CN114514295B - 粘合片 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种粘合片(10),其具有基材(11)和粘合剂层(12),粘合剂层(12)含有能量射线固化性树脂,上述能量射线固化性树脂具有1个以上以下述通式(11)表示的乙二醇单元。(在所述通式(11)中,m为1以上。)

Description

粘合片
技术领域
本发明涉及粘合片。
背景技术
近年来,电子设备的小型化、轻质化及高功能化不断发展。对于电子设备所搭载的半导体装置也要求小型化、薄型化及高密度化。半导体芯片有时被安装于与其尺寸接近的封装件。这样的封装件有时也被称为芯片级封装件(Chip Scale Package;CSP)。作为CSP之一,可以举出晶片级封装件(Wafer Level Package;WLP)。在WLP中,在通过切割进行单片化之前在晶片形成外部电极等,最终将晶片切割而进行单片化。作为WLP,可以列举扇入(Fan-In)型和扇出(Fan-Out)型。在扇出型的WLP(以下,有时简称为“FO-WLP”)中,将半导体芯片用密封材料覆盖成为比芯片尺寸大的区域,形成半导体芯片密封体,不仅在半导体芯片的电路面、在密封材料的表面区域也形成再布线层及外部电极。
例如,在专利文献1中记载了一种半导体封装件的制造方法,该方法包括:对于由半导体晶片经单片化而成的多个半导体芯片,保留其电路形成面,使用模具构件将其周围包围而形成扩张晶片,使再布线图案延伸至半导体芯片外的区域而形成半导体封装件。在专利文献1所记载的制造方法中,在用模具构件包围单片化而成的多个半导体芯片之前,替换地粘贴于扩展片,将扩展片延展而使多个半导体芯片之间的距离扩大。在专利文献2中记载了为了扩大多个半导体芯片的间隔而使用的半导体加工用片。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2010/058646号
专利文献2:国际公开第2018/003312号
发明内容
发明要解决的课题
在如上所述的FO-WLP的制造方法中,为了在半导体芯片外的区域形成上述的再布线图案等,需要使扩展片扩张而使半导体芯片彼此充分疏离,并在扩张后抑制多个半导体芯片的间隔的不均(提高整齐性)。
另外,扩片工序所使用的片通常为了将片上的半导体芯片固定而具有粘合剂层和用于支撑粘合剂层的基材。在如专利文献1及专利文献2所述那样将扩片用的片抻展时,不仅片的基材,粘合剂层也会被抻展。在扩片工序后,将半导体芯片从粘合剂层剥离时,有时会发生在与粘合剂层相接的半导体芯片的表面残留粘合剂层的不良情况。在本说明书中,有时将这样的不良情况称为残胶。
本发明的目的在于提供使扩片工序中进行扩张后的整齐性提高、并且能够抑制残胶的粘合片。
解决课题的方法
根据本发明的一个方式,提供一种粘合片,其具有基材和粘合剂层,上述粘合剂层含有能量射线固化性树脂,上述能量射线固化性树脂具有以下述通式(11)表示的乙二醇单元。
[化学式1]
(上述通式(11)中,m为1以上。)
在本发明的一个方式的粘合片中,优选上述能量射线固化性树脂进一步具有3个以上能量射线固化性官能团。
在本发明的一个方式的粘合片中,优选上述能量射线固化性树脂所具有的乙二醇单元的总数MEG与上述能量射线固化性树脂所具有的上述能量射线固化性官能团的总数MUV之比MEG/MUV为1以上且15以下。
在本发明的一个方式的粘合片中,优选上述能量射线固化性树脂进一步具有1个以上甘油骨架。
在本发明的一个方式的粘合片中,优选上述能量射线固化性树脂以下述通式(12)表示。
[化学式2]
(上述通式(12)中,
n为1以上,
R1、R2及R3各自独立地为上述能量射线固化性树脂的分子中的原子或基团,
R1、R2及R3中的至少1个具有1个以上以上述通式(11)表示的乙二醇单元。)
在本发明的一个方式的粘合片中,优选上述能量射线固化性树脂以下述通式(13)表示。
[化学式3]
(上述通式(13)中,
n为1以上,
R11、R12及R13各自独立地为上述能量射线固化性树脂的分子中的其它原子或基团,
m1、m2及m3各自独立地为1以上。)
在本发明的一个方式的粘合片中,优选上述能量射线固化性树脂以下述通式(14)表示。
[化学式4]
(上述通式(14)中,
R21、R22、R23及R24各自独立地为上述能量射线固化性树脂的分子中的其它原子或基团,
R21、R22、R23及R24中的至少1个具有1个以上以上述通式(11)表示的乙二醇单元。)
在本发明的一个方式的粘合片中,优选上述能量射线固化性树脂以下述通式(15)表示。
[化学式5]
(上述通式(15)中,
R25、R26、R27及R28各自独立地为上述能量射线固化性树脂的分子中的其它原子或基团,
m21、m22、m23及m24各自独立地为1以上。)
在本发明的一个方式的粘合片中,优选上述粘合剂层含有相对于该粘合剂层的固体成分的总量为15质量%以上且55质量%以下的上述能量射线固化性树脂。
在本发明的一个方式的粘合片中,使上述粘合片向第一方向、与上述第一方向为相反方向的第二方向、相对于上述第一方向为垂直方向的第三方向、以及与上述第三方向为相反方向的第四方向伸长,优选在伸长前的上述粘合片的面积S1与伸长后的上述粘合片的面积S2的面积比(S2/S1)×100为300%时,上述基材及上述粘合剂层不发生断裂。
根据本发明的一个方式,可以提供使扩片工序中进行扩张后的整齐性提高、并且能够抑制残胶的粘合片。
附图说明
图1A是对本发明的一个实施方式的粘合片的使用方法的第一实施方式进行说明的剖面图。
图1B是对本发明的一个实施方式的粘合片的使用方法的第一实施方式进行说明的剖面图。
图2A是对本发明的一个实施方式的粘合片的使用方法的第一实施方式进行说明的剖面图。
图2B是对本发明的一个实施方式的粘合片的使用方法的第一实施方式进行说明的剖面图。
图2C是对本发明的一个实施方式的粘合片的使用方法的第一实施方式进行说明的剖面图。
图2D是对本发明的一个实施方式的粘合片的使用方法的第一实施方式进行说明的剖面图。
图3是对实施例中使用的双向拉伸扩片装置进行说明的俯视图。
图4是本发明的另一个实施方式的粘合片的剖面图。
符号说明
10…第一粘合片
11…第一基材
12…第一粘合剂层
13…第二粘合剂层
110…基材。
具体实施方式
以下,对本发明的一个实施方式进行说明。
[粘合片]
本实施方式的粘合片具有基材和粘合剂层。粘合片的形状可以为例如带状(长条的形态)及标签状(片的形态)等任意形状。
(粘合剂层)
在本实施方式的粘合片中,粘合剂层含有能量射线固化性树脂(a1)。
·能量射线固化性树脂(a1)
能量射线固化性树脂(a1)是受到能量射线照射时发生聚合固化的树脂。作为能量射线,可以列举例如紫外线及电子束等。能量射线固化性树脂(a1)优选为紫外线固化性树脂。
能量射线固化性树脂(a1)在分子内至少具有1个能量射线固化性官能团。能量射线固化性官能团优选为包含碳-碳双键的官能团,更优选为丙烯酰基或甲基丙烯酰基。
含有能量射线固化性树脂(a1)的粘合剂层通过能量射线照射而固化,从而粘合力降低。在想要将被粘附物与粘合片分离的情况下,通过对粘合剂层照射能量射线,能够容易地将它们分离。
作为能量射线固化性树脂(a1)的例子,可以举出具有能量射线固化性基团的低分子量化合物(单官能单体、多官能单体、单官能低聚物及多官能低聚物)。
能量射线固化性树脂(a1)具有1个以上以下述通式(11)表示的乙二醇单元。
[化学式6]
(上述通式(11)中,m为1以上。)
在能量射线固化性树脂(a1)具有2个以上以下述通式(11)表示的乙二醇单元的情况下,2个以上的m彼此相同或不同。
上述通式(11)中的m优选为2以上。
通过使能量射线固化性树脂(a1)具有柔软的聚乙二醇链,固化前的粘合剂层容易变形,固化后的粘合剂层的交联密度适度降低,粘合剂层不容易断裂。
能量射线固化性树脂(a1)每一分子所具有的乙二醇单元的数量优选为3个以上,更优选为5个以上。
另外,在一个实施方式中,能量射线固化性树脂(a1)每一分子所具有的乙二醇单元的数量优选为10个以上,更优选为30个以上,进一步优选为50个以上。
能量射线固化性树脂(a1)每一分子所具有的乙二醇单元的数量优选为100个以下,更优选为90个以下,进一步优选为80个以下。
进一步,能量射线固化性树脂(a1)优选具有3个以上能量射线固化性官能团,更优选具有4个以上。能量射线固化性树脂(a1)所具有的能量射线固化性官能团的数量为3个以上时,易于进一步抑制残胶。
能量射线固化性树脂(a1)优选具有通式(11)表示的乙二醇单元与能量射线固化性官能团直接键合而成的基团。
能量射线固化性树脂(a1)优选具有1个以上的下述通式(11A)表示的含有乙二醇单元的基团。
[化学式7]
(上述通式(11A)中,m为1以上,R为氢原子或甲基。)
