及切割步驟中黏貼於半導體晶圓之電路面之黏著薄片不同。 以下說明中，主要以與第1實施形態之不同部分加以說明，針對重複之說明則省略或簡略化。與第1實施形態相同之構成賦予相同符號並省略或簡略化說明。 本實施形態之擴展方法除了第1實施形態說明之步驟(P1)~(P5)之步驟以外，進而具備步驟(PX1)、步驟(PX2)及步驟(PX3)。步驟(PX1)、(PX2)及(PX3)係於步驟(P1)之前實施。

(PX1)於半導體晶圓進行背面研削之前，將第4黏著薄片黏貼於第1晶圓面之步驟。 (PX2)對黏貼有第4黏著薄片之半導體晶圓進行背面研削之步驟。 (PX3)背面研削半導體晶圓後，自第1晶圓面剝離第4黏著薄片，於第1晶圓面黏貼第1黏著薄片之步驟。 [背面研磨步驟] 圖6A係用以說明步驟(PX1)及步驟(PX2)之圖。 本實施形態之背面研磨步驟中，藉由研磨機500研削與電路面W1相反側之背面W6，將半導體晶圓W研削至特定厚度。背面研削半導體晶圓W之背面W6，形成背面W3。 本實施形態之背面研磨步驟中，於半導體晶圓W之電路面W1黏貼第4黏著薄片40。第4黏著薄片40具有第4黏著劑層42與第4基材41。本實施形態中，第4黏著薄片40較佳為背面研磨薄片。使用第4黏著薄片40作為背面研磨薄片時，半導體晶圓W係將電路面W1朝向第4黏著薄片40之第4黏著劑層42而黏貼。於背面研削半導體晶圓W之前，較佳將作為背面研磨薄片之第4黏著薄片40黏貼於作為第1晶圓面之電路面W1。 第4黏著薄片40較佳使用與第1實施形態中之第1黏著薄片10相同之黏著薄片。

[第4黏著薄片之剝離步驟及第1黏著薄片之黏貼步驟] 圖6B係用以說明步驟(PX3)之圖。圖6B中顯示於半導體晶圓W背面研削後自電路面W1剝離第4黏著薄片40後，於電路面W1黏貼第1黏著薄片70之狀態。 本實施形態中，如前述，於背面研磨步驟之後，並非於電路面W1黏貼背面研磨薄片(第4黏著薄片40)之狀態進行至下一步驟，而是於電路面W1黏貼另一黏著薄片(第1黏著薄片70)。作為該另一黏著薄片之第1黏著薄片70較佳係用以保護電路面W1之表面保護薄片。又，第1實施形態中使用第1黏著薄片作為背面研磨薄片，但本實施形態中第1黏著薄片係使用作為表面保護薄片，故第1黏著薄片之貼附位置不同。因此，第1實施形態中第1黏著薄片之符號以10表示，而本實施形態中第1黏著薄片之符號以70表示加以區別。 作為表面保護薄片之第1黏著薄片70之厚度較佳薄於作為背面研磨薄片之第4黏著薄片40之厚度。藉由第1黏著薄片70之厚度薄於第4黏著薄片40之厚度，而於切割步驟中使第1黏著薄片70及半導體晶圓W之切割變容易。 作為表面保護薄片之第1黏著薄片70之厚度較佳為5μm以上，更佳為10μm以上，又更佳為30μm以上。 作為表面保護薄片之第1黏著薄片70之厚度較佳為500μm以下，更佳為300μm以下，又更佳為100μm以下。

[第2黏著薄片之黏貼步驟] 本實施形態中，亦與第1實施形態相同，於步驟(P1)中準備之半導體晶圓W較佳係經過背面研磨步驟進而經過於背面W3黏貼第2黏著薄片20之黏貼步驟所得之晶圓。 圖7A中顯示說明於背面W3黏貼第2黏著薄片20之黏貼步驟的圖。本實施形態中，與第1實施形態相同，第2黏著薄片20較佳為切割薄片。使用第2黏著薄片20作為切割薄片時，半導體晶圓W係背面W3朝向第2黏著薄片20之第2黏著劑層22而黏貼。

[切割步驟] 圖7B係用以說明本實施形態之步驟(P2)之圖。步驟(P2)有時稱為切割步驟。圖7B中，顯示由切割半導體晶圓W所得之複數半導體晶片CP。 本實施形態之步驟(P2)於電路面W1上黏貼第1黏著薄片70之方面與第1實施形態不同，其他方面可與第1實施形態同樣實施。本實施形態中，亦自第1黏著薄片70側劃出切口，切斷第1黏著薄片70，進而切斷半導體晶圓W。