在能量射线固化性树脂(a1)具有上述通式(11A)表示的基团的情况下,一分子中的上述通式(11A)表示的基团的数量优选为3个以上,更优选为4个以上。
能量射线固化性树脂(a1)的一分子中所具有的上述通式(11A)表示的基团的数量为3个以上时,易于进一步抑制残胶。
在能量射线固化性树脂(a1)具有上述通式(11A)表示的基团的情况下,一分子中的上述通式(11A)表示的基团的数量优选为10个以下,更优选为9个以下,进一步优选为8个以下。
能量射线固化性树脂(a1)优选进一步具有1个以上甘油骨架。能量射线固化性树脂(a1)也优选具有聚甘油骨架。
与饱和烃骨架这样的碳-碳键体系相比,能量射线固化性树脂(a1)具有包含大量醚键、且能够多官能化的甘油骨架,由此粘合剂层更容易变形,同时能够实现良好的固化性。
能量射线固化性树脂(a1)优选以下述通式(12)表示。
[化学式8]
(上述通式(12)中,
n为1以上,
R1、R2及R3各自独立地为上述能量射线固化性树脂的分子中的原子或基团,
R1、R2及R3中的至少1个具有1个以上以上述通式(11)表示的乙二醇单元。)
n为1时,上述通式(12)以下述通式(12-1)表示。
[化学式9]
(在上述通式(12-1)中,R1、R2及R3与上述通式(12)中的R1、R2及R3含义相同。)
n为4时,上述通式(12)以下述通式(12-4)表示。
[化学式10]
(在上述通式(12-4)中,
R1A、R1B、R1C及R1D各自独立地与上述通式(12)中的R1含义相同,
R2及R3与上述通式(12)中的R2及R3含义相同。)
优选R1、R2及R3各自独立地具有1个以上以上述通式(11)表示的乙二醇单元。在该情况下,R1、R2及R3中的乙二醇单元的数量彼此相同或不同。
优选R1、R2及R3中的至少1个为包含能量射线固化性官能团的基团,更优选R1、R2及R3各自独立地为包含能量射线固化性官能团的基团。
优选R1、R2及R3各自独立地为具有1个以上以上述通式(11)表示的乙二醇单元、且包含能量射线固化性官能团的基团。
更优选R1、R2及R3各自独立地为上述通式(11A)表示的基团。
例如,在上述通式(12-4)表示的能量射线固化性树脂(a1)中,在R1A、R1B、R1C、R1D、R2及R3各具有1个能量射线固化性官能团的情况下,该能量射线固化性树脂(a1)相当于具有6个能量射线固化性官能团。
能量射线固化性树脂(a1)优选以下述通式(13)表示。
[化学式11]
(上述通式(13)中,
n为1以上,
R11、R12及R13各自独立地为上述能量射线固化性树脂的分子中的其它原子或基团,
m1、m2及m3各自独立地为1以上。)
在上述通式(13)中,n为2以上的情况下,2个以上的m1彼此相同或不同,2个以上的R11彼此相同或不同。
优选R11、R12及R13中的至少1个为包含能量射线固化性官能团的基团,更优选R11、R12及R13各自独立地为包含能量射线固化性官能团的基团。
能量射线固化性树脂(a1)也优选以下述通式(14)表示。
[化学式12]
(上述通式(14)中,
R21、R22、R23及R24各自独立地为上述能量射线固化性树脂的分子中的其它原子或基团,
R21、R22、R23及R24中的至少1个具有1个以上以上述通式(11)表示的乙二醇单元。)
优选R21、R22、R23及R24各自独立地具有1个以上以上述通式(11)表示的乙二醇单元。在该情况下,R21、R22、R23及R24中的乙二醇单元的数量彼此相同或不同。
优选R21、R22、R23及R24中的至少1个为包含能量射线固化性官能团的基团,更优选R21、R22、R23及R24各自独立地为包含能量射线固化性官能团的基团。
优选R21、R22、R23及R24各自独立地为具有1个以上以上述通式(11)表示的乙二醇单元、且包含能量射线固化性官能团的基团。
更优选R21、R22、R23及R24各自独立地为以上述通式(11A)表示的基团。
能量射线固化性树脂(a1)优选以下述通式(15)表示。
[化学式13]
(上述通式(15)中,
R25、R26、R27及R28各自独立地为上述能量射线固化性树脂的分子中的其它原子或基团,
m21、m22、m23及m24各自独立地为1以上。)
优选R25、R26、R27及R28中的至少1个为包含能量射线固化性官能团的基团,更优选R25、R26、R27及R28各自独立地为包含能量射线固化性官能团的基团。
粘合剂层优选含有相对于该粘合剂层的固体成分的总量为15质量%以上且55质量%以下的能量射线固化性树脂(a1),更优选含有20质量%以上且48质量%以下,进一步优选含有24质量%以上且48质量%以下。
通过使粘合剂层含有15质量%以上且55质量%以下的能量射线固化性树脂(a1),易于进一步提高整齐性,也易于进一步抑制残胶。
通过使粘合剂层含有20质量%以上的能量射线固化性树脂(a1),易于提高整齐性。
通过使粘合剂层含有48质量%以下的能量射线固化性树脂(a1),在将粘合片卷取成卷状时,不容易发生粘合剂从卷端部的渗出。
能量射线固化性树脂(a1)所具有的乙二醇单元的总数MEG与能量射线固化性树脂(a1)所具有的能量射线固化性官能团的总数MUV之比MEG/MUV优选为1以上且15以下。
在粘合剂层含有24质量%以上的能量射线固化性树脂(a1)、且MEG/MUV为9以上的情况下,即使增大扩片工序中的扩张量,也显示出优异的整齐性。
能量射线固化性树脂(a1)的分子量优选为100以上,更优选为300以上。
能量射线固化性树脂(a1)的分子量优选为30000以下,更优选为15000以下。
能量射线固化性树脂(a1)的分子量为100以上时,可以防止在粘合剂中发生相分离,从而保持带的保管稳定性。
能量射线固化性树脂(a1)的分子量为30000以下时,可以保持与其它材料的相容性。
另外,能量射线固化性树脂(a1)的重均分子量也优选为10000以下。能量射线固化性树脂(a1)的重均分子量为10000以下时,容易兼顾粘合剂的伸展性和固化性。
重均分子量可以利用凝胶渗透色谱(GPC)法、由标准聚苯乙烯换算值得到。
·(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)
本实施方式的粘合剂层优选进一步包含(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)。(甲基)丙烯酸类共聚物与上述的能量射线固化性树脂(a1)不同。
(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)优选具有能量射线固化性的碳-碳双键。即,在本实施方式中,粘合剂层优选含有能量射线固化性树脂(a1)和能量射线固化性的(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)。
本实施方式的粘合剂层优选相对于(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)100质量份而以5质量份以上的比例含有能量射线固化性树脂(a1),更优选以10质量份以上的比例含有,进一步优选以15质量份以上的比例含有。
本实施方式的粘合剂层优选相对于(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)100质量份而以80质量份以下的比例含有能量射线固化性树脂(a1),更优选以70质量份以下的比例含有,进一步优选以60质量份以下的比例含有。
(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)的重均分子量(Mw)优选为1万以上,更优选为15万以上,进一步优选为20万以上。
另外,(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)的重均分子量(Mw)优选为150万以下,更优选为100万以下。
需要说明的是,本说明书中的重均分子量(Mw)是利用凝胶渗透色谱法(GPC法)测得的换算为标准聚苯乙烯的值。
(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)优选为侧链导入了具有能量射线固化性的官能团(能量射线固化性基团)的(甲基)丙烯酸酯聚合物(b2)(以下,有时称为“能量射线固化性聚合物(b2)”)。
能量射线固化性聚合物(b2)优选为具有含官能团单体单元的丙烯酸类共聚物(b21)与具有与该官能团键合的官能团的含不饱和基团化合物(b22)进行反应而得到的共聚物。需要说明的是,在本说明书中,(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯这两者。其它类似用语也同样。
丙烯酸类共聚物(b21)优选包含来自于含官能团单体的结构单元、以及来自于(甲基)丙烯酸酯单体或(甲基)丙烯酸酯单体衍生物的结构单元。
作为丙烯酸类共聚物(b21)的结构单元的含官能团单体优选为分子内具有聚合性的双键、以及官能团的单体。官能团优选为选自羟基、羧基、氨基、取代氨基、以及环氧基等中的至少任一种官能团。
作为含羟基单体,可以列举例如:(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、以及(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等。含羟基单体可以单独使用1种,或者组合使用2种以上。
作为含羧基单体,可以列举例如:丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、马来酸、衣康酸、以及柠康酸等烯属不饱和羧酸。含羧基单体可以单独使用1种,或者组合使用2种以上。
作为含氨基单体或含取代氨基单体,可以列举例如:(甲基)丙烯酸氨基乙酯、以及(甲基)丙烯酸正丁基氨基乙酯等。含氨基单体或含取代氨基单体可以单独使用1种,或者组合使用2种以上。
作为构成丙烯酸类共聚物(b21)的(甲基)丙烯酸酯单体,除了烷基碳原子数为1以上且20以下的(甲基)丙烯酸烷基酯以外,还可以优选使用例如分子内具有脂环结构的单体(含脂环结构单体)。
作为(甲基)丙烯酸烷基酯,优选为烷基碳原子数为1以上且18以下的(甲基)丙烯酸烷基酯。(甲基)丙烯酸烷基酯更优选为例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、以及(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等。(甲基)丙烯酸烷基酯可以单独使用1种,或者组合使用2种以上。
作为含脂环结构单体,可以优选使用例如(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸金刚烷酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、以及(甲基)丙烯酸二环戊烯氧基乙酯等。含脂环结构单体可以单独使用1种,或者组合使用2种以上。
丙烯酸类共聚物(b21)优选以1质量%以上的比例含有来自于上述含官能团单体的结构单元,更优选以5质量%以上的比例含有,进一步优选以10质量%以上的比例含有。
另外,丙烯酸类共聚物(b21)优选以35质量%以下的比例含有来自于上述含官能团单体的结构单元,更优选以30质量%以下的比例含有,进一步优选以25质量%以下的比例含有。
另外,丙烯酸类共聚物(b21)优选以50质量%以上的比例含有来自于(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物的结构单元,更优选以60质量%以上的比例含有,进一步优选以70质量%以上的比例含有。
另外,丙烯酸类共聚物(b21)优选以99质量%以下的比例含有来自于(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物的结构单元,更优选以95质量%以下的比例含有,进一步优选以90质量%以下的比例含有。
丙烯酸类共聚物(b21)可通过利用通常方法使上述的含官能团单体与(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物共聚而得到。
就丙烯酸类共聚物(b21)而言,除上述的单体以外,还可以含有选自二甲基丙烯酰胺、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、以及苯乙烯等中的至少任一种的结构单元。
通过使具有上述含官能团单体单元的丙烯酸类共聚物(b21)与具有和其官能团键合的官能团的含不饱和基团化合物(b22)发生反应,可得到能量射线固化性聚合物(b2)。
含不饱和基团化合物(b22)具有的官能团可以根据丙烯酸类共聚物(b21)具有的含官能团单体单元的官能团的种类而适当选择。例如,在丙烯酸类共聚物(b21)具有的官能团为羟基、氨基或取代氨基的情况下,作为含不饱和基团化合物(b22)具有的官能团,优选为异氰酸酯基或环氧基,在丙烯酸类共聚物(b21)具有的官能团为环氧基的情况下,作为含不饱和基团化合物(b22)具有的官能团,优选为氨基、羧基或氮丙啶基。
含不饱和基团化合物(b22)在1个分子中至少包含1个能量射线固化性的碳-碳双键,优选包含1个以上且6个以下,更优选包含1个以上且4个以下。
作为含不饱和基团化合物(b22),可以列举例如:2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(甲基丙烯酸2-异氰酸基乙酯)、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯、甲基丙烯酰基异氰酸酯、烯丙基异氰酸酯、1,1-(双丙烯酰氧基甲基)乙基异氰酸酯;通过二异氰酸酯化合物或多异氰酸酯化合物与(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而得到的丙烯酰基单异氰酸酯化合物;通过二异氰酸酯化合物或多异氰酸酯化合物、多元醇化合物、以及(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而得到的丙烯酰基单异氰酸酯化合物;(甲基)丙烯酸缩水甘油酯;(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2-(1-氮丙啶基)乙酯、2-乙烯基-2-唑啉、2-异丙烯基-2-/>唑啉等。
相对于丙烯酸类共聚物(b21)的含官能团单体的摩尔数,优选以50摩尔%以上的比例(加成率)使用含不饱和基团化合物(b22),更优选以60摩尔%以上的比例使用,进一步优选以70摩尔%以上的比例使用。
另外,相对于丙烯酸类共聚物(b21)的含官能团单体的摩尔数,优选以95摩尔%以下的比例使用含不饱和基团化合物(b22),更优选以93摩尔%以下的比例使用,进一步优选以90摩尔%以下的比例使用。
在丙烯酸类共聚物(b21)与含不饱和基团化合物(b22)的反应中,可以根据丙烯酸类共聚物(b21)具有的官能团和含不饱和基团化合物(b22)具有的官能团的组合而适当选择反应的温度、压力、溶剂、时间、有无催化剂、以及催化剂的种类。由此,丙烯酸类共聚物(b21)具有的官能团与含不饱和基团化合物(b22)具有的官能团发生反应,在丙烯酸类共聚物(b21)的侧链导入不饱和基团,得到能量射线固化性聚合物(b2)。
能量射线固化性聚合物(b2)的重均分子量(Mw)优选为1万以上,更优选为15万以上,进一步优选为20万以上。
另外,能量射线固化性聚合物(b2)的重均分子量(Mw)优选为150万以下,更优选为100万以下。
·光聚合引发剂(C)
在粘合剂层含有紫外线固化性的化合物(例如,紫外线固化性树脂)的情况下,粘合剂层优选含有光聚合引发剂(C)。
通过使粘合剂层含有光聚合引发剂(C),可以减少聚合固化时间及光线照射量。
作为光聚合引发剂(C),具体可以列举:二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、苯偶姻异丁基醚、苯甲酰苯甲酸、苯甲酰苯甲酸甲酯、安息香双甲醚、2,4-二乙基噻唑酮、1-羟基环己基苯基甲酮、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、苯偶酰、联苄、丁二酮、β-氯蒽醌、(2,4,6-三甲基苄基二苯基)氧化膦、N,N-二乙基二硫代氨基甲酸2-苯并噻唑酯、低聚{2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-丙烯基)苯基]丙酮}、以及2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等。这些光聚合引发剂(C)可以单独使用1种,也可以组合使用2种以上。
在粘合剂层中配合能量射线固化性树脂(a1)及(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)的情况下,相对于能量射线固化性树脂(a1)及(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)的总量100质量份,优选以0.1质量份以上的量使用光聚合引发剂(C),更优选以0.5质量份以上的量使用。
另外,在粘合剂层中配合能量射线固化性树脂(a1)及(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)的情况下,相对于能量射线固化性树脂(a1)及(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)的总量100质量份,优选以10质量份以下的量使用光聚合引发剂(C),更优选以6质量份以下的量使用。