[第3黏著薄片之黏貼步驟] 圖8A係用以說明步驟(P3)之圖。步驟(P3)有時稱為第3黏著薄片之黏貼步驟。圖8A中顯示藉由切割步驟所得之複數半導體晶片CP上黏貼有第3黏著薄片30之狀態。第3黏著薄片30與第1實施形態相同。 本實施形態之步驟(P3)就將第3黏著薄片30黏貼於作為表面保護薄片之第1黏著薄片70之方面，與第1實施形態不同，其他方面可與第1實施形態同樣實施。

[第2黏著薄片之剝離步驟] 圖8B係用以說明本實施形態之步驟(P4)的圖。步驟(P4)有時稱為第2黏著薄片之剝離步驟。圖8B顯示於黏貼第3黏著薄片30後自晶圓W之背面W3剝離第2黏著薄片20之狀態。本實施形態之步驟(P4)可與第1實施形態同樣實施。

[擴展步驟] 圖9係用以說明本實施形態之步驟(P5)之圖。步驟(P5)有時稱為擴展步驟。圖9中顯示於剝離第2黏著薄片20之後，將第3黏著薄片30拉伸，擴大複數半導體晶片CP之間隔的狀態。本實施形態中，第3黏著薄片30較佳為擴展薄片。本實施形態之步驟(P5)可與第1實施形態同樣實施。本實施形態中，複數半導體晶片CP之間隔D1亦較佳與第1實施形態相同。

[密封步驟及其他步驟] 本實施形態中，亦可與第1實施形態同樣，實施密封步驟以及其他步驟(再配線層形成步驟及與外部端子電極之連接步驟)。 (第4黏著薄片) 第4黏著薄片40較佳使用與第1實施形態說明之第1黏著薄片10同樣的黏著薄片。 (第1黏著薄片) 本實施形態之第1黏著薄片70具有第7基材71與第7黏著劑層72。第7黏著劑層72層合於第7基材71。 ・第7基材 第7基材71係支持第7黏著劑層72的構件。第7基材71只要於切割步驟等之期望步驟中可發揮適當機能，則其構成材料未特別限定。 第7基材71之厚度較佳為5μm以上，更佳為10μm以上，又更佳15μm以上。 第7基材71之厚度較佳為100μm以下，更佳為75μm以下，又更佳50μm以下。

作為第7基材71可使用例如合成樹脂薄膜等之薄片材料等。作為合成樹脂薄膜舉例為例如聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚萘二甲酸乙二酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二酯薄膜、聚胺基甲酸酯薄膜、乙烯乙酸乙烯酯共聚物薄膜、離子聚合物樹脂薄膜、乙烯・(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯・(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜及聚醯亞胺薄膜等。此外，作為第7基材71，舉例為該等交聯薄膜及層合薄膜等。 第7基材71較佳包含聚酯系樹脂，更佳由以聚酯系樹脂為主成分的材料所成。本說明書中，所謂以聚酯系樹脂為主成分的材料意指構成基材之材料全體質量中所佔之聚酯系樹脂的質量比例為50質量%以上。

作為聚酯系樹脂較佳為例如自聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、聚萘二甲酸丁二酯樹脂及該等樹脂之共聚合樹脂所成之群中選擇之任一樹脂，更佳為聚對苯二甲酸乙二酯樹脂。 作為第7基材71，較佳為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜及聚萘二甲酸乙二酯薄膜，更佳為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜。作為聚酯薄膜中含有之寡聚物係源自聚酯形成性單體、二聚物及三聚物等。

・第7黏著劑層 第7黏著劑層72只要於切割步驟等之期望步驟中可適當發揮機能，則其構成材料並未特別限定。 本實施形態中，第7黏著劑層72較佳以選自例如丙烯酸系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、聚酯系黏著劑、橡膠系黏著劑及矽氧系黏著劑所成之群中之至少一種黏著劑構成，更佳以丙烯酸系黏著劑構成。 本實施形態之第7黏著劑層72較佳包含黏著劑組成物。該黏著劑組成物較佳包含以丙烯酸2-乙基己酯為主要單體之丙烯酸系共聚物。本說明書中，所謂以丙烯酸2-乙基己酯為主要單體意指丙烯酸系共聚物全體質量中所佔之源自丙烯酸2-乙基己酯的共聚物成分的質量比例為50質量%以上。本實施形態中，丙烯酸系共聚物中源自丙烯酸2-乙基己酯的共聚物成分的比例較佳為50質量%以上95質量%以下，更佳為60質量%以上95質量%以下，又更佳為80質量%以上95質量%以下，再更佳為85質量%以上93質量%以下。