粘合剂层除上述成分以外,还可以适当含有其它成分。作为其它成分,可以列举例如:交联剂(E)、防静电剂、抗氧剂、以及着色剂等。
·交联剂(E)
作为交联剂(E),可以使用与(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)等所带有的官能团具有反应性的多官能性化合物。作为这样的多官能性化合物的例子,可以列举:异氰酸酯化合物、环氧化合物、胺化合物、三聚氰胺化合物、氮丙啶化合物、肼化合物、醛化合物、唑啉化合物、金属醇盐化合物、金属螯合物化合物、金属盐、铵盐、以及反应性酚醛树脂等。
相对于(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)100质量份,交联剂(E)的配合量优选为0.01质量份以上,更优选为0.03质量份以上,进一步优选为0.04质量份以上。
另外,相对于(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)100质量份,交联剂(E)的配合量优选为8质量份以下,更优选为5质量份以下,进一步优选为3.5质量份以下,更进一步优选为2.1质量份以下。
粘合剂层的厚度没有特别限定。粘合剂层的厚度例如优选为10μm以上,更优选为20μm以上。另外,粘合剂层的厚度优选为150μm以下,更优选为100μm以下。
(基材)
基材优选具有第一基材面、和与第一基材面为相反侧的第二基材面。
在本实施方式的粘合片中,本实施方式的粘合剂层优选设置在第一基材面及第二基材面的一面,优选在另一面不设置粘合剂层。
从易于大幅拉伸的观点考虑,基材的材料优选为热塑性弹性体或橡胶类材料,更优选为热塑性弹性体。
另外,作为基材的材料,从易于大幅拉伸的观点考虑,优选使用玻璃化转变温度(Tg)较低的树脂。这样的树脂的玻璃化转变温度(Tg)优选为90℃以下,更优选为80℃以下,进一步优选为70℃以下。
作为热塑性弹性体,可以列举:氨基甲酸酯类弹性体、烯烃类弹性体、氯乙烯类弹性体、聚酯类弹性体、苯乙烯类弹性体、丙烯酸类弹性体、及酰胺类弹性体等。热塑性弹性体可以单独使用1种,或者组合使用2种以上。作为热塑性弹性体,从易于大幅拉伸的观点考虑,优选使用氨基甲酸酯类弹性体。
氨基甲酸酯类弹性体通常是使长链多元醇、扩链剂及二异氰酸酯进行反应而得到的。氨基甲酸酯类弹性体包含软链段和硬链段,所述软链段具有由长链多元醇衍生的结构单元,所述硬链段具有由扩链剂与二异氰酸酯经反应而得到的聚氨酯结构。
如果根据长链多元醇的种类进行分类,则可以将氨基甲酸酯类弹性体分为聚酯类聚氨酯弹性体、聚醚类聚氨酯弹性体、以及聚碳酸酯类聚氨酯弹性体等。氨基甲酸酯类弹性体可以单独使用1种,或者组合使用2种以上。在本实施方式中,从易于大幅拉伸的观点考虑,氨基甲酸酯类弹性体优选为聚酯类聚氨酯弹性体或聚醚类聚氨酯弹性体。
作为长链多元醇的例子,可以列举:内酯类聚酯多元醇及己二酸酯类聚酯多元醇等聚酯多元醇;聚亚丙基(亚乙基)多元醇及聚四亚甲基醚二醇等聚醚多元醇;聚碳酸酯多元醇等。在本实施方式中,从易于大幅拉伸的观点考虑,长链多元醇优选为己二酸酯类聚酯多元醇。
作为二异氰酸酯的例子,可以列举:2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、以及六亚甲基二异氰酸酯等。在本实施方式中,从易于大幅拉伸的观点考虑,二异氰酸酯优选为六亚甲基二异氰酸酯。
作为扩链剂,可以列举:低分子多元醇(例如,1,4-丁二醇、及1,6-己二醇等)、以及芳香族二胺等。其中,从易于大幅拉伸的观点考虑,优选使用1,6-己二醇。
作为烯烃类弹性体,可以列举:包含选自乙烯/α-烯烃共聚物、丙烯/α-烯烃共聚物、丁烯/α-烯烃共聚物、乙烯/丙烯/α-烯烃共聚物、乙烯/丁烯/α-烯烃共聚物、丙烯/丁烯/α-烯烃共聚物、乙烯/丙烯/丁烯/α-烯烃共聚物、苯乙烯/异戊二烯共聚物、及苯乙烯/乙烯/丁烯共聚物中的至少1种树脂的弹性体。烯烃类弹性体可以单独使用1种,或者组合使用2种以上。
烯烃类弹性体的密度没有特别限定。例如,烯烃类弹性体的密度优选为0.860g/cm3以上且小于0.905g/cm3,更优选为0.862g/cm3以上且小于0.900g/cm3,特别优选为0.864g/cm3以上且小于0.895g/cm3。通过使烯烃类弹性体的密度满足上述范围,在将作为被粘附物的半导体晶片粘贴于粘合片时基材的凹凸追随性等优异。
对于烯烃类弹性体而言,在用于形成该弹性体的全部单体中,由烯烃类化合物构成的单体的质量比率(在本说明书中也称为“烯烃含有率”)优选为50质量%以上且100质量%以下。
在烯烃含有率过低的情况下,作为包含来自于烯烃的结构单元的弹性体的性质难以表现出来,基材难以显示出柔软性及橡胶弹性。
从稳定地获得柔软性及橡胶弹性的观点考虑,烯烃含有率优选为50质量%以上,更优选为60质量%以上。
作为苯乙烯类弹性体,可以列举:苯乙烯-共轭二烯共聚物、以及苯乙烯-烯烃共聚物等。作为苯乙烯-共轭二烯共聚物的具体例子,可以列举:苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物(SBS)、苯乙烯-丁二烯-丁烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-异戊二烯共聚物、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯共聚物(SIS)、苯乙烯-乙烯-异戊二烯-苯乙烯共聚物等未氢化苯乙烯-共轭二烯共聚物、苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯共聚物(SEPS、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯共聚物的氢化物)、以及苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物(SEBS、苯乙烯-丁二烯共聚物的加氢产物)等氢化苯乙烯-共轭二烯共聚物等。另外,在工业上,作为苯乙烯类弹性体,可以列举:Tufprene(旭化成株式会社制造)、Kraton(Kraton Polymers Japan公司制造)、Sumitomo TPE-SB(住友化学株式会社制造)、EPOFRIEND(株式会社大赛璐制造)、Rubberron(三菱化学株式会社制造)、Septon(可乐丽株式会社制造)、以及Tuftec(旭化成株式会社制造)等商品名。苯乙烯类弹性体可以是加氢产物,也可以是未氢化物。苯乙烯类弹性体可以单独使用1种,或者组合使用2种以上。
作为橡胶类材料,可以列举例如:天然橡胶、合成异戊二烯橡胶(IR)、丁二烯橡胶(BR)、丁苯橡胶(SBR)、氯丁橡胶(CR)、丁腈橡胶(NBR)、丁基橡胶(IIR)、卤代丁基橡胶、丙烯酸橡胶、氨基甲酸酯橡胶、以及聚硫橡胶等。橡胶类材料可以单独使用这些中的1种,或者组合使用2种以上。
基材也可以是将由多个上述那样的材料(例如,热塑性弹性体或橡胶类材料)形成的膜层叠而得到的层叠膜。另外,基材还可以是将由上述那样的材料(例如,热塑性弹性体或橡胶类材料)形成的膜和其它膜层叠而得到的层叠膜。
基材可以在以上述的树脂类材料作为主材料的膜内含有添加剂。
作为添加剂,可以列举例如:颜料、染料、阻燃剂、增塑剂、防静电剂、润滑剂、以及填料等。作为颜料,可以列举例如:二氧化钛及炭黑等。另外,作为填料,可以示例出三聚氰胺树脂这样的有机类材料、气相法二氧化硅这样的无机类材料、以及镍粒子这样的金属类材料。这样的添加剂的含量没有特别限定,优选落在能够使基材发挥希望的功能的范围。
对于基材,为了提高其与层叠于第一基材面及第二基材面中至少任一者的粘合剂层的密合性,可以根据需要对单面或双面实施表面处理或底涂处理。作为表面处理,可以举出氧化法及凹凸化法等。作为底涂处理,可以举出在基材表面形成底涂层的方法。作为氧化法,可以列举例如:电晕放电处理、等离子体放电处理、铬酸化处理(湿式)、火焰处理、热风处理、臭氧处理、以及紫外线照射处理等。作为凹凸化法,可以举出例如喷砂法及喷涂处理法等。
在粘合剂层含有能量射线固化性粘合剂的情况下,优选基材具有对能量射线的透过性。在使用紫外线作为能量射线的情况下,优选基材对紫外线具有透过性。在使用电子束作为能量射线的情况下,优选基材具有电子束透过性。
对于基材的厚度而言,只要使粘合片在希望的工序中可以适当发挥功能即可,没有限定。基材的厚度优选为20μm以上,更优选为40μm以上。另外,基材的厚度优选为250μm以下,更优选为200μm以下。
另外,在基材的第一基材面或第二基材面的面内方向以2cm间隔测定多个部位的厚度时,基材的厚度的标准偏差优选为2μm以下,更优选为1.5μm以下,进一步优选为1μm以下。通过使该标准偏差为2μm以下,粘合片具有高精度的厚度,能够均匀地对粘合片进行拉伸。