丙烯酸系共聚物中丙烯酸2-乙基己酯以外的共聚物成分的種類及數並未特別限定。例如作為第二共聚物成分較佳為具有反應性官能基之含官能基單體。作為第二共聚物成分之反應性官能基，於使用後述交聯劑時，較佳為可與該交聯劑反應之官能基。該反應性官能基較佳為選自例如羧基、羥基、胺基、取代胺基及環氧基所成之群中之至少任一取代基，更佳為羧基及羥基之至少任一取代基，又更佳為羧基。 作為具有羧基之單體(含羧基之單體)舉例為丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、依康酸及檸康酸等之乙烯性不飽和羧酸。含羧基之單體中，基於反應性及共聚合性之方面，較佳為丙烯酸。含羧基之單體可單獨使用1種亦可組合2種以上使用。

作為具有羥基之單體(含羥基之單體)舉例為例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯及(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等之(甲基)丙烯酸羥基烷酯等。含羥基之單體中，基於羥基之反應性及共聚合性之方面，較佳為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯。含羥基之單體可單獨使用1種亦可組合2種以上使用。 作為具有環氧基之丙烯酸酯舉例為例如丙烯酸縮水甘油酯及甲基丙烯酸縮水甘油酯等。 作為丙烯酸系共聚物中之其他共聚合物成分，舉例為烷基的碳數為2~20之(甲基)丙烯酸烷酯。作為(甲基)丙烯酸烷酯舉例為例如(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸正戊酯、(甲基)丙烯酸正己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正癸酯、(甲基)丙烯酸正十二烷酯、(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯、(甲基)丙烯酸棕櫚酯及(甲基)丙烯酸硬脂酯等。該等(甲基)丙烯酸烷酯中，基於更提高黏著性之觀點，較佳為烷基的碳數為2~4之(甲基)丙烯酸烷酯，更佳為(甲基)丙烯酸正丁酯。(甲基)丙烯酸烷酯可單獨使用1種亦可組合2種以上使用。

作為丙烯酸系共聚物中之其他共聚物成分，舉例為源自例如含有烷氧基烷基之(甲基)丙烯酸酯、具有脂肪族環之(甲基)丙烯酸酯、具有芳香族環之(甲基)丙烯酸酯、非交聯性丙烯醯胺、具有非交聯性之3級胺基之(甲基)丙烯酸酯、乙酸乙烯酯及苯乙烯所成之群中選擇之至少任一單體之共聚物成分。 作為含有烷氧基烷基之(甲基)丙烯酸酯舉例為例如(甲基)丙烯酸甲氧基甲酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基甲酯及(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯。 作為具有脂肪族環之(甲基)丙烯酸酯舉例為(甲基)丙烯酸環己酯。 作為具有芳香族環之(甲基)丙烯酸酯舉例為例如(甲基)丙烯酸苯酯。 作為非交聯性丙烯醯胺舉例為例如丙烯醯胺及甲基丙烯醯胺。 作為具有非交聯性之3級胺基之(甲基)丙烯酸酯舉例為(甲基)丙烯酸(N,N-二甲基胺基)乙酯及(甲基)丙烯酸(N,N-二甲基胺基)丙酯。 該等單體可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。

本實施形態中，作為第二共聚物成分，較佳為含羧基之單體或含羥基之單體，更佳為丙烯酸。丙烯酸系共聚物包含源自丙烯酸2-乙基己酯之共聚物成分及源自丙烯酸之共聚物成分之情況，丙烯酸共聚物全體質量中所佔之源自丙烯酸之共聚物成分的質量比例較佳為1質量%以下，更佳為0.1質量%以上0.5質量%以下。丙烯酸之比例若為1質量%以下，則黏著劑組成物中包含交聯劑之情況下，可防止丙烯酸系共聚物之交聯過快進行。 丙烯酸系共聚物亦可包含2種以上之源自含官能基單體之共聚物成分。例如丙烯酸系共聚物可為3元系共聚物，較佳為使丙烯酸2-乙基己酯、含羧基之單體及含羥基之單體共聚合而得之丙烯酸系共聚物，該含羧基之單體較佳為丙烯酸，含羥基之單體較佳為丙烯酸2-羥基乙酯。較佳為丙烯酸系共聚物中之源自丙烯酸2-乙基己酯之共聚物成分的比例為80質量%以上95質量%以下，源自丙烯酸之共聚物成分的質量比例為1質量%以下，其餘部分為源自丙烯酸2-羥基乙酯之共聚物成分。

丙烯酸系共聚物之重量平均分子量(Mw)較佳為30萬以上200萬以下，更佳為60萬以上150萬以下，又更佳為80萬以上120萬以下。丙烯酸系共聚物之重量平均分子量Mw若為30萬以上，則可對被黏著體無黏著劑殘渣地剝離。丙烯酸系共聚物之重量平均分子量Mw若為200萬以下，則可對被黏著體確實貼附。 丙烯酸系共聚物之重量平均分子量Mw係藉由凝膠滲透層析(Gel Permeation Chromatography；GPC)法測定之標準聚苯乙烯換算之值。 丙烯酸系共聚物可使用前述各種原料單體依據以往習知方法製造。 丙烯酸系共聚物之形態並未特別限定，可為嵌段共聚物、無規共聚物或接枝共聚物之任一者。

本實施形態中，黏著劑組成物中之丙烯酸系共聚物之含有率較佳為40質量%以上90質量%以下，更佳為50質量%以上90質量%以下。 構成第7黏著劑層72之黏著劑組成物除了前述丙烯酸系共聚物以外，較佳至少包含使進而調配有交聯劑之組成物交聯所得之黏著劑。且，黏著劑組成物較佳實質上由如前述之前述丙烯酸系共聚物與交聯劑交聯所得之黏著劑而成。此處所謂實質上意指不可避免地會於黏著劑中混入之微量雜質除外，僅由該黏著劑所成者。 作為交聯劑舉例為異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、胺系交聯劑、及胺基樹脂系交聯劑。該等交聯劑可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。

基於提高第7黏著劑層72之耐熱性及黏著力之觀點，該等交聯劑中，較佳含有具有異氰酸酯基之化合物為主成分之交聯劑(異氰酸酯系交聯劑)。作為異氰酸酯系交聯劑舉例為例如2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-二甲苯二異氰酸酯、1,4-二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二苯基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4’-二異氰酸酯及離胺酸異氰酸酯等之多元異氰酸酯化合物。 又，多元異氰酸酯化合物可為上述化合物之三羥甲基丙烷加成型改質體、與水反應之縮脲型改質體或具有異氰尿酸酯環之異氰尿酸酯型改質體。 本說明書中，所謂含有具有異氰酸酯基之化合物作為主成分之交聯劑意指構成交聯劑之成分全體質量所佔之具有異氰酸酯基之化合物的質量比例為50質量%以上。

本實施形態中，黏著劑組成物中之交聯劑含量，相對於丙烯酸系共聚物100質量份，較佳為0.1質量份以上20質量份以下，更佳為1質量份以上15質量份以下，又更佳為5質量份以上10質量份以下。黏著劑組成物中之交聯劑含量若為此等範圍內，則可提高第7黏著劑層72與第7基材71之接著性，可縮短黏著薄片製造後為使黏著特性安定化之養生期間。 本實施形態中構成第7黏著劑層72之黏著劑組成物包含交聯劑之情況，黏著劑組成物較佳進而包含交聯促進劑。交聯促進劑較佳根據交聯劑種類等適當選擇使用。例如黏著劑組成物包含聚異氰酸酯化合物作為交聯劑之情況，較佳進而包含有機錫化合物等之有機金屬化合物系的交聯促進劑。 又，構成第7黏著劑層72之黏著劑組成物亦較佳包含反應性黏著助劑。作為反應性黏著助劑舉例為具有反應性官能基之聚丁二烯系樹脂及具有反應性官能基之聚丁二烯系樹脂之氫化物等。作為反應性黏著助劑所具有之反應性官能基較佳為自羥基、異氰酸酯基、胺基、環氧基、酸酐基、烷氧基、丙烯醯基及甲基丙烯醯基所成之群中選擇之一種以上官能基。黏著劑組成物含有反應性黏著助劑時，可減少自被黏著體剝除第1黏著薄片70之際的殘糊。

本實施形態中，構成第7黏著劑層72之黏著劑組成物中，於不損及本發明效果之範圍內，亦可包含其他成分。作為黏著劑組成物中可含有之其他成分舉例為例如有機溶劑、難燃劑、黏著賦予劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑、防腐劑、防黴劑、可塑劑、消泡劑及溼潤性調整劑等。 第7黏著劑層72之厚度，係對應於第1黏著薄片70之用途適當決定。本實施形態中，第7黏著劑層72之厚度較佳為5μm以上。第7黏著劑層72之厚度較佳為60μm以下，更佳為50μm以下。 以上係有關第7黏著劑層72之說明。 ・剝離薄片 第1黏著薄片70於直至將其黏著面貼附於被黏著體(例如半導體晶圓W或半導體晶片CP等)之期間，基於保護黏著面之目的，亦可於黏著面層合剝離薄片。剝離薄片之構成為任意，例示有藉由剝離劑等對塑膠薄膜進行剝離處理者。作為剝離薄片亦可為可使用於第1黏著薄片10及第2黏著薄片20之剝離薄片。

[本實施形態之效果] 依據本實施形態之擴展方法，與第1實施形態同樣，與以往相比可使黏著薄片構成及製程簡略化且可抑制殘糊。再者，可提供包含本實施形態之擴展方法的半導體裝置之製造方法。 又，本實施形態之擴展方法中，背面研磨步驟後，於實施切割步驟之前，換貼厚度薄於背面研磨步驟所用之第4黏著薄片40的第1黏著薄片70上。由於切割步驟中切斷之黏著薄片厚度可減薄，故可減低施加於切割刀之負荷。