在23℃下,基材的MD方向及CD方向的拉伸模量分别为10MPa以上且350MPa以下,在23℃下,基材的MD方向及CD方向的100%应力分别为3MPa以上且20MPa以下。
通过使拉伸模量及100%应力为上述范围,可以将粘合片大幅拉伸。
基材的100%应力是如下所述地得到的值。从基材切下100mm(长度方向)×15mm(宽度方向)的大小的试验片。用夹具夹住切下的试验片的长度方向两端、并使夹具间的长度为50mm。在用夹具夹住试验片之后,以200mm/分的速度沿长度方向拉伸,读取夹具间的长度达到100mm时的拉伸力的测定值。基材的100%应力是通过用读取到的拉伸力的测定值除以基材的截面积而得到的值。基材的截面积是按照宽度方向长度15mm×基材(试验片)的厚度而算出的。该切下以使基材制造时的行进方向(MD方向)或垂直于MD方向的方向(CD方向)与试验片的长度方向一致的方式进行。需要说明的是,在该拉伸试验中,试验片的厚度没有特别限定,可以与作为试验对象的基材的厚度相同。
在23℃下,基材的MD方向及CD方向的断裂伸长率分别优选为100%以上。
通过使基材的MD方向及CD方向的断裂伸长率分别为100%以上,可以大幅拉伸粘合片而不发生断裂。
基材的拉伸模量(MPa)及基材的断裂伸长率(%)可以如下所述进行测定。将基材裁切为15mm×140mm而得到试验片。对于该试验片,按照JIS K7161:2014及JIS K7127:1999测定23℃下的断裂伸长率及拉伸模量。具体而言,对于上述试验片,使用拉伸试验机(株式会社岛津制作所制造,产品名“Autograph AG-IS 500N”),将卡盘间距离设定为100mm,然后以200mm/分的速度进行拉伸试验,测定断裂伸长率(%)及拉伸模量(MPa)。需要说明的是,测定是沿基材制造时的行进方向(MD)及与其成直角的方向(CD)这两个方向进行的。
(粘合片的物性)
使本实施方式的粘合片向第一方向、与第一方向为相反方向的第二方向、相对于第一方向为垂直方向的第三方向、以及与第三方向为相反方向的第四方向伸长,优选在伸长前的粘合片的面积S1与伸长后的粘合片的面积S2的面积比(S2/S1)×100为300%时,基材及粘合剂层不发生断裂。优选第一方向、第二方向、第三方向及第四分别对应于例如后述的双向拉伸中的+X轴方向、-X轴方向、+Y轴方向及-Y轴方向这4个方向。作为用于向4个方向进行伸长的装置,可以举出例如后述的扩片装置。
(剥离片)
对于本实施方式的粘合片而言,在直到将粘合剂层的粘合面粘贴于被粘附物(例如,半导体芯片等)之前的期间,为了保护粘合面,可以在粘合面层叠有剥离片。剥离片的构成是任意的。作为剥离片的例子,可以示例出利用剥离剂等进行了剥离处理的塑料膜。
作为塑料膜的具体例子,可以举出聚酯膜及聚烯烃膜。作为聚酯膜,可以列举例如:聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、或聚萘二甲酸乙二醇酯等的膜。作为聚烯烃膜,可以列举例如:聚丙烯、或聚乙烯等的膜。
作为剥离剂,可以使用有机硅类、氟类、以及长链烷基类等。在这些剥离剂中,优选为廉价且可获得稳定的性能的有机硅类。
对于剥离片的厚度,没有特别限定。剥离片的厚度通常为20μm以上且250μm以下。
(粘合片的制造方法)
本实施方式的粘合片可以与现有的粘合片同样地制造。
粘合片的制造方法只要能够将上述的粘合剂层层叠于基材的一面即可,没有特别详细限定。
作为粘合片的制造方法的一例,可以举出如下所述的方法。首先,制备含有构成粘合剂层的粘合性组合物、并根据需要进一步含有溶剂或分散介质的涂敷液。接下来,利用涂布机构将涂敷液涂布在基材的一面上,形成涂膜。作为涂布机构,可以列举例如:模涂机、帘涂机、喷涂机、狭缝涂布机及刮涂机等。接下来,通过使该涂膜干燥,可以形成粘合剂层。涂敷液只要能够进行涂布即可,其性状没有特别限定。涂敷液既有含有用于形成粘合剂层的成分作为溶质的情况,又有含有用于形成粘合剂层的成分作为分散介质的情况。
此外,作为粘合片的制造方法的另一例,可以举出如下所述的方法。首先,在上述的剥离片的剥离面上涂布涂敷液而形成涂膜。接下来,使涂膜干燥,形成由粘合剂层和剥离片构成的层叠体。接下来,可以将基材粘贴于该层叠体的粘合剂层的与剥离片侧一面为相反侧的面而得到粘合片与剥离片的层叠体。该层叠体中的剥离片可以作为工序材料而剥离,也可以直到被粘附物(例如,半导体芯片及半导体晶片等)粘贴于粘合剂层为止保护粘合剂层。
在涂敷液含有交联剂的情况下,可以通过变更涂膜的干燥条件(例如,温度及时间等)、或者通过另行进行加热处理,从而进行涂膜内的(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)与交联剂的交联反应,在粘合剂层内以希望的存在密度形成交联结构。为了使该交联反应充分进行,可以在通过上述的方法等使粘合剂层层叠于基材之后,进行将得到的粘合片在例如23℃、相对湿度50%的环境中静置数天的调理。
本实施方式的粘合片的厚度优选为30μm以上,更优选为50μm以上。另外,粘合片的厚度优选为400μm以下,更优选为300μm以下。
[粘合片的使用方法]
由于本实施方式的粘合片可以贴合于各种被粘附物,因此,能够适用本实施方式的粘合片的被粘附物没有特别限定。例如,作为被粘附物,优选为半导体芯片及半导体晶片。
本实施方式的粘合片例如可以用于半导体加工用途。
另外,本实施方式的粘合片可以用于将贴合于单面的多个半导体芯片的间隔进行扩张。
多个半导体芯片的扩张间隔依赖于半导体芯片的尺寸,因而没有特别限制。本实施方式的粘合片优选用于将贴合在粘合片的一面的多个半导体芯片中相邻的半导体芯片的相互间隔扩大至200μm以上。需要说明的是,该半导体芯片的相互间隔的上限没有特别限制。该半导体芯片的相互间隔的上限例如可以为6000μm。
另外,本实施方式的粘合片也可以用于至少通过双向拉伸将层叠于粘合片的一面的多个半导体芯片的间隔扩大的情况。在该情况下,对于粘合片而言,例如,沿着相互正交的X轴及Y轴中的+X轴方向、-X轴方向、+Y轴方向及-Y轴方向这4个方向被赋予张力而被抻展,更具体而言,沿着基材的MD方向及CD方向分别被抻展。
上述这样的双向拉伸例如可以使用沿X轴方向及Y轴方向赋予张力的疏离装置来进行。这里,X轴及Y轴为正交的轴,将与X轴平行的方向中的1个方向设为+X轴方向,将与该+X轴方向相反的方向设为-X轴方向,将与Y轴平行的方向中的1个方向设为+Y轴方向,将与该+Y轴方向相反的方向设为-Y轴方向。
上述疏离装置沿+X轴方向、-X轴方向、+Y轴方向及-Y轴方向这4个方向对粘合片赋予张力,关于该4个方向的各个方向,优选具备多个保持机构和与这些保持机构相对应的多个张力赋予机构。各方向上的保持机构及张力赋予机构的数量取决于粘合片的大小,例如可以为3个以上且10个以下左右。
这里,例如,在为了沿+X轴方向赋予张力而设置的包含多个保持机构和多个张力赋予机构的组中,优选各个保持机构具备保持粘合片的保持构件,各个张力赋予机构使与该张力赋予机构相对应的保持构件沿+X轴方向移动而对粘合片赋予张力。进而,多个张力赋予机构各自独立地优选以使保持机构可沿+X轴方向移动的方式设置。另外,在为了沿-X轴方向、+Y轴方向及-Y轴方向分别赋予张力而设置的包含多个保持机构和多个张力赋予机构的3个组中,也优选具有同样的构成。由此,上述疏离装置可以在每个与各方向正交的方向的区域对粘合片赋予大小不同的张力。
通常,在使用4个保持构件从+X轴方向、-X轴方向、+Y轴方向及-Y轴方向这4个方向分别保持粘合片、并沿该4个方向拉伸的情况下,除了这4个方向以外,还会沿它们的合成方向(例如,+X轴方向与+Y轴方向的合成方向、+Y轴方向与-X轴方向的合成方向、-X轴方向与-Y轴方向的合成方向及-Y轴方向与+X轴方向的合成方向)对粘合片赋予张力。其结果是,有时会导致在粘合片的内侧区域的半导体芯片的间隔与外侧区域的半导体芯片的间隔上产生差异。
然而,在上述的疏离装置中,在+X轴方向、-X轴方向、+Y轴方向及-Y轴方向的各方向上,多个张力赋予机构可以各自独立地对粘合片赋予张力,因此,可以以消除了上述的粘合片的内侧与外侧的间隔的差异的方式实现对粘合片的拉伸。
其结果是,可以准确地调整半导体芯片的间隔。
上述疏离装置优选进一步具备测定半导体芯片的相互间隔的测定机构。这里,上述张力赋予机构优选设置为能够基于测定机构的测定结果而将多个保持构件个别地移动的方式。通过使上述疏离装置具备测定机构,可以基于由上述测定机构得到的半导体芯片间隔的测定结果而对该间隔进一步进行调整,其结果是能够更准确地调整半导体芯片的间隔。