[第3實施形態] 其次，針對本發明之第3實施形態加以說明。 第1實施形態與第3實施形態主要於如下方面不同。第1實施形態中於實施背面研磨步驟之後實施切割步驟，相對於此，第3實施形態中，實施所謂先切割法之步驟。先切割法係自半導體晶圓表面側形成特定深度之溝槽，自晶圓背面側進行研削，藉由研削去除溝槽底部將晶圓單片化，獲得晶片之工法。 以下說明中，主要以與第1實施形態之不同部分加以說明，針對重複之說明則省略或簡略化。與第1實施形態相同之構成賦予相同符號並省略或簡略化說明。

本實施形態之擴展方法具備如下步驟(PY1)~(PY4)以及與第1實施形態同樣之步驟(P5)。 (PY1)於背面研削之前之晶圓的第1晶圓面黏貼第8黏著薄片之步驟。 (PY2)自晶圓之第1晶圓面側形成特定深度之溝槽的步驟。 (PY3)將形成溝槽之晶圓的第2晶圓面進行背面研削，去除溝槽底部獲得晶片之步驟。 (PY4)晶圓背面研削後，於第8黏著薄片黏貼第3黏著薄片之步驟。 (P5)拉伸第3黏著薄片並擴大複數晶片之間隔的步驟。

[第8黏著薄片之黏貼步驟] 圖10A係用以說明步驟(PY1)之圖。圖10A中顯示於作為背面研削前之半導體晶圓W之第1晶圓面的電路面W1黏貼第8黏著薄片80之狀態。第8黏著薄片80具有第8黏著劑層82與第8基材81。本實施形態中，第8黏著薄片80較佳為背面研磨薄片。第8黏著薄片80較佳使用作為背面研磨薄片之第1實施形態之第1黏著薄片10或第2實施形態之第4黏著薄片40同樣的黏著薄片。使用第8黏著薄片80作為背面研磨薄片之情況，半導體晶圓W係電路面W1朝向第8黏著薄片80之第8黏著劑層82而黏貼。作為背面研磨薄片之第8黏著薄片80，於在半導體晶圓W形成特定深度溝槽之步驟之前，較佳黏貼於作為第1晶圓面之電路面W1。

[溝槽形成步驟] 圖10B係用以說明步驟(PY2)之圖。圖10B中顯示說明自半導體晶圓W之電路面W1側形成特定深度之溝槽的步驟(有時稱為溝槽形成步驟)之圖。 溝槽形成步驟中，使用切割裝置之切割刀等自第8黏著薄片80側對半導體晶圓劃出切口。此時，將第8黏著薄片80完全切斷，且自半導體晶圓W之電路面W1切入深度較半導體晶圓W厚度淺的切口，形成溝槽W5。溝槽W5係形成為區劃於半導體晶圓W之電路面W1形成之複數電路W2。溝槽W5之深度若為比成為目的之半導體晶片厚度稍深之程度，則未特別限定。溝槽W5形成時，自半導體晶圓W發生切削屑。本實施形態中，由於電路面W1藉由第8黏著薄片80保護之狀態，進行溝槽W5之形成，故可防止因切削屑汙染電路面W1或電路W2或使其破損。

[研削步驟] 圖10C係用以說明步驟(PY3)之圖。圖10C顯示說明形成溝槽W5後，於經單片化之第8黏著薄片80黏貼第3黏著薄片30之步驟(第3黏著薄片之黏貼步驟)與研削作為半導體晶圓W之第二面的背面W6之步驟(有時稱為研削步驟)之圖。 本實施形態中，使用研磨機500自背面W6側研削半導體晶圓W。藉由研削將半導體晶圓W之厚度減薄，最終分割為複數半導體晶片CP。自背面W6側進行研削直至溝槽W5之底部被去除，將半導體晶圓W按每電路W2而單片化。隨後，根據需要進而進行背面研削，可獲得特定厚度之半導體晶片CP。本實施形態中，研削至獲得作為第2晶圓面之背面W3。本實施形態之包含溝槽形成步驟及研削步驟的方法相當於先切割法。本實施形態之研削步驟中，較佳第8黏著薄片80之第8基材81側以轉印膠帶固定或以真空吸附盤固定之方法而被支持之狀態研削背面W6。

[第3黏著薄片之黏貼步驟] 圖10D係用以說明步驟(PY4)之圖。圖10D顯示說明於研削步驟之後，於背面研削後之半導體晶圓W之第8黏著薄片80側，黏貼第3黏著薄片30之步驟(有時稱為第3黏著薄片之黏貼步驟)之圖。 如圖10D所示，顯示經分割之複數半導體晶片CP經第8黏著薄片80及第3黏著薄片30保持之狀態。