需要说明的是,在上述疏离装置中,作为保持机构,可以举出卡盘机构及减压机构。作为卡盘机构,可以举出例如机械卡盘及卡盘柱(chuck cylinder)等。作为减压机构,可以举出例如减压泵及真空抽气器等。另外,在上述疏离装置中,作为保持机构,可以是通过粘接剂或磁力等支撑粘合片的构成。另外,作为卡盘机构中的保持构件,例如,可以使用具有具备从下方支撑粘合片的下支撑构件、被下支撑构件支撑的驱动设备、以及被驱动设备的输出轴支撑且可通过驱动设备的驱动而从上方按压粘合片的上支撑构件的构成的保持构件。作为该驱动设备,可以举出例如电动设备及传动器等。作为电动设备,可以列举例如:旋转电动机、直动电动机、直线电动机、单轴机器人、以及多关节机器人等。作为传动器,可以列举例如:气缸、液压缸、无杆缸、及旋转缸等。
另外,在上述疏离装置中,张力赋予机构可以具有驱动设备,并通过该驱动设备使保持构件移动。作为张力赋予机构具备的驱动设备,可以使用与上述的保持构件具备的驱动设备同样的驱动设备。例如,张力赋予机构可以是具备作为驱动设备的直动电动机和夹在直动电动机与保持构件之间的输出轴、且驱动的直动电动机通过输出轴使保持构件移动的构成。
在使用本实施方式的粘合片将半导体芯片的间隔扩大的情况下,可以从半导体芯片彼此接触的状态、或从半导体芯片的间隔基本上未被扩大的状态将间隔扩大,或者从已经将半导体芯片彼此的间隔扩大至给定间隔的状态将其间隔进一步扩大。
作为从半导体芯片彼此接触的状态、或从半导体芯片的间隔基本上未被扩大的状态将其间隔扩大的情况,例如,可以通过在切割片上将半导体晶片分割而得到多个半导体芯片,然后,从该切割片向本实施方式的粘合片转印多个半导体芯片,接着将该半导体芯片的间隔扩大。或者,也可以在本实施方式的粘合片上将半导体晶片分割而得到多个半导体芯片,然后将该半导体芯片的间隔扩大。
作为从已经将半导体芯片彼此的间隔扩大至给定间隔的状态将其间隔进一步扩大的情况,可以在使用其它粘合片、优选在使用本实施方式的粘合片(第一拉伸用粘合片)将半导体芯片彼此的间隔扩大至给定的间隔之后,从该片(第一拉伸用粘合片)向本实施方式的粘合片(第二拉伸用粘合片)转印半导体芯片,接着对本实施方式的粘合片(第二拉伸用粘合片)进行拉伸,由此将半导体芯片的间隔进一步扩大。需要说明的是,这样的半导体芯片的转印和粘合片的拉伸可以多次重复,直至半导体芯片的间隔达到希望的距离为止。
[半导体晶片级封装件(FO-WLP)的制造方法]
本实施方式的粘合片优选用于要求使半导体芯片的间隔较为大幅地疏离的用途,作为这样的用途的例子,可优选举出扇出型的半导体晶片级封装件(FO-WLP)的制造方法。作为这样的FO-WLP的制造方法的例子,可举出以下进行说明第一实施方式。
(第一实施方式)
以下,对使用了本实施方式的粘合片的FO-WLP的制造方法的第一实施方式进行说明。需要说明的是,在该第一实施方式中,本实施方式的粘合片作为后述的第一粘合片10而使用。
图1A示出了第一粘合片10和贴合于第一粘合片10的多个半导体芯片CP。
第一粘合片10具有第一基材11和第一粘合剂层12。第一基材11对应于本实施方式的粘合片的基材。第一粘合剂层12对应于本实施方式的粘合片的粘合剂层。第一基材11具有第一基材面11A和与第一基材面11A为相反侧的第二基材面11B。第一粘合剂层12被设置于第一基材面11A。在第二基材面11B没有设置粘合剂层。
在本实施方式中,第一粘合片10作为扩展片使用。
半导体芯片CP具有电路面W1、以及与电路面W1为相反侧的背面W3。在电路面W1形成有电路W2。
多个半导体芯片CP优选通过例如对半导体晶片进行切割而单片化来形成。
切割优选对贴合于切割片等的半导体晶片实施。切割可使用切片机(dicing saw)等切断机构。
可以代替使用上述的切断机构而对半导体晶片照射激光来进行切割。例如,可以通过照射激光,将半导体晶片完全割断,单片化为多个半导体芯片。
或者,可以在通过照射激光在半导体晶片内部形成改性层之后,在后述的扩片工序中,通过对粘合片进行抻展而使半导体晶片在改性层的位置断裂,单片化为半导体芯片CP。有时将这样地单片化为半导体芯片的方法称为隐形切割。在隐形切割的情况下,激光的照射例如以聚焦于设定在半导体晶片内部的焦点的方式照射红外范围的激光。另外,在这些方法中,可以从半导体晶片的任意侧进行激光照射。
在切割后,优选将多个半导体芯片CP一次性地转印至扩展片。
在本实施方式中,经单片化而得到的多个半导体芯片CP从切割片被转印至第一粘合片10。多个半导体芯片CP是以其电路面W1朝向第一粘合剂层12的方式而贴合的。
图1B示出了对于将保持多个半导体芯片CP的第一粘合片10抻展的工序(以下有时称为“扩片工序”)进行说明的图。
将第一粘合片10抻展,使多个半导体芯片CP间的间隔扩大。另外,在进行了隐形切割的情况下,通过将第一粘合片10抻展,可以在使半导体晶片在改性层的位置断裂、单片化为多个半导体芯片CP的同时,将多个半导体芯片CP间的间隔扩大。
在扩片工序中将第一粘合片10抻展的方法没有特别限定。作为将第一粘合片10抻展的方法,可以列举例如:按压环形或圆形的扩展器而将第一粘合片10抻展的方法、以及使用夹持构件等夹住第一粘合片10的外周部进行抻展的方法等。作为后者的方法,可以举出例如使用上述的疏离装置等进行双向拉伸的方法。在这些方法中,从能够更大幅度扩大半导体芯片CP间的间隔的观点考虑,优选为进行双向拉伸的方法。
如图1B所示,将扩片后的半导体芯片CP间的距离设为D1。作为距离D1,由于依赖于半导体芯片CP的尺寸,因此没有特别限制。作为距离D1,例如,各自独立地优选为200μm以上且6000μm以下。
在扩片工序之后,实施对第一粘合片10照射能量射线而使第一粘合剂层12固化的工序(以下有时称为“能量射线照射工序”)。在第一粘合剂层12为紫外线固化性的情况下,在能量射线照射工序中,对第一粘合片10照射紫外线。通过在扩片工序之后使第一粘合剂层12固化,拉伸后的第一粘合片10的形状保持性提高。其结果是,易于保持贴合于第一粘合剂层12的多个半导体芯片CP的整齐性。
图2A示出了对于在扩片工序之后将多个半导体芯片CP转印于第二粘合片20的工序(以下有时称为“转印工序”)进行说明的图。由于在第一扩片工序之后使第一粘合剂层12固化,因此,第一粘合剂层12的粘合力降低,易于将第一粘合片10从半导体芯片CP剥离。进一步,由于第一粘合片10为本实施方式的粘合片,因此能够抑制半导体芯片CP的残胶。
将第一粘合片10抻展而使多个半导体芯片CP的间隔扩大,达到距离D1之后,在半导体芯片CP的背面W3贴合第二粘合片20。这里,作为该第二粘合片20,只要能够保持多个半导体芯片CP则没有特别限定。在想要使多个半导体芯片CP间的距离D1进一步扩张的情况下,优选使用扩展片作为第二粘合片20,更优选使用本实施方式的粘合片。
第二粘合片20具有第二基材21和第三粘合剂层22。
在使用本实施方式的粘合片作为第二粘合片20的情况下,第二基材21对应于本实施方式的粘合片的基材,第三粘合剂层22对应于本实施方式的粘合片的粘合剂层。
第二粘合片20可以与多个半导体芯片CP一起被贴合于第二环形框架。在该情况下,将第二环形框架载置于第二粘合片20的第三粘合剂层22上,对其轻轻按压,进行固定。然后,将暴露在第二环形框架的环形的内侧的第三粘合剂层22按压于半导体芯片CP的背面W3,将多个半导体芯片CP固定于第二粘合片20。
图2B示出了对于在贴合第二粘合片20之后将第一粘合片10剥离的工序进行说明的图。
在贴合第二粘合片20之后剥离第一粘合片10时,多个半导体芯片CP的电路面W1露出。优选在剥离了第一粘合片10之后,在扩片工序中进行了扩张的多个半导体芯片CP间的距离D1也得以保持。
在第二粘合片20为扩展片的情况下,可以在剥离第一粘合片10之后实施将第二粘合片20抻展的工序(以下有时称为“第二扩片工序”)。在该情况下,有时也将对第一粘合片10进行抻展的扩片工序称为第一扩片工序。
在第二扩片工序中,进一步扩大多个半导体芯片CP间的间隔。
在第二粘合片20为本实施方式的粘合片的情况下,扩张后的多个半导体芯片CP的整齐性提高。
在第二扩片工序中对第二粘合片20进行抻展的方法没有特别限定。例如,第二扩片工序也可以与第一扩片工序同样地实施。
需要说明的是,将第二扩片工序后的半导体芯片CP间的间隔设为D2。作为距离D2,由于依赖于半导体芯片CP的尺寸,因此没有特别限制,但距离D2大于距离D1。作为距离D2,例如,各自独立地优选为200μm以上且6000μm以下。
图2C示出了对于将贴合于第二粘合片20的多个半导体芯片CP转印至第三粘合片30的工序(以下有时称为“转印工序”)进行说明的图。在第二粘合片20为本实施方式的粘合片的情况下,可以抑制半导体芯片CP的残胶。
图2C示出了未实施第二扩片工序而从第二粘合片20转印至第三粘合片30的状态。第三粘合片30只要能够保持多个半导体芯片CP则没有特别限定。
从第二粘合片20转印至第三粘合片30的多个半导体芯片CP优选保持了半导体芯片CP间的距离D1。在实施了第二扩片工序的情况下,优选保持了半导体芯片CP间的距离D2。
在第一扩片工序之后,通过重复任意次数的转印工序及扩片工序,可以使半导体芯片CP间的距离为希望的距离,使密封半导体芯片CP时的电路面的朝向为希望的朝向。
在想要将第三粘合片30上的多个半导体芯片CP密封的情况下,作为第三粘合片30,优选使用密封工序用的粘合片,更优选使用具有耐热性的粘合片。
第三粘合片30具有第三基材31和第四粘合剂层32。
另外,在使用具有耐热性的粘合片作为第三粘合片30的情况下,第三基材31及第四粘合剂层32分别优选由具有能够耐受密封工序中施加的温度的耐热性的材料形成。作为第三粘合片30的其它实施方式,可列举具备第三基材、第三粘合剂层及第四粘合剂层的粘合片。该粘合片在第三粘合剂层与第四粘合剂层之间包含第三基材,且在第三基材的两面具有粘合剂层。
从第二粘合片20转印至第三粘合片30的多个半导体芯片CP是将电路面W1朝向第四粘合剂层32而贴合的。
图2D示出了对于使用密封构件60将多个半导体芯片CP密封的工序(以下有时称为“密封工序”)进行说明的图。
在本实施方式中,在多个半导体芯片CP转印至第三粘合片30之后实施密封工序。
在密封工序中,在电路面W1被第三粘合片30保护的状态下,通过利用密封构件60包覆多个半导体芯片CP,从而形成密封体3。多个半导体芯片CP之间也填充有密封构件60。由于利用第三粘合片30包覆了电路面W1及电路W2,因此能够防止电路面W1被密封构件60包覆。
通过密封工序,可以得到各以给定距离疏离的多个半导体芯片CP被嵌入密封构件60而成的密封体3。在密封工序中,优选多个半导体芯片CP以保持了实施扩片工序后的距离的状态被密封构件60包覆。
在密封工序之后,将第三粘合片30剥离。半导体芯片CP的电路面W1及密封体3的与第三粘合片30接触过的面3A露出。
在将粘合片从密封体3剥离之后,对该密封体3依次进行形成与半导体芯片CP电连接的再布线层的再布线层形成工序、以及将再布线层与外部端子电极电连接的连接工序。通过再布线层形成工序及与外部端子电极的连接工序,可使半导体芯片CP的电路与外部端子电极电连接。
对连接了外部端子电极的密封体3以半导体芯片CP单元进行单片化。使密封体3单片化的方法没有特别限定。通过将密封体3单片化,可制造半导体芯片CP单元的半导体封装件。连接了扇出至半导体芯片CP的区域外的外部电极的半导体封装件作为扇出型的晶片级封装件(FO-WLP)而被制造。
根据本实施方式的粘合片,可使在扩片工序中进行扩张后的整齐性提高,并且能够抑制残胶。因此,可以适宜用于以上说明的需要将多个半导体芯片的间隔大幅扩张、并抑制扩张后多个半导体芯片的位置偏移的用途。
[实施方式的变形]
本发明并不受上述实施方式的任何限定。在能够实现本发明目的的范围,本发明包含将上述的实施方式变形而得到的实施方式等。
例如,半导体晶片、半导体芯片中的电路等并不限定于图示的排列、形状等。半导体封装件中的与外部端子电极的连接结构等也并不限定于上述实施方式中说明的方式。在上述的实施方式中,以制造FO-WLP型的半导体封装件的方式为例进行了说明,但本发明也可以适用于制造扇入型的WLP等其它半导体封装件的方式。
上述第一实施方式的FO-WLP的制造方法可以变更一部分工序、或省略一部分工序。
在上述实施方式中,列举上述实施方式的粘合剂层设置于第一基材面及第二基材面中的一面、且在另一面未设置粘合剂层的方式的粘合片为例进行了说明,但本发明并不限定于这样的方式。
例如,可以举出在基材的两面设有粘合剂层的粘合片,其至少一个粘合剂层为上述实施方式的粘合剂层。
例如,图4中示出了粘合片10A。粘合片10A具有基材110、第一粘合剂层12、以及第二粘合剂层13。粘合片10A在第一粘合剂层12与第二粘合剂层13之间包含基材110。
在基材110的第一基材面11A设有第一粘合剂层12,在第二基材面11B设有第二粘合剂层13。
基材110与上述实施方式的第一基材11相同。
第一粘合剂层12对应于上述实施方式的粘合片的粘合剂层。第二粘合剂层13没有特别限定。
第一粘合剂层12及第二粘合剂层13的组成可以相同,也可以不同。
第一粘合剂层12及第二粘合剂层13的厚度可以相同,也可以不同。
实施例
以下,列举实施例对本发明更详细地进行说明。本发明并不受这些实施例的任何限定。
[粘合片的制作]
(实施例1)
使丙烯酸丁酯(BA)52质量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)20质量份、及丙烯酸2-羟基乙酯(2HEA)28质量份共聚,得到了丙烯酸类共聚物。制备了对该丙烯酸类共聚物加成甲基丙烯酸2-异氰酸基乙酯(昭和电工株式会社制、产品名“Karenz MOI”(注册商标))而成的树脂(Acryl A)的溶液(粘合剂主剂)。对于加成率,相对于丙烯酸类共聚物的2HEA 100摩尔%,将甲基丙烯酸2-异氰酸基乙酯设为90摩尔%。
得到的树脂(Acryl A)的重均分子量(Mw)为60万、Mw/Mn为4.5。通过凝胶渗透色谱(GPC)法测定了标准聚苯乙烯换算的重均分子量Mw及数均分子量Mn,由各自的测定值求出了分子量分布(Mw/Mn)。
以如下所示的比率在该粘合剂主剂中添加能量射线固化性树脂A(阪本药品工业株式会社制、产品名“SA-TE60”)、光聚合引发剂(IGM Resins B.V.公司制、产品名“Omnirad127D”)及交联剂(TOYOCHEM公司制、TMP-TDI(甲苯二异氰酸酯的三羟甲基丙烷加合物),进一步添加乙酸乙酯之后,搅拌30分钟,制备了固体成分35.0质量%的粘合剂组合物A1。
粘合剂主剂:固体成分100质量份
能量射线固化性树脂A:固体成分51.4质量份
光聚合引发剂:固体成分3.7质量份
交联剂:固体成分0.2质量份
接着,将制备成的粘合剂组合物A1的溶液涂布于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)类剥离膜(琳得科株式会社制、产品名“PET752150”),使涂膜在90℃下干燥90秒钟,进一步在100℃下干燥90秒钟,在剥离膜上形成了厚度30μm的粘合剂层。
在该粘合剂层上贴合氨基甲酸酯基材(仓敷纺织株式会社制,产品名“U-1490”,厚度100μm,硬度90度(A型))之后,将宽度方向上的端部的不需要部分裁切除去,制作了粘合片SA1。
将能量射线固化性树脂的性质等示于表1。
(实施例2)
在实施例1的粘合片SA1的制作中,使用了能量射线固化性树脂B(阪本药品工业株式会社制、产品名“SA-TE6”)来代替能量射线固化性树脂A“(SA-TE60”),除此以外,与实施例1同样地制作了实施例2的粘合片SA2。
(实施例3)
在实施例1的粘合片SA1的制作中,使用了能量射线固化性树脂C(新中村化学工业株式会社制、产品名“ATM-35E”)来代替能量射线固化性树脂A“(SA-TE60”),除此以外,与实施例1同样地制作了实施例3的粘合片SA3。
(实施例4)
在实施例1的粘合片SA1的制作中,使用了能量射线固化性树脂D(新中村化学工业株式会社制、产品名“A-GLY-9E”)来代替能量射线固化性树脂A(“SA-TE60”),除此以外,与实施例1同样地制作了实施例4的粘合片SA4。
(实施例5)
在实施例1的粘合片SA1的制作中,通过将能量射线固化性树脂A变更为固体成分26质量份,制作了能量射线固化性树脂的含有率为20质量%的粘合剂层,除此以外,与实施例1同样地制作了实施例5的粘合片SA5。
(实施例6)
在实施例1的粘合片SA1的制作中,通过将能量射线固化性树脂A变更为固体成分85.14质量份,制作了能量射线固化性树脂的含有率为45质量%的粘合剂层,除此以外,与实施例1同样地制作了实施例6的粘合片SA6。
(实施例7)
在实施例1的粘合片SA1的制作中,通过将能量射线固化性树脂A变更为固体成分22.9质量份,制作了能量射线固化性树脂的含有率为18质量%的粘合剂层,除此以外,与实施例1同样地制作了实施例7的粘合片SA7。
(实施例8)
在实施例1的粘合片SA1的制作中,通过将能量射线固化性树脂A变更为固体成分104.3质量份,制作了能量射线固化性树脂的含有率为50质量%的粘合剂层,除此以外,与实施例1同样地制作了实施例8的粘合片SA8。
(比较例1)
在实施例1的粘合片SA1的制作中,使用了能量射线固化性树脂E(新中村化学工业株式会社制、产品名“A-DOD-N”)来代替能量射线固化性树脂A(“SA-TE60”),除此以外,与实施例1同样地制作了比较例1的粘合片R-SA1。
(比较例2)
在实施例1的粘合片SA1的制作中,使用了能量射线固化性树脂F(三菱化学株式会社制、产品名“UV-5806”)来代替能量射线固化性树脂A(“SA-TE60”),除此以外,与实施例1同样地制作了比较例2的粘合片R-SA2。
[粘合片的评价]
对于制成的粘合片进行了以下的评价。将评价结果示于表1。
(整齐性的评价方法)