[擴展步驟] 本實施形態中，步驟(PY4)之第3黏著薄片之黏貼步驟之後，與第1實施形態同樣，使第3黏著薄片30拉伸，實施擴大複數半導體晶片CP之間隔的步驟(擴展步驟：步驟(P5))。本實施形態中，第3黏著薄片30亦較佳為擴展薄片。本實施形態之步驟(P5)可與第1實施形態同樣實施。本實施形態中，複數半導體晶片CP之間隔D1亦較佳與第1實施形態相同。 [密封步驟及其他步驟] 本實施形態中，與第1實施形態同樣，亦可實施密封步驟及其他步驟(再配線層形成步驟及與外部端子電極之連接步驟)。

[本實施形態之效果] 藉由採用先切割法之本實施形態之擴展方法，與第1實施形態同樣，與以往相比，可使黏著薄片構成及製程簡略化且可抑制殘糊。再者，可提供包含本實施形態之擴展方法的半導體裝置之製造方法。 又，作為本實施形態之研削步驟使用之第3黏著薄片30，藉由使用擴展薄片，由於研削步驟之後直接實施擴展步驟，故製程可進而簡略化。

[實施形態之變化] 本發明並非限定於上述實施形態。本發明在可達成本發明目的之範圍，包含使上述實施形態變化之態樣等。 例如半導體晶圓或半導體晶片中之電路等不限定於圖示之排列或形狀等。半導體封裝之與外部端子電極之連接構造等亦不限定於前述實施形態中說明之態樣。前述實施形態中，舉製造FO-WLP型半導體封裝之態樣為例加以說明，但本發明亦可適用於製造扇入型之WLP等之其他半導體封裝之態樣。 上述FO-WLP之製造方法亦可變更一部分步驟，亦可省略一部分步驟。 切割步驟中之切割，亦可替代使用上述之切斷機構，而對半導體晶圓照射雷射光而進行。例如，藉由照射雷射光，亦可使半導體晶圓完全分斷，而單片化為複數半導體晶片。或者，亦可藉由雷射光照射而於半導體晶圓內部形成改質層後，於後述擴展步驟中，藉由拉長黏著薄片，而於改質層位置使半導體晶圓斷裂，單片化為半導體晶片CP(隱蔽(Stealth)切割，隱蔽(Stealth)切割為註冊商標)。採用於半導體晶圓W形成改質層之製程之情況，作為一態樣，藉由用以形成改質層之雷射光，與形成改質層同時將背面研磨薄片(例如第1黏著薄片10)或切割時之表面保護薄片(例如第2實施形態之第1黏著薄片70)單片化。且，採用於半導體晶圓W形成改質層之製程之情況，作為另一態樣，另外照射用以將背面研磨薄片或切割時之表面保護薄片單片化之雷射光而單片化。隱蔽切割之情況下，雷射光之照射例如係將紅外光區域之雷射光以聚焦於半導體晶圓內部設定之焦點的方式進行照射。又，該等方法中，雷射光之照射亦可自半導體晶圓之任一側進行。 實施例

以下舉實施例進一步詳細說明本發明。本發明並未限定於該等實施例。 (黏著薄片之製作) [實施例1] 使丙烯酸丁酯(BA) 62質量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA) 10質量份及丙烯酸2-羥基乙酯(2HEA) 28質量份共聚合，獲得丙烯酸系共聚物。調製對該丙烯酸系共聚物，加成甲基丙烯酸2-異氰酸酯基乙酯(昭和電工股份有限公司製，製品名「CURRANTS MOI」(註冊商標))之樹脂(丙烯酸A)之溶液(黏著劑主劑，固形分35.0質量%)。加成率對於丙烯酸系共聚物之2HEA 100莫耳%，甲基丙烯酸2-異氰酸酯基乙酯為90莫耳%。 所得樹脂(丙烯酸A)之重量平均分子量(Mw)為60萬，Mw/Mn為4.5。藉由凝膠滲透層析(GPC)法，測定標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量Mw及數平均分子量Mn，自各測定值求出分子量分佈(Mw/Mn)。 於該黏著劑主劑中添加UV樹脂A(10官能胺基甲酸酯丙烯酸酯，三菱化學股份有限公司製，製品名「UV-5806」，Mw=1740，包含光聚合起始劑)及作為交聯劑之甲苯二異氰酸酯系交聯劑(日本聚胺基甲酸酯工業股份有限公司製，製品名「CORONATE L」)。對於黏著劑主劑中之固形分100質量份，添加50質量份之UV樹脂A，添加0.2質量份交聯劑。添加後，攪拌30分鐘，調製黏著劑組成物A1。

其次，將所調製之黏著劑組成物A1的溶液塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)系剝離薄膜(LINTEC股份有限公司製，製品名「SP-PET381031」，厚38μm)並乾燥，於剝離薄膜上形成厚40μm之黏著劑層。 對該黏著劑層貼合作為基材之聚酯系聚胺基甲酸酯彈性體薄片(SHEEDOM股份有限公司製，製品名「HIGRESS DUS202」，厚100μm)後，切除寬度方向之端部不要部分，製作黏著薄片SA1。