将实施例1~8以及比较例1~2中制作的粘合片切断成210mm×210mm,得到了试验用粘合片。此时,以使裁切后的片的各边与粘合片中的基材的MD方向平行或垂直的方式进行裁切。
切割硅晶片,以使3mm×3mm尺寸的芯片沿X轴方向为7列、且沿Y轴方向为7列的方式切出了共计49个芯片。
将试验用粘合片的剥离膜剥离,在露出的粘合剂层的中心部如上所述地粘贴切出的共计49个芯片。此时,芯片沿X轴方向排成7列、且沿Y轴方向排成7列,芯片间的距离在X轴方向及Y轴方向上均为35μm。
接下来,将粘贴有芯片的试验用粘合片设置于可双向拉伸的扩片装置(疏离装置)。图3中示出了对该扩片装置100进行说明的俯视图。图3中,X轴及Y轴成相互正交的关系,将该X轴的正方向设为+X轴方向、将该X轴的负方向设为-X轴方向、将该Y轴的正方向设为+Y轴方向、将该Y轴的负方向设为-Y轴方向。试验用粘合片200以各边与X轴或Y轴平行的方式设置于扩片装置100。其结果是,试验用粘合片200中的基材的MD方向与X轴或Y轴平行。需要说明的是,图3中省略了芯片。
如图3所示,扩片装置100在+X轴方向、-X轴方向、+Y轴方向及-Y轴方向上分别具备5个保持机构101(共计20个保持机构101)。在各方向上的5个保持机构101中,保持机构101A位于两端,保持机构101C位于中央,保持机构101B位于保持机构101A与保持机构101C之间。可以利用这些保持机构101夹持试验用粘合片200的各边。
这里,如图3所示,试验用粘合片200的边长为210mm。另外,各边上的保持机构101彼此的间隔为40mm。另外,试验用粘合片200的一边上的端部(片的顶点)与存在于该边且距该端部最近的保持机构101A的间隔为25mm。
·第1扩片试验
接着,驱动与各个保持机构101相对应的未图示的多个张力赋予机构,使保持机构101各自独立地移动。用夹具固定试验用粘合片的四边,沿X轴方向及Y轴方向分别以5mm/s的速度、200mm的扩张量对试验用粘合片进行了扩片。第1扩片试验的结果是,试验用粘合片的面积相对于扩片前扩张至381%。在本实施例中,有时将该扩张量200mm的扩片试验称为第1扩片试验。在第1扩片试验后,实施例1~8的粘合片的基材及粘合剂层没有发生断裂。
·第2扩片试验
将上述的第1扩片试验中的X轴方向及Y轴方向的扩张量变更为350mm,除此以外,与第1扩片试验同样地对试验用粘合片进行了扩片。第2扩片试验的结果是,试验用粘合片的面积相对于扩片前扩张至711%。在本实施例中,有时将该扩张量350mm的扩片试验称为第2扩片试验。需要说明的是,第2扩片试验是对于第1扩片试验的结果、整齐性评价为后述的评价A的粘合片所实施的。在第2扩片试验后,实施例1、2、3、5、6及8的粘合片的基材及粘合剂层没有发生断裂。
通过第1扩片试验或第2扩片试验对试验用粘合片进行了扩张之后,利用环形框架对试验用粘合片200的扩张状态进行了保持。
在保持扩张状态的状态下,基于芯片彼此的位置关系计算出芯片间距离的标准偏差,由此评价了整齐性。具体而言,根据各芯片的角求出芯片的中心,测定了相邻的芯片的中心间距离。从该中心间距离减去作为芯片的边的长度的3mm,作为芯片间距离。试验用粘合片上的芯片的位置使用CNC图像测定仪(三丰株式会社制、产品名“Vision ACCEL”)进行了测定。标准偏差使用JMP公司制的数据分析软件JMP13进行了计算。整齐性的评价基准如下所述地进行了设定。在本实施例中,将评价A或评价B判定为合格。
·整齐性的评价基准
评价A:标准偏差为100μm以下
评价B:标准偏差为200μm以下
评价C:标准偏差为201μm以上
(残胶的评价方法)
通过上述的整齐性的评价中的第1扩片试验对试验用粘合片进行了扩张后,按照以下的照射条件照射了紫外线。
·紫外线照射条件:220mW/cm2、160mJ/cm2
照射紫外线后,使用琳得科株式会社制UV固化型胶带D-218将芯片从试验用粘合片剥离。
使用数码显微镜(株式会社Keyence制、产品名“VHX-1000”)以光学100倍确认了与粘合剂层相接的芯片表面。
作为有无残胶的判定基准,如果1芯片内存在1处以上的残胶,则作为残胶芯片进行计数。残胶的评价基准如下所述地进行了设定。在本实施例中,将评价A或评价B判定为合格。
·残胶的评价基准
评价A:全部芯片没有残胶
评价B:残胶芯片的发生比例为40%以下
评价C:残胶芯片的发生比例为41%以上
(粘合剂渗出的评价方法)
使用上述的实施例或比较例中制作的粘合剂组合物、长条状的剥离膜及氨基甲酸酯基材制作了长条状的粘合片的卷样品。接着,将从该卷样品放出的粘合片裁切为35mm宽度,将裁切得到的粘合片25m的量卷取至3英寸的ABS芯,得到了试验用卷样品。将该试验用卷样品在40℃的恒温槽中静置48小时,对裁切面的状态进行了触摸试验。粘合剂渗出的评价基准如下所述地进行了设定。在本实施例中,将评价A判定为合格。
·渗出的评价基准
评价A:裁切面没有发粘感
评价B:裁切面有发粘感
[表1]
表1中的符号的说明如下所述。
EG:乙二醇
EG单元数MEG:能量射线固化性树脂每一分子所具有的乙二醇单元的总数
UV固化性官能团的数量MUV:能量射线固化性树脂每一分子所具有的能量射线固化性(本实施例中为紫外线固化性)的官能团的总数
MEG/MUV:单位能量射线(UV)固化性官能团的乙二醇(EG)单元数
如表1所示,由于实施例1~8的粘合片的粘合剂层含有具有1个以上以通式(11)表示的乙二醇单元的能量射线固化性树脂,因此实施例1~8的粘合片是整齐性优异、残胶少的粘合片。

Claims (8)

1.一种扩展片,其具有基材和粘合剂层,
所述基材的材料是热塑性弹性体或橡胶类材料,
所述粘合剂层含有能量射线固化性树脂(a1)和(甲基)丙烯酸类共聚物(b1),且(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)与上述能量射线固化性树脂(a1)不同,
所述能量射线固化性树脂(a1)具有1个以上以下述通式(11)表示的乙二醇单元,
所述通式(11)中,m为1以上,
能量射线固化性树脂(a1)中每一分子所具有的乙二醇单元的数量为100个以下,
能量射线固化性树脂(a1)所具有的能量射线固化性官能团的数量为3个以上,
能量射线固化性树脂(a1)所具有的乙二醇单元的总数MEG与能量射线固化性树脂(a1)所具有的能量射线固化性官能团的总数MUV之比MEG/MUV为1以上且15以下,
粘合剂层含有18质量%以上且55质量%以下的能量射线固化性树脂(a1)。
2.根据权利要求1所述的扩展片,其中,
所述能量射线固化性树脂(a1)所具有的所述乙二醇单元的总数MEG与所述能量射线固化性树脂(a1)所具有的所述能量射线固化性官能团的总数MUV之比MEG/MUV为9以上且15以下。
3.根据权利要求1所述的扩展片,其中,
所述能量射线固化性树脂(a1)进一步具有1个以上甘油骨架。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的扩展片,其中,
所述能量射线固化性树脂(a1)以下述通式(12)表示,
所述通式(12)中,
n为1以上,
R1、R2及R3各自独立地为所述能量射线固化性树脂(a1)的分子中的原子或基团,
R1、R2及R3中的至少1个具有1个以上以所述通式(11)表示的乙二醇单元。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的扩展片,其中,
所述能量射线固化性树脂(a1)以下述通式(13)表示,
所述通式(13)中,
n为1以上,
R11、R12及R13各自独立地为所述能量射线固化性树脂(a1)的分子中的其它原子或基团,
m1、m2及m3各自独立地为1以上。
6.根据权利要求1~3中任一项所述的扩展片,其中,
所述能量射线固化性树脂(a1)以下述通式(14)表示,
所述通式(14)中,
R21、R22、R23及R24各自独立地为所述能量射线固化性树脂(a1)的分子中的其它原子或基团,
R21、R22、R23及R24中的至少1个具有1个以上以所述通式(11)表示的乙二醇单元。
7.根据权利要求1~3中任一项所述的扩展片,其中,
所述能量射线固化性树脂(a1)以下述通式(15)表示,
所述通式(15)中,
R25、R26、R27及R28各自独立地为所述能量射线固化性树脂(a1)的分子中的其它原子或基团,
m21、m22、m23及m24各自独立地为1以上。
8.根据权利要求1~3中任一项所述的扩展片,其中,
使所述扩展片向第一方向、与所述第一方向为相反方向的第二方向、相对于所述第一方向为垂直方向的第三方向、以及与所述第三方向为相反方向的第四方向伸长,在伸长前的所述扩展片的面积S1与伸长后的所述扩展片的面积S2的面积比(S2/S1)×100%为300%时,所述基材及所述粘合剂层不发生断裂。
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