(晶片間隔之測定方法) 將實施例1所得之黏著薄片切斷為210mm×210mm獲得試驗用薄片。此時，以裁斷後之薄片各邊成為與黏著薄片之基材MD方向平行或垂直之方式進行裁斷。 藉由以下所示順序準備黏貼於黏著薄片的半導體晶片。將背面研磨薄片(LINTEC股份有限公司製，製品名「E-3125KL」)黏貼於6吋矽晶圓上。其次自背面研磨薄片側切割6吋矽晶圓，以使3mm×3mm大小之晶片於X軸方向成為5行，及Y軸方向成為5行之方式，切出計25個晶片。於晶片各者黏貼經切割之背面研磨薄片。 剝離試驗用薄片之剝離薄膜，於露出之黏著劑層之中心部，貼附如上述切出之計25個晶片之背面研磨薄片側。此時，晶片於X軸方向排列5行，及Y軸方向排列5行。 其次，將貼附有晶片之試驗用薄片設置於雙軸可延伸之擴展裝置(隔開裝置)。圖11中顯示說明該擴展裝置100之俯視圖。圖11中，X軸及Y軸處於互相正交之關係，將該X軸之正方向設為+X軸方向，該X軸之負方向設為-X軸方向，將該Y軸之正方向設為+Y軸方向，該Y軸之負方向設為-Y軸方向。試驗用薄片200以各邊與X軸或Y軸平行之方式，設置於擴展裝置100。其結果，試驗用薄片200中之基材MD方向與X軸或Y軸平行。又，圖11中省略晶片。

如圖11所示，擴展裝置100於+X軸方向、-X軸方向、+Y軸方向及-Y軸方向分別具備5個保持機構101(計20個保持機構101)。各方向中之5個保持機構101中，保持機構101A位於兩端，保持機構101C位於中央，保持機構101B位於保持機構101A與保持機構101C之間。試驗用薄片200之各邊藉由該等保持機構101抓持。 此處，如圖11所示，試驗薄片200之一邊為210mm。且各邊之保持機構101彼此之間隔為40mm。且，試驗用薄片200之一邊的端部(薄片之頂點)與存在於該邊之最接近該端部之保持機構101A之間隔為25mm。 接著，將與保持機構101分別對應之未圖示之複數張力賦予機構進行驅動，使保持機構101各獨立移動。以捏夾治具固定試驗用薄片之四邊，於X軸方向及Y軸方向分別以5mm/s之速度，以200mm之擴張量擴展試驗用薄片。隨後，藉由環狀框保持試驗用薄片200之擴張狀態。 以保持擴張狀態的狀態下，以數位顯微鏡測定各晶片間之距離，將各晶片間之距離平均值設為晶片間隔。 晶片間隔若為1800μm以上則判定為合格「A」，晶片間隔若未達1800μm則判定為不合格「B」。

(晶片排列性之測定方法) 測定上述經測定晶片間隔之工件之X軸及Y軸方向之相鄰晶片之自中心線之偏移率。 圖12顯示具體測定方法之概略圖。 選擇於X軸方向排列5個晶片之一行，於該行中，以數位顯微鏡測定晶片最上端與晶片最下端之距離Dy。基於下述數式(數3)算出Y軸方向之偏移率。Sy係Y軸方向之晶片大小，本實施例中設為3mm。 Y軸方向之偏移率[%]=[(Dy-Sy)/2]/Sy×100 …(數3) 針對於X軸方向排列5個晶片之其他四行，亦同樣算出Y軸方向之偏移率。 選擇於Y軸方向排列5個晶片之一行，於該行中，以數位顯微鏡測定晶片最左端與晶片最右端之距離Dx。基於下述數式(數4)算出X軸方向之偏移率。Sx係X軸方向之晶片大小，本實施例中設為3mm。 X軸方向之偏移率[%]=[(Dx-Sx)/2]/Sx×100 …(數4) 針對於Y軸方向排列5個晶片之其他四行，亦同樣算出X軸方向之偏移率。 數式(數3)及(數4)中，除以2之理由係將擴張後晶片自特定位置偏移之最大距離以絕對值表現之故。 X軸方向及Y軸方向之所有行(計10行)中，偏移率未達±10%時判定為合格「A」，若一行以上之行中為±10%以上時判定為不合格「B」。

(殘糊之評價方法) 以前述晶片間隔之測定方法所記載之條件擴展後，使用紫外線照射裝置(LINTEC股份有限公司製「RAD-2000 m/12」)，自實施例1之黏著薄片之與搭載晶片之面相反側之面以照度220mW/cm² 、光量460mJ/cm² 之條件照射紫外線。紫外線照射後，以吸附台保持晶片，剝離黏著薄片。剝離黏著薄片後，以光學顯微鏡觀察黏貼有黏著薄片之晶片表面。於晶片表面未觀察到殘糊之情況判定為合格「A」，觀察到殘糊之情況判定為不合格「B」。 使用實施例1之黏著薄片擴展後，晶片間隔之評價結果為合格「A」判定，晶片排列性之評價結果為合格「A」判定。 晶片與實施例之黏著薄片之間介隔背面研磨薄片並使黏著薄片擴展後，晶片表面之殘糊評價結果為合格「A」判定。

3:密封體 3A:面 10:第1黏著薄片 11:第1基材 12:第1黏著劑層 20:第2黏著薄片 21:第2基材 22:第2黏著劑層 30:第3黏著薄片 31:第3基材 32:第3黏著劑層 40:第4黏著薄片 41:第4基材 42:第4黏著劑層 50:第5黏著薄片 51:第5基材 52:第5黏著劑層 60:第6黏著薄片 61:第6基材 62:第6黏著劑層 70:第1黏著薄片 71:第7基材 72:第7黏著劑層 80:第8黏著薄片 81:第8基材 82:第8黏著劑層 100:擴展裝置 101,101A,101B,101C:保持機構 200:試驗用薄片 300:密封構件 500:研磨機 W:半導體晶圓 W1:電路面 W2:電路 W3,W6:背面 W5:溝槽 CP:半導體晶片 Sx:X軸方向之晶片大小 Sy:Y軸方向之晶片大小 Dx:晶片最左端與晶片最右端之距離 Dy:晶片最上端與晶片最下端之距離 D1:間隔

[圖1A]係說明第1實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖1B]係說明第1實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖2A]係說明第1實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖2B]係說明第1實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖3]係說明第1實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖4A]係說明第1實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖4B]係說明第1實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖5A]係說明第1實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖5B]係說明第1實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖6A]係說明第2實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖6B]係說明第2實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖7A]係說明第2實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖7B]係說明第2實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖8A]係說明第2實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖8B]係說明第2實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖9]係說明第2實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖10A]係說明第3實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖10B]係說明第3實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖10C]係說明第3實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖10D]係說明第3實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖11]係說明實施例所用之雙軸延伸擴展裝置之俯視圖。 [圖12]係用以說明晶片排列性之測定方法之概略圖。

10:第1黏著薄片

11:第1基材

12:第1黏著劑層

30:第3黏著薄片

31:第3基材

32:第3黏著劑層

W1:電路面

W2:電路

W3:背面

CP:半導體晶片

D1:間隔

Claims (11)

1. 一種擴展方法，其係於具有第1晶圓面及前述第1晶圓面之相反側之第2晶圓面之晶圓之前述第1晶圓面貼附具有第1黏著劑層及第1基材之第1黏著薄片，於前述第2晶圓面貼附具有第2黏著劑層及第2基材之第2黏著薄片， 從前述第1黏著薄片側劃出切口，將前述第1黏著薄片切斷，進一步將前述晶圓單片化成複數個晶片， 於前述第1基材貼附具有第3黏著劑層及第3基材之第3黏著薄片， 自前述晶圓之前述第2晶圓面剝離前述第2黏著薄片， 將前述第3黏著薄片拉伸，而擴大前述複數個晶片之間隔。
2. 如請求項1之擴展方法，其中， 前述切口係以自前述第1黏著薄片側達到至前述第2黏著薄片之深度而形成。
3. 如請求項1之擴展方法，其中， 前述第2晶圓面係將前述晶圓進行背面研削而形成之面。
4. 如請求項3之擴展方法，其中， 於前述晶圓進行背面研削之前，將前述第1黏著薄片黏貼於前述第1晶圓面。
5. 如請求項3之擴展方法，其中， 於前述晶圓進行背面研削之前，於前述第1晶圓面黏貼第4黏著薄片， 於背面研削後，自前述第1晶圓面剝離前述第4黏著薄片， 於前述第1晶圓面黏貼前述第1黏著薄片。
6. 如請求項5之擴展方法，其中， 前述第4黏著薄片係背面研磨薄片， 前述第1黏著薄片係表面保護薄片， 前述表面保護薄片之厚度為5μm以上、500μm以下。
7. 如請求項1之擴展方法，其中， 前述第1黏著薄片係背面研磨薄片。
8. 如請求項1之擴展方法，其中， 前述第3黏著薄片係擴展薄片。
9. 如請求項1之擴展方法，其中， 前述晶圓為半導體晶圓。
10. 如請求項1至9中任一項之擴展方法，其中， 前述第1晶圓面具有電路。
11. 一種半導體裝置之製造方法，其包含如請求項1至10中任一項之擴展方法。

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